JPS6348738A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPS6348738A JPS6348738A JP61193108A JP19310886A JPS6348738A JP S6348738 A JPS6348738 A JP S6348738A JP 61193108 A JP61193108 A JP 61193108A JP 19310886 A JP19310886 A JP 19310886A JP S6348738 A JPS6348738 A JP S6348738A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- ion beam
- current
- magnetic field
- wafer
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
この発明はイオン注入装置に関し、特にＭ塁分析器の磁
界制御に関するものである。
界制御に関するものである。
［従来の技術〕
第２図はイオン注入装置の要部側面図である。
図において、イオンソース部１から発生したイオンビー
ム３が質量分析器２を通過し、分析スリット４・と介し
てディスク６上にＦ２８されるウェハ５に照射する。
ム３が質量分析器２を通過し、分析スリット４・と介し
てディスク６上にＦ２８されるウェハ５に照射する。
第３図は第２図の■−■断面図である。図において、ウ
ェアガイド１３の中をビーム断面１４として記載されて
いるイオンビームが通過し、ウェブガイド１３の両側に
鉄心８に巻縮されたコイル９およびコイル１ｏが設置さ
れる。コイル９および〕イル１０はそれぞれ電流源１１
および電流源１２を有する。
ェアガイド１３の中をビーム断面１４として記載されて
いるイオンビームが通過し、ウェブガイド１３の両側に
鉄心８に巻縮されたコイル９およびコイル１ｏが設置さ
れる。コイル９および〕イル１０はそれぞれ電流源１１
および電流源１２を有する。
従来のイオン注入装置の要部は以上のように構成されて
おり、以下作用について説明する。
おり、以下作用について説明する。
発生されたイオンビーム３は質量分析器２によって目的
に応じたイオンのみが分離される。この分離は電流源１
１によってコイル９に印加される電流値と、同じく電流
ａｊ１２によってコイル１０に印加される電流値との和
の電流値に対応した磁界がウェブガイド１３を介してイ
オンビーム３を取巻くことにより行なわれる。
に応じたイオンのみが分離される。この分離は電流源１
１によってコイル９に印加される電流値と、同じく電流
ａｊ１２によってコイル１０に印加される電流値との和
の電流値に対応した磁界がウェブガイド１３を介してイ
オンビーム３を取巻くことにより行なわれる。
また、大電流型のイオンビーム注入装置では、イオンビ
ーム３を静電走査することが困難なため、ディスク６を
回転させてウェハ５側を走査させることによって、イオ
ンビーム３を固定した状態での照射による注入不均一性
を回避している。
ーム３を静電走査することが困難なため、ディスク６を
回転させてウェハ５側を走査させることによって、イオ
ンビーム３を固定した状態での照射による注入不均一性
を回避している。
［発明が解決しようとする問題点］
上記のような従来の大電流型のイオン注入装置では、注
入対象のウェハ５が表面に酸化膜等の絶縁膜を有した場
合、ディスク６の回転にかかわらず、イオンビーム３の
固定のために、ウェハ５の表面に帯電現象を生じる。こ
のＷＩ電した部分はイオンビーム３を反発するので、イ
オン注入の均一性が著しく損われ、ざらに、絶縁膜５が
非常に簿い場合等ではウェハ５の導体部への通電力（生
じ。
入対象のウェハ５が表面に酸化膜等の絶縁膜を有した場
合、ディスク６の回転にかかわらず、イオンビーム３の
固定のために、ウェハ５の表面に帯電現象を生じる。こ
のＷＩ電した部分はイオンビーム３を反発するので、イ
オン注入の均一性が著しく損われ、ざらに、絶縁膜５が
非常に簿い場合等ではウェハ５の導体部への通電力（生
じ。
絶縁膜破壊を引起こす。
これらの現象は、イオン電流量に応じて起こり易くなる
ので、本来イオン電流を大きく取出せる装置であっても
、イオン電流を制限して使用する場合が生じる。
ので、本来イオン電流を大きく取出せる装置であっても
、イオン電流を制限して使用する場合が生じる。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、本来のイオン電源口を確保しながら、イオン注入に
よるウェハ上の帯電現象を防止し注入均一性の向上を図
ることを目的とする。
で、本来のイオン電源口を確保しながら、イオン注入に
よるウェハ上の帯電現象を防止し注入均一性の向上を図
ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係るイオン注入装置は、質量分析器の分析磁
界を発生させる２種のコイルに印加する電流値を総和を
一定として、それぞれ周期的に変化させるものである。
界を発生させる２種のコイルに印加する電流値を総和を
一定として、それぞれ周期的に変化させるものである。
［作用］
この発明においては、質量分析器のイオンビーム３両側
に設置される２種のコイルの電流値が周期的に変化する
ため、分析磁界が変化し通過するイオンビームがその中
心を軸として回転しながらウェハにイオン注入されるの
で、ウェハ上の帯電現象を防止し、かつ注入均一性を向
上する。
に設置される２種のコイルの電流値が周期的に変化する
ため、分析磁界が変化し通過するイオンビームがその中
心を軸として回転しながらウェハにイオン注入されるの
で、ウェハ上の帯電現象を防止し、かつ注入均一性を向
上する。
［発明の実施例］
第１因はこの発明の一実施例を示す質量分析器の断面図
である。符号８〜１３は従来装置と同じである。符号１
５および１６はこの発明におけるビーム断面を示す。
である。符号８〜１３は従来装置と同じである。符号１
５および１６はこの発明におけるビーム断面を示す。
以下、動作を説明する。
電流源１１で供給されるＮ流値を■Ｉ、電流源１２で供
給される電流値を１２とすると全電流値Ｉは、 Ｉ＝１．＋Ｉｚ となり、この全電流＠Ｉに応じたコイル９およびコイル
１ｏによる磁界が決定され、ウェブガイド１３を介して
通過するイオンビームから所要のイオンを分離する。
給される電流値を１２とすると全電流値Ｉは、 Ｉ＝１．＋Ｉｚ となり、この全電流＠Ｉに応じたコイル９およびコイル
１ｏによる磁界が決定され、ウェブガイド１３を介して
通過するイオンビームから所要のイオンを分離する。
従来においては、Ｔ、−１２とした電流を印加している
ので、第３図にて示すようにビーム断面１４は一定形状
を保っているが、全電流（ｉｌＩを一定にしてＩＩ＞１
２またはＩ、＜１２とすると、通過するイオンビームは
ど一ムの中心を軸としてビーム断面１５またはビーム断
面１６のごとく傾斜する。
ので、第３図にて示すようにビーム断面１４は一定形状
を保っているが、全電流（ｉｌＩを一定にしてＩＩ＞１
２またはＩ、＜１２とすると、通過するイオンビームは
ど一ムの中心を軸としてビーム断面１５またはビーム断
面１６のごとく傾斜する。
したがって、
１１−２−丁（ｌｔｓｉｒＬｌ、１Ｊｔ）ここでω：角
速度 ｔ ：時間 とすると、全電流値Ｉは一定なので所要イオンの分離作
用は変わらず、かつ、イオンビームを回転させるコイル
９およびコイル１０による磁界が発生する。回転の速さ
は角速度ωをｖ４整することによって自由に設定できる
ので、対象ウェハの特性に応じたイオンビームの回転が
可能である。
速度 ｔ ：時間 とすると、全電流値Ｉは一定なので所要イオンの分離作
用は変わらず、かつ、イオンビームを回転させるコイル
９およびコイル１０による磁界が発生する。回転の速さ
は角速度ωをｖ４整することによって自由に設定できる
ので、対象ウェハの特性に応じたイオンビームの回転が
可能である。
なお、上記実施例ではイオンビームはその中心を軸とし
て回転させたが、電流ｇｉｉおよび電流ｙＡ１２を制御
することにより、ビーム断面を傾斜した状態のままでイ
オン注入することもできる。
て回転させたが、電流ｇｉｉおよび電流ｙＡ１２を制御
することにより、ビーム断面を傾斜した状態のままでイ
オン注入することもできる。
［発明の効果］
この発明は以上説明したとおり、イオンビームをその中
心を軸として回転してウェハに注入するので、絶縁体を
有したウェハであっても帯電現象を防止し、イオン注入
の均一性が向上する効果があり、また大電流型イオン注
入装置であってもイオン電流を大きく取出せる効果があ
る。
心を軸として回転してウェハに注入するので、絶縁体を
有したウェハであっても帯電現象を防止し、イオン注入
の均一性が向上する効果があり、また大電流型イオン注
入装置であってもイオン電流を大きく取出せる効果があ
る。
第１図はこの発明の一実施例を示す質量分析器の断面図
、第２図はイオン注入装置の要部側面図および第３１￥
１は第２図のｍ−ｌ１１断面図である。 図において、２はＭｍ分析器、３はイオンビーム、９は
コイル、１０はコイル、１１は？ｌ１ｉｉ流源、１２は
電流源、１５および１６はビーム断面である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
、第２図はイオン注入装置の要部側面図および第３１￥
１は第２図のｍ−ｌ１１断面図である。 図において、２はＭｍ分析器、３はイオンビーム、９は
コイル、１０はコイル、１１は？ｌ１ｉｉ流源、１２は
電流源、１５および１６はビーム断面である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）イオンビームを発生するイオンソースと、 前記イオンソースより発生されるイオンビームに分析磁
界を加えて所望のイオンを通過させる質量分析器と、 前記質量分析器を通過するイオンビームを回転させて照
射するように、前記分析磁界を制御する制御手段とを備
えた、イオン注入装置。 - （２）前記制御手段は、前記質量分析器に電流Ｉ＿１が
供給される第１のコイルと電流Ｉ＿２が供給される第２
のコイルとを備え、前記電流Ｉ＿１と前記電流Ｉ＿２と
の関係が、所要の全電流をＩ、角速度をω、時間をｔと
したとき、 Ｉ＿１＝［１／２］Ｉ（１＋ｓｉｎωｔ） Ｉ＿２＝［１／２］Ｉ（１−ｓｉｎωｔ） であることを特徴とする、特許請求の範囲第１項記載の
イオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193108A JPS6348738A (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193108A JPS6348738A (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6348738A true JPS6348738A (ja) | 1988-03-01 |
Family
ID=16302378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61193108A Pending JPS6348738A (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6348738A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0360151U (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-13 |
-
1986
- 1986-08-18 JP JP61193108A patent/JPS6348738A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0360151U (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-13 |
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