JPS63502932A - 電気光学表示素子 - Google Patents
電気光学表示素子Info
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- JPS63502932A JPS63502932A JP62501655A JP50165587A JPS63502932A JP S63502932 A JPS63502932 A JP S63502932A JP 62501655 A JP62501655 A JP 62501655A JP 50165587 A JP50165587 A JP 50165587A JP S63502932 A JPS63502932 A JP S63502932A
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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-
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
電気光学表示素子
本発明はコントラストの非常に小さい視角依存性および特に、急勾配の電気光学
特性曲線を有する電気光学表示素子に関する。
液晶表示素子に対しては、電場の影響下にそれらの光学的性質、たとえば光透過
、光散乱、複屈折、反射または色が有意に変化するというネマティックまたはネ
マティック−コレステリック液晶材料の性質が利用される。
このような表示素子の作用は、たとえば動的散乱の現象、整列相の変形、ねじれ
セルにおけるシャット−へルフリツヒ効果またはSBE効果にもとづいている。
これらの慣用のタイプの液晶表示素子の中で、広い表面積、薄い構造および低い
電力消費量を示し、そして大量の情報を提示できる表示素子は特に、最近、重要
性を増してきている。電子的データ処理、オフィスオートメーション(これには
、特に電子式ワードプロセッシングが含まれる)、ビデオニ業およびあまり遠く
ない将来に、自動車工業ではこのタイプの高度情報性表示素子が要求される。そ
れらの物性から、液晶表示体はこれらの表示系用に運命づけられている。大きい
表面積を有し、そしてネマティック液晶を使用する高度情報性液晶表示体はいわ
ゆる時分割法により動作させる。このフントロールは表示体の電気光学特性曲線
が非常に急勾配である場合にだけ、視角に影響されない良好なコントラストを有
する表示体をもたらす。曲がりおよび広がりに係る弾性定数の比(K3/に、)
が極めて小さい液晶が利用できるようになるまでは、TNセルの電気光学特性曲
線の急峻性に限界があった。知られているように、TNセルにおいて、コントラ
ストは90°のねじれ角を増加することにより改善することができる〔ヨーロッ
パ公開特許出願第0、’098,070号; C,M、Waters、E、 P
、Raynes および■。
Brimmelによる Mo1. Cryst、 Liq、 Cryst、 1
23 (1985年)303頁;西ドイツ国公開特許出願公報DE 3,423
.993 Al ;T、J、5cheffer およびJ、Nehring に
よる J、Appl。
Phys、 5B (1985年) 3022頁; T、J、 5cheff’
erおよびJ。
Nehring によるAppl、Phys、Lett、45 (1984年)
1021頁〕。種々の液晶パラメーターの電気光学特性曲線の急峻性に対する
影響、そして従ってコントラストに対する影響はTNセルに係り知られているが
、ねじれ角〉9o0を有する表示素子の場合におけるいくつかの液晶物性の重要
性に関しては依然として実質的に明確にされていない。高いねじれ角を有する表
示素子のコントラストに対する弾性定数の影響はT、 J、 5cheffer
等により全(議論されていないし、C,M、 Waters等により非常に極め
て単純化された推定が行なわれているだけである。
従って、スーパーツイストセル(ねじれ角が〉90°、特に好ましくは前記の参
考文献に従い150〜25o0の数値にあるTNセル)の実用には依然として格
別の問題が存在している。これらの問題点には、中でも、急勾配の電気光学特性
曲線の実現および付随する良好なコントラストが含まれ、さらにまたこのコント
ラストはできるだけ視角に影響されないものであるべきであることがある。
本発明は最高コントラストおよび最小視角依存性を付随し、できるだけ急勾配の
電気光学特性曲線が保証されている、高いねじれ角を有する電気光学表示素子を
提供するという目的にもとづいている。
ここに、最大急勾配の特性曲線を、従って最適コントラストを達成するために、
大きい表面チルト角の場合の比に3/に、が常にできるだけ大きくなければなら
ないことが見い出された。しかしながら、大きい表面チルト角は実現が困難であ
るか、あるいは法外な、従って高価な材料を用いて実現することができるだけで
ある。文献から既知の唯一の方法は基板表面をSiowで斜め方向にスパッタリ
ングすることよりなる。これに対して、現在、製造ラインで使用されている有機
被覆物のラビングは比較的小さい表面チルト角を導くだけである。C1M、 W
aters等およびT、 J、 5cheffer等により好ましいものとされ
ている3/2πのねじれ角の場合に、有機被覆物のラビングにより得られる表面
チルト角はドメインの生成および散乱効果を導く。〉900のねじれ角と多くて
10’の表面チルト角との組合せは実際に可能であるように見える。
驚(べきことに、材料パラメーターの適当な組合せを有する、特に曲がりおよび
ねじれに係る弾性定数の適当な比に3/Ktまたは曲がりおよび広がりに係る弾
性定数の適当な比に、/に、を有する液晶混合物を使用することにより、小さい
表面チルト角および150°〜250°のねじれ角について、急勾配の電気光学
特性曲線または視角に影響されない良好なコントラストが得られることが見い出
された。
従って、本発明は正の誘電異方性を有するネマティック液晶材料と少なくとも一
種のカイラル添加剤を含有するセルを縁端封鎖材とともに形成する2枚の支持板
を有し、そして小さい表面チルト角および150°〜250°の数値のねじれ角
を有する、マルチプレクシング駆動できる電気光学表示素子のコントラスト効果
を改善する方法に関し、この改善方法は曲がりおよび広がりに係る弾性定数の比
M、/に、ができるだけ最大である液晶材料を使用することにより、電気光学特
性曲線の急峻性は改善されるが、この特性曲線は双安定性であるように、液晶材
料の曲がりおよびねじれに係る弾性定数の比Ks/Itおよびねじれ角を調整す
るか、あるいは曲がりおよび広がりに係る弾性定数の比に3/Klができるだけ
最少である液晶材料を使用することにより、電気光学特性曲線の急峻性は改善さ
れるが、この特性曲線は安定なままであるように、液晶材料の曲がりおよびねじ
れに係る弾性定数の比Ks/Ktおよびねじれ角を調整することを特徴とする方
法である。
本発明はさらにまた、スーパーツイストセルのコントラスト効果を改善する相応
する方法に関する。
本発明による液晶表示素子の構造は偏光子、電極基板および電極よりなり、この
電極はそこに隣接している液晶分子の好適な配向(ディレクタ)がそれぞれ、一
つの電極ともう一つの電極との間で通常、相互に150°〜250゜ねじれてい
るように表面処理されているものであり、このような構造はこの種の表示素子に
とって慣用のデザインに相当する。ここで、慣用のデザインという用語は広い意
味を有し、文献から知られているスーパーツイストセル、特に西ドイツ国公開特
許公報第2.748.738号による追加のマグネットを含む表示素子およびマ
トリックス表示素子の変形および修正デザインの全てを包含する。
2枚の支持板上の表面チルト角は同一または異なることができる。同一チルト角
が好ましい。
しかしながら、ねじれネマティックセルを基材とする従来慣用の表示素子と比較
して、本発明による表示素子の基本的差違は液晶層の液晶パラメーターの選択に
ある。
本発明による表示素子では、最大コントラストおよび最小視角依存性とともに、
できるだけ最高急勾配の電気光学特性曲線が保証されるように、液晶相における
液晶パラメーターに、/に、およびに3/に、が選択されている液晶相を使用す
る。
第1図はに3/に、が表示素子のコントラストに対して決定的影響を有するに3
/に、の範囲を示す図解式図面である。
比に、/ K、は表面チルト角αo=1°について、セルのねじれ角(β)の函
数としてグラフに描き込まれている。連続線は領域Aと領域Bとを分離している
。連続線上およびそのすぐ近くの領域では、比に3/に、は特性曲線の勾配に対
してほんの僅かな影響を及ぼすだけであるのに対し、急勾配の特性曲線を得るた
めには、領域Aでは比に3/Klはできるだけ小さくなければならず、他方領域
Bでは比に3/に、はできるだけ大きくなければならない。さらにまた、特性曲
線は領域Aでは双安定性であるが、領域Bでは単安定性でなければならない。履
歴現象を回避するという観点から、最高急勾配の単安定な特性曲線は理想的解決
法である。液晶パラメーターと表示体パラメーターとの理想的な組合せは第1図
の斜線領域により示されている。
b/Kt定数および明確に規定されたセルのねじれ角と表面チルト角とともに、
K、/に、が影響を及ぼすという新しい発見は従来技術に見られなかったことで
ある。さらにまた、双安定性が一般に、成る変形領域にわたってだけ生じること
はスーパーツイストセルに係る公開された学術書中に見い出されない。これは第
2図でさらに詳細に説明されている。液晶層の中央部におけるチルト角αmは適
用された有効電圧をしきい電圧で割算した数値の函数として表わされる。このデ
ータは1600のねじれ角、1°の表面チルト角および、K3/に、2の場合の
データである。第2図から、K3/に+=1.6の場合に、双安定性が比較的小
さい変形領域で生じることを見ることができる。
双安定性とは種々のαm値が一つのそして同一のV/Voについて見い出される
ものと規定され、他方K s / K I = 0 、4に係る単安定な曲線で
は、αmとV/Voとの間に常に明瞭な相関関係が存在する。しかしながら、〉
90°のねじれ角を有する表示素子の場合に、α印は60°〜85°の範囲が決
定的な重要性を有する。従って、総合的にさらに急勾配である、良好な光透過特
性曲線を導き、従って良好なコントラストを導くのは、その小さい双安定範囲を
有するに、/に、= 1.6に係る曲線ではなく、K3/ K 1= 0.4に
係る曲線である。このことは次の図面で説明されている。
第3図には偏光子位置の定義が示されている。第4図には、220°のねじれ角
および成る偏光子配置における種々の波長に対する電圧の函数として光透過デー
タが示されている。第4図から、この表示体が55 Or+amの光に対し暗と
明との間ですでに良好にスイッチすることを見ることができる。他の波長におい
て、オン時状態とオフ時状態とで常に残留光透過が存在し、従ってこの表示体は
白色光照射下に着色して見える。第4図は非常に急勾配の電気光学特性曲線が材
料パラメーターおよび表示体パラメーターの適当な選択により実現できることを
示そうとするものである。この曲線は垂直入射光に関するものである。しかしな
がら、視角の函数としてのコントラストは表示体の品質にとって決定的である。
これは第5図に示されている。光透過はそれぞれ、220°のねじれ角、1°の
表面チルト角および550 nmの波長の極座標ダイアグラムにおいて、45°
の測定角の場合に、種々のV/Vo比に対する視角O0の函数として示されてい
る。第4図および第5図において、偏光子の位置ならびに材料パラメーターおよ
びセルパラメーターは同一である。コントラストは相当する0角の場合のV/V
o=0.95における光透過率を別のV/Vo状態における光透過率で割算する
ことにより得られる。測定角θおよびψは第6図に明記されている。良好なコン
トラストバリューは比較的高いV / V o値を要求する、あるいは換言すれ
ば、60°〜85″のαm値を要求することが全く明白に証明されている(第7
図との比較)。第7図は60°〜85゜のαm範囲だけを特に考慮して得られた
ものである。しかしながら、正確には、この範囲はねじれ角〉90°を有する表
示素子の品質にとって基本的に重要である。
本発明による範囲の材料パラメーターを有する液晶誘電体は慣用の液晶基材から
調製することができる。多数のこのような材料が文献から知られている。第1図
の範囲Bに含まれる本発明による表示素子に使用される誘電体は有利には、少な
くとも2種、好ましくは3〜15種、特に4種の液晶化合物の混合物を少なくと
も15重量%、好ましくは少な(とも30重量%、特に少なくとも95重量%含
有し、この混合物はそれぞれ、下記の■〜■から選ばれる構造要素の少なくとも
一種を含有する。これらの構造要素■〜■は場合により、たとえばF、 CL
Cl。
および(または)CNにより置換されていてもよく、あるいは構造要素■〜■は
相当するN−オキシドの形あることができる。
(1) (I[) (III) (IV)(V) (VI)
−N=N−−N=N−−(H=N−−5CN↓
(■) (■) (IX) (X)
(XI)
これらの液晶化合物は好ましくは1,4−フェニレン基をさらに含有する。
会合性化合物の割合はできるだけ小割合に、一般に〈30%、好ましくはく20
%、そして特に〈15%に維持する。これは構造要素Xおよび(または)XIを
有する末端極性成分を使用することにより最高で達成される。
第1図の領域Aに含まれる本発明による表示素子に使用される誘電体は好ましく
はできるだけ最高の割合で会合性化合物を含有する。これらの誘電体は有利には
、少なくとも2種、好ましくは3〜15種の液晶化合物の混合物を少なくとも1
5重量%、好ましくは少なくとも30重量%、特に少なくとも60重量%の割合
で含有し、これらの誘電体はそれぞれ下記の一連の構造要素■〜XIVから選ば
れる構造要素の少なくとも一種を含有する:これらの液晶化合物は好ましくは1
,4−フェニレン基をさらに含有する。
このような誘電体は、その液晶パラメーターが本発明による範囲から逸脱するよ
うにならないかぎり、通常の量の染料および(または)ドーピング物質をさらに
含有することができる。
次側は本発明を制限することなく説明しようとするものである。別設の記載がな
いかぎり、パーセンテージは重量パーセンテージである。全ての温度データは°
Cである。
例 1
p−)ランス−4−7”ロピルシクロへキシルベンゾニトリル16%、
トランス−1−p−エチルフェニル−4−プロピルシクロへ牛サン21%、
トランス−1−p−メト牛ジフェニルー4−プロピルシクロヘキサン20%、
4−エチル−4’−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル1
1%、
4−エチル−4’−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル1
0%、
4.4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル4%
、
4.4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル5%
、
4.4′−ビス=(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオロビ
フェニル3%、
4− ()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシル)−ビフェニル6%および
4− (トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシル)−フルオロビフェニル4%
よりなる誘電体を含有するスーパーツイストセルは220゜のねじれ角で、急勾
配の電気光学特性曲線およびコントラストの視角に対する非常に低い依存性を示
す。
例 2
p−トランス−4−プロピルシクロへキシルベンゾニトリル15%、
3−フルオロ−4−シアノフェニルp−エチルベンジェ − ト 4 %、
3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロビルベンジェ − ト 4 %、
トランス、トランス−4−プロピルオキシ−4′−プロピルシクロへキシルシク
ロヘキサン17%、トランス、トランス−4−メトキシ−4′−ペンチルシクロ
へキシルシクロへ牛サン14%、
トランス、トランス−4−エトキシ−4′−ペンチルシクロへキシルシクロヘキ
サン13%、
トランス−4−プロピルシクロヘキシルトランス、トランス−4−プロピルシク
ロへキシルシクロへ牛サンー4−カルボキシレート5%、
トランス−4−ペンチルシクロへ牛シルトランス、トランス−4−7’口ピルシ
ク口へキシルシクロヘキサン−4−カルボキシレート5%、
トランス−4−プロピルシクロヘキシルトランス、トランス−4−ブチルシクロ
へキシルシクロヘキサン−4−カルボキシレート5%、
トランス−4−ペンチルシクロヘキシルトランス、トランス−4−ブチルシクロ
へキシルシクロヘキサン−4−カルボキシレート5%、
4.4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ)I/”) −2−フ
ルオロビフェニル4%、4.4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロへ牛
シル)−2−フルオロビフェニル4%および4− ()ランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)−4’−(トランス−4−7’口ビルシク口ヘキシル)−2−フ
ルオロビフェニル5%
よりなる誘電体を含有するスーパーツイストセルは220゜のねじれ角で、急勾
配の電気光学特性曲線およびコントラストの視角に対する非常に低い依存性を示
す。
例 3
3−フルオロ−4−シアノフェニルp−エチルベンジェ − ト 5 %、
3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロビルベンジェ − ト 5 %、
トランス−1−p−プc7ビルフエニルー4−ペンチルシクロへ牛サン9%、
トランス−1−p−メトキシフェニル−4−プロピルシクロヘキサン21%、
トランス−1−p−エトキシフェニル−4−プロピルシクロヘキサン14%、
4−エチル−4’−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル1
2%、
4−エチル−4’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル1
1%、
4.4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロへ牛シル)−ビフェニル4%
、
4.4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオロビ
フェニル4%、
4.4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−フルオロビ
フェニル5%、
4− ()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシル)−ビフェニル5%および
4−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル)−2−フルオロビフェニル5%
よりなる誘電体を含有するスーパーツイストセルは220゜のねじれ角で、急勾
配の電気光学特性曲線およびコントラストの視角に対する低い依存性を示す。
例 4
p−トランス−4−7’口ビルシク口へキシルベンゾニトリル8%、
4−エチル−4′−シアノビフェニル4%、トランス−1−p−エチルフェニル
−4−プロピルシクロヘキサン13%、
トランス−1−p−メトキシフェニル−4−プロピルシクロへ牛サン18%、
トランス−1−p−エトキシフェニル−4−プロピルシクロへ牛サン9%、
4−エチル−4’−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル1
0%、
4−エチル−4’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル1
0%、
4.4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル4%
、
4.4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル4%
、
4.4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロへ牛シル)−2−フルオロビ
フェニル4%、
4.4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオロビ
フェニル4%、
4− (トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシル)−ビフェニル6%および
4− ()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシル)−2−フルオロビフェニル6%
よりなる誘電体を含有するスーパーツイストセルは220゜のねじれ角で、急勾
配の電気光学特性曲線およびコントラストの視角に対する低い依存性を示す。
例 5
p−)ランス−4−エチルシクロへ牛シルベンゾニトリル10%、
p−トランス−4−プロピルシクロへ牛シルベンゾニトリル17%、
2−p−シアノフェニル−5−プロピル−1,3−ジオキサン9%、
2−p−シアノフェニル−5−ブチル−1,3−ジオキサン6%、
3−フルオロ−4−シアノフェニルp−エチルベンゾエート5%、
3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロビルベンジェ − ト 7 %、
4−シアノフェニルp−)ランス−4−エチルシクロへ牛シルベンゾエート4%
、
4−シアノフェニルp−)ランス−4−ペンチルシクロへキシルベンゾエート4
%、
トランス、トランス−4′−プロピルオキシ−4−プロピルシクロへキシルシク
ロヘキサン14%、4−エチル−4’−()ランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−ビフェニル4%、
4−エチル−4’−()ランス−4−ペンチルシクロへ牛シル)−ビフェニル3
%、
4.4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル4%
、
4.4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロへ牛シル)−2−フルオロビ
フェニル4%、
4− ()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシル)−ビフェニル5%および
4− ()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシル)−2−フルオロビフェニル4%
よりなる誘電体を含有するスーパーツイストセルは160゜のねじれ角で、急勾
配の電気光学特性曲線およびコントラストの視角に対する低い依存性を示す。
例 6
p−)ランス−4−エチルシクロへキシルベンゾエートリル12%、
p−)ランス−4−ブチルシクロへキシル−ベンゾニトリル8%、
p−)ランス−4−ペンチルシクロへキシル−ベンゾニトリル10%、
4−エチル−4′−シアノビフェニル3%、3−フルオロ−4−シアノフェニル
p−エチルベンゾエート6%、
3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロビルベンジェ − ト 8 %、
4−シアノ−4’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル5
%、
4−エチル−4’−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル1
1%、
4−エチル−4’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル9
%、
トランス−1−p−エトキシフェニル−4−プロピルシクロヘキサン9%、
4.4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル3%
、
4.4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオロビ
フェニル3%、
4− (トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシル)−ビフェニル4%および
4−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル)−2−フルオロビフェニル4%
よりなる誘電体を含有するスーパーツイストセルは160゜のねじれ角で、急勾
配の電気光学特性曲線およびコントラストの非常に低い依存性を示す。
例 7
p−トランス−4−プロピルシクロへキシルベンゾニトリル22%、
p−)ランス−4−ブチルシクロへキシルベンゾニトリル19%、
p−)ランス−4−ペンチルシクロへキシルベンゾニトリル30%、
4−シアノ−4’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル1
5%および
4−p−シアノフェニル−4′−ペンチルビフェニル14%
よりなる誘電体を含有するスーパーツイストセルは220゜のねじれ角で、急勾
配の電気光学特性曲線およびコントラストの視角に対する非常に低い依存性を示
す。
例1〜6は第1図における領域Bに関するものであり、例7は第1図における領
域Aに関するものである。
図面の説明
第1図:セルの総ねじれ(β)の函数として、曲がり(K、)およびねじれ(K
、)に係る弾性定数の比’is/Kt。
第2図:換算電圧V/Voの函数としてのセルの中央部におけるチルト角α詞。
総ねじれ:β;160゜
基板表面上の分子の整列角:α0=1゜曲がり(K、)およびねじれ(K、)に
係る弾性定数の比: Ks/ Kt= 2.67
誘電異方性(Δε)とディレクタに対して垂直の誘電定数(ε土):Δε/ε土
=、OJ3セル厚さd=8μm
第3図二偏光子および検光子を有するねじれ液晶セルの図解式図面。
β=液晶層の総ねじれ
曹=第一基板表面におけるディレクタと偏光子を通過する方向との間の角度
曹′=第一基板表面におけるディレクタと検光子を通過する方向との間の角度
a)β=160゜
b)β=220゜
第4図:1!圧V/Voの減少の函数としての光透過率。
セルデータ:
総ねじれ:β−220
偏光子:V=−45゜
検光子:IF’=−15゜
基板表面上の分子の整列角度:αo= 1゜曲がり(K3)およびねじれ(K、
)に係る弾性定数の比: Ks/ K*= 2.67
曲がり(K3)および広がりに係る弾性定数の比:Is/に+=0.4
誘電異方性(Δε)とディレクタに対し垂直の誘電定数(ε土)との比:Δε/
ε土= 0.33セル厚さ:d=8μm
パラメーター:入射光の波長
λ、=450nm
ス==550nm
λ−=650nm
第5図:光透過率の角度依存性。
セルデータ:
総ねじれ:β=220゜
偏光子:曹=−45゜
検光子:曹’=−15゜
基板表面上の分子の整列角:αo= 1゜曲がり(K、)およびねじれ(K、)
に係る弾性定数の比: K3/ K2= 2.67
曲がり(K3)および広がりに係る弾性定数の比二M、/に、=0.4
誘電異方性(Δε)とディレクタに対して垂直の誘電定数(ε±)との比:Δε
/ε±= 0.33セル厚さ:d=8μm
パラメーター:
換算電圧: V/ Vo= 0.95−第6図:測定角度θおよび9を例示する
図解式図面。
X−第1基板表面におけるディレクタの方向β−セルの総ねじれ
θ=セル垂直に対する角度
ψ=方位角
第7図:換算電圧V/Voの函数としてのセルの中央部におけるチルト角αm0
総ねじれ:β=2200
基板表面上の分子の整列角:αo= 1゜曲がり(K、)およびねじれ(K2)
に係る弾性定数の比: K、/に2= 2.67
曲がり(K、)および広がり(K、)に係る弾性定数の比: K3/ Kl=
0.4
誘電異方性(Δε)とディレクタに対し垂直の誘電定数(ε±)との比:Δε/
ε±= 0.33セル厚さ:d=8μm
第5図に示されている光透過率の角度依存性が計算された、換算電圧V/Voに
従うチルト角αmがグラフに描かれている。
ζ1ζ□
ε□
υ
FIG、6 2
ε
国aii+査報告
m′h″“””””= PCT/EP87100135
Claims (3)
- 1.正の誘電異方性を有するネマティック液晶材料および少なくとも一種のカイ ラル添加剤を含有するセルを縁端封鎖材とともに形成している2枚の支持板を有 し、そして小さい表面チルト角および150°〜250°のねじれ角を有する、 マルチプレクシング駆動できる電気光学表示素子のコントラスト効果を改善する 方法であって、できるだけ最高の曲がりおよび広がりに係る弾性定数の比K3/ K1を有する液晶材料を使用することにより、電気光学特性曲線の急勾配は改善 されるが、この特性曲線は双安定性であるように、液晶材料の曲がりおよびねじ れに係る弾性定数の比K3/K2およびねじれ角を調整するか、あるいはできる だけ最小の曲がりおよび広がりに係る弾性定数の比K3/K1を有する液晶材料 を使用することにより、電気光学特性曲線の急勾配は改善されるが、この特性曲 線は単安定のままであるように、液晶材料の曲がりおよびねじれに係る弾性定数 の比K3/K2およびねじれ角を調整することを特徴とする方法。
- 2.スーパーツイストセルのコントラスト効果を改善するための請求の範囲1に 記載の方法。
- 3.支持板の少なくとも一つの表面チルト角が多くて10°であることを特徴と する、請求の範囲1または2の一つに記載の方法。
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