JPS6343371A - 半導体ダイオ−ド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体ダイオードに関するものである。

一方の導電形の第１領域と、半導体の特定表面にだけ面
し、ダイオードの動作時このダイオードに加えられた電
圧で逆バイアスされると該ダイオードにブロッキング特
性を与える主ｐｎ接合を前記の第１領域と形成するよう
に該第１領域で取囲まれた反対導電形の第２領域と、前
記第１領域内に設けられ、この第１領域よりも高濃度に
ドープされた前記の一方の導電形の第３領域とを有し、
この第３領域は、該第３領域が無ければ主ｐｎ接合がブ
レークダウンするであろう電圧よりも低い所定電圧がダ
イオードに加えられて主ｐｎ接合を逆バイアスした時に
ダイオードの導通をトリガするためのものである半導体
ダイオードは公知である。

このような半導体ダイオードは、例えば英国特許出願公
告第２１１３９０７号公報に記載されている。

特に、この公報にはゲート無しサイリスタ構造を有する
４層ｐｎｐｎ半導体ダイオードが記載されている。この
ゲート無しサイリスタ構造は、ｐ形アノード領域、ｎ形
中央領域、ｐ形中央領域およびｎ形カソード領域を有す
る。２つのすなわち第１と第２中央領域は、アノードと
カソード領域に接続された端子に順方向電圧が加えられ
ると逆バイアスされる主ｐｎ接合を形成する。このよう
な順方向電圧がゲート無しサイリスタ構造に加えられる
と、このサイリスタ構造は、該サイリスタ構造が逆バイ
アスされた主ｐｎ接合のブレークダウンにより或いはま
た電気接触部両端の電位の急速な上昇のためカソード領
域下の中央ｐ領域内を流れる大きな容量性電流によりサ
イリスタ構造がトリガされて導通する迄、ブロックキン
グ特性を維持する。したがって、このようなダイオード
は、例えば高い電圧のためまたは電圧の急上昇のために
危険なことがある供給電圧スパイクが電気装置に加えら
れるのを防ぐのに用いるこきができる。

前記の公報には、２つの逆並列のゲート無しサイリスタ
より成るゲート無しトライアック構造も記載されている
。このような構造は、対称形ブレークオーバダイオード
としても知られている。１つの方向にサイリスタ構造を
もちまた反対方向に２層ダイオード構造を有する非対称
形ブレークオーバダイオードもまた利用可能である。こ
の非対称形ブレークオーバダイオードのＩ−Ｖ特性は添
付図面の第１ａ図に示しである。対称形ブレークオーバ
ダイオードΦ場合には、その特性が第１象限と第３象限
で同じであるという点において非対称形ブレークオーバ
ダイオードのＩ−Ｖ特性とは（口達する。

前述したゲート無しサイリスタ構造を有する半導体ダイ
オードが例えば主電源電圧スパイクによって生起される
急速な電圧上昇に対する保護を与えるために、カソード
領域下方のシート抵抗の適当な選択は、中央または内側
ｎ領域とカソード領域の深さおよびこれ等領域の表面ド
ーパント濃度を決めることによって選ばれる必要がある
。従来は高電圧から保護するためにすなわち所定電圧が
電気接触部間に加えられた時に主ｐｎ接合をブレークダ
ウンさせてデバイス内の導通をトリガするために、中央
ｎ領域すなわち基板のドーピングを調節していた。けれ
ども、中央ｎ−領域のドーピングの調節は特に望ましく
ない、というのは、このことは、異なる高電圧に対する
保護を与えるデバイスをつくることを可能ならしめるよ
うに異なるドーピング濃度を有する種々のｎ形中央領域
形成用基板が必要とされるということを意味するからで
ある。前記の公報に示されているように、半導体ダイオ
ードがブレークダウンする電圧を制御するために、逆バ
イアスされた主ｐｎ接合に頼らねばならないのは望まし
いことではない。何故ならば、主ｐｎ接合のブレークダ
ウンは、接合がｐおよびｎ領域の表面で出会っている場
合には比較的予測し難い電圧で起き、したがってダイオ
ードのトリガに画一性がない恐れが生じるからである。

前記の公報において見たところ認識されていない別の問
題は、特に非対称形プレークオーバダ・イオードにおい
て、中央ｎ領域ずなわち基板のドーピングレベルが増加
すると、ブレークダウン電流の（黄方向成分が最早やサ
イリスタ構造の底のｐη接合をターンオンするに十分な
高い電圧を発生せずこのため真のサイリスタ動作が起き
ない点に達するということである。

し５たがって、前述したところよりわかるように、主ｐ
ｎ接合の一方の領域例えば前述の例では基板のドーピン
グの制御によってだけのブレークオーバダイオードのよ
うな、半導体デバイス内の逆バイアスされた主ｐｎ接合
のブレークダウンの制御は望ましいものではなく、基板
のドーピングが余りに高いレベルに増加すると実現困難
となる。

前述のことにかんがみて、前記の公報には、主ｐｎ接合
に、局部的に高濃度にドープされた埋込ｎ゛領域設け、
主ｐｎ接合のブレークダウン電圧を制御することが提案
されている。この局部的な高濃度ドープｎ゛領域はｎ形
カソード領域の直ぐ下のｎ形中央領域内に設けられ、ｐ
形中央領域によってｎ形カソード領域より離間され、こ
のためｎ゛領域デバイス体内で一部局に集中される。

前記の公報に記載されているように、局部的に集中され
た埋込みｎ゛領域、中央ｎ領域でオーバードープされた
イオン注入（ｉｍｐｌａｎｔａｔｉＯｎ）された燐ドー
プ領域でもよい。けれども、このような埋込領域の形成
は制御するのが困難なことがあり、ｐｎ接合が逆バイア
スされた時にデバイスがブレークダウンする電圧を任意
の精度をもって制御することを困難にする。その上、埋
込領域を設けるのに余計なマスキング工程が必要となり
、このため必然的にデバイスの製造時間とコストが増す
。

本発明は、一方の導電形の第１領域と、半導体の特定表
面にだけ面し、ダイオードの動作時このダイオードに加
えられた電圧で逆バイアスされると該ダイオードにブロ
ッキング特性を与える主ｐｎ接合を前記の第１領域と形
成するように該第１領域で取囲まれた反対導電形の第２
領域と、前記第１領域内に設けられ、この第１領域より
も高濃度にドープされた前記の一方の導電形の第３領域
とを有し、この第３領域は、該第３領域が無ければ主ｐ
ｎ接合がブレークダウンするであろう電圧よりも低い所
定電圧がダイオードに加えられて主ｐｎ接合を逆バイア
スした時にダイオードの導通をトリガするためのもので
ある半導体ダイオードにおいて、第３領域は特定表面に
のみ面し、この特定表面の不活性層が前記第３領域を被
覆し、この第３領域は、所定の電圧、よりも低い電圧が
ダイオードに加えられて主ｐｎ接合を逆バイアスした時
に空乏層が主ｐｎ接合から第３領域に延在するように位
置され、前記の所定電圧は、第２領域と第３領域のト目
対位置によって決まることをトリガする半導体ダイオー
ドを供するものである。

特定表面にだけ面し、第１領域とｐｎ接合を形成する別
の領域を設けることもてき、この第４領域は第３領域と
ブレークダウンデバイスを形成し、第２領域と第３領域
の間に位置される。

更に本発明は、一方の導電形の第１領域と、半導体の特
定表面にだけ面し、ダイオードの動作時このダイオード
に加えられた電圧で逆バイアスされると該ダイオードに
ブロッキング特性を与える主ｐｎ接合を前記の第１領域
と形成するように該第１領域で取囲まれた反対導電形の
第２領域と、前記第１領域内に設けられ、この第１領域
よりも高濃度にドープされた前記の一方の導電形の第３
領域とを有し、この第３領域は、該第３領域が無ければ
主ｐｎ接合がブレークダウンするであろう電圧よりも低
い所定電圧がダイオードに加えられて主ｐｎ接合を逆バ
イアスした時にダイオードの導通をトリガするためのも
のである半導体ダイオードにおいて、第３領域は特定表
面にのみ面し、第２領域と第３領域間に位置された反対
導電形の第４領域が特定表面にのみ面し且つ第３領域と
ｐｎ接合を形成し、特定表面上の不活性層は第３領域と
第４領域を被覆し、第３領域と第４領域止はブレークダ
ウンデバイスを形成し、このブレークダウンデバイスと
第２領域の相対位置は、主ｐｎ接合がダイオードに加え
られた電圧で逆バイアスされた時この主ｐｎ接合の空乏
層が所定電圧よりも低い印加電圧でブレークダウンデバ
イスの空乏層と出合いまた前記の所定電圧がダイオード
に加えられた時第３領域と第４領域間のｐｎ接合に誘起
された逆バイアス電圧がブレークダウンデバイスをブレ
ークダウンさせてダイオードの導通をトリガするように
選ばれたことをトリガする半導体ダイオードを供する。

したがって、本発明の半導体ダイオードでは、主ｐｎ接
合が逆バイアスされた時にダイオードが導通に切換わる
所定電圧は、第２領域と第３領域のト目対位置を選ぶこ
とによって比較的容易に制御することができる。その上
、第３領域は特定表面にだけ面するので、主ｐｎ接合に
局部的に高濃度にドープされた領域を設けるために深い
拡散は必要なく、したがって、局部的に高濃度にドープ
された領域が主ｐｎ接合に設けられたダイオードにくら
べると、主ｐｎ接合が逆バイアスされた時にダイオード
がブレークダウンする電圧のより正確な制御を可能にす
る。

１つまたはそれ以上の反対導電形の付加領域を第２領域
と第４領域の間で第１領域内に離間して配し、主ｐｎ接
合が第３領域の無い時にブレークダウンするであろう逆
バイアス電圧を増し、この場合前記の付加領域は特定表
面にのみ面し、不活性層によって被覆されるようにする
ことができる。

前記の付加領域は、ブレークダウンデバイスの位置の選
択の外に付加領域の数と位置の選択によって得られＺ所
定電圧のより大きな制御を可能にする。このように付加
領域の数と位置の選択によって電圧の広い範囲内で任意
の所定電圧を選ぶことができ、したがってダイオードの
融通性を増す。

代わりの実施例では第３領域は第２領域とｐｎ接合を形
成し、ダイオードに電圧が加えられて主ｐｎ接合を逆バ
イアスした時この主ｐｎ接合の空乏層が所定電圧よりも
低い印加電圧で第３領域を第１領域より分離するような
所定の距１碓で第２領域により取囲まれ、前記の所定電
圧で第３領域がダイオードの導通をトリガするようにす
ることができる。

通常は、このような実施例では、°第１領域のドーピン
グに（らべて比較的高濃度にドープされた第３領域のド
ーピングは、所定電圧がダイオードに加えられて主ｐｎ
接合を逆バイアスした時第２領域と第３領域間のｐｎ接
合に誘起された逆バイア電圧によってｐｎ接合がブレー
クダウンされてダイオードの導通をトリガするようなも
のである。

別の実施例では、第３領域は第２領域で取囲まれ、第１
領域によって第２領域より分離され、所定電圧は、第１
領域による第２領域と第３領域の分離の距離によって決
まるようにすることができる。この場合、主ｐ、ｎ接合
が第３領域の無い時にブレークダウンするであろう逆バ
イアス電圧を増すために、特定表面にのみ回する１つま
たはそれ以上の反対導電形の付加領域が第２領域と第３
領域の間にｉｌｔ間して配されるようにすることができ
る。このような付加領域は、第２領域に対する第３領域
の位置に加えて付加領域の数と位置の選択を可能とする
ことによってブレークダウン電圧の拡げられた制御を可
能どし、更にまた、付加領域の数と位置を選ぶことによ
り広い電圧範囲で任意の所定電圧を選択することを可能
とすることによってダイオードの融通性を増すことが可
能にされる。

不活性層は絶縁層でも半絶縁層でもよい。この層が絶縁
層の場合には、抵抗性ブリード層（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ
　ｂｌｅｅｄ　Ｉｅｙｅｒ）　は、半導体ダイオードを
その周囲から絶豫するために絶縁層上を主ｐｎ接合から
第３領域迄延在することかできる。代わりに、フィール
ドプレー）（ｆｉｅｌｄ　ｐｌａｔｅ）　が不活性層上
を主ｐｎ接合から第３領域迄延在することもできる。付
加領域が設けられた場合には、各フィールドプレートを
各付加領域と結び付けてもよい。

第１領域と第２領域はゲート無しサイリスタの部分を形
成することができる。このサイリスタ構造は、第１領域
と第２領域以外に、特定表面にだけ面するように第２領
域内に配された第１領域よりも高濃度にドープされた一
方の導電形の第５領域と、特定表面と反対の半導体の別
の面にのみ面するように第１領域内に配された第２領域
よりも高濃度にドープされた第６領域を有するようにす
ることができる。この場合、サイリスタ構造は、第１領
域と第２領域で形成されたｎｐダイオードと逆並列に配
されて非対称形ブレークオーバダイオードを形成するか
または第２の同嗟のサイリスタ構造と逆並列に配されて
対称形ブレークオーバダイオードを形成するようにする
ことができる。

後者の場合には、半導体は、特定表面から別の表面に向
って見た時にこの別の表面から特定表面に向って見た時
と同じに見えるような反転対称の中心を有することがで
きる。

半導体ダイオードが前述の第１領域よりも高濃度にドー
プされた一方の導電形の第５領域を有する場合、例えば
ダイオードがゲート無しサイリスタ構造を有する場合、
特にダイオードがブレークオーバダイオードである場合
、第３領域は第５領域と同時に形成することができ、ま
た若しあれば、第４領域（任意の付加領域を加えて）は
適当なマスクを用いて第２領域と同時に形成することが
でき、このため、本発明を具現するこのようなダイオー
ドは、余計なマスキング工程や製造時間および／または
コストの特別な増加なしにつくることができる。

本発明を更に良く理解することができるように以下に図
面の実施例によって説明する。

図面は寸法通りものではなく、特に寸法比は、理解し易
いように縮小または拡大しである。各図面の同じ部分に
は同じ符号を用いである。

第１図から第６図は本発明の半導体ダイオードの実施例
を線図的断面図で示しである。

第１図から第５図に示した半導体ダイオードは夫々非対
称形ブレークオーバダイオードとして知られたタイプ、
すなわち、２層またはｎｐダイオード構造に平行である
が反対方向に配されたゲート無しサイリスタ構造を有す
る２端子デバイスである。第１ａ図は代表的な非対称形
ブレークオーバダイオードの■−■特性を示す。この第
１ａ図よりわかるように、電圧が非対称形ブレークオー
バダイオードの２端子間に順方向に加えられて２層また
はｎｐダイオード構造が逆バイアスされると、サイリス
タ構造は初めはブロッキング特性を有するが成る電圧に
おいてサイリスタ構造はブレークオーバまたはトリガさ
れて導通する。ブレークオーバまたはトリガ点は第１ａ
図に点Ａで示しである。電圧が２つの端子間に反対方向
に加えられると、第１ａ図に示すように、非対称形ブレ
ークオーバダイオードは順方向バイアスされた２層また
はｎｐダイオードとして働く。

第１図において、図示の半導体ダイオードは、一方の導
電形の基板または第１領域１を有する半導体より成る（
この例ではｎ−形で、この場合マイナス符号は基板１が
比較的低濃度にドープされていることを示す）。この基
板ｌは反対導電形（この例ではｐ形）の第２領域２とブ
レーナ主ｐｎ接合３を形成し、この接合は半導体の特定
表面４にだけ面する。第１および第２領域１と２はゲー
ト無しサイリスタ構造の夫々第１および第２ベースまた
は中央領域（この例では夫々ｎおよびｐベース）を形成
し、２層またはｎｐダイオード構造も形成する。ゲート
無しサイリスタ構造のカソードとアノードは別の領域５
と６で形成され、別の領域５は一方の導電形（この例で
はこの別の領域はｎ゛形でこの場合＋符号は比較的高濃
度のドーピングを示す）で、特定表面４にだけ面しまた
第２領域２とブレーナルｎ接合５ａを形成するように、
第２領域の部分内に形成される。第１図に示すように、
前記の別の領域５は、第２領域の略々中心からこの第２
領域の周′ｆ壕の右側部分に向かって延在するように該
第２須域内に配される。別の領域６は反対導電形（この
例ではｐ形）で、前記の特定表面と反対の半導体の第２
領域面７にだけ面し、かくして第１領域または基板１と
ブレーナルｎ接合８を形成するように基（反または第１
須域１内に形成される。この別の領域６は別の領域５と
反対に配され、表面４と７に平行な領域５と略々同じ寸
法である。

ダイオードの特定表面および第２表面４と７は夫々の絶
縁層９と１０、例えば半導体ダイオードがシリコンデバ
イスの場合には二酸化珪素の層で被覆される。前記の絶
縁層９と１０には、デバイスの第１および第２端子を与
えるために夫々の金属被覆１１と１２が入る窓が設けら
れる。金属被覆１１は前記の別の領域５と第２領域上を
延在し、一方金属被覆１２は、別の領域６と第１領域ま
たは基１ｆｆｌの一部との上に延在する。第１図よりわ
かるように、各金属被覆１１と１２の直ぐ下の第２領域
と基ｖｉｌとの表面領域におけるドーピング濃度は、第
２領域２内のより高濃度にドープされた反対導電形（こ
の例ではｐ゛導電形）の領域１３および基板または第１
領域１内のより高濃度にドープされた一方の導電形（こ
の例ではｎ゛導電形）の領域１４を与えることによって
増し、金嘱被覆との電気接触を改良することができる。

今迄説明した第１図の半導体ダイオードの部分は、公知
のこのような非対称形ブレークオーバダイオードと同様
な非対称形ブレークオーバダイオードを構成する。した
がって、領域１，２．５および６はゲー）１しサイリス
タ構造を形成し、一方領域１と２　（若しあればり頁域
１３と１４も）は２層またはｎｐダイオード構造を形成
する。

第１および第２領域の間のｐｎ接合３は、電圧がダイオ
ードに順方向に加えられた時に逆バイアスされるダイオ
ードの主ｐｎ接合を形成し、したがって金属被覆１１と
接続された端子は金属被覆１２と接続された端子よりも
低いまたはより負の電位にある。通常の非対称形ブレー
クオーバダイオードでは、このような状態ではサイリス
タ構造はトリガされて導電するかまたは主ｐｎ接合３の
逆電圧がこのｐｎ接合のブレークダウン電圧に達すると
ブレークオーバするであろうが、このブレークダウン電
圧は基板または第１領域１のドーピング濃度によって決
まるのが普通である。第１図の装置では、ダイオード中
のサイリスタ構造がブレークオーバする電圧は、特定表
面４と反対導電形（この場合にはｐｎ形）の領域１６に
のみ面するように基板１に設けられた該基板よりも高濃
度にドープされた一方の導電形（この例ではｎ゛形）の
領域１５によって形成されたブレークダウンデバイスに
よって制御され、前記の領域１６もまた特定表面４にだ
け面しまた領域１５とｐｎ接合１６ａを形成し、絶縁層
９がこれ等の領域１５と１６を被覆する。

これ等の領域１５と１６は、領域１６が特定表面に沿っ
て選択された距離りだけ第１領域または基板１によって
第２領域から離間され且つ第２領域と領域１５の間に位
置するように、第２領域に対して位置される。

第１図に示した半導体非対称形ブレークオーバダイオー
ドを第１軸１７ａの周りに対称的にし、ブレークオーバ
ダイオードの主構造がブレークダウンデバイスを取囲み
また領域１６が領域１５を取囲むようにすることができ
る。代わりに、第１図に示した非対称形ブレークオーバ
ダイオードを第２軸１７ｂの周りに対称的とし、領域１
５が空であるようにしてもよい。いずれの場合にも、領
域２，５゜６．１３および１４は平面で見た場合（すな
わち表面４および７に対して直角に見た場合）（−Ｅ−
意の所望の幾何形状を有することができる。したがって
、領域２，５，６．１３および１４は、円形またはその
他の多角形の環で形成することができる。ブレークダウ
ンデバイスは第２領域と同じ周辺形状を有するので、第
２領域と６頁域１６間には一定の距離りが存する。した
がって、領域１６は、領域２，５゜６．１３および１４
の形状に応じて円形その池の多角形状の環で、領域１５
は、若し空ならば（すなわちデバイスが第２軸１７１）
の周りに対称ならば）平面で見た場合領域１６と同じ幾
何形を有することになる。非対称形ブレークオーバダイ
オードが第２輔１７ｂの周りに対称な場合には、ブレー
クダウン電圧スは、主ｐｎ接合３の内側の周辺３ａの周
囲にそこから一定の選択された距：’：ｉｔ　［）に位
置する分；］ＩＦされた領域１５と１６で形成されたブ
レークダウン領域によって形成することができろ。ブレ
ークダウンデバイスは対称的配置を形成するように配設
される必要はなく、このブレークダウンデバイスはデバ
イスがブレークダウンする主ブレークオーバダイオード
構造内の任意の特定の所望領域に位置することができる
ことは勿論わかるであろう。したがって、軸１７ａ　と
１７ｂは必ずしもダイオードの対称軸である必要はない
。言う迄もなく特定の非対称形ブレークオーバダイオー
ドの種々の領域に対して同じ幾何形が選ばれるであろう
ことはわかるであろう。

第１図に示した非対称形ブレークオーバダイオードの場
合には、端子間に順方向に加えられた（すなわちこのた
め主ｐｎ接合３は逆バイアスされる）電圧が増加すると
、主ｐｎ接合３の空乏層は、成る電圧においてこの主ｐ
ｎ接合３の空乏層が浮動ブレークダウンデバイス１５と
１６の零バイアス空乏層に達するかまたは接する逸散が
る。この点て、領域１６の電位は、かくしてブレークダ
ウンデバイスのｐｎ接合ｉ６ａを横ぎって誘起された逆
電圧がブレークダウンデバイスのブレークダウン電圧に
達する迄、ダイオードの２つの端子間に加えられた電圧
と共に上昇する。ｐｎ接合１６ａのブレークダウンは、
つながった空乏層を通って領域５下方を領域２内に流れ
（若しあれば領域１３を経て）金属被覆１１に接続され
た端子に流れるホール流りと、基板１を通り領域６上を
横切って流れ（若しあれば領域１４を経て）金属被覆１
２に接続された端子に流れる電子流ｅとを発生する。こ
のようにして発生された電子およびホール流はｐｎ接合
５ａと８を順バイアスし、非対称形プレータオーバダイ
オード内のサイリスタ構造の導通をトリガする。第１図
の点線１８は、主ｐｎ接合３の空乏層がブレークダウン
デバイス１５．　１６の空乏層に達した時の空乏層の範
囲を示すもので、この空乏層内では斜影は抜いである。

第１図の半導体ダイオードが順方向でブレークオーバす
る電圧はしたがって第１領域または基板１によって分離
された領域１６と領域２間の距離りに関係し、実際に、
一定のドーピング濃度、接合深さ、領域１，２．１５お
よび１６の幾何に対してこの距離により決まる。

この半導体ダイオードは、ブレークダウンが半導体の縁
で生じることのある電圧よりも著しく低い電圧でブレー
クオーバして導通するように設計されているので、デバ
イスの縁の不活性化は必要ない。けれども、一方の導電
形（この例ではｎ゛形）の領域１９の形のチャネルスト
ッパをｐｎ接合３の空乏層の広がりの外側で半導体の縁
に設けてもよい。このようなチャネルストッパは、適当
なマスクを用いて領域５および領域１５と同じ工程「２
階で形成することができる。

第２図は第１図の半導体ダイオードの変形を示す。した
がって、第２図において、ブレークダウンデバイス１５
．　　Ｌ６は、主ブレークオーバダイオード構造を取囲
む円形その他の多角形環で、それより距１誰りだけ離間
されている。第２図に示す半導体ダイオードは軸１７ｃ
の周りに対称で、したがって領域５と６は環状をなし夫
々領域１３と１４を取囲む。言う迄もなく、ブレークダ
ウン領域１５．　１６は、領域２の周辺より１４１を間
されてこの領域２と距１・雑りだけ離れた分離されたブ
レークダウン領域１５．　１６で形成することができる
。

第２図は第１図の半導（本ダイオードのそれ以上の変形
を示す。したがって、図示のように、金属被覆１１は、
主接合よりブレークダウンデバイス１５と１６および若
しあれば更にチャネルス）　ンパ（第２図には示さず）
迄延在するフィールドプレートを形成するように延在す
る。このフィールドプレートは、絶縁層９上をブレーク
ダウンデバイス１５゜１６または若しあればチャネルス
トッパ１９迄延在する抵抗性ブリード層例えば多結晶シ
リコンの層で代えてもよい。代わりに、絶縁層９は、高
抵抗性ブリード層（ｈｉｇｈｌｙ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ
　ｂｌｅｅｄ　１ａｙｅｒ）として働く半絶縁層例えば
酸素ドープ多結晶シリコンの層で代えてもよい。

第２図に示すダイオードの底面７は、ダイオードの使用
時に取付けられるヒートシンク　（図示せず）によって
フィールドプレートされてもよい。

第１図および第２図に示した半導体ダイオードは現存の
電力用半導体技トトテによってつくることができる。し
たがって、前述の実施例に対し、基（反ｌは低濃度にド
ープされたｎ−形単結晶シリコンとし、この中に公知の
方法で拡［ｉｋおよび／またはイオン打込（ｉｍｐｌａ
ｎｔａｔｉｏｎ）によって種々の領域をつくる己とがで
きる。ｐ形導電領域をつくるのに用いられるドーパント
は硼素でもよく、一方ｎ形導電領域をつくるのに用いら
れるドーパントは砒素または燐でもよい。領域１６は、
適当なマスクを用いて第２領域と同時に成形されること
ができ、一方領域１５は、適当なマスクを用いて領域５
と同時に形成されることができる。したがって、ブレー
クダウンデバイスの付加は、ブレークオーバダイオード
をつくるに要する工程数またはマスクの数を増すことを
必要としない。絶縁層９と１０を形成するために表面４
と７上に二酸化珪毒が熱的に成長され、この絶縁層に窓
があけられ、この窓に、金属被覆１１と１２を形成する
ためにアルミニウムのような金属がデポジットされる。

言う迄もなく、シリコン以外の半導体材料例えばゲルマ
ニウムまたは■−Ｖ族化合物を用いてもよい。

したがって、領域１６および領域１５は領域２および領
域５と夫々同じマスクを用いて形成することができるの
で、マスクのミスアラインメントによる領域１６と２と
の間および領域５と１５との間のミスアラインメントが
起きる可能性はなく、距ｉＤはよく制御され、ブレーク
ダウン電圧の正確な制御が可能となる。領域１５と１６
はマスクアラインメント許容誤差（通常は３マイクロメ
ータ）の２倍か３倍オーバーラツプするように配される
。

前述したように、領域１６の第２領域２からの距離りは
、非対称形ブレークオーバダイオード１が所望の電圧で
ブレークオーバするように選ばれる。

パラメータの特定の組を挙げれば、基板１が１×ｌ　Ｑ
　ｌ　４　ａｍ−２のドーパント濃度を有する２３０マ
イクロメータの厚さで、第２領域２と領域１６は３０マ
イクロメータの厚さまたは６ＸＬＯ１８ｃｍ−３の表面
ドーパント濃度を有し、領域１５と領域５および領域１
４は１４マイクロメータの厚さまたは深さとｌＸｌ０”
ｃｍ−３の表面ドーパント濃度を有し、領域１３と８は
１０マイクロメータの厚さとＩ　ＸＩＯ”ｃｍ−３の表
面ドーパント濃度を有する場合には、ブレークダウンデ
バイスのブレークダウン電圧は約３０ボルトで、非対称
形ブレークオーバダイオードがブレークオーバする電圧
ｖｂは距ｉ！ｉｌＤによって決り（この距離はマスク縁
の距離りから２つの側方拡散を差引いたものに等しく、
この例ではＤ　＝　Ｌ−５４ミクロン）、距離りが略々
１０マイクロメータの場合には略々５７ボルトで距離り
が略々１５マイクロメータの場合には略々８０ボルトと
なることができる。第１ｂ図はブレークオーバ電圧ｖｂ
と前述で与えられたパラメータに対するしとの関係をグ
ラフで示したものである。

領域１６を省きまたは領域１６と１５を分け、ブレーク
ダウンが、ｐｎ接合３の空乏層の拡がり内で領域１５の
選ばれた位置によって制御されるようにすることも勿論
可能であろう。領域１６が省かれた場合には、領域１５
は、領域２とｐｎ接合を形成するかまたはこの領域より
距離りだけ離間されることができる。言う迄もなく、領
域１５は領域２と同じマスキングエ（呈段階を利用して
つくることはできないので、後者の配置はマスクのミス
アラインメント許容誤差に対して敏感になるであろう。

第３図は、第１図および第２図の非対称形ブレ−クオー
バダイオードの変形で、第２領域２とブレークダウンデ
バイス１５および１６０間に１つまたはそれ以上のガー
ドリング２１を設けたものを示す。

各リング２１は、半導体の特定表面４にだけ面し且つ絶
縁層９で被覆された反対導電形（この例ではｐ形）の領
域の形を有する。このリング２Ｉは、領域２および領域
１６と同じ工程段階時に形成することができるので、マ
スクのミスアラインメントの問題は避けられる。第３図
の配置のブレークオーバ電圧は距離Ｄ、（ｉ＝１．２−
一−ｎ）の夫々の関数で、この場合Ｄ、は内側リング２
１から第２領域迄の距離、Ｄ９はＸ番目のリング２１か
らｘ−１番目のリング２１迄の距離、Ｄ、、は最外側の
リング２１からブレークダウンデバイス１５．　１６迄
の距離である。

リング２１は、ブレークダウンデバイスが無ければ主ｐ
ｎ接合がブレークダウンするであろう電圧を増す役をし
、一方、ブレークダウンデバイス１５゜１６は、前の通
り、若し領域１５が無いとすれば非対称形ブレークオー
バダイオードがブレークオーバするであろう電圧よりも
低い電圧で非対称形ブレークオーバダイオードをブレー
クオーバして導通させる役をする。

したがって、リング２１の数と相対位置を選択しまたこ
のリング２１のシステムをブレークダウンデバイス１５
．　１６と一緒に用いることにより、平面ブレークダウ
ン電圧（すなわち選択された基板１と第２領域間の平ら
な曲がっていない接合に対して得られるブレークダウン
電圧）の略々８５％で、前述のパラメータに対しては略
々１０００ボルトの電圧と、同じ高い抵抗性基板材料を
用いたブレークダウンデバイスＩ５と１６のブレークダ
ウン電圧〈前述のパラメータで（ま３０ボルトであった
）との間の（子息の電圧でトリガされて導通するように
半導体ダイオードを設計することが可能である。

リング２１に短絡された抵抗性ブリード層（図示せず）
を第３図の装置に設けて半導体をシールドしてもよく、
またフィールドプレート　（図示せず）をリング２１に
（＝Ｉけてもよい。代わりに、絶縁層９を半絶縁層例え
ば酸素ドープ多結晶シリコンの層で代えてもよい。

種々の異なる浮動リング構造が例えば出願公開された欧
州特許出願ＥＰ−Ａ−１１５０９３、ＢＰ−Ａ−１２４
１３９およびＥＰ−八−１８２４２２号に記載されてい
る。

第４図は本発明の半導体ダイオードの更に別の実施例を
示す。

第４図よりわかるように、この半導体ダイオードは、第
１図から第３図に示した半導体ダイオードのように非対
称形ブレークオーバダイオードである。第４図の半導体
ダイオードでは、第２領域２およびしたがって領域５も
形が環状である。若しあれば、領域１３は領域５を取囲
み、やはり環状である。同様に、若しあれば、領域１４
は領域６を取囲み、環状である。ここに用いられて５）
る環状という言葉は、円環および他の任意の多角形周辺
の環例えば方形または三角形の枠様形状の両方を含むも
のとする。第４図に示されているように、第１図から第
３図の半導体ダイオードのブレークダウンデバイス１５
．　１６は、基板１よりも高濃度にドープされた一方の
導電形（この例ではｎ−導電形）の中央ブレークダウン
領域２２で代えられている。この中央ブレークダウン領
域２２は、特定表面４にだけ面し、また第２領域２の最
内側周辺とｐｎ接合２３を形成するように基板ｌ内に形
成される。

絶縁層９は特定表面上に設けられ、中央ブレークダウン
領域２２上を領域５迄延在する。言う迄もなく、第２領
域２したがってこれに対応して領域５および若しあれば
領域１３は環状である必要はなくて中央ブレークダウン
領域２２の周りに等間隔に離れて２つまたはそれ以上の
個別の領域より成るものでよく、この場合各第２領域が
、中央ブレークダウン領域とｐｎ接合を形成することだ
けが必要である。

第・１図の半導体ダイオードは、適当な変更をもって第
１図から第３図に示したデバイスと同様につくることが
できるが、特に中央ブレークダウン領域２２は、適当な
マスクを用いて領域５と同時に形成することができる。

種々の領域に対する所定のドーピング濃度、接合および
幾何（例えば領域５と同じパラメータを有する領域２２
をもった第１図から第３図に関する前述のパラメータ）
に対し、主ｐｎ接合３が逆バイアスされた時に第４図の
半導体ダイオードがブレークオーバして導通ずる電圧は
、中央ブレークダウン領域２２に対する第２領域の位置
すなわち中央ブレークダウン領域２２を横切って第２領
域２の隣接縁を分離する面４に沿った距離βによって左
右され、この距離βは言う迄もなく、領域２と２２をつ
くるのに用いる関係のマスク寸法とドーパントの側方拡
散によって決まる。

したがって、第４図のデバイスの使用時には、主ｐｎ接
合３に加えられる逆電圧が増加すると、この主ｐｎ接合
３の空乏層は、該主ｐｎ接合３のブレークダウン電圧よ
りも低い印加電圧において第４図の点線２４て示すよう
に空乏層が中央ブレークダウン領域２２を横切って会う
迄拡がる（空乏化された領域は斜影の外に示されている
）。この時点で中央ブレークダウン領域２２は基板１よ
り分離され、この中央ブレークダウン領域の電圧は、主
ｐｎ接合３の電圧と共に上昇する代わりにこの主ｐｎ接
合３の電圧よりもゆっくりと上昇し、このため中央ブレ
ークダウン領域２２と領域２との間のｐｎ接合２３に誘
起される逆電圧は、中央ブレークダウン領域２２と領域
２の間のｐｎ接合２３の逆電圧がｐｎ接合２３をブレー
クダウンさせてホール流と電子流とを発生して第１図に
関して説明したのと同随にサイリスタをトリガして導通
する迄、主ｐｎ接合３の逆電圧の別の増加と共に増加す
る。したがって、距離ａを選定することにより、半導体
ダイオードがブレークオーバする電圧を、領域５と同じ
製造段階においてつくることのできる中央ブレークダウ
ン領域２２を設けるだけで選ぶことができる。

第４図の装置は、第１図から第３図に関して前に説明し
た装置よりも製造パラメータに対して敏感である。第４
図の装置のブレークオーバ電圧は領域２と２２の接合深
さに敏感なので、領域２と２２の拡散の正確な制御が必
要とされる。その上若し、場合によってマスクミスアラ
インメント問題のために、中央ブレークダウン領域２２
と領域２間のオーバーランプＸが小さく、このためオー
バーランプが領域２と２２の側方に拡散された部分によ
って形成され、中央ブレークダウン領域２２が比較的低
濃度にドープされると、第４図の半導体ダイオードのブ
レークオーバ電圧は、部分的に距離！によって制御され
るが距離ｘによっても制御されることができる。

第５図は本発明の非対称形ブレークオーバダイオードの
更に別の実施例を示すもので、この実施例は、第４図の
ものに幾らか似ているが、第４図の非対称形ブレークオ
ーバダイオードの中央ブレークダウン領域２２は次のよ
うな一方の導電形（この例ではｎ゛形）の中央ブレーク
ダウン領域２５に代えられている。すなわちこの中央ブ
レークダウン領域は、表面４にのみ面し、領域２と中央
ブレークダウン領域２５に用いられるマスクと領域２お
よび中央ブレークダウン領域２５の夫々の側方拡散とに
よって決まる所定の距離ｙにより領域２　（第４図と同
じ形を有する）から分離されるように、基板１内に配さ
れている。

前記の分離の距離ｙは、第５図の非対称形ブレークオー
バダイオードがブレークオーバして導通する電圧、所定
の一定濃度、接合の深さおよび幾何パラメータ例えば第
１図から第３図に関して前述した濃度および深さのパラ
メータを決め、この場合中央ブレークダウン領域２５は
領域５と同じパラメータを有する。したがって、この第
５図のブレークオーバダイオードの使用時は、主ｐｎ接
合３に加えられる逆電圧が増加すると、主ｐｎ接合の空
乏層は、該空乏層が比較的高濃度にドープされた中央ブ
レークダウン領域２５に達する迄拡がる。

中央ブレークダウン領域２５の効果は空乏層がそれ以上
拡がるのを止めることで、したがって、第５図に点線２
６で示すように（空乏層は斜影を施さないで示しである
）、主ｐｎ接合３に加えられた逆電圧が更にそれ以上増
加すると、中央ブレークダウン領域２５の領域の電界は
、主ｐｎ接合３でブレークダウンが生じてホール流と電
子流を発生しこのホール流と電子流が第１図に関して説
明したど同様に働いてサイリスタ構造の導通をトリガす
る点になる迄増加し、〕の場合、これが起きる主ｐｎ接
合の逆電圧したがって非対称形ブレークオーバダイオー
ドに加えれる電圧は所定のドーピング濃度、幾何および
接合深さパラメータに対して距＃ｙで決まる。

図には示さないが、主ｐｎ接合３が領域２５の不在時に
ブレークオーバするであろう逆電圧を増すように１つま
たはそれ以上のフローティングガードリングを中央ブレ
ークダウン領域２５と領域２の間に設けてこのため構造
が軸２５ａの周りに対称となるようにしてもよく、この
場合、非対称形ブレークオーバダイオードが実際にブレ
ークオーバする電圧は距離ｙ＋　（ｉ＝１．２−−−　
ｎ）の夫々の関数である。ここでｙは外側または第１リ
ングから第２領域迄の距離で、グイはｘ−１番目とＸ番
目のリング間の距離、ｙ、、はブレークダウン領域２５
から最後または最内側リングの距離である。

第３図に関して述べられたように、抵抗性層を中央ブレ
ークダウン領域２２または２５上の絶縁層上に設けても
よく、或いは絶縁層を高い抵抗性ブリード層として働く
半′＠縁［オ科で代えてもよい。代わりに、前述したよ
うにフィールドプレートを設けてもよい。

したがって、以上述べた夫々の装置において、第２と第
３領域２と１５（第１図から第３図）または２と２２（
第４図）または２と２５（第５図）のｔ口封位置を選ぶ
ことにより、主ｐｎ接合３を逆バイアスするために所定
の所望電圧が非対称形ブレークオーバダイオードの２つ
の端子に加えられるとゲート無しサイリスタ構造がトリ
ガされることができ、この場合、所定の電圧は、所定の
ドーピング濃度、接合深さおよび幾何パラメータに対す
る第２および第３領域の相対位置によって決まる。

以り説明した実施例のすべては非対称形ブレークオーバ
ダイオードに関するものであるが、本発明は対称形ブレ
ークオーバダイオードすなわち２つの逆並列のゲート無
しサイリスタ構造より成るデバイスにも適用できること
は明らかであろうっ本発明をこのような対ｆ工形ブレー
クオーバダイオードに適用した場合は、ダイオードは通
常反転対称の中心を有し、このため表面４から表面７ま
たはその反対より見ると同じに見えるが、もっとも第１
図から第３図のデバイス１５．１６または中央ブレーク
ダウン領域２２か２５のようなブレークダウンデバイス
がサイリスタ構造の１つだけと結び付くことも可能であ
ろう。第６図は、第１図に示したと同じブレークダウン
デバイス装置を有するが、対称形ブレークオーバダイオ
ードを形成するように反対導電形（この例ではｐ形）の
付加領域２′を有する対称ブレークオーバダイオードを
示す。

この付加領域２′は、基（反１と、主ｐｎ接合に対応す
るｐｎ接合３′を形成し、この場合ｐｎ接合３′は、主
ｐｎ接合が逆）＼イアスされると順ノ・イアスされまた
その逆も同様である。特定表面１１における第１ブレー
クダウンデハ゛イス１５．　１６は主ｐｎ接合３と結び
付き、表面７の第２ブレークダウンデバイス１５′１６
′はｐｎ接合３′と結び付く。

本発明は、例えばツェナーダイオードのような、逆バイ
アスされたプレーナルｎ接合がブレークダウンしてグイ
オートを導通させる電圧を制ｉ卸することが望まれろす
べての半導体ダイオードに適用可能であり、ブレークオ
ーバダイオードの使用にだけ限定されるものでないこと
は言う迄もなく明らかであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体ダイオードの一実施例の線図的
断面図、 第１ａ図は典型的な公知の非対称形ブレークオーバダイ
オードのＩ−Ｖ特性、 第１　ｂ図はブレークダウンが開始する電圧と第１図に
示した非対称形ブレークオーバダイオードのブレークダ
ウンデバイスとその主ｐｎ接合の距離との関係を示すグ
ラフ、 第２図は第１図の半導体ダイオードの変形実施例の線図
的断面図、 第３図は第１図の半導体ダイオードの別の変形実施例の
線図的断面図、 第１１図は本発明の半導体ダイオードの別の実施例の線
図的断面図、 第５図は更に別・Ｄ￥箔例の線図的断面図、第６図は本
発明の半導体ダイオードのｚ１称形ブレークオーバダイ
オードの実施例の線図的断面図である。 １・・・第１領域（基板）　　２・・・第２領域３・・
・主ｐｎ接合　　　　４・・・特定表面５・・・第５領
域（カソード） ６・・・第６領域（アノード） ８、　３　’、　５ａ、　１６ａ、　２３・・・ｐｎ接
合９．１０・・・絶縁層　　　　１１．１２・・・金属
被覆１３・・・ｐ゛領域　　　　１４・・・ｎ゛領域１
５・・・第３領域 １５’、１６’・・・第２ブレークダウンデバイス１６
・・・第４領域　　　　　１８．２４．２６・・・空乏
層２０・・・フィールドプレート ２１・・・ガードリング

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一方の導電形の第１領域と、半導体の特定表面にだ
   け面し、ダイオードの動作時このダイオードに加えられ
   た電圧で逆バイアスされると該ダイオードにブロッキン
   グ特性を与える主ｐｎ接合を前記の第１領域と形成する
   ように該第１領域で取囲まれた反対導電形の第２領域と
   、前記第１領域内に設けられ、この第１領域よりも高濃
   度にドープされた前記の一方の導電形の第３領域とを有
   し、この第３領域は、該第３領域が無ければ主ｐｎ接合
   がブレークダウンするであろう電圧よりも低い所定電圧
   がダイオードに加えられて主ｐｎ接合を逆バイアスした
   時にダイオードの導通をトリガするためのものである半
   導体ダイオードにおいて、第３領域は特定表面にのみ面
   し、この特定表面の不活性層が前記第３領域を被覆し、
   この第３領域は、所定の電圧よりも低い電圧がダイオー
   ドに加えられて主ｐｎ接合を逆バイアスした時に空乏層
   が主ｐｎ接合から第３領域に延在するように位置され、
   前記の所定電圧は、第２領域と第３領域の相対位置によ
   って決まることを特徴とする半導体ダイオード。 ２、第３領域は第２領域とｐｎ接合を形成し、ダイオー
   ドに電圧が加えられて主ｐｎ接合を逆バイアスした時こ
   の主ｐｎ接合の空乏層が所定電圧よりも低い印加電圧で
   第３領域を第１領域より分離するような所定の距離で第
   ２領域により取囲まれ、前記の所定電圧で第３領域がダ
   イオードの導通をトリガする特許請求の範囲第１項記載
   の半導体ダイオード。 ３、第３領域は第２領域で取囲まれ、第１領域によって
   第２領域より分離され、所定電圧は、第１領域による第
   ２領域と第３領域の分離の距離によって決まる特許請求
   の範囲第１項記載の半導体ダイオード。 ４、主ｐｎ接合が第３領域の無い時にブレークダウンす
   るであろう逆バイアス電圧を増すために、特定表面にの
   み面する１つまたはそれ以上の反対導電形の付加領域が
   第２領域と第３領域の間に離間して配された特許請求の
   範囲第３項記載の半導体ダイオード。 ５、抵抗性ブリード層が絶縁層上を主ｐｎ接合から第３
   領域迄延在する特許請求の範囲第１項乃至第４項の何れ
   か１項記載の半導体ダイオード。 ６、フィールドプレートが絶縁層上を主ｐｎ接合から第
   ３領域迄延在する特許請求の範囲第１項乃至第５項の何
   れか１項記載の半導体ダイオード。 ７、各フィールドプレートは各付加領域と結び付けられ
   た特許請求の範囲第４項記載の半導体ダイオード。 ８、第１領域と第２領域はゲート無しサイリスタ構造の
   部分を形成する特許請求の範囲第４項記載の半導体ダイ
   オード。 ９、サイリスタ構造は、第１領域と第２領域以外に、特
   定表面にだけ面するように第２領域内に配された第１領
   域よりも高濃度にドープされた一方の導電形の第５領域
   と、特定表面と反対の半導体の別の面にのみ面するよう
   に第１領域内に配された第２領域よりも高濃度にドープ
   された第６領域を有する特許請求の範囲第８項記載の半
   導体ダイオード。 １０、サイリスタ構造は、第１領域と第２領域で形成さ
   れたｎｐダイオードと逆並列に配されて非対称形ブレー
   クオーバダイオードを形成する特許請求の範囲第８項ま
   たは第９項記載の半導体ダイオード。 １１、サイリスタ構造は、第２の同様のサイリスタ構造
   と逆並列に配されて対称形ブレークオーバダイオードを
   形成する特許請求の範囲第８項または第９項記載の半導
   体ダイオード。 １２、半導体は反転対称軸を有する特許請求の範囲第１
   １項記載の半導体ダイオード。 １３、一方の導電形の第１領域と、半導体の特定表面に
   だけ面し、ダイオードの動作時このダイオードに加えら
   れた電圧で逆バイアスされると該ダイオードにブロッキ
   ング特性を与える主ｐｎ接合を前記の第１領域と形成す
   るように該第１領域で取囲まれた反対導電形の第２領域
   と、前記第１領域内に設けられ、この第１領域よりも高
   濃度にドープされた前記の一方の導電形の第３領域とを
   有し、この第３領域は、該第３領域が無ければ主ｐｎ接
   合がブレークダウンするであろう電圧よりも低い所定電
   圧がダイオードに加えられて主ｐｎ接合を逆バイアスし
   た時にダイオードの導通をトリガするためのものである
   半導体ダイオードにおいて、第３領域は特定表面にのみ
   面し、第２領域と第３領域間に位置された反対導電形の
   第４領域が特定表面にのみ面し且つ第３領域とｐｎ接合
   を形成し、特定表面上の不活性層は第３領域と第４領域
   を被覆し、第３領域と第４領域とはブレークダウンデバ
   イスを形成し、このブレークダウンデバイスと第２領域
   の相対位置は、主ｐｎ結合がダイオードに加えられた電
   圧で逆バイアスされた時この主ｐｎ接合の空乏層が所定
   電圧よりも低い印加電圧でブレークダウンデバイスの空
   乏層と出合いまた前記の所定電圧がダイオードに加えら
   れた時第３領域と第４領域間のｐｎ接合に誘起された逆
   バイアス電圧がブレークダウンデバイスをブレークダウ
   ンさせてダイオードの導通をトリガするように選ばれた
   ことを特徴とする半導体ダイオード。 １４、第３領域が無ければブレークダウンするであろう
   主ｐｎ接合の逆バイアス電圧を増すために１つまたはそ
   れ以上の反対導電形の付加領域が第２領域と第４領域間
   で第１領域内に離間して配され、前記の付加領域は特定
   表面にのみ面し且つ不活性層で被覆された特許請求の範
   囲第１３項記載の半導体ダイオード。 １５、抵抗性ブリード層が絶縁層上を主ｐｎ接合から第
   ３領域迄延在する特許請求の範囲第１３項または第１４
   項記載の半導体ダイオード。 １６、フィールドプレートが絶縁層上を主ｐｎ接合から
   第３領域迄延在する特許請求の範囲第１３項乃至第１５
   項の何れか１項記載の半導体ダイオード。 １７、各フィールドプレートは各付加領域と結び付けら
   れた特許請求の範囲第１３項乃至第１６項の何れか１項
   記載の半導体ダイオード。 １８、第１領域と第２領域はゲート無しサイリスタ構造
   の部分を形成する特許請求の範囲第１３項乃至第１７項
   の何れか１項記載の半導体ダイオード。 １９、サイリスタ構造は、第１領域と第２領域以外に、
   特定表面にだけ面するように第２領域内に配された第１
   領域よりも高濃度にドープされた一方の導電形の第５領
   域と、特定表面と反対の半導体の別の面にのみ面するよ
   うに第１領域内に配された第２領域よりも高濃度にドー
   プされた第６領域を有する特許請求の範囲第１８項記載
   の半導体ダイオード。 ２０、サイリスタ構造は、第１領域と第２領域で形成さ
   れたｎｐダイオードと逆並列に配されて非対称形ブレー
   クオーバダイオードを形成する特許請求の範囲第１８項
   または第１９項記載の半導体ダイオード。 ２１、サイリスタ構造は、第２の同様のサイリスタ構造
   と逆並列に配されて対称形ブレークオーバダイオードを
   形成する特許請求の範囲第１８項または第１９項記載の
   半導体ダイオード。 ２２、半導体は反転対称軸を有する特許請求の範囲第２
   １項記載の半導体ダイオード。