JPS6353689B2 - - Google Patents
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- JPS6353689B2 JPS6353689B2 JP58180686A JP18068683A JPS6353689B2 JP S6353689 B2 JPS6353689 B2 JP S6353689B2 JP 58180686 A JP58180686 A JP 58180686A JP 18068683 A JP18068683 A JP 18068683A JP S6353689 B2 JPS6353689 B2 JP S6353689B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体ウエハ,バブルウエハ等にマ
スクのパターンを転写する装置において、上記の
マスクをマスク保持用のチヤツクに正しく位置合
わせして取り付ける方法、及び同取付装置に関す
るものである。
スクのパターンを転写する装置において、上記の
マスクをマスク保持用のチヤツクに正しく位置合
わせして取り付ける方法、及び同取付装置に関す
るものである。
現在、半導体製造用の露光装置は、紫外線を用
いるフオトリソグラフイが主流であるが、パター
ンの微細化が進み、1μm以下(サブミクロン)
パターンの形成を目的として、X線リソグラフイ
が注目されている。
いるフオトリソグラフイが主流であるが、パター
ンの微細化が進み、1μm以下(サブミクロン)
パターンの形成を目的として、X線リソグラフイ
が注目されている。
第1図は、X線リソグラフイを用いて、マスク
のパターンをウエハ上に転写するためのX線露光
装置の基本的構成を示している。本装置はウエハ
1を露光位置に移動させるためのウエハステージ
2、ウエハ1に微小ギヤツプgだけ隔ててマスク
3を保持するマスクチヤツク4、マスク3に対し
てウエハ1を精密にアライメントするためのアラ
イメント検出光学系5、X線の源衰しにくいHe
(ヘリウム)等の不活性ガスを封入したチエンバ
6、及びX線発生装置7により構成されている。
X線8は真空室9内で、電子ビーム10をターゲ
ツト11に加速して照射することにより発生する
特性X線を、X線取出窓12から取り出す構造で
ある。
のパターンをウエハ上に転写するためのX線露光
装置の基本的構成を示している。本装置はウエハ
1を露光位置に移動させるためのウエハステージ
2、ウエハ1に微小ギヤツプgだけ隔ててマスク
3を保持するマスクチヤツク4、マスク3に対し
てウエハ1を精密にアライメントするためのアラ
イメント検出光学系5、X線の源衰しにくいHe
(ヘリウム)等の不活性ガスを封入したチエンバ
6、及びX線発生装置7により構成されている。
X線8は真空室9内で、電子ビーム10をターゲ
ツト11に加速して照射することにより発生する
特性X線を、X線取出窓12から取り出す構造で
ある。
X線リソグラフイに用いるX線マスク3は、従
来のフオトリソグラフイ用のフオトマスクとは異
なり、通常、シリコンウエハ(厚さ400ミクロン
位)の表面に、Si3N4,BN,あるいはポリイミ
ドなどの薄膜と金パターンとを形成した後、裏面
からシリコンをエツチングにより除去して製作し
たものである。このマスク3は、アライメント検
出光学系5の光軸に、あらかじめ精密に位置合わ
せして、マスクチヤツク4に固定する必要があ
る。
来のフオトリソグラフイ用のフオトマスクとは異
なり、通常、シリコンウエハ(厚さ400ミクロン
位)の表面に、Si3N4,BN,あるいはポリイミ
ドなどの薄膜と金パターンとを形成した後、裏面
からシリコンをエツチングにより除去して製作し
たものである。このマスク3は、アライメント検
出光学系5の光軸に、あらかじめ精密に位置合わ
せして、マスクチヤツク4に固定する必要があ
る。
X線露光装置においては、露光パターンが変わ
るたびに、マスク3を交換する必要があり、その
ため着脱容易なマスク装着機構が不可欠である。
るたびに、マスク3を交換する必要があり、その
ため着脱容易なマスク装着機構が不可欠である。
そこで、従来は、ウエハステージ2が、露光領
域から移動し去つた後、マスクチヤツク4の下方
からマスクの装着機構(マスクローダ)でマスク
3をセツトし、かつ、装着後、マスクチヤツク4
全体をX,Y,θ,Z,及びチルト機構により、
アライメント検出光学系5の光軸に、マスク3の
アライメントマークを位置合わせしていた。この
方式では、まず、マスク3の位置調整のために、
超精密なX,Y,θ,Z及びチルト機構をマスク
チヤツク4に付設する必要があり、機構的に複雑
となり、かつ、多軸の動作制御が複雑となる欠点
がある。また、このように、マスク3の変位に自
由度を多くもたせると、マスク3の支持剛性が低
くなり、X線露光中に、マスク3の静止安定性が
悪くなり、サブミクロンパターン転写精度の劣化
につながるという問題もかかえている。
域から移動し去つた後、マスクチヤツク4の下方
からマスクの装着機構(マスクローダ)でマスク
3をセツトし、かつ、装着後、マスクチヤツク4
全体をX,Y,θ,Z,及びチルト機構により、
アライメント検出光学系5の光軸に、マスク3の
アライメントマークを位置合わせしていた。この
方式では、まず、マスク3の位置調整のために、
超精密なX,Y,θ,Z及びチルト機構をマスク
チヤツク4に付設する必要があり、機構的に複雑
となり、かつ、多軸の動作制御が複雑となる欠点
がある。また、このように、マスク3の変位に自
由度を多くもたせると、マスク3の支持剛性が低
くなり、X線露光中に、マスク3の静止安定性が
悪くなり、サブミクロンパターン転写精度の劣化
につながるという問題もかかえている。
さらに、マスク3を交換するためのマスク装着
機構(マスクローダ)を、新たに露光装置に付加
することになるため、装置全体が複雑となりかつ
制御対象も増加するため、装置コストが増加する
という欠点がある。
機構(マスクローダ)を、新たに露光装置に付加
することになるため、装置全体が複雑となりかつ
制御対象も増加するため、装置コストが増加する
という欠点がある。
本発明は上に述べた従来技術の欠点を解消すべ
く為され、露光装置にマスクローダを付設する必
要なく、しかも、露光装置のマスクチヤツクに
X,Y,θ,機構を付設する必要なしに、該マス
クチヤツクに対して正しい位置,姿勢でマスクを
装着し得る方法、及び上記の方法を実施するに好
適なマスク装着装置を提供することを目的とす
る。
く為され、露光装置にマスクローダを付設する必
要なく、しかも、露光装置のマスクチヤツクに
X,Y,θ,機構を付設する必要なしに、該マス
クチヤツクに対して正しい位置,姿勢でマスクを
装着し得る方法、及び上記の方法を実施するに好
適なマスク装着装置を提供することを目的とす
る。
上記の目的を達成するための本発明の方法及び
装置の基本的原理は、当該露光装置に本来的に設
けられているウエハ搬送手段、及びウエハ位置合
わせ手段を有効に利用してマスクの搬送、及びマ
スクの精密位置合わせを行なうものである。
装置の基本的原理は、当該露光装置に本来的に設
けられているウエハ搬送手段、及びウエハ位置合
わせ手段を有効に利用してマスクの搬送、及びマ
スクの精密位置合わせを行なうものである。
上記の原理に基づいて前記の目的を達成する
為、本発明のマスク装着方法はマスク保持用のチ
ヤツクに吸着保持されたマスクに設けられている
回路パターンをウエハ上に転写するため、前記の
マスクをチヤツクに装着する方法において、ウエ
ハ搬送用の走行ステージ上に前記のマスクを載置
した後、走行ステージを走行させて該マスクを前
記のチヤツクの下方へ移送し、該マスクを走行ス
テージからチヤツクに受け渡すことを特徴とす
る。
為、本発明のマスク装着方法はマスク保持用のチ
ヤツクに吸着保持されたマスクに設けられている
回路パターンをウエハ上に転写するため、前記の
マスクをチヤツクに装着する方法において、ウエ
ハ搬送用の走行ステージ上に前記のマスクを載置
した後、走行ステージを走行させて該マスクを前
記のチヤツクの下方へ移送し、該マスクを走行ス
テージからチヤツクに受け渡すことを特徴とす
る。
また、上記の方法を容易に実施するため、本発
明のマスク装着装置は、マスク保持用のマスクチ
ヤツクと、ウエハを吸着保持するウエハチヤツク
と、上記ウエハチヤツクを搭載してこれをX,
Y,Z,θおよびチルト方向に微動させるウエハ
ステージと、上記ウエハステージを露光位置まで
搬送する搬送手段と露光位置にセツトされたマス
ク及びウエハを露光装置の光軸に対して位置合わ
せする手段とを備えた露光装置用のマスク装着装
置を適用の対象とし、 (a) 前記のウエハチヤツクは前記のマスクを吸着
保持する機能を兼ね備えたものとし、 (b) 上記ウエハチヤツクに対する、前記マスクの
吸着保持位置を概略的に位置合せするプリアラ
イメント用の光学顕微鏡を設け、 (c) 前記のウエハチヤツクは、吸着保持している
マスクを前記のマスクチヤツクに受け渡しし得
る構造としたことを特徴とする。
明のマスク装着装置は、マスク保持用のマスクチ
ヤツクと、ウエハを吸着保持するウエハチヤツク
と、上記ウエハチヤツクを搭載してこれをX,
Y,Z,θおよびチルト方向に微動させるウエハ
ステージと、上記ウエハステージを露光位置まで
搬送する搬送手段と露光位置にセツトされたマス
ク及びウエハを露光装置の光軸に対して位置合わ
せする手段とを備えた露光装置用のマスク装着装
置を適用の対象とし、 (a) 前記のウエハチヤツクは前記のマスクを吸着
保持する機能を兼ね備えたものとし、 (b) 上記ウエハチヤツクに対する、前記マスクの
吸着保持位置を概略的に位置合せするプリアラ
イメント用の光学顕微鏡を設け、 (c) 前記のウエハチヤツクは、吸着保持している
マスクを前記のマスクチヤツクに受け渡しし得
る構造としたことを特徴とする。
次に、本発明方法及び本発明装置の実施例を第
2図乃至第8図について説明する。
2図乃至第8図について説明する。
第2図は本発明方法を実施するため、本発明装
置を適用して構成したマスク装着装置の1実施例
の説明図である。この実施例は、ウエハステージ
2によつて支持されているウエハ(図示せず)の
表面にマスクのパターンをステツプ&リピート方
式で転写する露光装置に好適なように構成したも
のである。
置を適用して構成したマスク装着装置の1実施例
の説明図である。この実施例は、ウエハステージ
2によつて支持されているウエハ(図示せず)の
表面にマスクのパターンをステツプ&リピート方
式で転写する露光装置に好適なように構成したも
のである。
第2図の0位置は、ウエハ1をウエハチヤツク
13にセツトし、プリアライメントする位置であ
る。本発明方法は、上記の位置を、マスク3のセ
ツト位置として兼用することからはじまる。
13にセツトし、プリアライメントする位置であ
る。本発明方法は、上記の位置を、マスク3のセ
ツト位置として兼用することからはじまる。
ウエハステージ2は、XYステージ14,θス
テージ15,ウエハチヤツク(真空チヤツク)1
3,及び、チルト機構16から構成されており、
0位置、すなわちプリアライメント位置には、プ
リアライメントに用いる光学顕微鏡17が設置さ
れている。
テージ15,ウエハチヤツク(真空チヤツク)1
3,及び、チルト機構16から構成されており、
0位置、すなわちプリアライメント位置には、プ
リアライメントに用いる光学顕微鏡17が設置さ
れている。
0′位置は、第1図におけると同様にして露光操
作を行う位置を示しており、ここには、マスク3
をセツトするためのマスクチヤツク4、これを上
下,及びチルトするためのマスクチルト機構1
8,マスク3とウエハ1の相対位置の検出用の対
物レンズ19,及び2重焦点アライメント光学系
20を設けてある。
作を行う位置を示しており、ここには、マスク3
をセツトするためのマスクチヤツク4、これを上
下,及びチルトするためのマスクチルト機構1
8,マスク3とウエハ1の相対位置の検出用の対
物レンズ19,及び2重焦点アライメント光学系
20を設けてある。
2重焦点アライメント光学系20は、マスク3
とウエハ1とを微小ギヤツプgだけ離した状態
で、単焦点対物レンズ19で両者のアライメント
マークに焦点を合わせて、相互の位置ずれを検出
できるように、ギヤツプgに対応する光路差をプ
リズム21により設け、光路Aでは、ウエハ1
を、光路Bではマスク3のアライメントマーク
を、それぞれアライメント検出器22に結像する
ように構成してある。
とウエハ1とを微小ギヤツプgだけ離した状態
で、単焦点対物レンズ19で両者のアライメント
マークに焦点を合わせて、相互の位置ずれを検出
できるように、ギヤツプgに対応する光路差をプ
リズム21により設け、光路Aでは、ウエハ1
を、光路Bではマスク3のアライメントマーク
を、それぞれアライメント検出器22に結像する
ように構成してある。
次に、マスク装着方法を第2図〜第8図につい
て説明する。
て説明する。
まず、第2図に示すプリアライメント位置(0
位置)において、マスク3をマスクホルダ30と
ともに、ウエハチヤツク13上にセツトし、真空
吸着固定する。マスクホルダ30及びウエハチヤ
ツク13の構成を第3図および第4図に示す。
位置)において、マスク3をマスクホルダ30と
ともに、ウエハチヤツク13上にセツトし、真空
吸着固定する。マスクホルダ30及びウエハチヤ
ツク13の構成を第3図および第4図に示す。
マスクホルダ30は、円形凹部31をもつホル
ダベース32に、マスク3をのせるパツド33を
マスク3の外周に合わせて円周状に復数個配列し
たもので、本実施例では、両部材とも合成樹脂材
質の薄板で構成し、互いに接着してある。また、
パツド33の中央部には、真空穴34があり、こ
れは、ホルダベース32に設けたスルーホール3
5を介して、ウエハチヤツク13の真空チヤツク
穴36とつながるようになつている。すなわち、
マスク3をマスクホルダ30にセツトした状態
で、マスクホルダ30ごとウエハチヤツク13で
真空チヤツクすることにより、両者とも、真空吸
着されることになる。
ダベース32に、マスク3をのせるパツド33を
マスク3の外周に合わせて円周状に復数個配列し
たもので、本実施例では、両部材とも合成樹脂材
質の薄板で構成し、互いに接着してある。また、
パツド33の中央部には、真空穴34があり、こ
れは、ホルダベース32に設けたスルーホール3
5を介して、ウエハチヤツク13の真空チヤツク
穴36とつながるようになつている。すなわち、
マスク3をマスクホルダ30にセツトした状態
で、マスクホルダ30ごとウエハチヤツク13で
真空チヤツクすることにより、両者とも、真空吸
着されることになる。
本例の如くマスクホルダ30がマスク3と共に
ウエハチヤツク13に吸着されるとき、吸着用の
連通孔34がマスク3の周辺部に対向する構造に
すると、マスク3に設けられパターン支持膜(図
示せず)を歪ませる虞れがない。更に、本実施例
のようにパツド33を円周状に列設すると、その
真空孔34からもれる真空圧により、マスク3の
パターン形成部(薄膜部,厚さ5μm程度)が、
下方にたわまないという効果が有る。
ウエハチヤツク13に吸着されるとき、吸着用の
連通孔34がマスク3の周辺部に対向する構造に
すると、マスク3に設けられパターン支持膜(図
示せず)を歪ませる虞れがない。更に、本実施例
のようにパツド33を円周状に列設すると、その
真空孔34からもれる真空圧により、マスク3の
パターン形成部(薄膜部,厚さ5μm程度)が、
下方にたわまないという効果が有る。
第4図に示すように、ウエハチヤツク13の上
面からパツド33の上面までの高さ寸法Cは、第
1図に示したウエハ1の厚さ寸法Cと同一になる
ように構成する。また、パツド33の上にマスク
3(仮想線で示す)を載置したとき、ウエハチヤ
ツク13の上面からマスク3の上面までの高さ寸
法h′は、ホルダベース32の厚さ寸法hよりも大
きく設定する。
面からパツド33の上面までの高さ寸法Cは、第
1図に示したウエハ1の厚さ寸法Cと同一になる
ように構成する。また、パツド33の上にマスク
3(仮想線で示す)を載置したとき、ウエハチヤ
ツク13の上面からマスク3の上面までの高さ寸
法h′は、ホルダベース32の厚さ寸法hよりも大
きく設定する。
(第2図参照)前述のようにマスク3をマスク
ホルダ30と共にウエハチヤツク13に真空吸着
固定した後、ブリアライメント用の顕微鏡により
マスク3のアライメントマーク(図示せず)と顕
微鏡17の基準マーク(図示せず)とが一致する
ように、ウエハステージ2のX,Y,θステージ
14,15、及びチルト機構16により、マスク
3を移動し、プリアライメントする。次に、XY
ステージ14を露光中心位置(0′位置)へ移動す
る。
ホルダ30と共にウエハチヤツク13に真空吸着
固定した後、ブリアライメント用の顕微鏡により
マスク3のアライメントマーク(図示せず)と顕
微鏡17の基準マーク(図示せず)とが一致する
ように、ウエハステージ2のX,Y,θステージ
14,15、及びチルト機構16により、マスク
3を移動し、プリアライメントする。次に、XY
ステージ14を露光中心位置(0′位置)へ移動す
る。
第5図〜第8図は、主に、マスク3の装着方法
を動作の順に示したものである。
を動作の順に示したものである。
第5図は、上述の如くXYステージ14を露光
中心位置に移動させ、これに搭載したウエハチヤ
ツク13を対物レンズ19に対向せしめた状態を
示す。
中心位置に移動させ、これに搭載したウエハチヤ
ツク13を対物レンズ19に対向せしめた状態を
示す。
ウエハアライメントマーク検出用の光路Aでマ
スク3のアライメントマークを検出し、ウエハチ
ヤツク13をX,Y,θ方向に微動させてマスク
3の精アライメントを行なう。
スク3のアライメントマークを検出し、ウエハチ
ヤツク13をX,Y,θ方向に微動させてマスク
3の精アライメントを行なう。
第6図は、マスク3をマスクチヤツク4に移し
変える動作を示している。まず、マスクチヤツク
4に真空ポンプ41より真空引きを行ない、次に
マスクチルト機構18によりマスクチヤツク4を
一様に下降させる。マスクチヤツク4がマスク3
に近づくと、真空管路42の途中に設けた差動式
圧力−電圧変換器43の出力が変化し、マスクチ
ヤツク4とマスク3とのギヤツプcが約50μmに
なつた時の電圧値をもつて、マスクチヤツク4の
下降を停止する。(なお、ギヤツプcと発生電圧
値は、あらかじめ実験により測定しておく)。次
いで、ウエハチヤツク13の真空をOFFすると、
マスク3は、ギヤツプcを隔てたマスクチヤツク
4に吸着される。上記のように約50μmのギヤツ
プを介してマスク3の移し変えを行なうと、ほと
んど位置ずれを起こさずに移し変えできる。
変える動作を示している。まず、マスクチヤツク
4に真空ポンプ41より真空引きを行ない、次に
マスクチルト機構18によりマスクチヤツク4を
一様に下降させる。マスクチヤツク4がマスク3
に近づくと、真空管路42の途中に設けた差動式
圧力−電圧変換器43の出力が変化し、マスクチ
ヤツク4とマスク3とのギヤツプcが約50μmに
なつた時の電圧値をもつて、マスクチヤツク4の
下降を停止する。(なお、ギヤツプcと発生電圧
値は、あらかじめ実験により測定しておく)。次
いで、ウエハチヤツク13の真空をOFFすると、
マスク3は、ギヤツプcを隔てたマスクチヤツク
4に吸着される。上記のように約50μmのギヤツ
プを介してマスク3の移し変えを行なうと、ほと
んど位置ずれを起こさずに移し変えできる。
上記のギヤツプcを0にして、即ち、マスクチ
ヤツク4をマスク3に押し当てて該マスク3の移
し変えをすると、マスクチヤツク4がマスク3に
当接する際に位置ずれを発生する虞れが有るが、
この位置ずれを許容できる場合はギヤツプcを0
にしてマスク3の移し変えを行つても良い。
ヤツク4をマスク3に押し当てて該マスク3の移
し変えをすると、マスクチヤツク4がマスク3に
当接する際に位置ずれを発生する虞れが有るが、
この位置ずれを許容できる場合はギヤツプcを0
にしてマスク3の移し変えを行つても良い。
本発明者らの実験によれば、前記のギヤツプc
を0にしてマスク3の移し変えを行つた場合、マ
スク3とアライメント光軸との位置ずれ量は1μ
m以下であることが確認された。
を0にしてマスク3の移し変えを行つた場合、マ
スク3とアライメント光軸との位置ずれ量は1μ
m以下であることが確認された。
第7図は、マスク3をマスクチヤツク4へ移し
変えた後、マスクチルト機構18によりマスクチ
ヤツク4を上方へ移動し、ウエハステージ2を、
第2図に示す0位置(プリアライメント位置)へ
移動する動作を示している。なお、マスクホルダ
30は、マスク3がマスクチヤツク4に移し変え
られた後、再度、ウエハチヤツク13により真空
チヤツクし、次に0位置に戻つてから、真空チヤ
ツクをOFFして回収する。
変えた後、マスクチルト機構18によりマスクチ
ヤツク4を上方へ移動し、ウエハステージ2を、
第2図に示す0位置(プリアライメント位置)へ
移動する動作を示している。なお、マスクホルダ
30は、マスク3がマスクチヤツク4に移し変え
られた後、再度、ウエハチヤツク13により真空
チヤツクし、次に0位置に戻つてから、真空チヤ
ツクをOFFして回収する。
第8図は、第7図の状態でマスク装着の終つた
マスク3を、マスク側光路(B光路)の焦点にく
るようにモニタ40(第2図参照)で観側しつ
つ、マスクチルト機構18で高さ調整をする動作
を示している。この調整をもつて、マスク3は、
アライメント検出光学系20の光軸上の、マスク
側光路(B光路)の焦点合わせが完了する。
マスク3を、マスク側光路(B光路)の焦点にく
るようにモニタ40(第2図参照)で観側しつ
つ、マスクチルト機構18で高さ調整をする動作
を示している。この調整をもつて、マスク3は、
アライメント検出光学系20の光軸上の、マスク
側光路(B光路)の焦点合わせが完了する。
なお、マスク3の排出(アンローデイング)
は、装着手順のほぼ逆の動作を行なうことになる
が、アライメント光軸とマスク3の位置合せ、及
びプリアライメントの動作は不要である。
は、装着手順のほぼ逆の動作を行なうことになる
が、アライメント光軸とマスク3の位置合せ、及
びプリアライメントの動作は不要である。
位上に述べたマスク装着方法のうち、第5図に
示したマスク3の精アライメントを行なわずに、
第2図の位置で、プリアライメント用顕微鏡17
の代りに、対物レンズ19と絶対寸法の定まつた
位置に、高精度のオフアクシスアライメント検出
器を設け、これによりマスク3の位置合せをした
後、第6図以後の動作を行なうマスク装着方法も
可能である。ただし、この際、ウエハステージ2
の位置決め精度が、マスク3のアライメントマー
クとアライメント光軸中心との位置ずれに影響を
及ぼすので、この誤差を考虜して、マスク装着方
法を選択する必要がある。上述の実施例はX線を
用いた露光装置に本発明の方法,装置を適用した
場合を示したが、本発明の方法及び同装置はX線
以外の光線を用いた露光装置にも適用できる。
示したマスク3の精アライメントを行なわずに、
第2図の位置で、プリアライメント用顕微鏡17
の代りに、対物レンズ19と絶対寸法の定まつた
位置に、高精度のオフアクシスアライメント検出
器を設け、これによりマスク3の位置合せをした
後、第6図以後の動作を行なうマスク装着方法も
可能である。ただし、この際、ウエハステージ2
の位置決め精度が、マスク3のアライメントマー
クとアライメント光軸中心との位置ずれに影響を
及ぼすので、この誤差を考虜して、マスク装着方
法を選択する必要がある。上述の実施例はX線を
用いた露光装置に本発明の方法,装置を適用した
場合を示したが、本発明の方法及び同装置はX線
以外の光線を用いた露光装置にも適用できる。
以上詳述したように、本発明のマスク装着方法
は、露光装置にマスクローダを付設する必要が無
くマスクチヤツクにX,Y,θ機構を付設する必
要無しに、マスクチヤツクに対して正しい位置,
姿勢でマスクを装着することができる。また、本
発明のマスク装着装置によれば、上記の本発明方
法を容易に実施してその効果を発揮せしめること
ができる。
は、露光装置にマスクローダを付設する必要が無
くマスクチヤツクにX,Y,θ機構を付設する必
要無しに、マスクチヤツクに対して正しい位置,
姿勢でマスクを装着することができる。また、本
発明のマスク装着装置によれば、上記の本発明方
法を容易に実施してその効果を発揮せしめること
ができる。
第1図はX線露光装置の基本的構成を説明する
ための垂直断面部、第2図は本発明方法を実施す
るために構成した本発明装置の1実施例の説明
図、第3図は上記実施例におけるマスクホルダ付
近の平面図、第4図は同垂直断面図である。第5
図及至第8図は本発明方法の1実施例における本
発明装置の1実施例の作動を順次に描いた説明図
である。 1…ウエハ、2…ウエハステージ、3…マス
ク、4…マスクチヤツク、8…X線、13…ウエ
ハチヤツク、17…プリアライメント用顕微鏡、
20…アライメント検出光学系、30…マスクホ
ルダ。
ための垂直断面部、第2図は本発明方法を実施す
るために構成した本発明装置の1実施例の説明
図、第3図は上記実施例におけるマスクホルダ付
近の平面図、第4図は同垂直断面図である。第5
図及至第8図は本発明方法の1実施例における本
発明装置の1実施例の作動を順次に描いた説明図
である。 1…ウエハ、2…ウエハステージ、3…マス
ク、4…マスクチヤツク、8…X線、13…ウエ
ハチヤツク、17…プリアライメント用顕微鏡、
20…アライメント検出光学系、30…マスクホ
ルダ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 マスク保持用のマスクチヤツクに吸着保持さ
れたマスクに設けられている回路パターンをウエ
ハ上に転写するため、前記のマスクをマスクチヤ
ツクに装着する方法において、ウエハ搬送用の走
行ステージ上に前記のマスクを載置した後、走行
ステージを走行させて該マスクを前記のマスクチ
ヤツクの下方へ移送し、該マスクを走行ステージ
からマスクチヤツクに受け渡すことを特徴とする
マスク装着方法。 2 前記の転写はX線によつて行うものであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のマ
スク装着方法。 3 マスク保持用のマスク保持具と、ウエハを吸
着保持するウエハチヤツクと、上記ウエハチヤツ
クを搭載してこれをX,Y,Z,θおよびチルト
方向に微動させるウエハステージと、上記ウエハ
ステージを露光位置まで搬送する搬送手段と、露
光位置にセツトされたマスク及びウエハを露光装
置の光軸に対して位置合わせする手段とを備えた
露光装置用のマスク装着装置において、 (a) 前記のウエハチヤツクは前記のマスクをマス
ク保持具とともに吸着保持する機能を兼ね備え
たものとし、 (b) 上記ウエハチヤツクに対する、前記マスクの
吸着保持位置を概略的に位置合わせするプリア
ライメント用の光学顕微鏡を設け、 (c) 前記のウエハチヤツクは、吸着保持している
マスクを前記のマスク保持具に受け渡しし得る
構造としたことを特徴とするマスク装着装置。 ただし、前記のX,Y方向は水平な直交2
軸、Z軸は垂直軸、θは垂直軸回りの回転角、
チルトは水平面に対する傾角である。 4 前記の露光装置はX線露光装置であることを
特徴とする特許請求の範囲第3項に記載のマスク
装着装置。 5 前記の、マスク吸着位置を概要的に位置合せ
するプリアライメント用の光学顕微鏡は、ウエハ
チヤツクに対してウエハを概略位置合せするプリ
アライメント用の光学顕微鏡を兼用したものであ
ることを特徴とする、特許請求の範囲第3項に記
載のマスク装着装置。 6 前記のマスク保持具は、マスクと共に走行ス
テージ上に吸着されたとき、吸着用の真空連通孔
の開口部をパツドを介してマスクの周辺部に対向
密着せしめる構造として、該マスクに設けたパタ
ーン支持膜の歪みを防止できるように構成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第3項に記載のマ
スク装着装置。 7 前記露光装置に設けられているウエハ位置合
わせ用のアライメント光学系と別個に、該アライ
メント光学系から一定の絶対距離の位置にオフア
クシスアライメント光学系を設けてマスクの位置
合わせができるように構成したことを特徴とする
特許請求の範囲第3項に記載のマスク装着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58180686A JPS6074527A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | マスク装着方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58180686A JPS6074527A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | マスク装着方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074527A JPS6074527A (ja) | 1985-04-26 |
| JPS6353689B2 true JPS6353689B2 (ja) | 1988-10-25 |
Family
ID=16087530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58180686A Granted JPS6074527A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | マスク装着方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074527A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237727A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-17 | Hitachi Ltd | X線露光装置およびその方法 |
| JP2770960B2 (ja) * | 1988-10-06 | 1998-07-02 | キヤノン株式会社 | Sor−x線露光装置 |
| JP4942401B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2012-05-30 | Nskテクノロジー株式会社 | 露光装置及び露光方法 |
| JP5089255B2 (ja) * | 2007-06-11 | 2012-12-05 | Nskテクノロジー株式会社 | 露光装置 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58180686A patent/JPS6074527A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6074527A (ja) | 1985-04-26 |
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