JPS6348531A

JPS6348531A - 光学変調素子の駆動法

Info

Publication number: JPS6348531A
Application number: JP19258886A
Authority: JP
Inventors: Shuzo Kaneko; 金子　修三
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-08-18
Filing date: 1986-08-18
Publication date: 1988-03-01
Anticipated expiration: 2011-06-12
Also published as: JP2505761B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光学変調素子の駆動法に関し、特に少な（と
も２つの安定状態をもつ強誘電性液晶素子の駆動法に関
する。

〔従来技術の説明〕従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し多数の画素を形
成して、画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子はよ
く知られている。この表示素子の駆動法としては、走査
電極群に順次周期的にアドレス信号を選択印加し、信号
電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期させて
並列的に選択印加する時分割駆動が採用されている。

これらの実用に供されたのは、殆どが、例えば“アプラ
イド・フイジスク・レターズ（’Ａｐｐｌｉｅｄｐｈｙ
ｓｉ（ｓ　　Ｌｅｔｔｅｒｓ”）　１９７１年、１ｓ　
（４）号１２７〜１２８頁に記載のＭ、シャット（Ｍ　
、　Ｓ　ｃ　ｈ　ａ　ｄ　ｔ　）及びＷ、ヘルフリヒ（
Ｗ、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ）共著になる“ボルテージ・ディ
ペンダント・オプティカル・アクティビデイー・オブ・
ア・ツィステッド・ネマチック・リキッド・クリスタル
”（“ＶｏｌｔａｇｅＤｅｐｅｎｄｅｎｔ　　０ｐｔｉ
ｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ　　ａＴｗｉｓｔ
ｅｄ　　Ｎｅｍａｔｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔ
ａビ）に示されたＴＮ　（ｔｗｉｓｔｅｄ　　ｎｅｍａ
ｔｉｃ）型液晶であった。

近年は、在来の液晶素子の改善型として、双安定性を有
する液晶素子の使用がクラーク（Ｃｌ　ａ　ｒ　ｋ　）
およびラガーウオール（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）の両者に
より特開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３
６７９２４号明細書等で提案されている。双安定性液晶
としては、一般に、カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ
＊　）又はＨ相（ＳｍＨ＊　）を有する強誘電性液晶が
用いられ、これらの状態において、印加された電界に応
答して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態と
のいずれかをとり、かつ電界が印加されないときはその
状態を維持する性質、即ち安定性を有し、また電界の変
化に対する応答がすみやかで、高速かつ記憶型の表示装
置等の分野における広い利用が期待されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、表示画素数が極めて多く、しかも高速駆
動が求められる時には、問題が生じる。

すなわち、所定の電圧印加時間に対して双安定性を有す
る強誘電性液晶セルで第１の安定状態を与えるための閾
値電圧を−ｖｔｈ、とし、第２の安定状態を与えるため
の閾値電圧を＋ｖｔｈ２とすると、これらの閾値電圧を
越えなくとも、長時間に亘り、電圧が印加され続ける場
合に、画素に書込まれた表示状態（例えば、白状態）が
別の表示状態（例えば熱状態）に反転することがある。

第１図は双安定性強誘電性液晶セルの閾値特性を表わし
ている。

第１図は、強誘電性液晶としてＤＯＢＡＭＢＣ（図中の
１２）とＨＯＢＡＣＰＣ（図中の１１）を用いた時のス
イッチングに要する閾値電圧（ｖｔｈ）の印加時間依存
性をプロットしたものである。

第１図より明らかな如く、閾値ｖｔｈは印加時間依存性
を持っており、さらに印加時間が短い程、急勾配になっ
ていることが理解される。このことから、走査線が極め
て多く１、しかも高速に駆動する素子に適用した場合に
は、例えばある画素の走査時において明状態にスイッチ
されていても、次の走査以降常にｖｔｈ以下の情報信号
が印加され続ける場合、一画面の走査が終了する途中で
その画素が暗状態に反転してしまう危険性をもっている
ことが判る。

、　　　　　　　　　　５　′テ本発明の目的は、前述したような従来の液晶袋、示素子
或いは液晶光シャッターにおける問題点を解決した新規
な液晶素子の駆動法を提供することにある。

本発明の別の目的は、階調性の表現に適した光学変調素
子の駆動法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕及び〔作用〕本発明は
、電位勾配を生じ、光学変調物質を有している画素を複
数の行および列に沿って配列し、打上の画素が走査電極
と電気的に接続されているとともに、列上の画素が信号
電極と電気的に接続されている光学変調素子の駆動法に
おいて、選択された走査電極上の画素に走査選択期間内
で複数のパルス電圧が印加され、該複数のパルス電圧の
うち、絶対値で最大の波高値のパルス電圧ｌ　Ｖｍａｘ
　ｌと絶対値で最小の波高値のパルス電圧ｌ　Ｖｍｉｎ
　ｌとの差と、選択された走査電極に印加される走査選
択信号のうち絶対値で最大の波高値ｌＶｓｍａｘ　ｌと
の間でｌ　Ｖｍａｘ　ｌ　−Ｉ　Ｖｍｉｎ　ｌ≦ｌ　Ｖ
ｓｍａｘ　ｌの関係を有している光学変調素子の駆動法
に特徴を有し、好ましくはｊ　Ｖｍａｘ　１、ＩＶｍｉ
ｎ　ｌとｌＶｓｍａｘ　ｌとの間で−ｌ　Ｖｓｍａｘ　
ｊ≦ＩＶｍａｘ　１−　ＩＶｍｉｎ　ｌ≦１ｖｓｍａＸ
１とすることに特徴を有している。

〔実施例〕

本発明の駆動法で用いる光学変調物質としては、少なく
とも２つの安定状態をもつもの、特に加えられる電界に
応じて第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態と
のいずれかを取る、すなわち電界に対する双安定状態を
有する物質、特にこのような性質を有する液晶が用いら
れる。

本発明の駆動法で用いる事ができる双安定性を有する液
晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクチック液
晶が最も好ましく、その内カイラルスメクチックＣ相（
ＳｍＣ＊　）また　Ｈ相（ＳｍＣ＊　）の液晶が適して
いる。この強誘電性液晶については、“ル・ジュルナー
ル・ド・フィシツク・ルーチルＨ（“Ｌｅ　　Ｊｏｕｒ
ｎａｌ　　ｄｅｐｈｙｓｉｏｖｅ　　１ｅｔｔｅｒ″）
３６巻（Ｌ−６９）、１９７５年の「フェロエレクトリ
ック・リキッド・クリスタルスＪ　（「Ｆｅｒｒｏｅｌ
ｅｃｔｒｉｃｌｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａｌｓ’）　
；“アプライド・フィジックス・レターズじＡｐｐｌｉ
ｅｄ　　Ｐｈｙｓｉｃｓ　　Ｌｅｔｔｅｒｓ”）３６巻
（１１号）　１９８０年の［サブミクロン拳セカンド・
バイスティプル・エレクトロオプティック・スイッチン
グ・イン・リキッド・クリスタル」（ｒ　Ｓｕｂｍｉｃ
ｒｏ　５ｅｃｏｎｄ　Ｂ１５ｔａｂｌｅ　Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｏｐｔｉｃＳｗｉｔｃｈｉｎｇ　　ｉｎ　　Ｌｉｑｕ
ｉｄ　　Ｃｒ、ｙｓｔａｌｓ）　ｊ　；“固体物理“１
６　（１４１）　１９８１　ｒ液晶」等に記載されてお
り、本発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用い
ることができる。

より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメ−１（ＤＯＢＡＭＢＣ
）、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ’−アミノ−２−
クロロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）および
４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリチン−４′
−オクチルアニリン（Ｎ′ｒ　Ｂ　ＲＡ　８　）等が挙
げられる。

これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液晶化合
物が、ＳｍＣ＊相又はＳｍＨ＊相となるような温度状態
に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込ま
れた銅ブロック等により支持することができる。

又、本発明では前述のＳｍＣ＊、ＳｍＨ＊の他にカイラ
ルスメクチックＦ相、■相、Ｊ相、Ｇ相やに相で現われ
る強誘電性液晶を用いることも可能である。

第２図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもの
である。２１ａと２１ｂは、Ｉ　ｎ　２０３　、Ｓ　ｎ
　Ｏ２やＩＴＯ（インジウム−ティン−オキサイド）等
の透明電極がコートされた基板（ガラス板）であり、そ
の間に液晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向
したＳｍＣ＊相の液晶が封入されている。太線で示した
線２３が液晶分子を表わしており、この液晶分子２３は
、その分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ工）
１４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に一
定の閾値以上の電工を印加すると、液晶分子２３のらせ
ん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ工）２４はすべ
て電界方向に向くよう、液晶分子２３の配向方向を変え
ることができる。

液晶分子２３は細長い形状を有しており、その長軸方向
と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス
面の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏
光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる
液晶光学変調素子となることは、容易に理解される。さ
らに液晶セルの厚さを十分に薄（した場合（例えば１μ
）には、第３図示に示すように電界を印加していない状
態でも液晶分子のらせん構造は、はどけ、その双極子モ
ーメントＰａ又はＰｂは上向き（３４ａ）又は下向き（
３４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセルに第
３図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅａ
又はＥｂを所定時間付与すると、双極子モーメントは電
界Ｅａ又Ｅｂの電界ベクトルに対して上向き３４ａ又は
、下向き３４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は
第１の安定状態３３ａかあるいは第２の安定状態３３ｂ
の何れか一方に配向する。

このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに
配向するが、この状態は電界を切っても安定である。又
、逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安
定状態３３ｂに配向して、その分子の向きを変えるが、
やはり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与え
る電界Ｅａが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配
向状態にやはり、推持されている。このような応答速度
の速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルとし
ては出来るだけ薄い方が好ましり、−般的には、０．５
μ〜２０μ、特に１μ〜５μが適している。

本発明の駆動法の好ましい具体例を以下の図により示す
。

第４図は、走査電極群４２と信号電極群４３の間に双安
定性強誘電性液晶が挟まれたマトリクス画素構造を有す
る代表的な強誘電性液晶セル４１の模式図である。本発
明は多値またはアナログの階調表示に適用できるもので
あるが、説明を簡略化するために白、および１つの中間
レベル、および黒の３値を表示する場合を例にとって示
す。第４図に於て、クロスハツチングで示される画素Ａ
が「黒」に、片ハツチングで示される画素Ｂが「灰」（
中間レベル）、その他の画素Ｃが「白」に対応するもの
とする。

第５図は１ライン毎に画像消去と書き込みを順次行なう
場合の具体的駆動波形の一例を示し、書き込み後の画像
は第４図に対応する。

第５図（ａ）に各走査電極Ｓ　Ｓ　、　Ｓ　ＮＳおよび
各信号電極Ｉ　Ｓ　、　Ｉ　Ｈ３、Ｉ　ＮＳに印加する
電圧波形および、それぞれの走査電極と信号電極に挟持
される画素液晶に印加される電圧を示す。ここで横軸は
時間、縦軸は電圧を示す。

ここでＳｓは画像情報を書きこむライン、すなわち選択
された走査電極に印加される駆動波形、Ｓ　：ｖｓはそ
のときの画像情報を書き込まないう・ｒン、すなわち非
選択の走査電極に印加される駆動波形である。また、Ｉ
ｓは前記選択されたラインとの交差部との間に「黒」を
書き込むための駆動波形でＩＮＳは中間レベル、またＩ
ＮＳは「白」を書き込むための駆動波形をそれぞれ示す
。

このとき画素を形成する液晶にそれぞれ印加される電圧
は、ＴＳ　　Ｓｓ、　　ＩＮＳ　　Ｓｓ、　　ＩＮＳ　
　Ｓｓ。

Ｉ　ｓ　−Ｓ　ＮＳ　、　Ｉ　Ｈ３−Ｓ　ＮＳ　、　　
Ｉ　ＮＳ　−Ｓ　ＮＳで示されるようになる。

ここで、用いた双安定性強誘電液晶の反転閾値をｖｔｈ
としたとき、反転閾値ｖｔｈと駆動電圧Ｖ。

との間で１±２Ｖｏ１〈ＩｖｔｈＩ＜１±３ｖｏ１とな
るように駆動電圧■。を選ぶ。ここでは、通常の液晶セ
ルに加える配向処理等により、反転閾値ｖｔｈは■側と
ｅ側でその値が若干異なっている場合があるが、この場
合は、各駆動波形において■側とＯ側の駆動電位を若干
補正する等の対応を採るものとし、ここでは説明の便宜
上１＋Ｖｔｈ１（■側の反転閾値）＝ｊ　−ｖｔｈ　ｌ
　　（０側の反転閾値）としておく。

上記の様にした場合、各画素に印加される電圧が、その
絶対値で一例として２ｖｏ以下の場合は液晶分子の反転
は起こらず、また３ｖｏ以上の場合では、反転が起こり
、その絶対値が大きくなるにつれ、反転が強（起こる様
になる。

ここで各波形について説明する。

選択された走査電極に印加する走査選択信号、Ｓｓは１
ラインの書き込み期間内に４つの位相をもっており、そ
の第２番目の位相でライン消去を、第３番目の位相で信
号電極に印加される信号に応じた画素書き込みを行なわ
れ、そのために、それぞれ第２位相にθ２Ｖｏ、第３位
相に■２■。のパルス波形が印加されている。また第１
番目の位相、第４番目の位相は、はぼ零（基準電位）の
電位が補助的に印加される。

一方、選択されない走査電極に印加される走査非選択信
号ＳＮＳは、基準電位（ここではＯｖ）に固定される。

次に信号電極に印加される電位波形は、前記走査選択信
号の各位相とほぼ同期してその第２番目位相において消
去信号０２Ｖｏが印加され、この位相において、各信号
電極と選択された走査電極Ｓｓとの間でＣ４ｖｏの電圧
が印加される事になり液晶の反転閾値−ｖｔｈを越える
ため、このラインすべてを消去側（白）に反転させる。

次に、第３位相においては、選択された走査電極Ｓｓと
交差する信号電極に、それぞれ階調に応じた電圧が印加
される。ここでこの時画素を「黒」にする電位として一
２Ｖ０、中間レベル（灰）にする電位として−Ｖｏ、「
白」のまま保持する電位として零（基準電位）とする。

このようにすると、第３位相において、このラインの画
素に印加される電圧はそれぞれ＋４Ｖｏ１＋３ｖｏ１＋
２ｖｏとなり、それぞれ「黒」、中間レベル「白」をそ
れぞれ画素に書き込むことになる。

次に、補助的に印加する第１位相、および第４位相につ
いて説明する。まず第４位相で選択された走査電極上の
画素に印加される電圧は、消去位相の電圧極性と同一極
性で閾値以下の一２ｖｏが印加される。

また、第１位相としては、前記第２位相の画素における
書き込み信号に応じた電圧を印加するこの電位は、第３
位相において画素に印加される電圧と同極性（走査非選
択信号を基準にして）または走査非選択信号と同一電圧
レベルである。この際、本発明では、表示画面でのちら
つきを解消する上で、選択された走査電極上の画素に印
加される各位相における電圧絶対値、第１位相における
電圧絶対値ｌｖ＋ｌ、第２位相における電圧絶対値ＩＶ
２１、第３位相における電圧絶対値ＩＶ３１と第４位相
にオケル電圧絶対値１Ｖ４１；がｌＶ＋　ｌ　＋　１Ｖ
３１　＝ｌＶ２１　＋　ｌＶ４１の関係をもっているこ
とが好ましい。

さて、双安定性を有する状態での強誘電液晶の電界によ
るスイッチングのメカニズムは微視的には必ずしも明ら
かではないが、一般に所定の安定状態に所定時間の強い
電界でスイッチングした後、全く電界が印加されない状
態に放置する場合には、はぼ半永久的にその状態を保つ
ことは可能であるが、所定時間ではスイッチングしない
ような弱い電界（先に説明した例で言えば、ｖｔｈ以下
の電圧に対応）であっても、逆極性の電界が長時間に渉
って印加される場合には、逆の安定状態へ再び配回状態
が反転してしまい、その結果圧しい情報の表示や変調が
達成できない現象が生じ得る。当発明者等は、このよう
゛な弱電界の長時間口カニによる、配向状態の転移反転
現象（一種のクロストーク）の生じ易さが基板表面の材
質、粗さや液晶材料等によって影響を受ける事は認識し
たが、定量的には未だ把みきっていない。ただ、ラビン
グやＳｉＯ等の斜方蒸着等液晶分子の配向のだめの一軸
性基板処理を行うと、上記反転現象の生じ易さが増す傾
向にあることは確認した。特に、高い温度の時に低い温
度の場合に較べて、その傾向が強（現われることも確認
した。

いずれにしても、正しい情報の表示や変調を達成するた
めに一定方向の電界が長時間に渉って印加されることは
、避けるのが好ましい。

本発明においては同極性の電圧が２位相以上、続いて印
加されない様にしたことで上記問題を解決することがで
きる。

第６図は別の実施例を挙げる。

第６図は第５図の駆動波形に対して、選択された走査電
極に印加する第１位相の電圧値を変えたのみである。し
たがって、前記の走査信号が選択さｎない位相が連続す
る画素で生じるクロストークに対する効果、あるいは階
調表現の安定化に対する効果は、第５図例と全く同様で
ある。第６図において、新たに特徴づけられる点は、選
択された走査電極と信号電極間に印加される電圧のうち
、ライン消去信号として印加される電圧位相すなわち第
２位相の前、すなわち第１位相において印加される電圧
が必ず閾値１ｖｔｈ　ｌ以下の電圧絶対値となる様にし
たことである。この様にすることで、たとえば第５図（
ａ）の例のうちＳ　ｓ　−１）Ｉｓ　、　　Ｓ　ｓ　−
ＩＮＳの場合に見られる現象、すなわち、ライン消去前
に閾値を超える書き込み信号が第１位相に加わることに
より、ライン消去前に当該ラインに一旦「黒」あるいは
中間レベルが書き込まれることによる画素のちらつきを
防止したものである。

なお、前述迄の説明においては、３値の画像について説
明したが、第５図、第６図において、信号電極に印加さ
れる駆動波形のうち、第３位相における電位を一２ｖｏ
から零まで、またこれに対応して第１位相における電位
を零から一２ｖｏまで、多値に分割して、あるいはアナ
ログ的に値を選択して与えることにより、多階調あるい
はアナログ階調の画像が得られる。

第７図は前記第５図〜第６図に示した駆動波形によって
画素が形成されたマトリクスセルを示す。

ここで１１〜■５はＩＴＯ等の透明導電膜により形成さ
れた信号電極、またＳ。−８５が接続された部分は、Ａ
ｊ！、Ａｕ等で形成された低抵抗走査電極、またＳ。−
８５で挾まれた部分は５ｎ０２その池の透明な高抵抗膜
（１０５〜１０’Ω／口）である。

上記の構成で選択された走査電極に第５図あるいは第６
図で示した駆動波形を印加する。ここでＳ。

は常に零（基準）電位とした。該構成においては、選択
された走査電極と選択されない走査電極との間で画素書
き込み時においてほぼ２■ｏの電位勾配が形成さえる。

すなわち、たとえばＳｌに書き込み時２ｖｏの電圧が印
加された場合、ＳｏおよびＳ２までの中間点において電
位Ｖ。となる。

これに対し、信号電極群に所定の信号電圧を印加した場
合、抵抗膜のおのおのの位置において液晶に印加される
電圧が異なるため、該電圧が閾値を越えた部分のみ「黒
」が書き込まれることになる。第７図におては、各走査
電極を含む一点鎖線で囲まれた部分が１画素に相当する
。

この動作についてライン消去駆動法を用いてもう少し詳
しく説明する。走査電極Ｓ１が選択され、さらに各信号
電極に信号電圧が印加される場合、ラインで消去される
範囲あるいは「黒」が書き込まれる範囲は、Ｓｌより互
いにほぼ等距離にある一点鎖線Ａ、−Ｂ、間で示される
。すなわち、この範囲内はすべて一旦「白」にされ、そ
の後信号電圧が「黒」の場合は、走査電極Ｓ１を中心と
してこの範囲内はぼ全部が「黒」になり、また、中間レ
ベルの場合はその一部が「黒」になり、また「白」の場
合は、そのまま白に保持される。次に、走査電極Ｓ２が
選択された場合にまず全面が「白」にされる範囲はＡ２
−８２間となり、その後この範囲内で「黒」、中間レベ
ル「白」が決定される。したがって走査電極を゛順次選
択していくことにより、第７図に示される画像が形成さ
れる。

一方、画素に印加される電圧の最大の絶対値を適宜選ぶ
ことにより第９図に示す様に各走査電極間の中心を隔て
て画素を分割することが出来る。これは選択された走査
電極と選択されない走査Ｑ’ｂ間で形成される電位勾配
の絶対値が第５図〜第６図に従って２ｖｏとすると、１
閾値１よりほぼｌＶｏ　ｌ大きい値を液晶にかかる最大
電圧値とすることにより達成される。すなわち、電位勾
配の大きさの約半分以上の大きさの電圧内で階調表現を
行なえば良いわけである、したがって、たとえば第５図
〜第６図例において最大質を１±３ｖｏ１〜ｉ±４ｖｏ
ｌの間にとれば良い。この場合、１つの画素全部を「黒
」にする電圧値と「白」にする電圧値にズレがある場合
があるが、この時はその電圧値を適宜に異ならせること
により補正することが出来る。

またこのとき、必ずしも走査を走査線順次に行なわずと
も駆動できたとえばＩ　ｌ　ｉｎｅおきに駆動すること
など、その他可能となる。

〔発明の効果〕

以上記述した本発明によれば、高富度の画素を有するマ
トリクス光学変調素子においても、安定し、て階調表現
をも行なうことが出来るものてある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、強誘電性液晶の電圧印加時間に対する閾値電
圧の変化を示す特性図である。第２図および第３図は、
本発明で用いた強誘電性液晶素子の模式的な斜視図であ
る。第４図は、本発明で用いたマトリクス電極構造の平
面図である。第５図（ａ）と第６図（ａ）は駆動電圧波
形図で、第５図（ｂ）と第６図（ｂ）はその時系列波形
図である。第７図と第８図は、本発明で用いた階調を表
現したマトリクス電極構造の平面図である。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光学変調物質を有している画素を複数の行及び列
に沿って配列し、行上の画素が走査電極と電気的に接続
されているとともに、列上の画素が信号電極と電気的に
接続されている光学変調素子の駆動法において、選択さ
れた走査電極上の画素に走査選択期間内で複数のパルス
電圧が印加され、該複数のパルス電圧のうち、絶対値で
最大の波高値のパルス電圧｜Ｖｍａｘ｜と絶対値で最少
の波高値のパルス電圧｜Ｖｍｉｎ｜との差と、選択され
た走査電極に印加される走査選択信号のうち絶対値で最
大の波高値｜Ｖｓｍａｘ｜との間で｜Ｖｍａｘ｜−｜Ｖ
ｍｉｎ｜≦｜Ｖｓｍａｘ｜の関係を有していることを特
徴とする光学変調素子の駆動法。
（２）前記｜Ｖｍａｘ｜、｜Ｖｍｉｎ｜及び｜Ｖｓｍａ
ｘ｜との間で１／２｜Ｖｓｍａｘ｜≦｜Ｖｍａｘ｜−｜
Ｖｍｉｎ｜≦｜Ｖｓｍａｘ｜の関係を有している特許請
求の範囲第１項記載の駆動法。
（３）選択された走査電極上の画素に印加される複数の
パルス電圧のうち、最初から第１番目の位相で印加され
る電圧絶対値を｜Ｖ＿１｜、最初から第２番目の位相で
印加される電圧絶対値を｜Ｖ＿２｜、終から第２番目の
位相で印加される電圧絶対値を｜Ｖ＿３｜と終から第１
番目の位相で印加される電圧絶対値を｜Ｖ＿４｜とした
時、｜Ｖ＿１｜、｜Ｖ＿２｜、｜Ｖ＿３｜と｜Ｖ＿４｜
との間で、｜Ｖ＿１｜＋｜Ｖ＿３｜＝｜Ｖ＿２｜＋｜Ｖ
＿４｜の関係を有している特許請求の範囲第１項記載の
駆動法。
（４）前記｜Ｖ＿１｜と｜Ｖ＿３｜が階調情報に応じて
変動する電圧である特許請求の範囲第３項記載の駆動法
。
（５）前記画素が印加電圧に応じて電位勾配を生じる画
素である特許請求の範囲第１項記載の駆動法。
（６）前記｜Ｖ＿１｜と｜Ｖ＿２｜との和が選択された
走査電極上の画素に亘って一定である特許請求の範囲第
３項記載の駆動法。
（７）前記走査電極に抵抗膜が電気的に接続されている
特許請求の範囲第１項記載の駆動法。
（８）前記光学変調物質が強誘電性液晶である特許請求
の範囲第１項記載の駆動法。
（９）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチック液晶で
ある特許請求の範囲第８項記載の駆動法。
（１０）前記カイラルスメクチック液晶の膜厚がらせん
構造を解消するのに十分に薄い膜厚に設定されている特
許請求の範囲第９項記載の駆動法。