JPS6352781A - 不導体材料の電子ビ−ム加工方法 - Google Patents
不導体材料の電子ビ−ム加工方法Info
- Publication number
- JPS6352781A JPS6352781A JP19429486A JP19429486A JPS6352781A JP S6352781 A JPS6352781 A JP S6352781A JP 19429486 A JP19429486 A JP 19429486A JP 19429486 A JP19429486 A JP 19429486A JP S6352781 A JPS6352781 A JP S6352781A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- nonconductor
- stage
- nonconductor material
- conductor film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 238000003754 machining Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 abstract description 4
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 abstract description 2
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 abstract description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 241000406668 Loxodonta cyclotis Species 0.000 description 1
- 102000005840 alpha-Galactosidase Human genes 0.000 description 1
- 108010030291 alpha-Galactosidase Proteins 0.000 description 1
- 229940033685 beano Drugs 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はセラミックス材料、有機・無機材料を中心とし
た不導体材料の溶接穴明け1表面改質、切断、トリミン
グ等に適用される電子ビーム加工方法に関する。
た不導体材料の溶接穴明け1表面改質、切断、トリミン
グ等に適用される電子ビーム加工方法に関する。
従来技術の場合、第2図に示すように電子ビーム高電圧
電源01とワーク02を載せたステージ03とは結線さ
れており、陰極04には常に一定の加速電圧がかかるよ
うにしである。
電源01とワーク02を載せたステージ03とは結線さ
れており、陰極04には常に一定の加速電圧がかかるよ
うにしである。
フィラメント05が加熱されることにより、陰1@04
が昇温し、熱電子が飛出し、ウェネルト06と陰極04
との間にかかるバイアス電圧により熱電子放出量を抑制
し、一定の出力となるように制御する仕組みである。
が昇温し、熱電子が飛出し、ウェネルト06と陰極04
との間にかかるバイアス電圧により熱電子放出量を抑制
し、一定の出力となるように制御する仕組みである。
このようにして発生した熱電子がその下方にある収束レ
ンズ07により高密度エネルギビーム08と女るように
、微少スボッ1−に収束され、電子ビーム08がワーク
表面02に照射される。これにより、ワーク02が溶融
09される。
ンズ07により高密度エネルギビーム08と女るように
、微少スボッ1−に収束され、電子ビーム08がワーク
表面02に照射される。これにより、ワーク02が溶融
09される。
ところが、ワーク02が不導体材料のセラミックス等の
場合に電気回路が不導体材料を介して電流方向■で示す
ビーム電流010が再び陰極04に戻らないため、ビー
ム出力のコントロール不可能であり,高精度電子ビーム
加工ができない問題があった。つまり、溶込み深さの制
御ができず,かつ連続的な加工が不可能であった。
場合に電気回路が不導体材料を介して電流方向■で示す
ビーム電流010が再び陰極04に戻らないため、ビー
ム出力のコントロール不可能であり,高精度電子ビーム
加工ができない問題があった。つまり、溶込み深さの制
御ができず,かつ連続的な加工が不可能であった。
従来技術においてはセラミックス、プラスチック等の不
導体材料の電子ビーム加工は、前述のように電気回路が
不導体材料のため閉回路を形成しないため、連続かつ高
精度=1ンI・ロールする電子ビーム加工はできなかっ
た。
導体材料の電子ビーム加工は、前述のように電気回路が
不導体材料のため閉回路を形成しないため、連続かつ高
精度=1ンI・ロールする電子ビーム加工はできなかっ
た。
本発明は」1記問題点を解決するために、ワークに導電
性を付加することを1」的として、ワーク表面に導電性
膜、又は導電材をコーチインク又は密着接合し、その状
態で7fi子ビーム加工を行うものである。すなわち、
不導体材料表面に導体膜又は導体膜をコーティング又は
密着接合させ、」1記表面に電子ビームを照射しながら
加工を行うことを特徴とする不導体イ」椙の電子ビーム
加工方法を提供するものである。
性を付加することを1」的として、ワーク表面に導電性
膜、又は導電材をコーチインク又は密着接合し、その状
態で7fi子ビーム加工を行うものである。すなわち、
不導体材料表面に導体膜又は導体膜をコーティング又は
密着接合させ、」1記表面に電子ビームを照射しながら
加工を行うことを特徴とする不導体イ」椙の電子ビーム
加工方法を提供するものである。
本発明の不導体材#1の電子ビーム加工方法は」二記の
ような加工方法となるので、不導体月利の表面に予め導
電性膜又は導電イRをコーチインクか密着接合してから
ステージに載ぜて電子−ビ−1,を照射することにより
余−)だビーノー電流は再び陰極へ付加される電気回路
を形成して常に一定の出力を取出すことができ、連続か
つ高精度電子ビーノ・加工も併せて可能となる電子ビー
ム加工方法である。
ような加工方法となるので、不導体月利の表面に予め導
電性膜又は導電イRをコーチインクか密着接合してから
ステージに載ぜて電子−ビ−1,を照射することにより
余−)だビーノー電流は再び陰極へ付加される電気回路
を形成して常に一定の出力を取出すことができ、連続か
つ高精度電子ビーノ・加工も併せて可能となる電子ビー
ム加工方法である。
以下1本発明を図面に示す実施例に基づいて具体的に説
明する。第1図は、本発明の−・実施例に係る不導体4
′、A月の電子ビ・−ム加T力法を適用した電子ビーム
加−「を示す模式図である。以下にその説明をする。第
1図において、電子ビームガン1から照射された電子ビ
ーム2は、不導体月利3の全面に導体膜4をメノギした
表面に当たりワーク3を溶1■11させた連続ビード6
である。このワーク3はステ・−ジ5に載せられ、ステ
ージ5と陰極1は閉回路を組んであり、ワーク導体膜4
を通じて電流方向■に流れた余剰電流7はステージ5を
通じて陰極1に再イス」加される。
明する。第1図は、本発明の−・実施例に係る不導体4
′、A月の電子ビ・−ム加T力法を適用した電子ビーム
加−「を示す模式図である。以下にその説明をする。第
1図において、電子ビームガン1から照射された電子ビ
ーム2は、不導体月利3の全面に導体膜4をメノギした
表面に当たりワーク3を溶1■11させた連続ビード6
である。このワーク3はステ・−ジ5に載せられ、ステ
ージ5と陰極1は閉回路を組んであり、ワーク導体膜4
を通じて電流方向■に流れた余剰電流7はステージ5を
通じて陰極1に再イス」加される。
このようにしてビーノ・電流及び加速7F圧を高精度コ
ントロールしながら、ステージを走行させることにより
連続ビード6を形成できるようにした電子ビーム加工方
法である。
ントロールしながら、ステージを走行させることにより
連続ビード6を形成できるようにした電子ビーム加工方
法である。
以」二、具体的1C説明したように本発明においては、
不導体月利であるために従来”1ET−ビーム加工がで
きなかった不導体月利9例えばセラミックスやプラスチ
ックス等の加工が可能となり。
不導体月利であるために従来”1ET−ビーム加工がで
きなかった不導体月利9例えばセラミックスやプラスチ
ックス等の加工が可能となり。
適用′″AA象材がることにより新素イ」の加工が可能
となった。
となった。
第1図は1本発明の一実施例に係る不導体4」料の電子
ビーム加工方法を適用した電子ビーム加工を示す模式図
、第2図は、従来技術の場合の電子ビーム加工状況を示
す模式図である。 1・・・電子ビ・−ムガン、2・・・電子ビーl1,3
・・・不導体材料、4・・・導体膜、5・・・ステージ
、6・・・連続ビー1へ 7・・・余剰電流。 (を埋入 坂 Vol 絣。
ビーム加工方法を適用した電子ビーム加工を示す模式図
、第2図は、従来技術の場合の電子ビーム加工状況を示
す模式図である。 1・・・電子ビ・−ムガン、2・・・電子ビーl1,3
・・・不導体材料、4・・・導体膜、5・・・ステージ
、6・・・連続ビー1へ 7・・・余剰電流。 (を埋入 坂 Vol 絣。
Claims (1)
- 電子ビーム溶接を施す不導体材料表面に導体膜又は導体
材をコーティング又は密着接合させ、上記表面に電子ビ
ームを照射しながら加工を行うことを特徴とする不導体
材料の電子ビーム加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19429486A JPS6352781A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 不導体材料の電子ビ−ム加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19429486A JPS6352781A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 不導体材料の電子ビ−ム加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6352781A true JPS6352781A (ja) | 1988-03-05 |
Family
ID=16322200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19429486A Pending JPS6352781A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 不導体材料の電子ビ−ム加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6352781A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180066365A (ko) * | 2016-12-08 | 2018-06-19 | 한국생산기술연구원 | 기화성기재를 포함하는 마이크로 드릴링장치 |
| KR20220065466A (ko) * | 2020-11-13 | 2022-05-20 | 한국생산기술연구원 | 전자빔 가공장치 및 가공방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5021715A (ja) * | 1973-06-26 | 1975-03-07 |
-
1986
- 1986-08-20 JP JP19429486A patent/JPS6352781A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5021715A (ja) * | 1973-06-26 | 1975-03-07 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180066365A (ko) * | 2016-12-08 | 2018-06-19 | 한국생산기술연구원 | 기화성기재를 포함하는 마이크로 드릴링장치 |
| KR20220065466A (ko) * | 2020-11-13 | 2022-05-20 | 한국생산기술연구원 | 전자빔 가공장치 및 가공방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3294951A (en) | Micro-soldering | |
| US2989614A (en) | Method and device for working materials by means of a beam of charged particles | |
| US3330696A (en) | Method of fabricating thin film capacitors | |
| US3360398A (en) | Fabrication of thin film devices | |
| US4379218A (en) | Fluxless ion beam soldering process | |
| US4831230A (en) | Surface shaping and finishing apparatus and method | |
| JPH0256195B2 (ja) | ||
| US3258576A (en) | Process for welding and soldering by means of a beam of charged particles | |
| JPS6352781A (ja) | 不導体材料の電子ビ−ム加工方法 | |
| US4686414A (en) | Enhanced wetting of liquid metal alloy ion sources | |
| US4853514A (en) | Beam apparatus and method | |
| US5039836A (en) | Radiation manufacturing apparatus and method | |
| USRE27772E (en) | Method of manufacturing thin film components | |
| WO1990013391A3 (en) | Joining method | |
| US4721842A (en) | Beam position correction device | |
| US5064989A (en) | Surface shaping and finishing apparatus and method | |
| CN206692720U (zh) | 一种蒸发速率可控的电子束蒸发源 | |
| US5308241A (en) | Surface shaping and finshing apparatus and method | |
| JPS6313247A (ja) | 電子放出装置およびその製造方法 | |
| JPH04503732A (ja) | 表面被覆された構成部材、特に真空スイッチ用接触子を製造するための方法及びその方法を実施するための装置 | |
| GB2155042A (en) | Laser induced ion beam generator | |
| US5170032A (en) | Radiation manufacturing apparatus and amendment | |
| US5231259A (en) | Radiation manufacturing apparatus | |
| JPS5887742A (ja) | 高輝度イオン源 | |
| JPS6235433A (ja) | イオン源 |