JPS6342377A - 超微粒子分散膜の製造方法 - Google Patents
超微粒子分散膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS6342377A JPS6342377A JP18580086A JP18580086A JPS6342377A JP S6342377 A JPS6342377 A JP S6342377A JP 18580086 A JP18580086 A JP 18580086A JP 18580086 A JP18580086 A JP 18580086A JP S6342377 A JPS6342377 A JP S6342377A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultrafine particles
- dispersion medium
- ultrafine
- high vacuum
- vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は超微粒子を任意の媒体中に均一に分散して成る
超微粒子分散膜を製造する方法に関するものである。
超微粒子分散膜を製造する方法に関するものである。
〈従来の技術〉
減圧された不活性ガス雰囲気（たとえば０．１〜１０Ｔ
ｏｒｒ）中で、金属半導体あるいは誘電体を加熱蒸発さ
せることにより、この蒸気流から支持基板上に超微粒子
分散膜を形成する方法はガス中蒸発法として周知である
。ガス中蒸発法によって作製された超微粒子分散膜は、
例えば情報処理分野における磁気記録媒体、化学分野で
の触媒、各種のセンサ材料あるいはスイッチ素子、メモ
リ素子、ダイオード等の電子回路素子等を製作する上で
の基礎部材として利用されている。しかしながら、一般
にこのガス中蒸発法を用いれば、作製される超微粒子は
数個あるいは数１０個の粒子が互いに連結した状態で回
収され、個々の超微粒子を支持体上に緻密にかつ相互に
離間された状態で均一に分散せしめることは不可能であ
る。それは次の理由によるものと思われる。すなわち、
ガス中蒸発法においては、ガス中で形成された泣径敗十
人乃至数千人程度の超微粒子かガス分子と衝突を繰り返
し、初期の運動エネルギーを急速に失いつつ蒸発熱源の
熱に起因する対流ガスに運ばれて支持体上に堆積される
ため、この搬送過程で粒子相互の接触による凝集が連鎖
的に生ずることが原因であると考えられている。超微粒
子が相互に連結されて支持体上に回収されると、連結さ
れた部分の超微粒子は実質的に粗大粒子と化し、超微粒
子としての物理的あるいは化学的特性を喪失する。従っ
て、このような超微粒子分散膜を例えばセンサ（４料や
電子回路素子材料として使用した場合には、不良の発生
する゛側合が高くなり、部品製作上の信頼性を確保する
ことができなくなる。また、このようなガス中蒸発法で
は超微粒子分散膜の密着性や結晶方位等の制御性を得ろ
ことができないという問題がある。
ｏｒｒ）中で、金属半導体あるいは誘電体を加熱蒸発さ
せることにより、この蒸気流から支持基板上に超微粒子
分散膜を形成する方法はガス中蒸発法として周知である
。ガス中蒸発法によって作製された超微粒子分散膜は、
例えば情報処理分野における磁気記録媒体、化学分野で
の触媒、各種のセンサ材料あるいはスイッチ素子、メモ
リ素子、ダイオード等の電子回路素子等を製作する上で
の基礎部材として利用されている。しかしながら、一般
にこのガス中蒸発法を用いれば、作製される超微粒子は
数個あるいは数１０個の粒子が互いに連結した状態で回
収され、個々の超微粒子を支持体上に緻密にかつ相互に
離間された状態で均一に分散せしめることは不可能であ
る。それは次の理由によるものと思われる。すなわち、
ガス中蒸発法においては、ガス中で形成された泣径敗十
人乃至数千人程度の超微粒子かガス分子と衝突を繰り返
し、初期の運動エネルギーを急速に失いつつ蒸発熱源の
熱に起因する対流ガスに運ばれて支持体上に堆積される
ため、この搬送過程で粒子相互の接触による凝集が連鎖
的に生ずることが原因であると考えられている。超微粒
子が相互に連結されて支持体上に回収されると、連結さ
れた部分の超微粒子は実質的に粗大粒子と化し、超微粒
子としての物理的あるいは化学的特性を喪失する。従っ
て、このような超微粒子分散膜を例えばセンサ（４料や
電子回路素子材料として使用した場合には、不良の発生
する゛側合が高くなり、部品製作上の信頼性を確保する
ことができなくなる。また、このようなガス中蒸発法で
は超微粒子分散膜の密着性や結晶方位等の制御性を得ろ
ことができないという問題がある。
〈発明の目的〉
そこで、本発明の目的は、超微粒子を均一かつ任意の密
度に分散でき、かつ超微粒子分散膜を制御性良く得るこ
とができる超微粒子分散膜の製造方法を提供することに
ある。
度に分散でき、かつ超微粒子分散膜を制御性良く得るこ
とができる超微粒子分散膜の製造方法を提供することに
ある。
〈発明の構成〉
上記目的を達成するため、本発明の超微粒子分散膜の製
造方法は、反応室で常圧もしくは減圧中で例えば化学気
相反応法等により形成された超微粒子を気体流にのせて
運搬し、高真空に保持されて上記反応室に対して細孔を
通して差動排気を行う高真空室内に、上記超微粒子とそ
の超微粒子の分散媒体となるべき物質の蒸気とを導入し
て混合し、さらに、外場を与えて、高真空室内に設置さ
れた支持基板上に超微粒子と分散媒体とを同時に堆積あ
るいは付着させて超微粒子分散膜を製造することを特徴
としている。
造方法は、反応室で常圧もしくは減圧中で例えば化学気
相反応法等により形成された超微粒子を気体流にのせて
運搬し、高真空に保持されて上記反応室に対して細孔を
通して差動排気を行う高真空室内に、上記超微粒子とそ
の超微粒子の分散媒体となるべき物質の蒸気とを導入し
て混合し、さらに、外場を与えて、高真空室内に設置さ
れた支持基板上に超微粒子と分散媒体とを同時に堆積あ
るいは付着させて超微粒子分散膜を製造することを特徴
としている。
〈実施例〉
以下、この発明を図示の実施例により詳細に説明する。
第１図において、１１ＩＣｕ、Ｚｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ
１．ｌｌａ。
１．ｌｌａ。
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ
等の金属、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、Ｔｅ、Ｓｎｏｗ、Ｃ
ｄＳ、ＣｄＴｅ等の半導体あるいはＶＯ２，ＴｉＯｘ、
Ｔ３ａＴｉＯｘ等の誘電体等の超微粒子の製造用原料ガ
スを供給するガス系、２はヒータ３て加熱され、原料ガ
スを熱分解あるいは高温反応させて所望の超微粒子を形
成する反応室、４は細孔、５は細孔４により反応室２に
連通する高真空室である混合室、６は混合室５に分散媒
体の蒸気を導入する分散媒蒸気導入口であり、上記混合
室５は浦拡散ポンプ１１により高真空になっており、油
回転ポンプ１２により排気されている反応室２と混合室
５との差圧は細孔４で保持するようにしている。また、
７は高真空室である外場印加室、８は電場、磁場、熱、
光等の場を外場印加室７内に発生させる外場発生装置、
９は高真空室である膜形成室、ＩＯは超微粒子分散膜が
堆積あるいは付着するたとえばンリコンウエハーや樹脂
フィルム等の図示しない支持基板を載せる試料支持板、
１３は油回転ポンプである。
等の金属、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、Ｔｅ、Ｓｎｏｗ、Ｃ
ｄＳ、ＣｄＴｅ等の半導体あるいはＶＯ２，ＴｉＯｘ、
Ｔ３ａＴｉＯｘ等の誘電体等の超微粒子の製造用原料ガ
スを供給するガス系、２はヒータ３て加熱され、原料ガ
スを熱分解あるいは高温反応させて所望の超微粒子を形
成する反応室、４は細孔、５は細孔４により反応室２に
連通する高真空室である混合室、６は混合室５に分散媒
体の蒸気を導入する分散媒蒸気導入口であり、上記混合
室５は浦拡散ポンプ１１により高真空になっており、油
回転ポンプ１２により排気されている反応室２と混合室
５との差圧は細孔４で保持するようにしている。また、
７は高真空室である外場印加室、８は電場、磁場、熱、
光等の場を外場印加室７内に発生させる外場発生装置、
９は高真空室である膜形成室、ＩＯは超微粒子分散膜が
堆積あるいは付着するたとえばンリコンウエハーや樹脂
フィルム等の図示しない支持基板を載せる試料支持板、
１３は油回転ポンプである。
ガス系ｌより供給された超微粒子製造用原料ガスはヒー
タ３で加熱された反応室２に導入され、熱分解および高
温反応により所望の超微粒子が形成される。反応室２に
は原料ガスとともに超微粒子運搬用ガスも同時に導入さ
れており、油回転ポンプ１２で適宜排気されることによ
り、超微粒子と運搬用ガスとの混合気体流が形成される
。一方、混合室５は油拡散ポンプ１１により高真空に達
しており、混合室５と反応室２との差圧は細孔４により
保持される。混合室５には細孔４を通して超微粒子が導
入されろと共に、分散媒蒸気導入口６を通して超微粒子
分散媒となるべき物質の蒸気が導入されており、ここで
超微粒子と分散媒蒸気とか混合される。さらに均一に混
合された気流は反応室７を通過する際、外部発生装置８
による外場の印加により、所望の特性が付与されて、膜
形成室９内に設置された試料支持板１０上の支持基板に
堆積または付着され、超微粒子分散膜が形成される。
タ３で加熱された反応室２に導入され、熱分解および高
温反応により所望の超微粒子が形成される。反応室２に
は原料ガスとともに超微粒子運搬用ガスも同時に導入さ
れており、油回転ポンプ１２で適宜排気されることによ
り、超微粒子と運搬用ガスとの混合気体流が形成される
。一方、混合室５は油拡散ポンプ１１により高真空に達
しており、混合室５と反応室２との差圧は細孔４により
保持される。混合室５には細孔４を通して超微粒子が導
入されろと共に、分散媒蒸気導入口６を通して超微粒子
分散媒となるべき物質の蒸気が導入されており、ここで
超微粒子と分散媒蒸気とか混合される。さらに均一に混
合された気流は反応室７を通過する際、外部発生装置８
による外場の印加により、所望の特性が付与されて、膜
形成室９内に設置された試料支持板１０上の支持基板に
堆積または付着され、超微粒子分散膜が形成される。
この製造方法は、混合室５で超微粒子と分散媒体を混合
し、さらに外場を与えて、超微粒子と分散媒体とを同時
に支持基板に堆積あるいは付着するので、制御性が良い
。また、超微粒子の混合割合を変えて、超微粒子が任意
の密度で均一な超微粒子分散膜を得ることができる。
し、さらに外場を与えて、超微粒子と分散媒体とを同時
に支持基板に堆積あるいは付着するので、制御性が良い
。また、超微粒子の混合割合を変えて、超微粒子が任意
の密度で均一な超微粒子分散膜を得ることができる。
上記外場としては、高周波を与えてガスプラズマを発生
させると、低温で微粒子分散膜を作成できる。また、超
微粒子とその分散媒体となるべき物質の蒸気が混在する
反応室７において、超微粒子もしくは分散媒体となるべ
き物質の蒸気をイオン化し、外部電界により加速すると
、支持基板に密着性よく超微粒子分散膜を作成できる。
させると、低温で微粒子分散膜を作成できる。また、超
微粒子とその分散媒体となるべき物質の蒸気が混在する
反応室７において、超微粒子もしくは分散媒体となるべ
き物質の蒸気をイオン化し、外部電界により加速すると
、支持基板に密着性よく超微粒子分散膜を作成できる。
また高真空内で磁性体の超微粒子とその分散媒体となる
＼き物質の蒸気が混在する反応室７において、外部磁界
を印加すると、磁性体の結晶方向がそろった超微粒子分
散膜を得ることができる。
＼き物質の蒸気が混在する反応室７において、外部磁界
を印加すると、磁性体の結晶方向がそろった超微粒子分
散膜を得ることができる。
〈発明の効果〉
以上より明らかなように、本発明によれば、反応室に対
して差動排気を行う高真空室で超微粒子と分散媒体を適
宜な割合で混合し、さらに、外部を与えて支持基板上に
超微粒子と分散媒体とを同時に堆積あるいは付着させる
ので、超微粒子を均一かつ任意の密度に分散でき、かつ
超微粒子分散膜を制御性良く得ることができる。
して差動排気を行う高真空室で超微粒子と分散媒体を適
宜な割合で混合し、さらに、外部を与えて支持基板上に
超微粒子と分散媒体とを同時に堆積あるいは付着させる
ので、超微粒子を均一かつ任意の密度に分散でき、かつ
超微粒子分散膜を制御性良く得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例の説明図である。
１・・・ガス系、２・・反応室、４ 細孔、５・・・混
合室、７・・・外場印加室、９・・膜形成室、１Ｇ・・
・試料支持板。
合室、７・・・外場印加室、９・・膜形成室、１Ｇ・・
・試料支持板。
Claims (4)
- （１）反応室で常圧もしくは減圧中で所定の方法により
形成された超微粒子を気体流にのせて運搬し、高真空に
保持されて上記反応室に対して細孔を通して差動排気を
行う高真空室内に、上記超微粒子とその超微粒子の分散
媒体となるべき物質の蒸気とを導入して混合し、さらに
、外場を与えて、高真空室内に設置された支持基板上に
超微粒子と分散媒体とを同時に堆積あるいは付着させて
超微粒子分散膜を製造することを特徴とする超微粒子分
散膜の製造方法。 - （２）超微粒子とその分散媒体となるべき物質の蒸気が
混在する高真空室内においてガスプラズマを発生させる
場を与える過程を有する特許請求の範囲第１項に記載の
超微粒子分散膜の製造方法。 - （３）超微粒子とその分散媒体となるべき物質の蒸気が
混在する高真空室内において、超微粒子もしくは分散媒
体となるべき物質の蒸気をイオン化し、外部電界により
加速する過程を有する特許請求の範囲第１項に記載の超
微粒子分散膜の製造方法。 - （４）超微粒子とその分散媒体となるべき物質の蒸気が
混在する高真空室内において外部磁界が印加される過程
を有する特許請求の範囲第１項に記載の超微粒子分散膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18580086A JPS6342377A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 超微粒子分散膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18580086A JPS6342377A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 超微粒子分散膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6342377A true JPS6342377A (ja) | 1988-02-23 |
Family
ID=16177108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18580086A Pending JPS6342377A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 超微粒子分散膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6342377A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7344572B2 (en) | 2003-03-25 | 2008-03-18 | Casio Computer Co., Ltd. | Reforming apparatus |
| US7632093B2 (en) | 2004-09-06 | 2009-12-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pyrolysis furnace having gas flowing path controller |
-
1986
- 1986-08-06 JP JP18580086A patent/JPS6342377A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7344572B2 (en) | 2003-03-25 | 2008-03-18 | Casio Computer Co., Ltd. | Reforming apparatus |
| US7632093B2 (en) | 2004-09-06 | 2009-12-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pyrolysis furnace having gas flowing path controller |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101171360B (zh) | 具有金属纳米粒子涂层的微孔制品 | |
| Schaff et al. | Structure sensitivity in the surface chemistry of ice: acetone adsorption on amorphous and crystalline ice films | |
| US4654229A (en) | Method for the production of substrates with a uniform dispersion of extremely fine granules | |
| JPH0218392A (ja) | 多結晶性ダイヤモンド膜の製造方法 | |
| WO1999047726A1 (en) | Process for depositing atomic to nanometer particle coatings on host particles | |
| JP5847996B2 (ja) | 複合粒子の製造方法 | |
| WO1995026044A1 (en) | Large-area semiconductor thin films formed at low temperature using nanocrystal precursors | |
| WO2008091581A1 (en) | Nanoparticles with grafted organic molecules | |
| Hahn et al. | Chemical interactions at metal-polymer interfaces | |
| JPH05504793A (ja) | 混合金属酸化物の薄膜を生成する装置 | |
| JPS6320032A (ja) | 被膜を有する超微粒子の製造法 | |
| JPH01501557A (ja) | 揮発性クラスタを使用した薄膜の被着方法および装置 | |
| US4942057A (en) | Making an amorphous layer | |
| JP2002338387A (ja) | ダイヤモンド膜の製造方法及びダイヤモンド膜 | |
| JPS6339631A (ja) | 有機物微粒子の製造方法 | |
| JP2982055B2 (ja) | 金、銀、又は銅の金属微粒子の製造方法 | |
| Hunt | Temperature dependence of the electronic and vibrational excitations of adsorbed on | |
| Chopra et al. | Thin film technology: An introduction | |
| JPS63200833A (ja) | 超微粒子分散膜の製造方法 | |
| JP5378631B2 (ja) | 気相成長結晶薄膜製造方法 | |
| WO2001049900A1 (fr) | Procede d'application d'un revetement metallique et matiere couverte dudit revetement | |
| JP3049534B2 (ja) | ポリペリナフタレン薄膜の製造方法 | |
| JPH04502939A (ja) | 材料析出方法及び装置 | |
| JPS6046372A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| Schröder et al. | Analysis of UV Laser-Induced Heterogeneous Deposition: Platinum |