JPS6344728A - スパツタエツチング装置 - Google Patents
スパツタエツチング装置Info
- Publication number
- JPS6344728A JPS6344728A JP18812286A JP18812286A JPS6344728A JP S6344728 A JPS6344728 A JP S6344728A JP 18812286 A JP18812286 A JP 18812286A JP 18812286 A JP18812286 A JP 18812286A JP S6344728 A JPS6344728 A JP S6344728A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cathode
- stage
- etching
- sputter etching
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
カソードグロー放電の励起イオンを絶縁性の被加工基板
に加速衝撃させて基板表面のエツチング加工を行うスパ
ッタエツチング装置において、金属メソシュのカソード
を通過した加速イオンが該基板に衝突するさい、カソー
ドとステージの少なくとも一方をその設置面内で平行移
動または回転する可動手段を付設することによって、セ
ラミック等絶縁基板の表面を均一にエツチングするもの
である。
に加速衝撃させて基板表面のエツチング加工を行うスパ
ッタエツチング装置において、金属メソシュのカソード
を通過した加速イオンが該基板に衝突するさい、カソー
ドとステージの少なくとも一方をその設置面内で平行移
動または回転する可動手段を付設することによって、セ
ラミック等絶縁基板の表面を均一にエツチングするもの
である。
本発明は、被加工基板上にアルゴンなどのガスを供給し
、これをグロー放電電界によってイオン化して、基板の
全表面または一部面を除去するスパッタエツチング装置
に関する。
、これをグロー放電電界によってイオン化して、基板の
全表面または一部面を除去するスパッタエツチング装置
に関する。
８１細加工分野に広く使用されているエツチング加工法
には、高周波プラズマスパッタ法に代表される等方性エ
ツチングとイオンビーム法に代表すれる異方性エツチン
グとがある。
には、高周波プラズマスパッタ法に代表される等方性エ
ツチングとイオンビーム法に代表すれる異方性エツチン
グとがある。
本発明は後者イオンビーム法によるエツチング加工装置
に適用して有効である。しかして、スパッタイオンの衝
撃による恭十反のエツチングを１ セラミック基板に適
用するを意図してなされたもので透過型電子顕微鏡用の
薄膜試料の作製等に有効なエツチング装置を提示するも
のである。
に適用して有効である。しかして、スパッタイオンの衝
撃による恭十反のエツチングを１ セラミック基板に適
用するを意図してなされたもので透過型電子顕微鏡用の
薄膜試料の作製等に有効なエツチング装置を提示するも
のである。
カソードグロー放電によるイオンスパッタ空間を形成す
るエツチング装置の概略構成を第３図に従って説明する
。
るエツチング装置の概略構成を第３図に従って説明する
。
図において３例えば真空度０．０１〜Ｉ Ｔｏｒｒ程度
のイオン空間を形成するペルジャー２０内において。
のイオン空間を形成するペルジャー２０内において。
エツチング加工対象の基板２１は、カソード２２上に載
置される。カソード２２は前記基板２１の載置部を除き
絶縁体２３でカバーしである。ステンレス製ペルジャー
２０はアノードを兼ねており、真空排気系に連接される
排気孔２４と、リークバルブ２５が併設されたエンチン
グ用ガス例えばアルゴン等のガス導入孔２６とを備える
。
置される。カソード２２は前記基板２１の載置部を除き
絶縁体２３でカバーしである。ステンレス製ペルジャー
２０はアノードを兼ねており、真空排気系に連接される
排気孔２４と、リークバルブ２５が併設されたエンチン
グ用ガス例えばアルゴン等のガス導入孔２６とを備える
。
ペルジャー２０は、一旦、適宜の真空度に排気され、エ
ツチングガスを導入し、カソード２２とアノード（ペル
ジャー２０）間に１〜３ｋＶ程度の直流高圧を印加すれ
ば、基板２１の表面に電離イオンが衝突することでスパ
ッタエツチングされる。
ツチングガスを導入し、カソード２２とアノード（ペル
ジャー２０）間に１〜３ｋＶ程度の直流高圧を印加すれ
ば、基板２１の表面に電離イオンが衝突することでスパ
ッタエツチングされる。
然しながら、基板２１が絶縁性のセラミック基板である
ときは、電離イオン空間が基板表面に生成されず、スパ
ッタエツチングする加工効率が顕著に低下することとな
り不都合である。
ときは、電離イオン空間が基板表面に生成されず、スパ
ッタエツチングする加工効率が顕著に低下することとな
り不都合である。
第１図は１本発明のスパッタエツチング装置の基本構成
を示す側面図である。
を示す側面図である。
図において、上下に対向するアノード３０と金属メツシ
ュのカソード２とが配置された電離イオンの加速空間に
おいて１本発明のカソード２は基板１を掩蔽する如き金
属メソシュが設けられ、該カソード２と基板ステージ８
の少なくとも一方をその配設面内で平行移動または回転
する可動手段を設けてなるスパッタエツチング装置とし
たものである。
ュのカソード２とが配置された電離イオンの加速空間に
おいて１本発明のカソード２は基板１を掩蔽する如き金
属メソシュが設けられ、該カソード２と基板ステージ８
の少なくとも一方をその配設面内で平行移動または回転
する可動手段を設けてなるスパッタエツチング装置とし
たものである。
基板を掩蔽するカソード電極２が金属メソシュであるこ
とからグロー放電空間の加速イオンは。
とからグロー放電空間の加速イオンは。
メツシュを通過し基板のエツチングが可能になること、
また、被加工基板とカソードは設置面内で何れか一方、
もしくは両方を回転または移動させ得ることから、金属
メツシュに対するシャドーを無くして基板のエツチング
むらを無くすることが出来る。
また、被加工基板とカソードは設置面内で何れか一方、
もしくは両方を回転または移動させ得ることから、金属
メツシュに対するシャドーを無くして基板のエツチング
むらを無くすることが出来る。
第２図は本発明のスパックエツチング装置構成の実施例
を示す側面図である。
を示す側面図である。
第２図において、１〜３ｋＶ程度の直流高圧源に接続さ
れたカソード２は、チタン等の金属メソシュである。ス
テンレス製ペルジャー１４はアノードを兼用する。
れたカソード２は、チタン等の金属メソシュである。ス
テンレス製ペルジャー１４はアノードを兼用する。
ペルジャー１４は、底盤２０．胴体部２５．及び覗き窓
２６のある上Ｍ３０から構成される。前記構成の例えば
底盤２０と胴体部２５の間は、０リング３５を用いて気
密に結合される。スパッタ加工対象基板１は回転自在の
ディスク８に搭載される。
２６のある上Ｍ３０から構成される。前記構成の例えば
底盤２０と胴体部２５の間は、０リング３５を用いて気
密に結合される。スパッタ加工対象基板１は回転自在の
ディスク８に搭載される。
カソード２は、基板１を掩蔽するごとく交換リング３を
用いて取付はリング４に装着される。これはエツチング
加工によるメソシュ損耗の際、前記リング４からの着脱
交換を容易とさせる。
用いて取付はリング４に装着される。これはエツチング
加工によるメソシュ損耗の際、前記リング４からの着脱
交換を容易とさせる。
取付はリング４は、絶縁ステージ７に可動自在に搭載さ
れ、また該ステージ７は絶縁材を環状に形成せる絶縁支
台１７を介して底盤２０に固定される。
れ、また該ステージ７は絶縁材を環状に形成せる絶縁支
台１７を介して底盤２０に固定される。
ペルジャー１４内の空間１９は排気孔１５より略０．Ｉ
Ｔｏｒｒ程度に排気された後、リークバルブ１２からア
ルゴン等ガスが導入され、該導入のガスは、グロー放電
空間１９で電離され、かつ冑電界により加速されて、カ
ソード２に対して略垂直方向に移動する。そしてカソー
ド２のメソシュを通過したエツチングイオンは基板１に
衝突する。
Ｔｏｒｒ程度に排気された後、リークバルブ１２からア
ルゴン等ガスが導入され、該導入のガスは、グロー放電
空間１９で電離され、かつ冑電界により加速されて、カ
ソード２に対して略垂直方向に移動する。そしてカソー
ド２のメソシュを通過したエツチングイオンは基板１に
衝突する。
均一なエツチングをするための基板回転機構。
ならびにメツシュの水平移動機構を以下説明する。
駆動モータＭに直結された主歯車１１とかみ合う従歯車
９は、基板１を搭載するディスク８に直結される。主歯
車１１とかみ合う従歯車１０は取付はリング４の一側端
が当接する偏心円盤５に直結される。取付はリング４の
他側端には、絶縁ステージ７との間に圧縮コイルばね６
が装着される。
９は、基板１を搭載するディスク８に直結される。主歯
車１１とかみ合う従歯車１０は取付はリング４の一側端
が当接する偏心円盤５に直結される。取付はリング４の
他側端には、絶縁ステージ７との間に圧縮コイルばね６
が装着される。
斯様な偏心円盤５の回転によって、取り付はリング４を
左右方向に可動（矢印１８方向ンさせる。
左右方向に可動（矢印１８方向ンさせる。
基板１及びカソード２の回転ならびに水平移動機構は、
歯車９，１０．双方を同時に、あるいは何れか一方を単
独に用い、基板１の回転とカソードの左右方向の可動、
及びその併用を自由に選択出来る。
歯車９，１０．双方を同時に、あるいは何れか一方を単
独に用い、基板１の回転とカソードの左右方向の可動、
及びその併用を自由に選択出来る。
前記本発明の直流高圧によるスパックエツチング装置に
よれば１セラミック等絶縁性基板のエンチングは勿論、
該基板面に薄膜パターンとして被着された薄膜のスパッ
タリング加工等に適用して優れた効果がある。
よれば１セラミック等絶縁性基板のエンチングは勿論、
該基板面に薄膜パターンとして被着された薄膜のスパッ
タリング加工等に適用して優れた効果がある。
第１図は本発明のスパッタエツチング装置の基本構成を
示す側面図 第２図は本発明のスパッタエツチング装置構成実施例を
示す側面図。 第３図は従来のスパッタ装置の概略構成側面図。 図中、ｌは被加工基板（絶縁基板）。 ２はカソード、 ３は交換リング。 ４は取付はリング、 ５は偏心円盤。 ６はコイルばね、 ７は絶縁ステージ。 ８は基板装着ディスク、１４はペルジャー。 木谷明力人バー・／クエ・ノナング頗／７−青雌示すイ
片）耐汗日系 １ 回 、４＜イＮ−びハてンタエツナング、Ａ嬉ピΣｖ−構庁
り」り幹Ｊａ７１ｉ貝゛Ｉ西ゴし４茅２ 図
示す側面図 第２図は本発明のスパッタエツチング装置構成実施例を
示す側面図。 第３図は従来のスパッタ装置の概略構成側面図。 図中、ｌは被加工基板（絶縁基板）。 ２はカソード、 ３は交換リング。 ４は取付はリング、 ５は偏心円盤。 ６はコイルばね、 ７は絶縁ステージ。 ８は基板装着ディスク、１４はペルジャー。 木谷明力人バー・／クエ・ノナング頗／７−青雌示すイ
片）耐汗日系 １ 回 、４＜イＮ−びハてンタエツナング、Ａ嬉ピΣｖ−構庁
り」り幹Ｊａ７１ｉ貝゛Ｉ西ゴし４茅２ 図
Claims (1)
- カソードグロー放電によるイオンを基板に衝突させて行
うスパッタエッチング装置において、基板（１）を搭載
するステージ（８）とアノード（３０）との間に、該基
板（１）を掩蔽する金属メッシュのカソード（２）を設
け、該カソード（２）とステージ（８）の少なくとも一
方をその配設面内で平行移動または回転する可動手段を
設けてなることを特徴とするスパッタエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18812286A JPS6344728A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | スパツタエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18812286A JPS6344728A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | スパツタエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6344728A true JPS6344728A (ja) | 1988-02-25 |
Family
ID=16218095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18812286A Pending JPS6344728A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | スパツタエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6344728A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0272912U (ja) * | 1988-11-22 | 1990-06-04 |
-
1986
- 1986-08-11 JP JP18812286A patent/JPS6344728A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0272912U (ja) * | 1988-11-22 | 1990-06-04 |
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