JPS6356933A - アライメント装置 - Google Patents
アライメント装置Info
- Publication number
- JPS6356933A JPS6356933A JP61202345A JP20234586A JPS6356933A JP S6356933 A JPS6356933 A JP S6356933A JP 61202345 A JP61202345 A JP 61202345A JP 20234586 A JP20234586 A JP 20234586A JP S6356933 A JPS6356933 A JP S6356933A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- light
- street
- stage
- alignment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ＩＣ等の製造時に既にパターン形成が成され
たウェハを規定位置にアライメントするアライメント装
置に関する。
たウェハを規定位置にアライメントするアライメント装
置に関する。
（従来技術）
従来、この種のアライメント装置にあっては、レーザ光
をウェハ表面に照射ししたときに得られる散乱光に基づ
いてウェハを規定位置に調整するアライメントを行なっ
ている。
をウェハ表面に照射ししたときに得られる散乱光に基づ
いてウェハを規定位置に調整するアライメントを行なっ
ている。
即ち、パターン形成されたウェハ表面には各チップパタ
ーンを仕切って直交する方向にストリートが走っており
、このようなパターン形成されたウェハ表面にレーザ光
を照射すると、ストリート部分は鏡面状態にあり、チッ
プパターン部分はパターン形成により凹凸状態にあるこ
とから、チップパターン部分に対するレーザ光の照射で
周囲に散乱光が反射され、この散乱光を例えばウェハ両
側に配置した受光素子で受光して散乱光の受光レベルの
低下からストリート位置を判別し、メトリー１〜位置が
規定位置となるようにウェハを載せているステージを移
動調整してアライメン１〜をとるようにしている。
ーンを仕切って直交する方向にストリートが走っており
、このようなパターン形成されたウェハ表面にレーザ光
を照射すると、ストリート部分は鏡面状態にあり、チッ
プパターン部分はパターン形成により凹凸状態にあるこ
とから、チップパターン部分に対するレーザ光の照射で
周囲に散乱光が反射され、この散乱光を例えばウェハ両
側に配置した受光素子で受光して散乱光の受光レベルの
低下からストリート位置を判別し、メトリー１〜位置が
規定位置となるようにウェハを載せているステージを移
動調整してアライメン１〜をとるようにしている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このような従来の散乱光に基づいたウェ
ハパターンの認識によるアライメントにあっては、ウェ
ハパターンの認識精度があまりなく、アライメントのた
めに観察する正確な場所、例えばストリートの特定に時
間がかかり、精度の高いアライメントを短時間で行なう
ことが困難であった。
ハパターンの認識によるアライメントにあっては、ウェ
ハパターンの認識精度があまりなく、アライメントのた
めに観察する正確な場所、例えばストリートの特定に時
間がかかり、精度の高いアライメントを短時間で行なう
ことが困難であった。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
ので、パターン形成が成されたウェハを規定位置に短時
間で精度良くアライメントできるようにしたアライメン
ト装置を提供することを目的とする。
ので、パターン形成が成されたウェハを規定位置に短時
間で精度良くアライメントできるようにしたアライメン
ト装置を提供することを目的とする。
この目的を達成するため本発明にあっては、光源からウ
ェハ表面に照射した光の反射光を一次元受光素子で受光
し、この一次元受光素子の受光出力からウェハ表面のス
トリート位置を認識し、一次元受光素子の全視野がスト
リート内部に入るようにウェハを載せているステージを
移動制御するようにしたものである。
ェハ表面に照射した光の反射光を一次元受光素子で受光
し、この一次元受光素子の受光出力からウェハ表面のス
トリート位置を認識し、一次元受光素子の全視野がスト
リート内部に入るようにウェハを載せているステージを
移動制御するようにしたものである。
（作用）
このような本発明の構成によれば、ウェハのストリート
部分は鏡面状態にあることからチップパターンの形成部
分に対し強い反射光が得られ、一次元受光素子のストリ
ートに相対する視野部分の受光出力が高く、ストリート
を外れたチッパターンに相対する視野部分の受光出力が
低くな・ることでストリー１〜を認識することができる
。
部分は鏡面状態にあることからチップパターンの形成部
分に対し強い反射光が得られ、一次元受光素子のストリ
ートに相対する視野部分の受光出力が高く、ストリート
を外れたチッパターンに相対する視野部分の受光出力が
低くな・ることでストリー１〜を認識することができる
。
そして、一次元受光素子の全視野の受光出力が認識され
たストリート部分の相対視野から得られる高い受光出力
となるようにステージを移動制御すること、即ち、一次
元受光素子の全視野がストリート内部に入るようにステ
ージを移動制御することでウェハを規定位置にアライメ
ントすることができる。
たストリート部分の相対視野から得られる高い受光出力
となるようにステージを移動制御すること、即ち、一次
元受光素子の全視野がストリート内部に入るようにステ
ージを移動制御することでウェハを規定位置にアライメ
ントすることができる。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を示した説明図である。
まず構成を説明すると、１は発光素子、２はハーフミラ
−１３は一次元受光素子であり、光源としての発光素子
１はθステージ５上に載せられたウェハ４の直上にハー
フミラ−２を介して配置され、ハーフミラ−２を介して
ウェハ４の表面に光を照射するようにしている。一次元
受光素子３はハーフミラ−２を通る発光素子１の光軸に
直交する横方向の位置に配置され、ハーフミラ−２を介
して得られたウェハ４の表面からの反射光を受光できる
ようにしている。
−１３は一次元受光素子であり、光源としての発光素子
１はθステージ５上に載せられたウェハ４の直上にハー
フミラ−２を介して配置され、ハーフミラ−２を介して
ウェハ４の表面に光を照射するようにしている。一次元
受光素子３はハーフミラ−２を通る発光素子１の光軸に
直交する横方向の位置に配置され、ハーフミラ−２を介
して得られたウェハ４の表面からの反射光を受光できる
ようにしている。
即ち、第２図に拡大して示すように、発光素子１から出
た光ビーム１５ｄはハーフミラ−２を通って光ビーム１
５Ｃとしてウェハ４の表面に照射される。ウェハ４の表
面に照射された光ビーム１５Ｃはウェハ表面のパターン
に応じて反射され、反射光ビーム１５ｂは再びハーフミ
ラ−２に至り、ハーフミラ−２で直交する方向に反射し
て一次元受光素子３に入射するようになる。
た光ビーム１５ｄはハーフミラ−２を通って光ビーム１
５Ｃとしてウェハ４の表面に照射される。ウェハ４の表
面に照射された光ビーム１５Ｃはウェハ表面のパターン
に応じて反射され、反射光ビーム１５ｂは再びハーフミ
ラ−２に至り、ハーフミラ−２で直交する方向に反射し
て一次元受光素子３に入射するようになる。
このような本発明のアライメント装置で用いる一次元受
光素子３としては、規定長さの直線視野を持ち、具体的
には複数の受光画素を直線的に配列して成る所謂ライン
フォトセンサが用いられる。
光素子３としては、規定長さの直線視野を持ち、具体的
には複数の受光画素を直線的に配列して成る所謂ライン
フォトセンサが用いられる。
再び第１図を参照するに、ウェハ４は垂直軸回りに回転
自在なθステージ５の上に載せられており、θステージ
５はθ回転駆動源６により軸回りに回転することができ
る。このθ回転駆動源６は更にＸステージ７に載ってお
り、Ｘステージ７はＸ駆動源１０によりＸ軸方向に直線
移動することができる。更にまた、Ｘステージ７はＹス
テージ８に載っており、Ｙステージ８はＹ駆動源９によ
りＹ軸方向に直線移動することができる。
自在なθステージ５の上に載せられており、θステージ
５はθ回転駆動源６により軸回りに回転することができ
る。このθ回転駆動源６は更にＸステージ７に載ってお
り、Ｘステージ７はＸ駆動源１０によりＸ軸方向に直線
移動することができる。更にまた、Ｘステージ７はＹス
テージ８に載っており、Ｙステージ８はＹ駆動源９によ
りＹ軸方向に直線移動することができる。
第３図は第１図に示した一次元受光素子３を含む光学系
及びウェハ４の移動ステージをアライメントのために移
動制御する制御系を示したブロック図であり、一次元受
光素子３の受光出力は制御部１２に入力され、制御部１
２は一次元受光素子３の受光出力に基づいてウェハ４に
形成されているストリートを認識し、一次元受光素子３
の全視野がストリート内部に入るようにθステージ５、
Ｘステージ６及びＹステージを移動制御するようになる
。また、この実施例で制御部１２はウェハ４に形成され
ているストリートの規定の少なくとも２箇所の位置につ
いてストリート認識に基づくアライメントのための移動
制御を行なうようになる。
及びウェハ４の移動ステージをアライメントのために移
動制御する制御系を示したブロック図であり、一次元受
光素子３の受光出力は制御部１２に入力され、制御部１
２は一次元受光素子３の受光出力に基づいてウェハ４に
形成されているストリートを認識し、一次元受光素子３
の全視野がストリート内部に入るようにθステージ５、
Ｘステージ６及びＹステージを移動制御するようになる
。また、この実施例で制御部１２はウェハ４に形成され
ているストリートの規定の少なくとも２箇所の位置につ
いてストリート認識に基づくアライメントのための移動
制御を行なうようになる。
次に、第４図のフローチャートを参照して上記の実施例
によるアライメントのための制御処理を説明する。
によるアライメントのための制御処理を説明する。
まず装置の電源を投入して作動状態にすると、発光素子
１が駆動状態となり、ブロック２０に示すようにハーフ
ミラ−２を介してウェハ４の表面に光ビームを照射する
。
１が駆動状態となり、ブロック２０に示すようにハーフ
ミラ−２を介してウェハ４の表面に光ビームを照射する
。
ここで制御部１２に対しては第５図に示すようにウェハ
４における２箇所の７ライメント位置、即ち、第１のア
ライメント位置Ａと第２のアライメント位置Ｂが設定さ
れていることから、ブロック２１に示すように、制御部
１２はまず第１の７ライメント位置Ａが発光索子１から
の光ビームの照射を受ける位置となるように、例えばＸ
ステージ６及びＹステージをＸ駆動源１０及びＹ駆動源
９の作動により行なう。
４における２箇所の７ライメント位置、即ち、第１のア
ライメント位置Ａと第２のアライメント位置Ｂが設定さ
れていることから、ブロック２１に示すように、制御部
１２はまず第１の７ライメント位置Ａが発光索子１から
の光ビームの照射を受ける位置となるように、例えばＸ
ステージ６及びＹステージをＸ駆動源１０及びＹ駆動源
９の作動により行なう。
このようにブロック２１で＠１のアライメント位置Ａへ
のステージ移動が終了したならば、ブロック２２に示す
ように一次元受光索子３の受光出力を読込む。
のステージ移動が終了したならば、ブロック２２に示す
ように一次元受光索子３の受光出力を読込む。
このとき、例えば第６図（ａ）に示すように一次元受光
素子３の視野１５がウェハ上に形成されているウェハス
トリート１６と交差した状態にあったとすると、このと
きの視野１５で得られる反射光の受光レベルは第２図（
ｂ）に示すように、視野１５がウェハストリート１６に
入っている視野部分の受光出力１８はウェハストリート
を外れたチップパターン部分に入っている視野部分の受
光出力１９ａ、１９ｂより高くなる。
素子３の視野１５がウェハ上に形成されているウェハス
トリート１６と交差した状態にあったとすると、このと
きの視野１５で得られる反射光の受光レベルは第２図（
ｂ）に示すように、視野１５がウェハストリート１６に
入っている視野部分の受光出力１８はウェハストリート
を外れたチップパターン部分に入っている視野部分の受
光出力１９ａ、１９ｂより高くなる。
即ち、ウェハストリート１６の部分にはチップパターン
が形成されていないことから鏡面状態にあり、これに対
しウェハストリート１６を外れたパターン部分にはパタ
ーン形成が成されて凹凸状態にあることから、ウェハス
トリート１６の部分の反射光のレベルが高く、このため
ウェハストリート１６に相対した部分の受光出力１８の
レベルがウェハストリート１６を外れたチップパターン
に相対する視野部分の受光レベル１９ａ、１９ｂより高
くなる。
が形成されていないことから鏡面状態にあり、これに対
しウェハストリート１６を外れたパターン部分にはパタ
ーン形成が成されて凹凸状態にあることから、ウェハス
トリート１６の部分の反射光のレベルが高く、このため
ウェハストリート１６に相対した部分の受光出力１８の
レベルがウェハストリート１６を外れたチップパターン
に相対する視野部分の受光レベル１９ａ、１９ｂより高
くなる。
従って、一次元受光素子３の受光出力のレベル差からス
トリート部分とそれ以外の部分とを明確に区別すること
ができる。
トリート部分とそれ以外の部分とを明確に区別すること
ができる。
ところで、θステージ５上にウェハ４が載った状態で第
１のアライメント位ｆｆ１Ａでのステージ移動を行なっ
ても必ずしも第６図（ａ）に示すように一次元受光素子
３の視野１５がウェハストリート１６に交差した状態が
得られるとは限らないので、第１の７ライメント位ｆｆ
１Ａにステージ移動を行なったならば、まず初めに一次
元受光索子３からの受光出力を制御部１２に読込んでス
トリートの有無を判断する。
１のアライメント位ｆｆ１Ａでのステージ移動を行なっ
ても必ずしも第６図（ａ）に示すように一次元受光素子
３の視野１５がウェハストリート１６に交差した状態が
得られるとは限らないので、第１の７ライメント位ｆｆ
１Ａにステージ移動を行なったならば、まず初めに一次
元受光索子３からの受光出力を制御部１２に読込んでス
トリートの有無を判断する。
もしストリートが認識されなければ、例えばＹ駆動源９
を制御してＹステージ８を一定量動かし、再び一次元受
光素子３の受光出力を読込んでストリートの有無を判別
し、ストリートが検出されるまで同様の動作を繰り返す
。このようなストリート検出のためのステージ移動の繰
り返しで第６図（ａ）に示すストリート１６の検出状態
が（ｑられるようになる。
を制御してＹステージ８を一定量動かし、再び一次元受
光素子３の受光出力を読込んでストリートの有無を判別
し、ストリートが検出されるまで同様の動作を繰り返す
。このようなストリート検出のためのステージ移動の繰
り返しで第６図（ａ）に示すストリート１６の検出状態
が（ｑられるようになる。
続いて、第６図（ａ）に示す状態でのストリート検出が
できたならば、そのときの一次元受光素子３の受光出力
を読込んで判別ブロック２３に示すように一次元受光素
子３の全視野がウェハストリート１６ａに対応した規定
レベル以上にあるか否か判別し、全視野が規定レベル以
上となっていないときにはブロック２４に進んで第６図
（ｂ）に示す一次元受光素子３のストリート１６に相対
した部分の受光出力１８の幅が大きくなる方向にθ回転
駆動源６を制御してθステージ５を回転させる。
できたならば、そのときの一次元受光素子３の受光出力
を読込んで判別ブロック２３に示すように一次元受光素
子３の全視野がウェハストリート１６ａに対応した規定
レベル以上にあるか否か判別し、全視野が規定レベル以
上となっていないときにはブロック２４に進んで第６図
（ｂ）に示す一次元受光素子３のストリート１６に相対
した部分の受光出力１８の幅が大きくなる方向にθ回転
駆動源６を制御してθステージ５を回転させる。
尚、このθステージの回転方向は実際にθステージを回
転してみなりればウェハストリート１６に相対した視野
部分の受光出力１８の幅が広がるか狭まるかがわからな
いので、まず初めに第６図（ａ）に示すようにθステー
ジ５を久方向に回転し、この久方向の回転で受光出力１
８の部分が広くならないときには逆方向となるＢ方向の
回転に切換える制御を行なうようにする。
転してみなりればウェハストリート１６に相対した視野
部分の受光出力１８の幅が広がるか狭まるかがわからな
いので、まず初めに第６図（ａ）に示すようにθステー
ジ５を久方向に回転し、この久方向の回転で受光出力１
８の部分が広くならないときには逆方向となるＢ方向の
回転に切換える制御を行なうようにする。
従って、第６図（ａ）の場合には、θステージ５を８方
向に回転することでウェハストリート１６ａに相対した
視野部分の受光出力１８の幅が広がるようになる。この
Ｂ方向に対するθステージの回転制御は予め定めた一定
回転社づつ行ない、一次元受光素子の視野１５の全てが
受光レベル１７となると一次元受光素子の視野１５の全
てがウェハストリート１６ａの内部に入ったものと判別
して第１のアライメント位置Ａにおけるアライメントの
ためのステージ移動を終了する。
向に回転することでウェハストリート１６ａに相対した
視野部分の受光出力１８の幅が広がるようになる。この
Ｂ方向に対するθステージの回転制御は予め定めた一定
回転社づつ行ない、一次元受光素子の視野１５の全てが
受光レベル１７となると一次元受光素子の視野１５の全
てがウェハストリート１６ａの内部に入ったものと判別
して第１のアライメント位置Ａにおけるアライメントの
ためのステージ移動を終了する。
この第１のアライメント位置Ａでのアライメントのため
のステージ移動が終了すると判別ブロック２３から判別
ブロック２４に進み、第１及び第２のアライメント位置
Ａ、Ｂでの制御終了の有無をチェックし、この場合は第
２のアライメント位置Ｂでの処理が残っていることから
ブロック２５に戻ってウェハ４を第５図に示す第２のア
ライメント位置Ｂとなるようにステージ移動を行ない、
再びブロック２２に戻って第１のアライメント位置Ａと
同様、一次元受光素子３の全視野がウェハストリート内
部に入るようになステージ移動を行ない、これによって
一連のアライメント処理を終了する。
のステージ移動が終了すると判別ブロック２３から判別
ブロック２４に進み、第１及び第２のアライメント位置
Ａ、Ｂでの制御終了の有無をチェックし、この場合は第
２のアライメント位置Ｂでの処理が残っていることから
ブロック２５に戻ってウェハ４を第５図に示す第２のア
ライメント位置Ｂとなるようにステージ移動を行ない、
再びブロック２２に戻って第１のアライメント位置Ａと
同様、一次元受光素子３の全視野がウェハストリート内
部に入るようになステージ移動を行ない、これによって
一連のアライメント処理を終了する。
尚、上記の実施例はウェハ４における予め定めた第１及
び第２のアライメント位置Ａ、Ｂの２箇所について、一
次元受光素子４の全視野がウニハストリー１−内部に入
るアライメント処理を行なうようしているが、アライメ
ント精度がさほど要求されない場合には一箇所のアライ
メント位置についての処理でよく、また一箇所のアライ
メント位置の処理についても一次元受光素子４の視野１
５の長ざを大き（することでフライメン１−精度を高め
ることができる。
び第２のアライメント位置Ａ、Ｂの２箇所について、一
次元受光素子４の全視野がウニハストリー１−内部に入
るアライメント処理を行なうようしているが、アライメ
ント精度がさほど要求されない場合には一箇所のアライ
メント位置についての処理でよく、また一箇所のアライ
メント位置の処理についても一次元受光素子４の視野１
５の長ざを大き（することでフライメン１−精度を高め
ることができる。
また、アライメント処理を２箇所のみならず更に複数回
繰り返すことでアライメントの精度を更に向上すること
ができる。
繰り返すことでアライメントの精度を更に向上すること
ができる。
（発明の効果）
以上説明してきたように本発明によれば、光源からウェ
ハ表面に照射した光の反ｑ寸光を一次元受光素子で受光
し、この一次元受光素子の受光出力からウェハ表面のス
トリート位置を認識し、一次元受光素子の全視野がスト
リート内部に入るようにウェハを載せているステージを
移動制御するようにしたため、ＩＣ等のパターン形成が
成されたウェハ表面におけるストリート部分は他のパタ
ーン形成部分に比べ充分に高い反射光レベルを持つこと
から、ストリートをウェハの他のパターン部分から明確
に区別することができ、一次元受光素子によりストリー
トを明確に認識して一次元受光素子の全視野がストリー
ト内部に入るようにステージ移動制御を行なうことで、
高精度のアライメントを短時間で行なうことができ、例
えばＩＣ製造工程のうち露光が終了しパターンが描かれ
た後の工程におけるウェハのアライメント装置等に使用
すれば非常に有効である。
ハ表面に照射した光の反ｑ寸光を一次元受光素子で受光
し、この一次元受光素子の受光出力からウェハ表面のス
トリート位置を認識し、一次元受光素子の全視野がスト
リート内部に入るようにウェハを載せているステージを
移動制御するようにしたため、ＩＣ等のパターン形成が
成されたウェハ表面におけるストリート部分は他のパタ
ーン形成部分に比べ充分に高い反射光レベルを持つこと
から、ストリートをウェハの他のパターン部分から明確
に区別することができ、一次元受光素子によりストリー
トを明確に認識して一次元受光素子の全視野がストリー
ト内部に入るようにステージ移動制御を行なうことで、
高精度のアライメントを短時間で行なうことができ、例
えばＩＣ製造工程のうち露光が終了しパターンが描かれ
た後の工程におけるウェハのアライメント装置等に使用
すれば非常に有効である。
第１図は本発明の一実施例を示した説明図、第２図は第
１図の光学系を拡大して示した説明図、第３図はアライ
メント制御１装置の全体構成を示したブロック図、第３
図は本発明によるアライメント処理を示したフローチャ
ート、第５図は本発明によるウェハのアライメント位置
を示した説明図、第６図は本発明によるアライメント処
理動作をウェハストリートに対する一次元受光素子の受
光出力と共に示した説明図である。 １：発光素子 ２：ハーフミラ− ３ニ一次元受光素子 ４：ウェハ ５：θステージ ６：θ回転駆動源 ７：Ｘステージ ８：Ｙステージ ９：Ｙ駆動源 １０：Ｘ駆動源 １２：制御部 １５．１５ａ、１５ｂ：視野
１図の光学系を拡大して示した説明図、第３図はアライ
メント制御１装置の全体構成を示したブロック図、第３
図は本発明によるアライメント処理を示したフローチャ
ート、第５図は本発明によるウェハのアライメント位置
を示した説明図、第６図は本発明によるアライメント処
理動作をウェハストリートに対する一次元受光素子の受
光出力と共に示した説明図である。 １：発光素子 ２：ハーフミラ− ３ニ一次元受光素子 ４：ウェハ ５：θステージ ６：θ回転駆動源 ７：Ｘステージ ８：Ｙステージ ９：Ｙ駆動源 １０：Ｘ駆動源 １２：制御部 １５．１５ａ、１５ｂ：視野
Claims (1)
- 光源からウェハ表面に照射された光の反射光を受光する
一次元受光素子と、該一次元受光素子の受光出力から前
記ウェハのストリートを認識し該一次元受光素子の全視
野が前記ストリートの内部に入るようにウェハ位置を調
整する制御手段とを備えたことを特徴とするアライメン
ト装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61202345A JP2503991B2 (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | アライメント装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61202345A JP2503991B2 (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | アライメント装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6356933A true JPS6356933A (ja) | 1988-03-11 |
| JP2503991B2 JP2503991B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=16455999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61202345A Expired - Fee Related JP2503991B2 (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | アライメント装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2503991B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006200940A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Japan Atom Power Co Ltd:The | 歪み測定センサ及び弁開閉検出用センサ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58191444A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-08 | Ando Electric Co Ltd | ウエハのストリ−ト検出装置 |
-
1986
- 1986-08-28 JP JP61202345A patent/JP2503991B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58191444A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-08 | Ando Electric Co Ltd | ウエハのストリ−ト検出装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006200940A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Japan Atom Power Co Ltd:The | 歪み測定センサ及び弁開閉検出用センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2503991B2 (ja) | 1996-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2530587B2 (ja) | 位置決め装置 | |
| CN217903093U (zh) | 一种晶片缺口寻边装置和光刻系统 | |
| US4829193A (en) | Projection optical apparatus with focusing and alignment of reticle and wafer marks | |
| JP2003315284A (ja) | パターン検査装置の感度調整方法 | |
| US6226087B1 (en) | Method for measuring the positions of structures on a mask surface | |
| JPS61206584A (ja) | 基板加工装置 | |
| CA2434011A1 (en) | Method and apparatus for aligning diffraction grating | |
| RU2009764C1 (ru) | Способ автоматической ориентации в пространстве исполнительного органа машины с чпу | |
| JP2503991B2 (ja) | アライメント装置 | |
| JP2503992B2 (ja) | アライメント装置 | |
| JPS60774B2 (ja) | パターン検査方式 | |
| JP2513697B2 (ja) | プリアラインメント装置 | |
| JPH03232215A (ja) | 位置合せ方法 | |
| JPH05166702A (ja) | 半導体ウェハアライメント装置 | |
| JPH0338023A (ja) | 基板露光装置の位置合わせ方式 | |
| JP2744658B2 (ja) | 光学部品の取付位置ずれ検出方法 | |
| JPH05190639A (ja) | 焦点合わせ方法および装置 | |
| JPH0513306A (ja) | マスク位置測定装置 | |
| JPS6046361B2 (ja) | 位置合せ装置 | |
| JPH08203819A (ja) | 傾斜計測装置 | |
| JP2674900B2 (ja) | 露光装置における位置決め装置 | |
| JP2797195B2 (ja) | 半導体ウエハ・アライメント方法 | |
| JPS6370519A (ja) | 位置合せ装置 | |
| JPH0782390B2 (ja) | ステージ位置決め方法 | |
| JPH0317503A (ja) | 自動位置合せ計測用センサ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |