JPS634277B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS634277B2 JPS634277B2 JP56135163A JP13516381A JPS634277B2 JP S634277 B2 JPS634277 B2 JP S634277B2 JP 56135163 A JP56135163 A JP 56135163A JP 13516381 A JP13516381 A JP 13516381A JP S634277 B2 JPS634277 B2 JP S634277B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- bubble
- transfer
- bubbles
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0858—Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は不要バブルを消去する消去回路に関す
る。
る。
近年、磁気バブルメモリの記憶媒体として動作
する磁気バブル（以下バブル）として直径が1μ
ｍ以下の所謂サブミクロンバブルを用いて記憶容
量を増加したメモリデバイスの開発が進められて
おり、これにはバブルの転送を連接形転送回路に
より行う方法がとられている。
する磁気バブル（以下バブル）として直径が1μ
ｍ以下の所謂サブミクロンバブルを用いて記憶容
量を増加したメモリデバイスの開発が進められて
おり、これにはバブルの転送を連接形転送回路に
より行う方法がとられている。
この方法はバブルを保持する磁性膜が一定方向
の磁化容易軸を有する第１領域と、この領域を囲
みこれと直交した磁化容易軸をもつ第２領域とに
より形成され、第１領域によりバブル情報転送用
のメジヤ・ループパターンとバブル情報格納用の
数多くのマイナ・ループパターンとが形成されて
なるもので、第２領域はバブル保持膜へのイオン
注入或は第１領域とは磁化容易軸の方向が異る磁
性膜の形成などの方法により作ることができる。
の磁化容易軸を有する第１領域と、この領域を囲
みこれと直交した磁化容易軸をもつ第２領域とに
より形成され、第１領域によりバブル情報転送用
のメジヤ・ループパターンとバブル情報格納用の
数多くのマイナ・ループパターンとが形成されて
なるもので、第２領域はバブル保持膜へのイオン
注入或は第１領域とは磁化容易軸の方向が異る磁
性膜の形成などの方法により作ることができる。
ここでメジヤ・ループパターンおよびマイナ・
ループパターンは多数のデイスク形パターンまた
は角形パターンを連接した形状をとるため、連接
形転送回路（コンテイギユアス・デイスクパター
ン）と云われている。
ループパターンは多数のデイスク形パターンまた
は角形パターンを連接した形状をとるため、連接
形転送回路（コンテイギユアス・デイスクパター
ン）と云われている。
第１図および第２図は連接形転送回路の説明図
でＡは正面図またＢはＡ−A′線における断面図
である。
でＡは正面図またＢはＡ−A′線における断面図
である。
バブルメモリ用磁性膜は非磁性ガーネツトであ
るガドリニウム・ガリウムガーネツト
（Gd3Ga3O12略称GGG）よりなるウエハ１の上に
バブル保持膜となる磁性ガーネツト薄膜２を液相
エピタキシヤル成長させた後、第１図の場合は転
送パターン３を除く部分に水素イオン（H+）、ヘ
リウムイオン（He+）、ネオンイオン（Ne+）な
どのイオンを注入することにより磁化容易軸が膜
面に対し垂直方向に配列している磁性ガーネツト
薄膜２の内イオン注入部４の磁化容易軸の方向を
面方向に倒したものである。
るガドリニウム・ガリウムガーネツト
（Gd3Ga3O12略称GGG）よりなるウエハ１の上に
バブル保持膜となる磁性ガーネツト薄膜２を液相
エピタキシヤル成長させた後、第１図の場合は転
送パターン３を除く部分に水素イオン（H+）、ヘ
リウムイオン（He+）、ネオンイオン（Ne+）な
どのイオンを注入することにより磁化容易軸が膜
面に対し垂直方向に配列している磁性ガーネツト
薄膜２の内イオン注入部４の磁化容易軸の方向を
面方向に倒したものである。
また、第２図の場合は磁性ガーネツト薄膜２の
上に磁化容易軸を面内にもつガーネツト例えばイ
ツトニウム・アイアン・ガーネツト（YIG）の転
送パターンを形成させたもので、イオン注入を施
したと同様な特性をもつバブル転送回路を得るこ
とができ、駆動磁界の回転方向が時計方向の場
合、第１図Ａおよび第２図Ａに示すようにバブル
７は駆動磁界の回転に従つて連接形転送回路に従
つて順次転送が行われる。
上に磁化容易軸を面内にもつガーネツト例えばイ
ツトニウム・アイアン・ガーネツト（YIG）の転
送パターンを形成させたもので、イオン注入を施
したと同様な特性をもつバブル転送回路を得るこ
とができ、駆動磁界の回転方向が時計方向の場
合、第１図Ａおよび第２図Ａに示すようにバブル
７は駆動磁界の回転に従つて連接形転送回路に従
つて順次転送が行われる。
かかる連接形転送回路を用いたバブルメモリデ
バイスにおいては、シングルループ構成とメジ
ヤ・マイナループ構成とがあり、後者は転送回路
としてバブル情報の書き込みを行う書き込みメジ
ヤライン、読み出しを行なう読み出しメジヤライ
ンおよびバブル情報の格納を行うマイナループが
ある。
バイスにおいては、シングルループ構成とメジ
ヤ・マイナループ構成とがあり、後者は転送回路
としてバブル情報の書き込みを行う書き込みメジ
ヤライン、読み出しを行なう読み出しメジヤライ
ンおよびバブル情報の格納を行うマイナループが
ある。
また、導体回路によりバブル発生器、消去器な
どの機能ゲートが作られている。
どの機能ゲートが作られている。
さて、かかるバブルメモリデバイスにおいてバ
ブル情報の書き込み或いは読み出し操作が終つた
不要バブルは消去する必要があり、従来は電流に
より消去する方法がとられていた。
ブル情報の書き込み或いは読み出し操作が終つた
不要バブルは消去する必要があり、従来は電流に
より消去する方法がとられていた。
第３図は読み出しメジヤラインを転送するバブ
ルを検出器により検出後、これを消去する従来の
消去回路の説明図、また第４図はこれに流れる電
流波形である。
ルを検出器により検出後、これを消去する従来の
消去回路の説明図、また第４図はこれに流れる電
流波形である。
ここではイオン注入法により連接形転送回路を
作る実施例について説明する。
作る実施例について説明する。
第３図において、イオン注入により磁化容易軸
の方向が面内方向に配向したイオン注入領域８に
囲まれて非イオン注入領域よりなる連接形転送パ
ターン９およびバブルストレツチ用パターン１０
があり、この上にはアルミ・銅（Al・Cu）合金
或は金（Au）からなる蒸着膜により導体回路１
１が設けられており、また、この導体回路の上に
は酸化硅素（SiO2）蒸着膜からなる絶縁層を介
してパーマロイからなる磁気抵抗素子１２が設け
られている。
の方向が面内方向に配向したイオン注入領域８に
囲まれて非イオン注入領域よりなる連接形転送パ
ターン９およびバブルストレツチ用パターン１０
があり、この上にはアルミ・銅（Al・Cu）合金
或は金（Au）からなる蒸着膜により導体回路１
１が設けられており、また、この導体回路の上に
は酸化硅素（SiO2）蒸着膜からなる絶縁層を介
してパーマロイからなる磁気抵抗素子１２が設け
られている。
ここで、駆動磁界が反時計方向に回転している
場合について第３図の検出、消去機能を説明する
と、連接形転送パターン９で導体回路１１に隣接
するカスプ位置にあるバブル１３は駆動磁界の１
回転後次のカスプ位置１４に移るが、この段階で
導体パターン１１にこのヘアピン内部位置１５の
バイアス磁界が弱まる方向に、第４図に示すパル
ス電流１６を加えるとカスプ位置１４にあるバブ
ルはストレツチされてヘアピン内部に拡大して磁
気抵抗素子１２によりバブルの存在が検出され、
その後ストレツチ電流と逆方向に第４図のパルス
電流１７を流し、バブルに加えられているバイア
ス磁界値をバブルの消滅磁界値にまで増加さすこ
とにより消去が行われていた。
場合について第３図の検出、消去機能を説明する
と、連接形転送パターン９で導体回路１１に隣接
するカスプ位置にあるバブル１３は駆動磁界の１
回転後次のカスプ位置１４に移るが、この段階で
導体パターン１１にこのヘアピン内部位置１５の
バイアス磁界が弱まる方向に、第４図に示すパル
ス電流１６を加えるとカスプ位置１４にあるバブ
ルはストレツチされてヘアピン内部に拡大して磁
気抵抗素子１２によりバブルの存在が検出され、
その後ストレツチ電流と逆方向に第４図のパルス
電流１７を流し、バブルに加えられているバイア
ス磁界値をバブルの消滅磁界値にまで増加さすこ
とにより消去が行われていた。
以上は読み出しメジヤラインにおけるバブルの
消去法であるが、書き込みメジヤラインにおいて
スワツプ回路により置き換えられた不要バブル情
報は第３図において検出器を除いた回路を用い、
消去パルスを加えることにより消去が行われてい
た。
消去法であるが、書き込みメジヤラインにおいて
スワツプ回路により置き換えられた不要バブル情
報は第３図において検出器を除いた回路を用い、
消去パルスを加えることにより消去が行われてい
た。
このように連接形転送回路を用いる従来のバブ
ルメモリデバイスにおいては、バブルの消去はヘ
アピン形導体回路にパルス電流を加える方法によ
り行われているが、パルス電源回路が複雑になる
などの欠点があつた。
ルメモリデバイスにおいては、バブルの消去はヘ
アピン形導体回路にパルス電流を加える方法によ
り行われているが、パルス電源回路が複雑になる
などの欠点があつた。
本発明は連接形転送回路を用いるデバイスにお
いて不要バブルの消去をガードレールに導くこと
により行うことを目的とし、その方法として磁性
ガーネツトの結晶磁気異方性を利用したマージ回
路を用いるにある。
いて不要バブルの消去をガードレールに導くこと
により行うことを目的とし、その方法として磁性
ガーネツトの結晶磁気異方性を利用したマージ回
路を用いるにある。
マージ回路はT.J.Nelson等により発表されて
いるが、第５図によりその動作を示すと次のよう
になる。
いるが、第５図によりその動作を示すと次のよう
になる。
（T.J.Nelson et al、The Bell System
Technical Journal.Vol.59、No.２、1980） バブルメモリ用ガーネツト磁性膜は膜面に垂直
方向に一軸異方性磁界（Hk）をもつていると共
に面方向に互に120゜の角をなして弱い結晶磁気異
方性磁界（K1）が存在する。
Technical Journal.Vol.59、No.２、1980） バブルメモリ用ガーネツト磁性膜は膜面に垂直
方向に一軸異方性磁界（Hk）をもつていると共
に面方向に互に120゜の角をなして弱い結晶磁気異
方性磁界（K1）が存在する。
それで膜面に形成される連接回路は結晶磁気異
方性磁界（K1）との向きによりスーパ・トラツ
クＳ、バツド・トラツクｂ、グツド・トラツクｇ
に分けられる。
方性磁界（K1）との向きによりスーパ・トラツ
クＳ、バツド・トラツクｂ、グツド・トラツクｇ
に分けられる。
ここでスーパ・トラツクＳは、バブル転送路の
バイアスマージンが大きく、バブル転送が容易な
通路であり、バツド・トラツクｂはバイアスマー
ジンが最も狭くバブル転送が行われにくい通路で
あり、一方、グツド・トラツクｇはバブル転送に
ついて中間的動作マージンを有する通路である。
バイアスマージンが大きく、バブル転送が容易な
通路であり、バツド・トラツクｂはバイアスマー
ジンが最も狭くバブル転送が行われにくい通路で
あり、一方、グツド・トラツクｇはバブル転送に
ついて中間的動作マージンを有する通路である。
さて、連接形転送回路が第５図のように形成さ
れており、下側転送回路がスーパ・トラツクＳに
パターン形成されている場合は上側転送回路はバ
ツド・トラツクｂとなる。
れており、下側転送回路がスーパ・トラツクＳに
パターン形成されている場合は上側転送回路はバ
ツド・トラツクｂとなる。
いま、第５図は連接形転送回路が左の転送回路
１８と右の転送回路１９に一定の間隔２０を置い
てパターン形成されているとする。
１８と右の転送回路１９に一定の間隔２０を置い
てパターン形成されているとする。
この場合左側の転送回路１８の下側で反時計方
向の駆動磁界により転送されてきたバブル２１は
次に転送に際してギヤツプ２０がそのバブル径で
決まる一定値以内の間隔をとる場合は、ギヤツプ
２０は今までのバブル転送におけるカスプと同様
に働いてバブルを滞留せしめると共に、次の駆動
磁界により右側の転送回路１９へ図の実線矢印２
２で示すように転送が行われる。
向の駆動磁界により転送されてきたバブル２１は
次に転送に際してギヤツプ２０がそのバブル径で
決まる一定値以内の間隔をとる場合は、ギヤツプ
２０は今までのバブル転送におけるカスプと同様
に働いてバブルを滞留せしめると共に、次の駆動
磁界により右側の転送回路１９へ図の実線矢印２
２で示すように転送が行われる。
また、右側の転送回路１９で上側のバツド・ト
ラツクｂ上を右側から左側へ転送されてきたバブ
ル２３は駆動磁界により転送回路に副つて転送さ
れギヤツプ２０に到るが、下側の転送回路がスー
パ・トラツクであるため破線矢印２４に示すよう
に左側の転送回路に転送されることなく下側の転
送回路へと転送される。
ラツクｂ上を右側から左側へ転送されてきたバブ
ル２３は駆動磁界により転送回路に副つて転送さ
れギヤツプ２０に到るが、下側の転送回路がスー
パ・トラツクであるため破線矢印２４に示すよう
に左側の転送回路に転送されることなく下側の転
送回路へと転送される。
マージ機能はこのように磁性ガーネツトの結晶
磁気異方性を利用してバブル転送を行うものであ
り、本発明はこれをバブル消去に適用するもので
マージ回路により不要バブルをガードレールへ導
き消去するものである。
磁気異方性を利用してバブル転送を行うものであ
り、本発明はこれをバブル消去に適用するもので
マージ回路により不要バブルをガードレールへ導
き消去するものである。
ここで、ガードレールは転送パターンと同一形
状をなし、バブルメモリデバイスにおいてメモリ
回路の周辺におかれ不要バブルの掃き出しと消滅
の場所として働くもので、パーマロイ転送回路を
用いる従来回路に使用されている。
状をなし、バブルメモリデバイスにおいてメモリ
回路の周辺におかれ不要バブルの掃き出しと消滅
の場所として働くもので、パーマロイ転送回路を
用いる従来回路に使用されている。
第６図は本発明にかかるマージ回路を用いたバ
ブル消去回路の説明図で、チツプ２５の周辺には
ガードレール２６がありこの中にメジヤ・マイナ
ループよりなる転送回路がパターン形成されてお
り、図では読み出しメジヤライン２７と書き込み
メジヤライン２８の存在位置を示している。第７
図はこの部分拡大図で読み出しメジヤライン２
７、書き込みメジヤライン２８とガードレール２
６との関係を示している。
ブル消去回路の説明図で、チツプ２５の周辺には
ガードレール２６がありこの中にメジヤ・マイナ
ループよりなる転送回路がパターン形成されてお
り、図では読み出しメジヤライン２７と書き込み
メジヤライン２８の存在位置を示している。第７
図はこの部分拡大図で読み出しメジヤライン２
７、書き込みメジヤライン２８とガードレール２
６との関係を示している。
第７図においてストライプアウト容易軸は中央
部に図示した方向を向いており、これから読み出
しメジヤライン２７と書き込みメジヤライン２８
の下側はスーパ・トラツクＳであり、上側はバツ
ド・トラツクｂである。また、ガードレール２６
の両側の転送回路は共にグツド・トラツクｇ上に
形成されている。
部に図示した方向を向いており、これから読み出
しメジヤライン２７と書き込みメジヤライン２８
の下側はスーパ・トラツクＳであり、上側はバツ
ド・トラツクｂである。また、ガードレール２６
の両側の転送回路は共にグツド・トラツクｇ上に
形成されている。
いま、読み出しメジヤライン２７上を転送され
てきた不要バブル２９は反時計方向に回転する駆
動磁界によりギヤツプ３０にまで転送されて来る
が、マージ機能によりガードレール２６のグツド
トラツクｇに移り、以後ガードレール２６の下端
部３１を回つて外側部に出、外側のガードレール
を転送する。
てきた不要バブル２９は反時計方向に回転する駆
動磁界によりギヤツプ３０にまで転送されて来る
が、マージ機能によりガードレール２６のグツド
トラツクｇに移り、以後ガードレール２６の下端
部３１を回つて外側部に出、外側のガードレール
を転送する。
次に、書き込みメジヤライン２８上の不要バブ
ルも同様にマージ機能により反対側のバツド・ト
ラツクｂ側に移ることなくガードレール２６の外
側へと掃き出される。
ルも同様にマージ機能により反対側のバツド・ト
ラツクｂ側に移ることなくガードレール２６の外
側へと掃き出される。
以上のように不要バブルを消去したい回路にマ
ージ回路を用いることにより不要バブルをガード
レールへ導くことができ、パーマロイ転送パター
ンを用いる従来回路と同様に消去することができ
る。
ージ回路を用いることにより不要バブルをガード
レールへ導くことができ、パーマロイ転送パター
ンを用いる従来回路と同様に消去することができ
る。
本発明は連接形転送回路を用いるバブルメモリ
デバイスにおいては、従来不要バブルの消去を電
流パルスを用いて行つていたのに対し、マージ回
路により従来と同様にバブルをガードレールに掃
き出すことにより消去するようにしたもので、こ
れにより不要バブルの消去が簡単に行えるように
なつた。
デバイスにおいては、従来不要バブルの消去を電
流パルスを用いて行つていたのに対し、マージ回
路により従来と同様にバブルをガードレールに掃
き出すことにより消去するようにしたもので、こ
れにより不要バブルの消去が簡単に行えるように
なつた。
第１図および第２図は連接形転送回路の説明図
でＡは正面図、ＢはこのＡ−A′線における断面
図、第３図は従来のバブル検出消去器、第４図は
これに使用するパルス波形、第５図はマージ機能
の説明図、第６図はガードレールとメジヤライン
との関係図、また第７図は本発明にかかるバブル
の消去回路の説明図である。 図において、７，１３，１４，２１，２３，２
９，３２はバブル、Ｓはスーパ・トラツク、ｂは
バツド・トラツク、ｇはグツド・トラク、２６は
ガードレール、２７は読み出しメジヤライン２８
は書き込みメジヤライン、３０はギヤツプ。
でＡは正面図、ＢはこのＡ−A′線における断面
図、第３図は従来のバブル検出消去器、第４図は
これに使用するパルス波形、第５図はマージ機能
の説明図、第６図はガードレールとメジヤライン
との関係図、また第７図は本発明にかかるバブル
の消去回路の説明図である。 図において、７，１３，１４，２１，２３，２
９，３２はバブル、Ｓはスーパ・トラツク、ｂは
バツド・トラツク、ｇはグツド・トラク、２６は
ガードレール、２７は読み出しメジヤライン２８
は書き込みメジヤライン、３０はギヤツプ。
Claims (1)
- １ 磁気バブルを保持する磁性膜が一定方向の磁
化容易軸を有する第１領域と該第１領域を囲み、
且つその磁化容易軸とほぼ直交した磁化容易軸を
有する第２領域とを有し、前記第１領域により磁
気バブル情報転送用パターンが形成された磁気バ
ブルメモリデバイスにおいて、不要となつた磁気
バブルを結晶磁気異方性を利用したマージ回路を
用いてガードレールに導き消去させることを特徴
とする磁気バブルメモリの消去回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135163A JPS5837892A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気バブルメモリの消去回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135163A JPS5837892A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気バブルメモリの消去回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5837892A JPS5837892A (ja) | 1983-03-05 |
| JPS634277B2 true JPS634277B2 (ja) | 1988-01-28 |
Family
ID=15145291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56135163A Granted JPS5837892A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気バブルメモリの消去回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837892A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0454382U (ja) * | 1990-09-18 | 1992-05-11 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6038789B2 (ja) * | 1982-04-20 | 1985-09-03 | 電子計算機基本技術研究組合 | バブル素子 |
| JPS6038790B2 (ja) * | 1982-04-20 | 1985-09-03 | 電子計算機基本技術研究組合 | バブル素子 |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP56135163A patent/JPS5837892A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0454382U (ja) * | 1990-09-18 | 1992-05-11 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5837892A (ja) | 1983-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002334972A (ja) | 磁気メモリ装置 | |
| US3793639A (en) | Device for the magnetic storage of data | |
| JPH01503500A (ja) | デジタル磁気記憶装置用の磁気抵抗性薄膜ヘッド | |
| JPS5837892A (ja) | 磁気バブルメモリの消去回路 | |
| JPS6059669B2 (ja) | 高密度バブルメモリ素子 | |
| US4414648A (en) | Magnetic bubble domain swap gate circuit | |
| US5165087A (en) | Crosstie random access memory element having associated read/write circuitry | |
| US3493940A (en) | Serial access memory using traveling domain walls | |
| Copeland et al. | Circuit and module design for conductor-groove bubble memories | |
| JPS5996592A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS6145311B2 (ja) | ||
| Lin et al. | Computer: Contiguous-element memories increase storage tenfold: An overlapping-triangle configuration for bubble memories may displace permalloy-chevron types | |
| JPS6244354B2 (ja) | ||
| JPS6076079A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JP2708477B2 (ja) | ブロッホラインメモリデバイス | |
| JPS6037549B2 (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS6149754B2 (ja) | ||
| US5047978A (en) | Bloch line memory device | |
| JPS6059667B2 (ja) | 磁気バブル装置 | |
| JPS6059671B2 (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| Sugita | Magnetic bubble memories. solid state file utilizing micro magnetic domains | |
| JPH0456393B2 (ja) | ||
| JPS6113314B2 (ja) | ||
| JPS599109B2 (ja) | 磁気バルブ記憶装置 | |
| JPS592988B2 (ja) | 回転磁界制御形バブルメモリ素子 |