JPS6358101A

JPS6358101A - 位置検出装置

Info

Publication number: JPS6358101A
Application number: JP61201418A
Authority: JP
Inventors: Hirochika Abe; 安部　弘哉; Iwao Ayusawa; 鮎沢　巖
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1986-08-29
Filing date: 1986-08-29
Publication date: 1988-03-12

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、外部磁界により抵抗値が変化する磁気抵抗効
果型素子を用いた、位置検出装置に関する。

〔従来の技術〕

磁気抵抗効果型素子（以後、■素子と略す〕は外部磁界
により抵抗値が変化する突子である。従って、皿素子の
抵抗値変化を検出することにより、外部磁界の変化を知
ることができる。

抵抗値の変化の検出法は、種々考案されているが、最も
簡単な方法としては、思素子と固定抵抗器を直列接続し
て直流電圧を印加し、接続点より直流電圧（以下、ＭＲ
出力電圧とする）を取り出し、この直流電圧の変化によ
り皿素子の抵抗値の変化を検出できる。

また、磁気カードの読み取り装置のように、高速で磁界
が変化する場合の抵抗値の変化の検出は例えば、特開昭
６０−４０５０４号公報においては、■素子に直流電圧
を印加し、抵抗値の変化による電流の変化を電圧の変化
に変換し増巾して高周波信号電圧として取り出している
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

■素子による外部磁界変化の検出の応用として、部分的
に着磁されている媒体をステップ状に直線、或いは回転
運動させ、着磁部を検出してその運動を停止させる位置
検出装置がある。

上記、第一の従来技術を用いて着磁部を検出するために
は、上記、■出力電圧に適当なしきい値を設け、独出力
電圧がしきい値を越えることを判定すればよい。しかし
ながら、■素子の抵抗のノ（うつき、温度特性、或いは
経時変化による抵抗の変化により以下の問題が生じる。

上記、■出力電圧は■素子に外部磁界が加わらない場合
の電圧（以下、中点電圧とする）を基準に、外部磁界に
よる抵抗値変化に応じた電圧の変化分（以下、変位電圧
とする）変位する。しかし、上記■素子の素子ごとの抵
抗のバラつき、置特性や経時変化による抵抗の変化によ
り、変位電圧は変わらなくても中点電圧が変化するため
、出力直流電圧の絶対値は変動し、上記しきい値を設定
しなおさなければならない。

また、上記位置検出装置では着磁媒体をステップ状に送
るが、ステップモータな駆動するパルスの飛び込み、パ
ルスを送ってからモータが動くまでの時間遅れ、機構部
のガタ等九より、着磁媒体を動かした直後は、出力直流
電圧は安定していない。このため上記、第１．第２の従
来技術を用いた場合、誤って出力電圧の変化を検出する
可能性がある。

本発明の目的は、上記問題点を考慮して、誤動作の少な
い位置検出装置を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、皿素子の出力電圧を、着磁媒体の動きに同
期し、かつＮＦＬ出力電圧が安定した時にサンプリング
し、サンプリングした値を記憶する記憶回路と次のステ
ップで同様に■出力電圧をサンプリングし、上記記憶さ
れた値と比較する比較手段を設け、各ステップ毎の相対
的な、皿出力電圧の変化を検出することＫより達成され
る。

〔作用〕

サンプリングのタイミングを皿出力電圧が安定した時に
することにより、着磁媒体移動直後の雑音による誤動作
をなくし、またステップ毎の相対的な■出力電圧の変化
を検出することにより、中点電圧の変動による誤動作を
なくすことができる。

〔実施例〕

以下、本発明の詳細を図を用いて説明する。第１図は、
本発明の第１の実施例の構成図である。

１は、所定の位置に着磁された物質（以下、着磁媒体と
呼ぶ）であり、駆動機構２により、ステップ状に移動す
る。３は、皿素子、４は固定抵抗、５は直流電源であり
、前記磁気抵抗効果型素子３と固定抵抗４の直列接続回
路に対して直流電圧を印加するものである。６は、上記
直列接続回路の接続点であり、ここから、ＭＲ素子３と
固定抵抗４とで、前記直流電圧を分圧した直流電圧Ｃ以
下■、４　。

出力電圧と呼ぶ）を取り出す。７は、前記分圧して取り
出した直流電圧をサンプリングするサンプリング回路、
８は、サンプリング回路７でサンプリングされた値を記
憶する記憶回路、９は、上記サンプリングされた値と１
ステツプ前にサンプリングされ記憶回路９に記憶されて
いた値とを比較する比較回路、１０は、制御回路であり
比較回路９の出力に応じてサンプリング回路、及び次に
述べる駆動回路を制御するものである。１１は、先述し
た駆動機構２を駆動する回路である。

尚、第１図に示した構成では、固定された皿素子３に対
して着磁媒体１が働いているが、逆に固定されている着
磁媒体１に対し、■素子３が働いている場合でも、もち
ろんよい。要するに両者が相対的に運動する構造であれ
ばよい。

第２図に、着磁媒体１と胤素子３との相対位置及び皿出
力電圧の波形図を示す。但し、図中１゜３〜５で示した
ものは、第１図で説明したものと同シである。図は、ス
テップ数００時の■素子３と着磁媒体１の相対関係を示
しており、以後所定の時間毎に１ステツプづつステップ
状に着磁媒体１が矢印方向に動くものとする。下段は、
各ステップでの思出力電圧を示すものである。尚、■素
子の抵抗ＲＭＲは外部より磁界が加わった場合、ｌ’ｒ
ＭＲ（ＢＭｕ　＞ＲＭＲ）となり太き（なるものとする
。但し必ずしもこうなる必要はなく　Ｒｊｕ　（ＲＭＲ
でもよい。

この場合、以下説明する電圧の変化が逆になるだけであ
り、電圧の減少を検出するようにすればよい。

まず０ステツプの状態を考える。直流電源５の電圧なＥ
、固定抵抗４の抵抗を鳥とする。この時皿素子３には磁
界が加わっていないので抵抗は＆Ｒである。従って■出
力電圧はＥＲＭＲ／（几ｗｘ　＋　Ｒ，、）である。こ
れをｖＬとする。着磁媒体１が順次矢印方向へ送られた
時７ステツプまでは、■素子３には外部眼界が加わらな
いので０ステツプと同じく皿出力電圧はＶＸ、である。

ところが、第８ステツプでは、■素子３に磁界が加わる
ので、黙素子の抵抗はＦＬｔｕ　（Ｈ，ＭＲ）ｌ’ｊｓ
ｕ＋　）となる。従ってこのときの独出力電圧はｇＲＬ
ｐ　／（Ｒ’ＭＲ十Ｒ１）であり、これをＶ■とすると
Ｖｎ　＞Ｖｚ、である。第９ステツプでは■は子３に磁
界が加わらないので、■出力電圧は再び′冑之なる。

次にこの■出力電圧を用いて、着磁媒体１の着磁部を検
出して、着磁部が丁度狸素子３上に来た時に停止させる
動作について説明する。

今、■素子３と着磁媒体の相対位置が、第２図の第０ス
テツプにあるとする。ここで制御回路１０から駆動回路
１１に信号を送り、着磁媒体を１ステップ動かす。この
時の駆動信号と同期して制御回路１０から、サンプリン
グパルスをサンプリング回路７へ送り、■出力電圧をサ
ンプリングする。サンプリングした信号は、記憶回路８
に記憶する。

続いて、再び着出媒体を１ステップ動かし、これに同期
して、■出力電圧をサンプリングする。このサンプリン
グした信号と、前ステップでサンプリングし記憶してお
いた値を比較回路９で比較する。比較した結果、前記両
信号のレベル差が所定のレベル以下であれば、■出力が
変化していないと判断し、今回サンプリングした信号を
記憶回路に入力したうえで、再び着磁媒体１を１ステッ
プ動かし、前述した過程をたどる。

一方、前記両信号のレベル差が所定のレベル以上であれ
ば皿出力が変化したと判定し、この状態を保ち、着磁媒
体を動かさない。これにより着磁位置の検出が完了する
。なお、判定の際にあるレベル以上の差を必要とするよ
５にしたのは雑音等により、独出力電圧が変動し、この
雑音による変動を誤って検出しないようにするためであ
り、上記判定の際の所定のレベルを、雑音のレベル以上
にとっておけば、雑音により誤動作することはな（′。

また以上の説明では第２図に示すように■出力電圧は１
ステツプ送ると直ちにＶ■かｖＬのいずれかの電圧で安
定するものとした。しかし実際には第１４図に示すよう
にステップモータを動かした直後はモータ駆動用のパル
スの飛び込みや、機構部のガタやモータの応答の遅れ等
によりＭ几出力電圧が安定しないことがある。この非安
定時に■出力電圧をサンプリングすれば正しい位置検出
ができない。そこでモータを動かしてから胤出力電圧が
安定するまでの時間をｔとすると、サンプリングをモー
タを動かしてからｔ秒以上たってから行なう必要がある
。これは制御回路１０において駆動回路１１とサンプリ
ング回路７に送る信号に適当な時間差を持たせればよい
。これは以後述べる全ての実施例においても同様である
。時間ｔは、カム機構のガタや外乱等により定まる。通
常の磁気ディスク装置では数十から数百ｎｓ程度である
。

以下、上記実施例を磁気ディスク装置の磁気ヘッド送り
機構に適用した例について説明する。第３図はヘッド送
り機構の概略構成を示す斜視図である。同図において６
４は磁気ディスクであり、シャーシ７３に固定されたデ
ィスクモータ６３の回転部に設げられた・・ブ７２に載
置されており、所定の回転数で回転する。７１はシャー
シ７３に固定された感知器（ＭＲ素子）である。

一方磁気ヘッド６２はへラドキャリッジ６１の先端に固
定され、磁気ディスク６４と当接している。

ヘッドキャリッジ６１は、ガイド軸７８に案内され摺動
する。ガイド軸７８は、その両端とシャーシ７３に固定
された高さピン６５へ押え板７５をネジ７６で取り付け
ることによって高さと位置を決められている。従って、
磁気ヘッド６２は、矢印７９の方向へ移動が可能となる
。

カム６６は、ディスクモータ６３と同心上に回転穴６９
を持ちディスクモータ６３の下側に回動可として取り付
けられ、第４図に示す如（構成される。

カム６６の外周には、歯車７０が設げられ、パルスモー
タ８２のピニオンギヤ７７とかみ合っている。

カム面６８には、ヘッドキャリッジ６１に固定されたピ
ン６５が適当な圧力で当接している。

カム面６８は、矢印８０方向の回転に伴って、その回転
方向が大となる様に構成される。従ってカム６６の矢印
８０方向の回転によって磁気ヘッド６２は矢印７９方向
（磁気ディスク６４の内周から、外周方向）へ移動する
。

磁性材で作られた着磁リング６７は、カム６６の外周壁
８１の内側へ圧入されており、回転穴６９を中心として
カム６６が回転すると、着磁リング６７も一体となって
回転するようになっている。上記着磁リンク６７が、第
１図の着磁媒体１に相当する。

ここでパルスモータ８２からカム６６への回転速度の減
速比は１：１０とし、パルスモータ８２の１０ステツプ
で磁気ヘッド６２は、１トラツク分の距離移動する。本
来、カムの精度が十分であれば、毎回１０ステツプづつ
パルスモータ８２を送ることにより１トラツクづつ磁気
ヘッド６２を送ることができるが、カム面６８の誤差に
より、数ステップずれ、磁気ヘッド６２が正確にトラッ
ク上に送られないことがある。

そこで本発明を用いて正確に磁気ヘッド６２をトラック
上に送れるよう処する。

第５図は、着磁リング６７と感知器７１の相対的位置関
係を示す図である。

着磁リング６７には、着磁部、無着磁部が交互に形成さ
れており、この着磁部は、カム面６８における停止位置
に対応している。

着磁リング６７の近傍の固定位置に■、素子７１が設け
られている。カム６６を回転させ、■素子７１．１１　
。

の所に着磁部が来れば、同ヘッドの出力直流電圧が変化
するので、先述の方法を用いて検出しパルスモータ８２
の回転を止めれば、正確にトラック上に磁気ヘッド６２
を送ることができる。

本発明の第２の実施例を第６図に示す。図中、１〜６．
１０及び１１は、第１図で説明したものと同じである。

１２〜１４は、スイッチであり、それぞれの開閉は、制
御回路１０により制御される。

１５はコンデンサ１６．１７は抵抗、１８はダイオード
、１９は比較器である。８Ｗ、　１２５Ｗ２１３は、第
１の実施例のサンプリング回路に、コンデンサ１５は同
じく記憶回路８、抵抗１５．１７、ダイオード１８及び
比較器１９で構成される部分が同じく比較回路９にそれ
ぞれ相当する。

尚、比較器１９の出力は、入力の＋側電圧が一側電圧よ
り高い時、高レベルＶ。Ｈ１低い時は、低レベルＶ。Ｌ
となるものとする。

以下、本実施例の動作について説明する。抵抗１６．１
７及び、比較器１９の入力インピーダンスは十分大きい
ものとする。初期状態として、■、素子＋１２゜６と着磁媒体１の相対位置が第２図に示す第０ステツプ
の状態にあり、コンデンサ１５には前述したｔ　圧ＶＬ
　（＝　ＥＲＭＲ／　（Ｒ，十ＲＭＲ）が充電されてお
り、また比較器１９の出力電圧が低レベルにありＶ。Ｌ
（但し、ＶｏＬ＜ｖＬとする）とする。ＳＷ１〜ＳＷ、
は全て開いているとする。この状態から着磁媒体１が１
ステツプ動いた時、これに同期してＳＷ、　１３．５Ｗ
３１４が閉じる。この時、比較器１９の一側端子には、
コンデンサ１５に蓄えられていた電圧ＶＬが加わり、＋
側端子には、皿出力電圧ｖＭＲとコンパレータ出力電圧
Ｖ。Ｌの差を抵抗１６及び１７で分圧した電圧が加わる
。即ちこの電圧をＶｉｎ　　とするとＶｉｎ　　−（Ｖ
ＭＲＶｏＪＲａ／（Ｒ２＋１’％　）となる。今第２図
の第１ステツプの状態にあるとすればＶＭＲはＶＬであ
るからＶｉｎ　は、比較器１９の一側端子電圧Ｖｉｎ（
”ＶＪより低くなる。従って比較器出力はＶ。Ｌのまま
である。比較が終了したら５Ｗ２１３．　ＳＷ、　１４
を開きＳＷ、１２を閉じ、コンデンサ１５に新たに独出
力電圧ＶＭＲを充電し、その後でＳＷ、１２を開く。

次に着磁媒体１を１ステップ送り、前述の動作を行う。

これを繰り返していくが第２図に示す。

第８ステツプでは■出力電圧がｖＨになる。この時の比
較器１９の＋制電圧Ｖ説はＶｉｎ＋＝　（ＶＨＶｏＬ）＆　／（＆十Ｒ，）となる
が、比較器１９の一側電圧Ｖｉπに対してＶｌｆｌ　＞
　ＶｌｎとなるようにＲ２１６とＲ３１７の値を決めておけば比
較器１９の出力は高レベルＶ。Ｈとなる。制御回路１゜
は比較器１９の出力がｖｏＨとなったのを検出しだら着
磁媒体１を駆動するのをやめる。

つまり第１の実施例と同じくサンプリングした値が１ス
テツプ前にサンプリングした値に対して所定のレベル以
上の差がある状態を検出することにより位置検出を行う
。上記所定のレベルは抵抗１（ｔ１６とＲ１１７の値姉
より決まる。

本実施例は、高価な部品を用いないので、安くかつ容易
に実現できる利点がある。

本発明の第３の実施例を第７図に示す。図中１〜６．１
０．１１．１６〜１９は第６図で示したものと同じであ
る。２０はＡ／Ｄ変換器、２１はメモＩＪ　−ＲＡＭ、
２２．２３はＤ／Ａ変換器である。上記Ａ／Ｄ変換器２
０、メモリー２１、Ｄ／Ａ変換器２２．２３の駆動は、
制御回路１０により制御される。本実施例は第２の実施
例のスイッチ１２〜１４、コンデンサ１５をＡ／Ｄ変換
器２０、メモリー２１、Ｄ／Ａ変換器２２゜２３に置き
かえたものであり、基本的な動作は同じである。第２の
実施例では１ステツプ前の狸出力電圧を記憶するために
コンデンサを用いていたが、本実施例では、Ａ／Ｄ変換
した後、メモリー２１に書き込み記憶する。１ステツプ
後これを読み出しＤ／Ａ変換（現在の■出力電圧と比較
器１９で比較する。その他の動作は第２の実施例で説明
したものと同じである。また、本実施例では現ステップ
のＭＲ出力電圧な一担Ａ／Ｄ変換し更にＤ／Ａ変換して
比較器１９に入力しているが、第８図に示す構成にして
、直接、比較器１９に入力しても、もちろんかまわない
。

本発明の第４の実施例を第９図に示す。１〜６゜１１、
２０．２１は既に説明したものと同じである。２４．１
５゜はマイコン、２５は駆動回路１１．Ａ／Ｄ変換器２０を
制御するための制御機能、２６は演算機能でいずれもマ
イコンのソフトウェアにより行う。本実施例の動作は既
に述べた実施例と本質的に同じである。着磁媒体１の動
きと同期して■出力電圧をＡ／Ｄ変換器２０を通してマ
イコンに取り込む。この値をＲＡＭに記憶しておいた１
ステツプ前の値と比較し、その差が所定の値以上であれ
ば駆動をやめるようにする。比較は演算により行う。

本発明の第５の実施例を第１０図に示す。図中３〜６は
既に述べたものと同じである。２７〜３２は抵抗、３３
．３４はコンデンサ、３５．５６はトランジスタ、３７
はダイオード、３８は比較器　、３９は入力端子、４０
は出力端子である。図に示した回路は三角波発生回路及
びこの三角波と漣出力の比較回路よりなる。まず三角波
発生回路について説明する。

今、入力端子３９の電圧Ｖｔが低レベルでダイオードＤ
、３７がオフの状態とするとトランジスタＱ３６のベー
ス電圧は電源電圧Ｖ。を抵抗へとルで分圧したものにな
る。同エミッタ電圧は前記ベース電圧、１６　。

にトランジスタＱ、３６のベース−エミッタ間電圧ＶＢ
Ｅを加えたもの妊なる。これをｖｔｌ、とする。次に入
力端子３９の電圧Ｖｔが高レベルになりダイオード３７
がオンするとトランジスタＱ、のエミッタ電圧が６９の
入力電圧からダイオード３７の順方向電圧を引いたもの
にトランジスタＱ、のＶＢＢを加えた電圧（ＶｔＩＮと
する）になるまでコンデンサＣ２３４に充電される。再
び入力端子を低レベルにするとトランジスタＱ２がオン
し抵抗Ｒ０３２を通して放電されエミッタ電圧はｖｔｂ
になる。このように入力端子３９の電圧Ｖｔを、低レベ
ル、高レベルと順次切り換えることによりトランジスタ
Ｑ！３６のエミッタから三角波を得ることができる。

第１１図に本実施例の回路のタイミングチャートを示す
。上段より着磁媒体１を１ステツプづつ駆動する駆動パ
ルス。２段目が上記パルスに同期したパルスで端子３９
に加えられるパルス。３段目がトランジスタＱ、３６の
エミッタ電圧で前述した説明より図に示すような三角波
となる。また、この波形と重ねて■出力電圧を示す。最
下段は比較器３８の出力で胤出力電圧が三角波より高い
ときは高レベル、低い時は低レベルとなり、図に示すよ
うな波形になる。

各ステップ毎に、例えば三角波が立ち上がった時から比
較器出力が低レベルになるまでの時間を求めれば■出力
電圧が高い時（ｔ、）の方が低い時（ｔｌ＋ｊ３）より
長くなるのは、図から明らかであろう。従ってこの時間
を何らかの方法で計数すれば■１力電圧の高低を判定で
きる。例えば比較器３８の出力をマイコンに取り込み、
同出力電圧が低レベルに落ちるまでの時間をカウントす
る。カウントした値はマイコン内のＲＡＭに格納してお
き次のステップでカウントされた値と比較し、電圧が高
レベルか低レベルかを判定する。即ち本実施例では電圧
をパルス幅に変換しパルス長をカウントするという１種
のＡ／Ｄ変換を行なっているわけである。本実施例では
、高価なＡ／Ｄ変換器を用いないので、低廉化がはかれ
る。

以上説明した第１〜第５の実施例では２端子型のＭＲ素
子を用いた場合について説明した。しかし、上記実施例
は必ずしも２端子型の迎素子に限られず、２個の皿素子
より成る３端子型の■素子を用いても同様の効果が得ら
れる。

第１２図に第６の実施例を示す。これは第１の実施例で
は、２端子型皿素子３と固定抵抗４から成っている検出
部を、２つの皿素子、迎素子人３皿素子Ｂ４１より成る
３端子型皿素子に置き換えたものである。１．２．５〜
１１は既に述べたものと同じである。

各部より磁界が加わらない場合の皿素子の抵抗なＡ、Ｂ
いずれもＲＭＲ１磁界が加わった場合同じ（Ｒ’ＭＲ（
＞　ＲＭＲ）　トＴ　ル。まずＭＲＡ３　、　ＭＲＢ　
４１、いずれにも磁界が加わっていない場合、接続点６
の■出力電圧ＶＭＲをＶＭとするとＶＭ＝　ＥＲＭＲ／（ＲＭＲ＋　ＲＭＲ）　＝、。

となる。次にＭＲ，３に磁界が加わった場合の皿出力電
圧ＶＭＲをＶＬとすると ■ｐ　＝　ＥＲＭＲ／　（＆Ｒ＋　Ｒ’ＭＲ）　＜　Ｖ
Ｍどなる。ＭＲｎ４ｊに磁界が加わった場合の■、出出
力電圧７只ＲＭＲとするとＶＨ＝　ＥＲ’ＭＲ／（ＲＭＲ＋Ｒ’ＭＲ）　＞　ＶＭ
となる。即ち、３端子型のＭＲ素子を用いると、ＶＬ。

ＶＭ、　ＶＨの３種の出力電圧が得られる。第１３図は
着磁媒体１と■素子Ａ６及びＢ４１との相対位置及び各
ステップでの■出力電圧を示すものである。

第０ステツプから第６ステツプまでは胤ｈ　３．ＡｆＬ
Ｂ　４１いずれＫも磁界が加わらないので、■出力電圧
は、ＶＭである。第７ステツプではＭＲＡ３に磁界が加
わるので皿出力電圧はＶＬとなる。第８ステツプではＭ
ＲＢ　４１に磁界が加わり、皿出力電圧はＶＨとなり、
第９ステツプで再びＶＭとなる。この独出力電圧の変化
を既に述べた方法を用い、皿出力電圧が、ＶＨとなる状
態を検出する。３端子型■素子の場合は、２端子型縄素
子に比べて大きな電圧差を得られる。そのため電圧差を
比較検出する場合、しきい値を大きくとれるので雑音に
よる誤動作をより確実になくすことができる。

尚、本実施例は第１の実施例の皿素子を３端子型に置き
換えて説明したが第２〜第５の実施例についても同様に
適用できることは言うまでもない。

また、以上述べた実施例はいずれも着磁媒体とＭＲ，ｆ
、子がステップ状に相対位置を変える機構で説明したが
、連続的に相対位置が変わる機構においても、■出力電
圧な着磁媒体と皿素子の相対運動に同期してサンプリン
グすれば同じ効果が得られる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、ＭＲ比出力安定した状態でサンプリン
グするので、着磁媒体移動直後の雑音による耶出力電圧
の変化を誤まって検出することがなく、また、ステップ
毎の相対的なＭＲ出力電圧の変位を検出するので、経時
変化等で、ＭＲ素子の抵抗が変化して中点電圧が変動し
ても誤動作しないという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第６図、第７図、第８図、第９図、第１０図、
第１２図は、本発明の実施例の構成図、第２図、第５図
、第１６図は、皿素子と着磁媒体の相対位置及び、■出
力波形を示す波形図、第１１図は、第５の実施例のタイ
ミングチャート、第３図と第４図はヘッド送り機構の斜
視図、第１４図は、■出力電圧の波形図である。１・・・着磁媒体、３．４１・・・ＭＲ素子、７・・・サンプリング回路、８・・・記憶回路、９・・・比較回路。

Claims

【特許請求の範囲】

所定位置に磁界を発生するようなされた第１の部材と；
少なくとも一方が磁気抵抗効果型素子である第１、第２
の抵抗素子の直列接続回路を備えた検出手段と；該第１
の部材の所定位置と該検出手段の磁気抵抗効果型素子と
の相対位置を変化させる位置移動手段を有し；上記第１
の抵抗素子と第２の抵抗素子との接続点の直流電圧によ
り、上記第１の部材の所定位置を検出する位置検出装置
において；該位置移動手段の移動速度に同期して上記第
１の抵抗素子と第２の抵抗素子との接続点の直流電圧を
サンプリングするサンプリング手段と；該直流電圧値を
記憶する記憶手段と；所定のサンプリングタイミングで
サンプリングされ該記憶手段に記憶された直流電圧値と
、時間的に連続する次のサンプリングタイミングでサン
プリングされた直流電圧値を比較する比較手段を有し；
前記比較した２値の差が所定のレベル以上になる位置を
検出することにより位置検出を行うことを特徴とする位
置検出装置。