JPS6350854Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6350854Y2 JPS6350854Y2 JP1983091509U JP9150983U JPS6350854Y2 JP S6350854 Y2 JPS6350854 Y2 JP S6350854Y2 JP 1983091509 U JP1983091509 U JP 1983091509U JP 9150983 U JP9150983 U JP 9150983U JP S6350854 Y2 JPS6350854 Y2 JP S6350854Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- heat dissipation
- substrate
- block
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(a) 考案の技術分野
本考案は半導体チツプの放熱構造に係り、特に
高電力混成集積回路素子の放熱構造に関する。
高電力混成集積回路素子の放熱構造に関する。
(b) 技術の背景
従来の混成集積回路素子は比較的低電力レベル
の分野に多く用いられていたために、搭載する半
導体チツプの放熱等については特別な配慮はなさ
れていなかつた。しかし電源回路、各種モータの
制御回路、電力増幅回路等の高電力レベルの分野
にも混成集積回路素子が多く使用されるようにな
るに伴つて、その放熱構造が問題になり高密度実
装に適した放熱構造の開発が要求されるようにな
つてきた。
の分野に多く用いられていたために、搭載する半
導体チツプの放熱等については特別な配慮はなさ
れていなかつた。しかし電源回路、各種モータの
制御回路、電力増幅回路等の高電力レベルの分野
にも混成集積回路素子が多く使用されるようにな
るに伴つて、その放熱構造が問題になり高密度実
装に適した放熱構造の開発が要求されるようにな
つてきた。
(c) 従来技術と問題点
第１図は従来の半導体チツプの放熱構造であ
る。熱抵抗が低く、且つ熱容量の大きい金属、例
えば銅またはアルミニウム製のブロツク１に半導
体チツプ２を搭載し、これを基板３に固着して基
板３を通して放熱している。そして半導体チツプ
２の端子と図示してない基板３上の回路の間はボ
ンデイングワイヤ４で接続している。しかし複数
個の高電力半導体チツプを同一の基板３に取りつ
ける場合、各々の半導体チツプが占める面積を充
分大きく取つておかなければ、基板３を通して
各々の半導体チツプの間に熱干渉が生じ各々の半
導体チツプの温度が上昇する等の問題があり、従
来の放熱構造では高電力半導体チツプの高密度実
装ができなかつた。即ち放熱構造の不備が高電力
半導体チツプの高密度実装を阻害する要因の一つ
となつている。
る。熱抵抗が低く、且つ熱容量の大きい金属、例
えば銅またはアルミニウム製のブロツク１に半導
体チツプ２を搭載し、これを基板３に固着して基
板３を通して放熱している。そして半導体チツプ
２の端子と図示してない基板３上の回路の間はボ
ンデイングワイヤ４で接続している。しかし複数
個の高電力半導体チツプを同一の基板３に取りつ
ける場合、各々の半導体チツプが占める面積を充
分大きく取つておかなければ、基板３を通して
各々の半導体チツプの間に熱干渉が生じ各々の半
導体チツプの温度が上昇する等の問題があり、従
来の放熱構造では高電力半導体チツプの高密度実
装ができなかつた。即ち放熱構造の不備が高電力
半導体チツプの高密度実装を阻害する要因の一つ
となつている。
(d) 考案の目的
本考案の目的はヒートシンクの熱抵抗を低減し
て放熱を良くすることにより、高電力半導体チツ
プの高密度実装を可能にする放熱構造を提供する
ことにある。
て放熱を良くすることにより、高電力半導体チツ
プの高密度実装を可能にする放熱構造を提供する
ことにある。
(e) 考案の構成
そしてこの目的は、金属のブロツクと放熱フイ
ンをヒートパイプで結合して一体化したヒートシ
ンクの該ブロツクの下面が基板に固着され、該ブ
ロツクの上面に電気的絶縁板を介して半導体チツ
プを搭載し、該半導体チツプと該基板上の回路と
の間をボンデイングワイヤで接続するように構成
されたことで達成している。
ンをヒートパイプで結合して一体化したヒートシ
ンクの該ブロツクの下面が基板に固着され、該ブ
ロツクの上面に電気的絶縁板を介して半導体チツ
プを搭載し、該半導体チツプと該基板上の回路と
の間をボンデイングワイヤで接続するように構成
されたことで達成している。
(f) 考案の実施例
ヒートパイプは金属製パイプの内側にウイツク
と呼ばれるポーラスな材料を内貼りし、パイプの
内部を一度真空に引いた後ウイツクをすつかり濡
らす程度の少量の液体を封入して密封したもので
ある。一端を加熱してウイツクの中に含まれてい
る液体を温めると、ヒートパイプの中は飽和蒸気
圧であるので、この温められた封入液は直ちに蒸
発して多量の熱を吸収し、速やかにヒートパイプ
の他の端に移動する。そこでヒートパイプの他の
端を冷却してやると蒸気化した封入液は直ちに元
の液体に戻つてウイツクの中に吸収される。その
特性として熱の移動が速やかで、且つ熱の輸送量
が多い。したがつて熱の吸収側においては熱抵抗
が低く周辺が均一に冷却される。本考案はヒート
パイプのかかる特性に着眼してなされたもので、
以下添付図により本考案の実施例を説明する。第
２図は本考案の一実施例であり、第１図と同じ対
象物は同一符号で表す。
と呼ばれるポーラスな材料を内貼りし、パイプの
内部を一度真空に引いた後ウイツクをすつかり濡
らす程度の少量の液体を封入して密封したもので
ある。一端を加熱してウイツクの中に含まれてい
る液体を温めると、ヒートパイプの中は飽和蒸気
圧であるので、この温められた封入液は直ちに蒸
発して多量の熱を吸収し、速やかにヒートパイプ
の他の端に移動する。そこでヒートパイプの他の
端を冷却してやると蒸気化した封入液は直ちに元
の液体に戻つてウイツクの中に吸収される。その
特性として熱の移動が速やかで、且つ熱の輸送量
が多い。したがつて熱の吸収側においては熱抵抗
が低く周辺が均一に冷却される。本考案はヒート
パイプのかかる特性に着眼してなされたもので、
以下添付図により本考案の実施例を説明する。第
２図は本考案の一実施例であり、第１図と同じ対
象物は同一符号で表す。
図においてヒートシンク５は、熱抵抗の低い金
属例えば銅またはアルミニウム製のブロツク６、
ヒートパイプ７および放熱フイン８で構成され、
ヒートパイプ７の熱吸収側はブロツク６の孔９
に、またヒートパイプ７の熱放散剤は放熱フイン
８の孔１０に嵌着して一体化されている。ブロツ
ク６の下面は基板３に固着され、上面には熱抵抗
が低く電気的絶縁性の高い板１１、例えばセラミ
ツクの薄板等を介して一個乃至複数個の半導体チ
ツプ２を搭載している。またブロツク６の上面に
は中継端子板１２を設けてあり、半導体チツプ２
の端子と中継端子板１２の間、および中継端子板
１２と図示してない基板３上の回路の間は図示し
てないボンデイングワイヤで接続している。なお
中継端子板１２を無くして半導体チツプ２の端子
を図示してない基板３上の回路を直接接続するこ
とも可能である。
属例えば銅またはアルミニウム製のブロツク６、
ヒートパイプ７および放熱フイン８で構成され、
ヒートパイプ７の熱吸収側はブロツク６の孔９
に、またヒートパイプ７の熱放散剤は放熱フイン
８の孔１０に嵌着して一体化されている。ブロツ
ク６の下面は基板３に固着され、上面には熱抵抗
が低く電気的絶縁性の高い板１１、例えばセラミ
ツクの薄板等を介して一個乃至複数個の半導体チ
ツプ２を搭載している。またブロツク６の上面に
は中継端子板１２を設けてあり、半導体チツプ２
の端子と中継端子板１２の間、および中継端子板
１２と図示してない基板３上の回路の間は図示し
てないボンデイングワイヤで接続している。なお
中継端子板１２を無くして半導体チツプ２の端子
を図示してない基板３上の回路を直接接続するこ
とも可能である。
(g) 考案の効果
以上述べたように本考案によれば、ヒートシン
クの熱抵抗の低減、熱の大量輸送、大量放熱がで
きるため、高電力半導体の高密度実装を可能にす
ると共に、温度の均一化によつて回路の高出力
化、安定化を可能にする放熱構造を提供すること
ができる。
クの熱抵抗の低減、熱の大量輸送、大量放熱がで
きるため、高電力半導体の高密度実装を可能にす
ると共に、温度の均一化によつて回路の高出力
化、安定化を可能にする放熱構造を提供すること
ができる。
第１図は従来の半導体チツプの放熱構造、第２
図は本考案の一実施例である。 図において２は半導体チツプ、３は基板、５は
ヒートシンク、６はブロツク、７はヒートパイ
プ、８は放熱フイン、１１は絶縁板、１２は中継
端子板を示す。
図は本考案の一実施例である。 図において２は半導体チツプ、３は基板、５は
ヒートシンク、６はブロツク、７はヒートパイ
プ、８は放熱フイン、１１は絶縁板、１２は中継
端子板を示す。
Claims (1)
- 金属のブロツクと放熱フインをヒートパイプで
結合して一体化したヒートシンクの該ブロツクの
下面が基板に固着され、該ブロツクの上面に電気
的絶縁板を介して半導体チツプを搭載し、該半導
体チツプと該基板上の回路との間をボンデイング
ワイヤで接続するように構成されたことを特徴と
する半導体チツプの放熱構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983091509U JPS60937U (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 半導体チップの放熱構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983091509U JPS60937U (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 半導体チップの放熱構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60937U JPS60937U (ja) | 1985-01-07 |
| JPS6350854Y2 true JPS6350854Y2 (ja) | 1988-12-27 |
Family
ID=30221504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983091509U Granted JPS60937U (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 半導体チップの放熱構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60937U (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5561049A (en) * | 1978-10-31 | 1980-05-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Radiator for semiconductor |
| JPS57157551A (en) * | 1981-03-25 | 1982-09-29 | Hitachi Ltd | Heat sink device |
-
1983
- 1983-06-15 JP JP1983091509U patent/JPS60937U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60937U (ja) | 1985-01-07 |
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