JPS6353973A - フオトサイリスタチツプ - Google Patents
フオトサイリスタチツプInfo
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- JPS6353973A JPS6353973A JP19789486A JP19789486A JPS6353973A JP S6353973 A JPS6353973 A JP S6353973A JP 19789486 A JP19789486 A JP 19789486A JP 19789486 A JP19789486 A JP 19789486A JP S6353973 A JPS6353973 A JP S6353973A
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- Japan
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- insulating film
- light
- electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、オーバレイ電極を備えた高耐圧プレーナー型
のフォトサイリスタチップに関するものである。
のフォトサイリスタチップに関するものである。
プレーナ型フォトサイリスタチップは、不純物領域の接
合部が半導体基板の表面に位置しており、この接合部が
シリコン酸化膜等の絶縁膜で被覆される構造のため、一
般に高い信頬性が得られるという特長を有している。し
かしながら、近年では、産業機械等への用途が拡大され
るに伴って、更に高い信顛性が要求され、特に、高耐圧
特性に優れたフォトサイリスタチップが強く要望される
に至っている。
合部が半導体基板の表面に位置しており、この接合部が
シリコン酸化膜等の絶縁膜で被覆される構造のため、一
般に高い信頬性が得られるという特長を有している。し
かしながら、近年では、産業機械等への用途が拡大され
るに伴って、更に高い信顛性が要求され、特に、高耐圧
特性に優れたフォトサイリスタチップが強く要望される
に至っている。
このような高信顧性、及び、高耐圧特性を得るために、
プレーナ型半導体装置では、一般に、不純物領域の周囲
にこの不純物と同じ導電型の不純物をリング状に配した
ガードリング構造、或いは、電極を絶縁膜上に張り出し
て形成したフィールドプレート構造等が実用化されてい
る。このフィールドプレート構造によるフォトサイリス
タチップは、第３図に示すように、半導体基板としての
Ｎ型基板１と、このＮ型基板１の主表面に形成された不
純物領域としてのアノード拡散層２、Ｐ型ベース拡散層
３、及び、カソード拡散層４と、上記Ｎ型基板１の主表
面上に被覆された絶縁膜５と、この絶縁膜５の所定部位
を開口して上記各拡散層２・３・４にそれぞれ接続され
た電流取出電極としてのアノード電極６、カソード電極
７、ゲート電極８と、上記拡散層２・３・４からそれぞ
れ上記絶縁膜５上に張り出して形成された厚さ１μｍ〜
１０μｍのオーバレイ電極９・・・にて構成されている
。
プレーナ型半導体装置では、一般に、不純物領域の周囲
にこの不純物と同じ導電型の不純物をリング状に配した
ガードリング構造、或いは、電極を絶縁膜上に張り出し
て形成したフィールドプレート構造等が実用化されてい
る。このフィールドプレート構造によるフォトサイリス
タチップは、第３図に示すように、半導体基板としての
Ｎ型基板１と、このＮ型基板１の主表面に形成された不
純物領域としてのアノード拡散層２、Ｐ型ベース拡散層
３、及び、カソード拡散層４と、上記Ｎ型基板１の主表
面上に被覆された絶縁膜５と、この絶縁膜５の所定部位
を開口して上記各拡散層２・３・４にそれぞれ接続され
た電流取出電極としてのアノード電極６、カソード電極
７、ゲート電極８と、上記拡散層２・３・４からそれぞ
れ上記絶縁膜５上に張り出して形成された厚さ１μｍ〜
１０μｍのオーバレイ電極９・・・にて構成されている
。
−ｉ的なプレーナ型のＰＮ接合が逆バイアスされた場合
、接合部における湾曲部の空乏層が狭くなって電界強度
が強くなるため、この接合湾曲部で耐圧低下を招くのに
対し、上記フィールドプレート構造のフォトサイリスタ
チップは、上記オーバレイ部分のフィールドプレート効
果によって、湾曲部の空乏層が広げられるので、電界集
中が緩和され、これによって、高耐圧化を図ることが可
能となる。
、接合部における湾曲部の空乏層が狭くなって電界強度
が強くなるため、この接合湾曲部で耐圧低下を招くのに
対し、上記フィールドプレート構造のフォトサイリスタ
チップは、上記オーバレイ部分のフィールドプレート効
果によって、湾曲部の空乏層が広げられるので、電界集
中が緩和され、これによって、高耐圧化を図ることが可
能となる。
ところが、上記フィールドプレート構造では、上記オー
バレイ電極９・・・によって、フォトサイリスタチップ
における受光部位が狭められてしまうことになる。従っ
て、上記オーバレイ電極９・・・を具備しない低電圧用
のフォトサイリスタチップと比較すると、受光部位の減
少分だけ光電流が減少するので、チップサイズを大きく
しなければならないといった問題を招来していた。
バレイ電極９・・・によって、フォトサイリスタチップ
における受光部位が狭められてしまうことになる。従っ
て、上記オーバレイ電極９・・・を具備しない低電圧用
のフォトサイリスタチップと比較すると、受光部位の減
少分だけ光電流が減少するので、チップサイズを大きく
しなければならないといった問題を招来していた。
本発明は、上記従来の問題点を考慮してなされたもので
あって、フィールドプレート構造によって高耐圧特性を
保持すると共に、オーバレイによる光電流の減少を回避
し得るフォトサイリスタチップの提供を目的とするもの
である。
あって、フィールドプレート構造によって高耐圧特性を
保持すると共に、オーバレイによる光電流の減少を回避
し得るフォトサイリスタチップの提供を目的とするもの
である。
本発明に係るフォトサイリスタチップは、上記の目的を
達成するために、一導電型の半導体基板と、この半導体
基板の主表面に形成された不純物領域と、上記半導体基
板の主表面を被覆する絶縁膜と、この絶縁膜の所定部位
を開口して上記不純物領域に接続された電流取出電極と
、上記不純物領域から上記絶縁膜上に張り出して形成さ
れたオーバレイ電極とを備えたフォトサイリスタチップ
であって、上記オーバレイ電極として光透過性導電膜を
設けて、光電流を減少させることなく、かつ、高耐圧特
性を保持し得るように構成したことを特徴とするもので
ある。
達成するために、一導電型の半導体基板と、この半導体
基板の主表面に形成された不純物領域と、上記半導体基
板の主表面を被覆する絶縁膜と、この絶縁膜の所定部位
を開口して上記不純物領域に接続された電流取出電極と
、上記不純物領域から上記絶縁膜上に張り出して形成さ
れたオーバレイ電極とを備えたフォトサイリスタチップ
であって、上記オーバレイ電極として光透過性導電膜を
設けて、光電流を減少させることなく、かつ、高耐圧特
性を保持し得るように構成したことを特徴とするもので
ある。
〔実施例１〕
本発明の一実施例を第１図に基づいて説明すれば、以下
の通りである。
の通りである。
本発明に係るフォトサイリスタチップにおいて、半導体
基板としてのＮ型基板１１の主表面の一方には不純物領
域としてのアノード拡散層１２が形成されており、主表
面の他方には、同じく不純物領域としてのＰ型ベース拡
散Ｊｉ１３、及び、カソード拡散層１４が形成されてい
る。上記Ｎ型基板１１における他方の主表面上には、シ
リコン酸化膜等からなる絶縁膜１５が被覆されている。
基板としてのＮ型基板１１の主表面の一方には不純物領
域としてのアノード拡散層１２が形成されており、主表
面の他方には、同じく不純物領域としてのＰ型ベース拡
散Ｊｉ１３、及び、カソード拡散層１４が形成されてい
る。上記Ｎ型基板１１における他方の主表面上には、シ
リコン酸化膜等からなる絶縁膜１５が被覆されている。
この絶縁膜１５は、上記アノード拡散層１２、Ｐ型ベー
ス拡散層１３、及び、カソード拡散層１４にそれぞれ対
応する所定部が開口されており、これら開口部において
上記アノード拡散層１２とアノード電極（電流取出電極
）１６とが、上記Ｐ型ベース拡散層１３とゲート電極（
電流取出電極）１８とが、また上記カソード拡散層１４
とカソード電極（電流取出電極）１７とがそれぞれ接続
されている。なお、上記アノード電極１６、ゲート電極
１８、及び、カソード電極１７は、ＡＪ等の金属からな
っている。そして、上記アノード拡散層１２、Ｐ型ベー
ス拡散層１３、及び、カソード拡散層１４からは、それ
ぞれ上記絶縁膜１５上に張り出すようにオーバレイ電極
としての光透過性導電膜１９が形成されている。
ス拡散層１３、及び、カソード拡散層１４にそれぞれ対
応する所定部が開口されており、これら開口部において
上記アノード拡散層１２とアノード電極（電流取出電極
）１６とが、上記Ｐ型ベース拡散層１３とゲート電極（
電流取出電極）１８とが、また上記カソード拡散層１４
とカソード電極（電流取出電極）１７とがそれぞれ接続
されている。なお、上記アノード電極１６、ゲート電極
１８、及び、カソード電極１７は、ＡＪ等の金属からな
っている。そして、上記アノード拡散層１２、Ｐ型ベー
ス拡散層１３、及び、カソード拡散層１４からは、それ
ぞれ上記絶縁膜１５上に張り出すようにオーバレイ電極
としての光透過性導電膜１９が形成されている。
上記光透過性導電膜１９としては、例えば、Ｂ（はう素
）、Ｐ（りん）、Ａｓ（ひ素）等をドープしたドープト
ポリシリコン、或いは、ＳｎＯ２、Ｉ ｎｚ Ｏ３、若
しくは、５００Å以下（７）ＡＪ薄膜金属等が使用され
る。これらは、いずれも光透過性を有しかつオーバレイ
電極として充分に機能するので、光電流を減少させるこ
となく、かつ、高耐圧特性を保持することができる。
）、Ｐ（りん）、Ａｓ（ひ素）等をドープしたドープト
ポリシリコン、或いは、ＳｎＯ２、Ｉ ｎｚ Ｏ３、若
しくは、５００Å以下（７）ＡＪ薄膜金属等が使用され
る。これらは、いずれも光透過性を有しかつオーバレイ
電極として充分に機能するので、光電流を減少させるこ
となく、かつ、高耐圧特性を保持することができる。
〔実施例２〕
本発明の他の実施例を第２図に基づいて説明すれば、以
下の通りである。なお、前記実施例１と同一の機能を有
する部材には、同一の符号を付記しである。
下の通りである。なお、前記実施例１と同一の機能を有
する部材には、同一の符号を付記しである。
アノード拡散層１２、Ｐ型ベース拡散層１３、及び、カ
ソード拡散層１４からは、それぞれ絶縁膜１５上に張り
出すようにオーバレイ電極１９′が形成されている。こ
のオーバレイ電極１９′は、上記絶縁膜１５上に位置す
る光透過性導電膜１９と、上記拡散Ｎ１２・１３・１４
からそれぞれ上記光透過性導電膜１９の端部に重なり合
うように形成された通常の厚み（１μｍ〜１０μｍ）を
有するＡ１等からなる金属電極１９ａとからなっている
。
ソード拡散層１４からは、それぞれ絶縁膜１５上に張り
出すようにオーバレイ電極１９′が形成されている。こ
のオーバレイ電極１９′は、上記絶縁膜１５上に位置す
る光透過性導電膜１９と、上記拡散Ｎ１２・１３・１４
からそれぞれ上記光透過性導電膜１９の端部に重なり合
うように形成された通常の厚み（１μｍ〜１０μｍ）を
有するＡ１等からなる金属電極１９ａとからなっている
。
上記光透過性導電膜１９は、光透過性を良好にするため
に、より薄い膜厚が要求される。一方、絶縁膜１５は、
アセンブリ時にチップ上に塗布される樹脂に含まれるイ
オン等の影響を緩和するため、高耐圧フォトサイリスタ
チップでは、２．０〜３、０μｍ以上の厚みが必要であ
る。このため、前記実施例のように、光透過性導電膜１
９を拡散層１２・１３・１４の上面（コンタクト部）と
絶縁膜１５上面とに直接配線すると、その段差により光
透過性導電膜１９が破断する虞れがあるが、本実施例に
おいては、上記のごとく、絶縁膜１５上に位置するオー
バレイ電極として光透過性導電膜１９を、段部に位置す
るオーバレイ電極として通常の金属電極１９ａを配しで
あるので、上記光透過性導電膜１９の破断を防止するこ
とができる。
に、より薄い膜厚が要求される。一方、絶縁膜１５は、
アセンブリ時にチップ上に塗布される樹脂に含まれるイ
オン等の影響を緩和するため、高耐圧フォトサイリスタ
チップでは、２．０〜３、０μｍ以上の厚みが必要であ
る。このため、前記実施例のように、光透過性導電膜１
９を拡散層１２・１３・１４の上面（コンタクト部）と
絶縁膜１５上面とに直接配線すると、その段差により光
透過性導電膜１９が破断する虞れがあるが、本実施例に
おいては、上記のごとく、絶縁膜１５上に位置するオー
バレイ電極として光透過性導電膜１９を、段部に位置す
るオーバレイ電極として通常の金属電極１９ａを配しで
あるので、上記光透過性導電膜１９の破断を防止するこ
とができる。
このときも、光電流を減少させることなく、かつ、高耐
圧特性を保持することができることは勿論である。
圧特性を保持することができることは勿論である。
本発明に係るフォトサイリスタチップは、以上のように
、一導電型の半導体基板と、この半導体基板の主表面に
形成された不純物領域と、上記半導体基板の主表面を被
覆する絶縁膜と、この絶縁膜の所定部位を開口して上記
不純物領域に接続された電流取出電極と、上記不純物領
域から上記絶縁膜上に張り出して形成されたオーバレイ
電極とを備えたフォトサイリスタチップであって、上記
オーバレイ電極として光透過性導電膜を設けた構成であ
る。これにより、フィールドプレート構造によって高耐
圧特性を保持すると共に、オーバレイによる光電流の減
少を回避することができる。
、一導電型の半導体基板と、この半導体基板の主表面に
形成された不純物領域と、上記半導体基板の主表面を被
覆する絶縁膜と、この絶縁膜の所定部位を開口して上記
不純物領域に接続された電流取出電極と、上記不純物領
域から上記絶縁膜上に張り出して形成されたオーバレイ
電極とを備えたフォトサイリスタチップであって、上記
オーバレイ電極として光透過性導電膜を設けた構成であ
る。これにより、フィールドプレート構造によって高耐
圧特性を保持すると共に、オーバレイによる光電流の減
少を回避することができる。
よって、かかるフォトサイリスタチ・ノブのチップサイ
ズを大きくすることなく、高怒度を実現し得るといった
効果を奏する。
ズを大きくすることなく、高怒度を実現し得るといった
効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図は本
発明の他の実施例を示す縦断面図、第３図は従来例を示
す縦断面図である。 １１はＮ型基板（半導体基板）、１２・１３・１４はそ
れぞれ不純物領域であり、１２はアノード拡散層、１３
はＰ型ベース拡散層、１４はカソード拡散層、１５は絶
縁膜、１６・１７・１８はそれぞれ電流取出電極であり
、１６は７ノード電極、１７はカソード電極、１８はゲ
ート電極、１９は光透過性導電膜（オーバレイ電極）、
１９ａは通常の金属雪掻、１９′はオーバレイ電極であ
る。
発明の他の実施例を示す縦断面図、第３図は従来例を示
す縦断面図である。 １１はＮ型基板（半導体基板）、１２・１３・１４はそ
れぞれ不純物領域であり、１２はアノード拡散層、１３
はＰ型ベース拡散層、１４はカソード拡散層、１５は絶
縁膜、１６・１７・１８はそれぞれ電流取出電極であり
、１６は７ノード電極、１７はカソード電極、１８はゲ
ート電極、１９は光透過性導電膜（オーバレイ電極）、
１９ａは通常の金属雪掻、１９′はオーバレイ電極であ
る。
Claims (1)
- １、一導電型の半導体基板と、この半導体基板の主表面
に形成された不純物領域と、上記半導体基板の主表面を
被覆する絶縁膜と、この絶縁膜の所定部位を開口して上
記不純物領域に接続された電流取出電極と、上記不純物
領域から上記絶縁膜上に張り出して形成されたオーバレ
イ電極とを備えたフォトサイリスタチップであって、上
記オーバレイ電極として光透過性導電膜を設けたことを
特徴とするフォトサイリスタチップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19789486A JPS6353973A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | フオトサイリスタチツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19789486A JPS6353973A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | フオトサイリスタチツプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6353973A true JPS6353973A (ja) | 1988-03-08 |
Family
ID=16382058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19789486A Pending JPS6353973A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | フオトサイリスタチツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6353973A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0436255U (ja) * | 1990-07-20 | 1992-03-26 |
-
1986
- 1986-08-22 JP JP19789486A patent/JPS6353973A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0436255U (ja) * | 1990-07-20 | 1992-03-26 |
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