JPS6355244B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6355244B2 JPS6355244B2 JP56036056A JP3605681A JPS6355244B2 JP S6355244 B2 JPS6355244 B2 JP S6355244B2 JP 56036056 A JP56036056 A JP 56036056A JP 3605681 A JP3605681 A JP 3605681A JP S6355244 B2 JPS6355244 B2 JP S6355244B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- etching
- crystal substrate
- etched
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフラツトパツケージタイプで水晶基板
に段付ハーフエツチングを形成して構成する水晶
振動子に関するものである。
に段付ハーフエツチングを形成して構成する水晶
振動子に関するものである。
本発明の目的は、水晶基板に段付ハーフエツチ
ングを形成することにより水晶振動片を水晶基板
の凹部の中へ収容し、薄型・小型化を計りガラス
や水晶を可能な限り厚くして加工中の熱影響を少
なくし、水晶カバーを平板にすることによる封止
歩留りを向上させることにある。
ングを形成することにより水晶振動片を水晶基板
の凹部の中へ収容し、薄型・小型化を計りガラス
や水晶を可能な限り厚くして加工中の熱影響を少
なくし、水晶カバーを平板にすることによる封止
歩留りを向上させることにある。
近年、時計の小型化・薄型化の志向に対応して
水晶振動子もより小型化・薄型化が要求されてき
ている。このような超薄型水晶振動子として主と
して使用されているのがフラツトパツケージタイ
プの水晶振動子である。
水晶振動子もより小型化・薄型化が要求されてき
ている。このような超薄型水晶振動子として主と
して使用されているのがフラツトパツケージタイ
プの水晶振動子である。
しかるに従来のフラツトパツケージタイプの水
晶振動子は第１図に示すように、ハーフエツチン
グ４をした水晶基板１の上面に水晶振動片２をマ
ウントしなければならなく、このため薄型化を計
ろうとするには水晶基板１であるガラス又は水晶
の厚さを薄くしなければならない。ケース厚が１
mm以下になるということは、ガラスウエハーすな
わち水晶基板の厚さが0.5mm以下（ガラス広さは
40□mm位で、これから水晶基板を約150個多数個
取りする）になつていくということであり、この
厚さになつてくるとガラスウエハーのラツプ工程
が難かしくなり面や寸法の精度維持が困難とな
る。また薄型化するほど水晶基板加工の際にも後
述の絶縁膜１６をつけるに一般的なC.V.D.化学
蒸着の際等400℃位の高温が加わり、加熱工程に
おける熱影響によるウエハーソリなどの問題（露
光マスクの密着性低下、個々の基板に分離加工す
る際の割れ、組立時の水晶カバー３との密着性不
良等）が多発し、フラツトパツケージタイプの水
晶振動子の薄型化に対して大きなネツクとなつて
いた。またケース厚が１mm以下となつてくれば、
強度的にも設計的な全体的バランス上も長さ10mm
以下、巾３mm以下が必要となつてくる。
晶振動子は第１図に示すように、ハーフエツチン
グ４をした水晶基板１の上面に水晶振動片２をマ
ウントしなければならなく、このため薄型化を計
ろうとするには水晶基板１であるガラス又は水晶
の厚さを薄くしなければならない。ケース厚が１
mm以下になるということは、ガラスウエハーすな
わち水晶基板の厚さが0.5mm以下（ガラス広さは
40□mm位で、これから水晶基板を約150個多数個
取りする）になつていくということであり、この
厚さになつてくるとガラスウエハーのラツプ工程
が難かしくなり面や寸法の精度維持が困難とな
る。また薄型化するほど水晶基板加工の際にも後
述の絶縁膜１６をつけるに一般的なC.V.D.化学
蒸着の際等400℃位の高温が加わり、加熱工程に
おける熱影響によるウエハーソリなどの問題（露
光マスクの密着性低下、個々の基板に分離加工す
る際の割れ、組立時の水晶カバー３との密着性不
良等）が多発し、フラツトパツケージタイプの水
晶振動子の薄型化に対して大きなネツクとなつて
いた。またケース厚が１mm以下となつてくれば、
強度的にも設計的な全体的バランス上も長さ10mm
以下、巾３mm以下が必要となつてくる。
本発明はこのような欠点を除去するもので、水
晶基板に段付きのハーフエツチングを施すことに
よつて極薄タイプの水晶振動子を提供しようとす
るものである。
晶基板に段付きのハーフエツチングを施すことに
よつて極薄タイプの水晶振動子を提供しようとす
るものである。
第２図〜第４図に基づき本発明の実施例につい
て説明する。
て説明する。
第２図は本発明による段付きハーフエツチング
を施した水晶基板５を用いて完成させた水晶振動
子の断面図である。本図において、一段形状にエ
ツチングされた平板状の容器である水晶基板５の
１段目のハーフエツチング部７の底面へ水晶振動
片２をマウントし、水晶振動片の上部方向のスキ
マはこの１段目のハーフエツチングの深さにより
決める。また２段目のハーフエツチング部８は水
晶振動片２の下部方向の振動逃げのためのスキマ
となる。
を施した水晶基板５を用いて完成させた水晶振動
子の断面図である。本図において、一段形状にエ
ツチングされた平板状の容器である水晶基板５の
１段目のハーフエツチング部７の底面へ水晶振動
片２をマウントし、水晶振動片の上部方向のスキ
マはこの１段目のハーフエツチングの深さにより
決める。また２段目のハーフエツチング部８は水
晶振動片２の下部方向の振動逃げのためのスキマ
となる。
第３図ａ〜ｅに段付ハーフエツチングを形成す
る形成方法および加工工程について説明する。ａ
図の工程１は、厚さ１mm以下、長さ10mm以下、巾
３mm以下の水晶基板を得るための厚さ0.5mm以下
の水晶基板５となるガラスウエハー９の両面に耐
エツチング用レジスト１０を塗布（一般には金属
レジスト（例えばCr―Au）をスパツタリングが
蒸着によつて塗布）する。ｂ図の工程２は、この
金属レジスト１０の一面側のみにハーフエツチン
グ用パターン１１をフオトリソグラフイ方式によ
り形成することにより、該ハーフエツチング用パ
ターン１１は二段目の段となる部分の平面形状を
有している。Ｃ図の工程３において、水晶基板用
ガラスウエハー９を例えばHF＋NH3Fを用いエ
ツチングにより第１次ハーフエツチング１２を行
う。このハーフエツチングの深さは終了時点で２
段目のハーフエツチングの総深さから１段目（後
述）のハーフエツチングの深さを差引いた深さ、
すなわち振動逃げ用スキマと同等とする。次にｄ
図の工程４において、金属レジスト１０にハーフ
エツチング用パターン１３を工程２と同様にして
フオトリソグラフイ方式により形成する。このハ
ーフエツチング用パターン１３は一段目の段とな
る部分の平面形状を有している。そしてｅ図の工
程５で、パターニング部および工程３の１２部と
を両方同時にエツチングにより１段目の深さすな
わち（水晶振動片厚＋振動逃げスキマ）の分、す
なわち点線で囲まれた分１４だけ除去する。その
後は従来工程と同様に、金属レジスト１０を除去
し、リードパターン・絶縁塗膜・シールドパター
ンを形成し、個々に切断することによつて、最終
的には第４図に示すように、リードパターン１
５・絶縁膜１６・シールパターン１７をもつた水
晶基板５を得る。更にこれに水晶振動片２をマウ
ントし、水晶カバー６により封止することによつ
て第２図に示すような完成水晶振動子を得ること
ができる。
る形成方法および加工工程について説明する。ａ
図の工程１は、厚さ１mm以下、長さ10mm以下、巾
３mm以下の水晶基板を得るための厚さ0.5mm以下
の水晶基板５となるガラスウエハー９の両面に耐
エツチング用レジスト１０を塗布（一般には金属
レジスト（例えばCr―Au）をスパツタリングが
蒸着によつて塗布）する。ｂ図の工程２は、この
金属レジスト１０の一面側のみにハーフエツチン
グ用パターン１１をフオトリソグラフイ方式によ
り形成することにより、該ハーフエツチング用パ
ターン１１は二段目の段となる部分の平面形状を
有している。Ｃ図の工程３において、水晶基板用
ガラスウエハー９を例えばHF＋NH3Fを用いエ
ツチングにより第１次ハーフエツチング１２を行
う。このハーフエツチングの深さは終了時点で２
段目のハーフエツチングの総深さから１段目（後
述）のハーフエツチングの深さを差引いた深さ、
すなわち振動逃げ用スキマと同等とする。次にｄ
図の工程４において、金属レジスト１０にハーフ
エツチング用パターン１３を工程２と同様にして
フオトリソグラフイ方式により形成する。このハ
ーフエツチング用パターン１３は一段目の段とな
る部分の平面形状を有している。そしてｅ図の工
程５で、パターニング部および工程３の１２部と
を両方同時にエツチングにより１段目の深さすな
わち（水晶振動片厚＋振動逃げスキマ）の分、す
なわち点線で囲まれた分１４だけ除去する。その
後は従来工程と同様に、金属レジスト１０を除去
し、リードパターン・絶縁塗膜・シールドパター
ンを形成し、個々に切断することによつて、最終
的には第４図に示すように、リードパターン１
５・絶縁膜１６・シールパターン１７をもつた水
晶基板５を得る。更にこれに水晶振動片２をマウ
ントし、水晶カバー６により封止することによつ
て第２図に示すような完成水晶振動子を得ること
ができる。
上述のように段付ハーフエツチングの加工が可
能となつたことによつて、水晶振動片を水晶基板
の中に埋め込むことができるため水晶基板に比較
的厚いウエハーを使用することができ、このため
絶縁膜形成工程などにおける熱影響を極力少なく
することができる。また水晶振動片を埋め込んだ
ために水晶カバーに平板を使用することができ、
封止用の接着面を充分広くとれるため封止の信頼
性を大巾に増大できる。これらの総合的な結果と
してケース厚0.4mmｔ以下の極薄タイプの水晶振
動子が得られる。
能となつたことによつて、水晶振動片を水晶基板
の中に埋め込むことができるため水晶基板に比較
的厚いウエハーを使用することができ、このため
絶縁膜形成工程などにおける熱影響を極力少なく
することができる。また水晶振動片を埋め込んだ
ために水晶カバーに平板を使用することができ、
封止用の接着面を充分広くとれるため封止の信頼
性を大巾に増大できる。これらの総合的な結果と
してケース厚0.4mmｔ以下の極薄タイプの水晶振
動子が得られる。
以上の如く本発明を実施することによつて封止
や特性の耐久性に信頼性のある極薄タイプの水晶
振動子が容易に得られ、薄型・小型の腕時計に大
いに寄与することができる。
や特性の耐久性に信頼性のある極薄タイプの水晶
振動子が容易に得られ、薄型・小型の腕時計に大
いに寄与することができる。
第１図は従来のフラツトタイプ水晶振動子の縦
断面図、第２図は本発明の実施例による完成水晶
振動子の縦断面図、第３図ａ〜ｅは本発明の実施
例に係る水晶基板への段付ハーフエツチング加工
工程図、第４図は完成水晶基板の縦断面図であ
る。 １，５……水晶基板、２……水晶振動片、３，
６……水晶カバー、４，７，８，１２，１４……
ハーフエツチング部、１０……金属レジスト、９
……水晶基板ウエハー、１１，１３……エツチン
グ用パターニング部、１５……リードパターン、
１６……絶縁膜、１７……シールパターン。
断面図、第２図は本発明の実施例による完成水晶
振動子の縦断面図、第３図ａ〜ｅは本発明の実施
例に係る水晶基板への段付ハーフエツチング加工
工程図、第４図は完成水晶基板の縦断面図であ
る。 １，５……水晶基板、２……水晶振動片、３，
６……水晶カバー、４，７，８，１２，１４……
ハーフエツチング部、１０……金属レジスト、９
……水晶基板ウエハー、１１，１３……エツチン
グ用パターニング部、１５……リードパターン、
１６……絶縁膜、１７……シールパターン。
Claims (1)
- １ 二段形状にエツチングされた平板状容器に水
晶振動片を封入して成るフラツトパツケージタイ
プの水晶振動子の容器の製造方法において、前記
平板状容器を形成するための水晶基板の両面にエ
ツチング用レジストを形成する工程と、二段目の
段となる部分の平面形状を前記エツチング用レジ
ストの一面にパターニングする工程と、露出して
いる前記水晶基板をエツチングする工程と、一段
目の段となる部分の平面形状を前記エツチング用
レジストの一面にパターニングする工程と、露出
している前記水晶基板をエツチングする工程と、
前記水晶基板に電極や封止用パターンを形成する
工程とを備えたことを特徴とする水晶振動子容器
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3605681A JPS57150211A (en) | 1981-03-13 | 1981-03-13 | Crystal resonator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3605681A JPS57150211A (en) | 1981-03-13 | 1981-03-13 | Crystal resonator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57150211A JPS57150211A (en) | 1982-09-17 |
| JPS6355244B2 true JPS6355244B2 (ja) | 1988-11-01 |
Family
ID=12459053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3605681A Granted JPS57150211A (en) | 1981-03-13 | 1981-03-13 | Crystal resonator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57150211A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63108226U (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-12 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5248993A (en) * | 1975-10-17 | 1977-04-19 | Citizen Watch Co Ltd | Gas tight vessel of small size piezolelectric oscillator |
| JPS55166321A (en) * | 1979-06-13 | 1980-12-25 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Ultrathin type quartz oscillator and its manufacture |
-
1981
- 1981-03-13 JP JP3605681A patent/JPS57150211A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57150211A (en) | 1982-09-17 |
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