JPS6345465B2 - - Google Patents
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- JPS6345465B2 JPS6345465B2 JP7003685A JP7003685A JPS6345465B2 JP S6345465 B2 JPS6345465 B2 JP S6345465B2 JP 7003685 A JP7003685 A JP 7003685A JP 7003685 A JP7003685 A JP 7003685A JP S6345465 B2 JPS6345465 B2 JP S6345465B2
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- etching
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- Expired
Links
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/0006—Controlling or regulating processes
- B01J19/002—Avoiding undesirable reactions or side-effects, e.g. avoiding explosions, or improving the yield by suppressing side-reactions
- B01J19/0026—Avoiding carbon deposits
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はアモルフアス炭素薄膜（以下アモルフ
アス−Ｃと記す）のエツチング方法に関するもの
である。
アス−Ｃと記す）のエツチング方法に関するもの
である。
（従来の技術）
アモルフアス−Ｃは、アセチレンガス、エチレ
ンガス、プロパンガスなどの炭化水素化合物ガス
或いはベンゼンなどの液状炭化水素化合物の、グ
ロー放電分解によつて作製でき、化学的に安定で
耐酸性や耐アルカリ性に優れ、硬度も大きい。ま
た、作製条件によつて各種の物性を変化させるこ
とができるので、多方面に応用できる可能性があ
る。
ンガス、プロパンガスなどの炭化水素化合物ガス
或いはベンゼンなどの液状炭化水素化合物の、グ
ロー放電分解によつて作製でき、化学的に安定で
耐酸性や耐アルカリ性に優れ、硬度も大きい。ま
た、作製条件によつて各種の物性を変化させるこ
とができるので、多方面に応用できる可能性があ
る。
例えば、光学的エネルギーバンドギヤツプとし
て約0.4eVから3.0eVのものを得ることができ、
感光ドラムの光透過性表面保護として或いは液晶
表示装置のトランジスタ部遮光膜として採用する
ことができる。
て約0.4eVから3.0eVのものを得ることができ、
感光ドラムの光透過性表面保護として或いは液晶
表示装置のトランジスタ部遮光膜として採用する
ことができる。
（発明が解決しようとする問題点）
前者のような場合には、エツチングは必要ない
が、後者の場合には、トランジスタ部のみを遮光
するためにパターン化する必要がある。従つて、
本発明の目的は、アモルフアス−Ｃのドライエツ
チング法を提供することにある。
が、後者の場合には、トランジスタ部のみを遮光
するためにパターン化する必要がある。従つて、
本発明の目的は、アモルフアス−Ｃのドライエツ
チング法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明はH2ガスのグロー放電によつてエツチ
ングするものであり、換言すればプラズマエツチ
ングの反応ガスとしてH2ガスを用いたものであ
る。
ングするものであり、換言すればプラズマエツチ
ングの反応ガスとしてH2ガスを用いたものであ
る。
（作 用）
本発明では、光学的バンドキヤツプ或いはアモ
ルフアス−Ｃ中のＨ濃度が小さい程、エツチング
レートは小さくなるが、光学的バンドキヤツプが
0.8eVのものでも、１Å／sec〜数Å／secのエツ
チングレートは達成できる。
ルフアス−Ｃ中のＨ濃度が小さい程、エツチング
レートは小さくなるが、光学的バンドキヤツプが
0.8eVのものでも、１Å／sec〜数Å／secのエツ
チングレートは達成できる。
また、半導体デバイスの構成要素として用いら
れる普通の物質、例えば単結晶Si、多結晶Si、
SiO2、Si3N4、SiOx、SiNx、SiNxOy、リンガス
およびボロンガラスなどはH2ガスプラズマでは
殆んどエツチングされないので、エツチング時間
管理が極めて簡易である。
れる普通の物質、例えば単結晶Si、多結晶Si、
SiO2、Si3N4、SiOx、SiNx、SiNxOy、リンガス
およびボロンガラスなどはH2ガスプラズマでは
殆んどエツチングされないので、エツチング時間
管理が極めて簡易である。
（実施例）
第２図はアモルフアス−Ｃの作成及びエツチン
グに用いたプラズマ装置の概略図である。
グに用いたプラズマ装置の概略図である。
第２図において、１はH2ガスで20％に希釈し
たアセチレンガスの、２はH2ガスのボンベであ
り、５，６はストツプバルブ、９，１０は流量コ
ントローラ、１３は上ぶた兼カソード電極、１４
及び１５はテフロンリング、１６は下ぶた、１７
はアノード電極（電極径90mm）でヒーターを内
蔵、１８はガラス材（コーニング7059）の基板、
１９はストツプバルブ、２０は真空ポンプ、２１
はマツチングボツクス、２２は高周波電源であ
る。
たアセチレンガスの、２はH2ガスのボンベであ
り、５，６はストツプバルブ、９，１０は流量コ
ントローラ、１３は上ぶた兼カソード電極、１４
及び１５はテフロンリング、１６は下ぶた、１７
はアノード電極（電極径90mm）でヒーターを内
蔵、１８はガラス材（コーニング7059）の基板、
１９はストツプバルブ、２０は真空ポンプ、２１
はマツチングボツクス、２２は高周波電源であ
る。
第２図に示した装置を用い、H2ガスで20％に
希釈されたアセチレンガスを流量20c.c.／min、真
空度0.5torrで室２３へ導入し、基板温度を200℃
とし、グロー放電の高周波電力（13.56MHz）を
10〜160Wとして、プラズマCVD法によつてアモ
ルフアス−Ｃを作製した。第３図は、こうして得
られたアモルフアス−Ｃの光学的バンドギヤツプ
エネルギと成膜速度を示したものであり、成膜時
の高周波電力（RF電力）に依存して、光学的バ
ンドギヤツプエネルギは0.8eV、程度から2.2eV
程度の間で変化し、成膜速度は６Å／sec程度か
ら12Å／sec程度の間で変化することを示してい
る。
希釈されたアセチレンガスを流量20c.c.／min、真
空度0.5torrで室２３へ導入し、基板温度を200℃
とし、グロー放電の高周波電力（13.56MHz）を
10〜160Wとして、プラズマCVD法によつてアモ
ルフアス−Ｃを作製した。第３図は、こうして得
られたアモルフアス−Ｃの光学的バンドギヤツプ
エネルギと成膜速度を示したものであり、成膜時
の高周波電力（RF電力）に依存して、光学的バ
ンドギヤツプエネルギは0.8eV、程度から2.2eV
程度の間で変化し、成膜速度は６Å／sec程度か
ら12Å／sec程度の間で変化することを示してい
る。
また高周波電力30W以上では膜の硬度はビツカ
ース硬度で1000以上と非常に硬い膜であつた。
ース硬度で1000以上と非常に硬い膜であつた。
なお、成膜時の高周波電力が高い程、従つて光
学的バンドギヤツプエネルギが小さい程、アモル
フアス−Ｃ膜中でのＨ濃度の低いものが得られ
た。
学的バンドギヤツプエネルギが小さい程、アモル
フアス−Ｃ膜中でのＨ濃度の低いものが得られ
た。
アモルフアス−Ｃエツチングも第２図に示した
装置を用いH2ガスを流量40c.c.／min、真空度
0.5torrで室２３へ導入し、グロー放電の高周波
電力（13.56、ＭHz）を50W、100W、150Wとし
てプラズマエツチングした。
装置を用いH2ガスを流量40c.c.／min、真空度
0.5torrで室２３へ導入し、グロー放電の高周波
電力（13.56、ＭHz）を50W、100W、150Wとし
てプラズマエツチングした。
第１図は、エツチングレートを示すものであつ
て、エツチング時の高周波電力にも依存して数倍
の差があり、また成膜時の高周波電力にも依存す
ることを示している。
て、エツチング時の高周波電力にも依存して数倍
の差があり、また成膜時の高周波電力にも依存す
ることを示している。
第１図から明らかなように、成膜時の高周波電
力が大きいアモルフアス−Ｃでも、1000Å程度の
厚さのものは数分〜10数分でエツチングすること
ができる。
力が大きいアモルフアス−Ｃでも、1000Å程度の
厚さのものは数分〜10数分でエツチングすること
ができる。
（発明の効果）
以上のように本発明のエツチング方法によれ
ば、アモルフアス−Ｃ薄膜をプラズマエツチング
することができるので、半導体素子への応用が可
能となる。また半導体素子の構成に用いられる結
晶Si、多結晶Si、SiO、Si3N4、SiOx、SiNx、
SiNxOy、リンガラス、ボロンガラス、又パター
ニングに用いるレジスト等は、H2プラズマによ
りエツチングされないので、アモルフアス−Ｃと
のエツチングの選択比は非常に大きくなる。
ば、アモルフアス−Ｃ薄膜をプラズマエツチング
することができるので、半導体素子への応用が可
能となる。また半導体素子の構成に用いられる結
晶Si、多結晶Si、SiO、Si3N4、SiOx、SiNx、
SiNxOy、リンガラス、ボロンガラス、又パター
ニングに用いるレジスト等は、H2プラズマによ
りエツチングされないので、アモルフアス−Ｃと
のエツチングの選択比は非常に大きくなる。
第１図は本発明によるエツチングレートの特性
を示した説明図、第２図は本発明に用いたプラズ
マ装置の概細図、第３図はアモルフアス−Ｃの特
性を示した説明図である。 １……アセチレンガスボンベ、２……H2ガス
ボンベ、３……CF2ガスボンベ、４……O2ガスボ
ンベ、５，６……ストツプバルブ、９，１０……
流量コントローラ、１３……カソード電極、１
４，１５……テフロンリング、１７……アノード
電極、１８……基板、１９……ストツプバルブ、
２０……真空ポンプ、２１……マツチングボツク
ス、２２……高周波電源、２３……室。
を示した説明図、第２図は本発明に用いたプラズ
マ装置の概細図、第３図はアモルフアス−Ｃの特
性を示した説明図である。 １……アセチレンガスボンベ、２……H2ガス
ボンベ、３……CF2ガスボンベ、４……O2ガスボ
ンベ、５，６……ストツプバルブ、９，１０……
流量コントローラ、１３……カソード電極、１
４，１５……テフロンリング、１７……アノード
電極、１８……基板、１９……ストツプバルブ、
２０……真空ポンプ、２１……マツチングボツク
ス、２２……高周波電源、２３……室。
Claims (1)
- １ エツチングの室へH2ガスを導入し且つグロ
ー放電を発生させることによつてアモルフアス炭
素薄膜をエツチングすることを特徴とした、アモ
ルフアス炭素薄膜のエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7003685A JPS61231185A (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 | アモルフアス炭素薄膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7003685A JPS61231185A (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 | アモルフアス炭素薄膜のエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61231185A JPS61231185A (ja) | 1986-10-15 |
| JPS6345465B2 true JPS6345465B2 (ja) | 1988-09-09 |
Family
ID=13419959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7003685A Granted JPS61231185A (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 | アモルフアス炭素薄膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61231185A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03123189U (ja) * | 1989-08-26 | 1991-12-16 |
-
1985
- 1985-04-04 JP JP7003685A patent/JPS61231185A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03123189U (ja) * | 1989-08-26 | 1991-12-16 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61231185A (ja) | 1986-10-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |