JPS6358829A - 電子線ビ−ムによるパタ−ン形成方法 - Google Patents
電子線ビ−ムによるパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6358829A JPS6358829A JP61202977A JP20297786A JPS6358829A JP S6358829 A JPS6358829 A JP S6358829A JP 61202977 A JP61202977 A JP 61202977A JP 20297786 A JP20297786 A JP 20297786A JP S6358829 A JPS6358829 A JP S6358829A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- exposure
- electron beam
- amount
- correction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は電子線ビームの露光寸法にかかり、特に電子ビ
ーム露光時に生ずるいわゆる電子線のかぶりのＷｅｌｌ
を低減した電子線ビームによるパターン形成方法に関す
る。
ーム露光時に生ずるいわゆる電子線のかぶりのＷｅｌｌ
を低減した電子線ビームによるパターン形成方法に関す
る。
（従来の技術）
微細なパターンを半導体基板上に形成する技術は、半導
体集積回路の製造工程には不可欠である。
体集積回路の製造工程には不可欠である。
このような微細パターンを形成するためのパターン形成
方法として一般に用いられている方法は、基板上にレジ
ストを塗布し、このレジスト層に電子線を照射し必要な
パターンのみを露光しこの露光部分又は未露光部分を現
像液で溶解するという方法である。すなわち、ポジ型レ
ジストを使用した場合には露光部分が溶解され、ネガ型
レジストを使用した場合には未露光部分が溶解すること
によりパターンが形成される。
方法として一般に用いられている方法は、基板上にレジ
ストを塗布し、このレジスト層に電子線を照射し必要な
パターンのみを露光しこの露光部分又は未露光部分を現
像液で溶解するという方法である。すなわち、ポジ型レ
ジストを使用した場合には露光部分が溶解され、ネガ型
レジストを使用した場合には未露光部分が溶解すること
によりパターンが形成される。
現在、メモリ製品を中心として、電子線で描画した５倍
体のレチクルをウェーハ上に縮小投影露光する方法が一
般的に採用されている。さらにパターンが微細化するに
伴いウェーハ上にパターンを電子線で直接描画する方法
も普及しつつある。
体のレチクルをウェーハ上に縮小投影露光する方法が一
般的に採用されている。さらにパターンが微細化するに
伴いウェーハ上にパターンを電子線で直接描画する方法
も普及しつつある。
このように半導体集積回路製造工程において、電子線ビ
ームを用いてパターンを形成する方法はきわめて重要な
位置を占めている。
ームを用いてパターンを形成する方法はきわめて重要な
位置を占めている。
ところが、パターン形成に電子線を用いた場合、電子線
のかぶり効果が問題となる。このかぶり効果を第６図を
参照しながら説明する。第６図は半導体基板に電子線を
照射してパターン形成を行っている状態を示す説明図で
、電子線２は対物レンズ１および対物レンズ絞り３を通
って半導体基板５に照射される。半導体基板５はカセッ
ト６に固定され、カセット６はＸＹステージ７に固定さ
れる。ＸＹステージ７は水平方向に移動するため、半導
体基板５の全面を電子１ｍ２が走査できる。ところが、
照射された電子線２の一部は半導体基板５の表面で反射
し、この反射電子４が遮蔽板８と半導体基板５の間でエ
ネルギーを消失するまで反射を繰返す。このため、図の
直径りの部分が反射電子４による露光の影響を受けるこ
とになり、−般にＬ＝２０ｓ程度である。これが電子の
かぶり効果で、パターンの寸法変動を及ぼす原因となる
。
のかぶり効果が問題となる。このかぶり効果を第６図を
参照しながら説明する。第６図は半導体基板に電子線を
照射してパターン形成を行っている状態を示す説明図で
、電子線２は対物レンズ１および対物レンズ絞り３を通
って半導体基板５に照射される。半導体基板５はカセッ
ト６に固定され、カセット６はＸＹステージ７に固定さ
れる。ＸＹステージ７は水平方向に移動するため、半導
体基板５の全面を電子１ｍ２が走査できる。ところが、
照射された電子線２の一部は半導体基板５の表面で反射
し、この反射電子４が遮蔽板８と半導体基板５の間でエ
ネルギーを消失するまで反射を繰返す。このため、図の
直径りの部分が反射電子４による露光の影響を受けるこ
とになり、−般にＬ＝２０ｓ程度である。これが電子の
かぶり効果で、パターンの寸法変動を及ぼす原因となる
。
第７図に電子線のかぶり効果に起因するパターンの寸法
変動を測定した結果を示す。同図（ａ）は形成しようと
するオリジナルパターンであり、白い部分は露光部分、
黒い部分は非露光部分を示す。パターン中央には直径６
０ａｌ＋の円形の露光パターンが位置し、その中央から
右へ向かって一定幅（通常的１０μ）のストライブ状の
露光パターンが形成されている。このようなパターンを
電子線照射によるレジストパターン形成方法で実際に半
導体基板上に形成させると、電子線のかぶり効果によっ
て寸法誤差が生じる。いま、寸法誤差を、形成されたス
トライプパターンの白い部分の幅によって表わすことに
する。すなわち、第７図（ａ）に示すオリジナルストラ
イプパターンの白い部分の幅をＷとし、実際に半導体基
板上に形成されたストライプパターンの白い部分の幅を
Ｗ′として、この差Δｗ−ｗ’ −ｗをパターンの寸法
誤差としてみる。第７図（ｂ）は、このパターンの寸法
誤差ΔＷをパターンの位置について測定した結果を示す
グラフである。ここで、パターンの位置とは、第７図（
ａ）のストライプパターンの横方向位置を示し、第７図
（ａ）および（ｂ）の横方向位置は対応している。なお
、寸法誤差は現像条件により異なるが、ここでは第７図
（ａ）の円形パターンの円周上に位置するストライプパ
ターンの白い部分の寸法誤差ΔＷが０になるように現像
条件を設定した。第７図（ｂ）に示すように、結果は円
形パターンの中心に近付く程幅が広くなり（ΔＷｈｏ）
、逆に遠ざかる程幅が狭くなる（ΔＷ〈０）。これは円
形パターンの中心は、まわりがほとんど露光部分（白い
部分）であるため電子線のかぶり効果の影響を強く受け
るのに対し、中心から遠ざかるとまわりがほとんど非露
光部分（黒い部分）となるため、電子のかぶり効果の影
響が弱くなるからである。
変動を測定した結果を示す。同図（ａ）は形成しようと
するオリジナルパターンであり、白い部分は露光部分、
黒い部分は非露光部分を示す。パターン中央には直径６
０ａｌ＋の円形の露光パターンが位置し、その中央から
右へ向かって一定幅（通常的１０μ）のストライブ状の
露光パターンが形成されている。このようなパターンを
電子線照射によるレジストパターン形成方法で実際に半
導体基板上に形成させると、電子線のかぶり効果によっ
て寸法誤差が生じる。いま、寸法誤差を、形成されたス
トライプパターンの白い部分の幅によって表わすことに
する。すなわち、第７図（ａ）に示すオリジナルストラ
イプパターンの白い部分の幅をＷとし、実際に半導体基
板上に形成されたストライプパターンの白い部分の幅を
Ｗ′として、この差Δｗ−ｗ’ −ｗをパターンの寸法
誤差としてみる。第７図（ｂ）は、このパターンの寸法
誤差ΔＷをパターンの位置について測定した結果を示す
グラフである。ここで、パターンの位置とは、第７図（
ａ）のストライプパターンの横方向位置を示し、第７図
（ａ）および（ｂ）の横方向位置は対応している。なお
、寸法誤差は現像条件により異なるが、ここでは第７図
（ａ）の円形パターンの円周上に位置するストライプパ
ターンの白い部分の寸法誤差ΔＷが０になるように現像
条件を設定した。第７図（ｂ）に示すように、結果は円
形パターンの中心に近付く程幅が広くなり（ΔＷｈｏ）
、逆に遠ざかる程幅が狭くなる（ΔＷ〈０）。これは円
形パターンの中心は、まわりがほとんど露光部分（白い
部分）であるため電子線のかぶり効果の影響を強く受け
るのに対し、中心から遠ざかるとまわりがほとんど非露
光部分（黒い部分）となるため、電子のかぶり効果の影
響が弱くなるからである。
第８図は実際に半導体チップにレジストパターンを形成
させるのに用いるパターンマスクを示す図である。パタ
ーンマスク９は一部１２０Ｍ１程度の正方形のマスクで
あり、中央部分にオリジナルパターン１０が形成されて
いる。一般に１つの半導体ウェーハは複数の半導体チッ
プにより構成される。第８図に示す例は半導体チップに
より構成される例であり、オリジナルパターン１０も同
一の４つのパターン１０−１〜１０−４により構成され
ている。なお、ここでＸは電子線走査方向を、ＹはＸＹ
ステージの移動方向を示す。
させるのに用いるパターンマスクを示す図である。パタ
ーンマスク９は一部１２０Ｍ１程度の正方形のマスクで
あり、中央部分にオリジナルパターン１０が形成されて
いる。一般に１つの半導体ウェーハは複数の半導体チッ
プにより構成される。第８図に示す例は半導体チップに
より構成される例であり、オリジナルパターン１０も同
一の４つのパターン１０−１〜１０−４により構成され
ている。なお、ここでＸは電子線走査方向を、ＹはＸＹ
ステージの移動方向を示す。
このようなパターンマスク９を用いて電子線照射を行い
、レジストパターンを形成させると、前述した電子線の
かぶり効果によってパターン１０の中央部分と周縁部分
とでは寸法誤差が生じてしまう。すなわち、パターンマ
スク９の中で、露光部分はパターン１０の内部にのみ存
在するので、パターン１０の周縁部分の方が、電子線の
かぶり効果の影響が弱くなるのである。従って、レジス
トパターン形成後、半導体ウェー八をダイシングして、
各半導体チップに分割した場合、第８図のＡ点のパター
ンとＢ点のパターンとの間に寸法誤差が生じてしまうこ
とになる。すなわち、パターン１０がほとんど露光部分
により構成されている場合は、電子線照射が適正焦点で
行われたとしても、Ａ点とＢ点との間で０．２μｍ程度
の寸法差が生じてしまう。焦点がずれている場合にはこ
の差は０．７μｍ程度にも達する。
、レジストパターンを形成させると、前述した電子線の
かぶり効果によってパターン１０の中央部分と周縁部分
とでは寸法誤差が生じてしまう。すなわち、パターンマ
スク９の中で、露光部分はパターン１０の内部にのみ存
在するので、パターン１０の周縁部分の方が、電子線の
かぶり効果の影響が弱くなるのである。従って、レジス
トパターン形成後、半導体ウェー八をダイシングして、
各半導体チップに分割した場合、第８図のＡ点のパター
ンとＢ点のパターンとの間に寸法誤差が生じてしまうこ
とになる。すなわち、パターン１０がほとんど露光部分
により構成されている場合は、電子線照射が適正焦点で
行われたとしても、Ａ点とＢ点との間で０．２μｍ程度
の寸法差が生じてしまう。焦点がずれている場合にはこ
の差は０．７μｍ程度にも達する。
このような電子線のかぶり効果に起因する寸法誤差は寸
法精度を低下させることになり、益々高密度化が要求さ
れる半導体装置の製造技術において極めて重大な問題と
なってきている。
法精度を低下させることになり、益々高密度化が要求さ
れる半導体装置の製造技術において極めて重大な問題と
なってきている。
（発明が解決しようとする問題点）
このように電子線のかぶり効果は寸法精度を低下させ高
集積化の障害となっている。
集積化の障害となっている。
このようなかぶり効果を抑制する方法として第６図に示
した遮蔽板８の構造を変更することが提案されているが
、加工が複雑な上に完全にかぶり効果を無くすまでには
至っていない。
した遮蔽板８の構造を変更することが提案されているが
、加工が複雑な上に完全にかぶり効果を無くすまでには
至っていない。
また遮蔽板８の材質を反射係数の低いベリリウム（Ｂｅ
）、炭１ （Ｃ）等に変更する方法も提案されているが
、Ｂｅは毒性があって危険なこと、Ｃは発寒があること
、あるいは磁気シールドが不完全になるといった問題点
がありかぶり効果を完全に無（すことはできない。
）、炭１ （Ｃ）等に変更する方法も提案されているが
、Ｂｅは毒性があって危険なこと、Ｃは発寒があること
、あるいは磁気シールドが不完全になるといった問題点
がありかぶり効果を完全に無（すことはできない。
そこで、本発明は電子線かぶりの影響を低減し、かつ寸
法精度の高いパターンを形成することのできる電子線ビ
ームによるパターン形成方法を提供することを目的とす
る。
法精度の高いパターンを形成することのできる電子線ビ
ームによるパターン形成方法を提供することを目的とす
る。
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば、形成されるパターンの露光部と未露光
部との面積比である白黒比と露光量との関係を求める第
１の工程と、パターンエツジからの距離とパターン寸法
偏差との関係を求める第２の工程と、単位露光ωあたり
の寸法変化率に基づいてパターン寸法偏差に対する補正
露光通を求める第３の工程と、描画フレーム毎に露光量
を補正露光量で補正を加えながら電子線ビーム照射する
第４の工程とを備えたことを特徴としている。
部との面積比である白黒比と露光量との関係を求める第
１の工程と、パターンエツジからの距離とパターン寸法
偏差との関係を求める第２の工程と、単位露光ωあたり
の寸法変化率に基づいてパターン寸法偏差に対する補正
露光通を求める第３の工程と、描画フレーム毎に露光量
を補正露光量で補正を加えながら電子線ビーム照射する
第４の工程とを備えたことを特徴としている。
（作 用）
このように本発明では電子ビーム描画エリア内の露光用
が均一となるように補正露光を行っている。そのため予
め収集したパターン全体の白黒比やパターンエリアに応
じた寸法変動データを基に補正露光量を割り出す。描画
中の露光量の補正はフレームからフレームへ移動する時
間を利用して電子光学系の自動調整でビーム電流やビー
ム径を変化させることにより実行している。
が均一となるように補正露光を行っている。そのため予
め収集したパターン全体の白黒比やパターンエリアに応
じた寸法変動データを基に補正露光量を割り出す。描画
中の露光量の補正はフレームからフレームへ移動する時
間を利用して電子光学系の自動調整でビーム電流やビー
ム径を変化させることにより実行している。
このため本発明によるパターン成形を行えばパターン領
域やパターンの白黒比によらず再現性よくパターンを形
成できる。
域やパターンの白黒比によらず再現性よくパターンを形
成できる。
（実施例）
以下本発明の実施例をポジ型電子線感応レジストとして
ポリ（トリフルオロエチールーα−りＯロアクリレート
）、現像液として２５℃のＭＩＢＫ（メチル−イソブチ
ル−ケトン）を使用して電子ビームマスクに適用した場
合を例にとって詳細に説明する。
ポリ（トリフルオロエチールーα−りＯロアクリレート
）、現像液として２５℃のＭＩＢＫ（メチル−イソブチ
ル−ケトン）を使用して電子ビームマスクに適用した場
合を例にとって詳細に説明する。
まず電子ビームの露光量の補正をビーム電流を変化させ
ることにより実施する場合の例を説明する。
ることにより実施する場合の例を説明する。
第９図（ｂ）に示されるＡ−Ｆのパターンを有する１０
：１または５：１の複合レティクルおよび第９図（Ｃ）
に示されるマスターマスクの描画エリアａｂｃｄはラス
タースキャン描画方式電子線露光装置を用いて描画する
場合には、第９図（ａ）に示すようにフレームＦと称さ
れる一定のビーム幅例えば２５６μｍでビームをスキャ
ンしながら露光していく。ところが前述のように電子線
のかぶり効果のためメインパターン面内に吸収されるエ
ネルギー密度のばらつきが生ずる。
：１または５：１の複合レティクルおよび第９図（Ｃ）
に示されるマスターマスクの描画エリアａｂｃｄはラス
タースキャン描画方式電子線露光装置を用いて描画する
場合には、第９図（ａ）に示すようにフレームＦと称さ
れる一定のビーム幅例えば２５６μｍでビームをスキャ
ンしながら露光していく。ところが前述のように電子線
のかぶり効果のためメインパターン面内に吸収されるエ
ネルギー密度のばらつきが生ずる。
第１０図はメインパターン１５とアライメントマーク２
０とを有するパターン内においてレジスト中に吸収され
る露光量の面内のばらつきをエネルギー債で示す説明図
である。メインパターン１５内において中央部に照射さ
れるエネルギーがもっとも大きく周辺部において小さく
なる。このため周辺ブラケット中央部とではΔεのエネ
ルギーギャップが発生する。かぶり効果は露光部（Ｗ）
と未露光部（Ｂ）の面積比（以下白黒比という）によっ
ても変化する。。
０とを有するパターン内においてレジスト中に吸収され
る露光量の面内のばらつきをエネルギー債で示す説明図
である。メインパターン１５内において中央部に照射さ
れるエネルギーがもっとも大きく周辺部において小さく
なる。このため周辺ブラケット中央部とではΔεのエネ
ルギーギャップが発生する。かぶり効果は露光部（Ｗ）
と未露光部（Ｂ）の面積比（以下白黒比という）によっ
ても変化する。。
第２図はパターンデータから予め求めた白黒比とパター
ン寸法との関係を示した特性図である。
ン寸法との関係を示した特性図である。
このようなパターン寸法の変化を露光量（ドーズ量）変
化にｔきかえると第３図に示すような特性図両得られる
。
化にｔきかえると第３図に示すような特性図両得られる
。
なおパターン寸法とドーズ量との関係は第４図の示すビ
ーム電流と寸法偏差ΔＷとの関係を用いて算出した。パ
ターン寸法とドーズ量との関係は線型変化をし、０．２
μＣ／ｃｊのドーズ量に対して０．１μｍの寸法変化が
生ずることがわかる。
ーム電流と寸法偏差ΔＷとの関係を用いて算出した。パ
ターン寸法とドーズ量との関係は線型変化をし、０．２
μＣ／ｃｊのドーズ量に対して０．１μｍの寸法変化が
生ずることがわかる。
白黒比Ｗ／（Ｗ＋８）と露光ｆｆ１Ｄとの関係は、Ｄ。
（μＣ／ｃｉ）＝４．６５−０．５（Ｗ／ （Ｗ＋
Ｂ ） ’）−（１）ただし、Ｏ＜Ｗ／ ＜Ｗ＋８）≦
１ となる。０．５μｍアドレスユニットの場合、ビーム電
流ＡｏはＡ、＝１００Ｄ０で表現される。
Ｂ ） ’）−（１）ただし、Ｏ＜Ｗ／ ＜Ｗ＋８）≦
１ となる。０．５μｍアドレスユニットの場合、ビーム電
流ＡｏはＡ、＝１００Ｄ０で表現される。
次に面内のかぶり効果補正を行う。その方法を第１図を
用いて説明する。まずパターンエリアの左端からのパタ
ーン寸法変化を予め実験的に測定し、その結果を数式化
しておく。その際最初のドーズｍは（１）式で与えられ
る。一般にパターンエツジからの距離ｒ（ｊｌｌｌＩ）
とパターン寸法偏差ΔＷ（ｒ）（μｍ）との関係は２次
式で近似され、（ｉ）０≦ｒ＜ｊ ／２−１５ ： β−ｊ−３０ ・・・・・・・・・（２）（ｉｉ）
ｌ ｒ−ｊ ／２ ｌ≦１５＝ΔＷ（ｒ）−α
・・・・・・・・・（３）（ｉｉｉ） ｊ ／
２＋１５＜ｒ≦Ｊ：ΔＷ（ｒ）−ΔＷ（Ｊ）−ｒ）
−・−・・・＜４）で与えられる。ここで１はＸ方向の
パターンサイズ（３０履以上）、α、βは定数である。
用いて説明する。まずパターンエリアの左端からのパタ
ーン寸法変化を予め実験的に測定し、その結果を数式化
しておく。その際最初のドーズｍは（１）式で与えられ
る。一般にパターンエツジからの距離ｒ（ｊｌｌｌＩ）
とパターン寸法偏差ΔＷ（ｒ）（μｍ）との関係は２次
式で近似され、（ｉ）０≦ｒ＜ｊ ／２−１５ ： β−ｊ−３０ ・・・・・・・・・（２）（ｉｉ）
ｌ ｒ−ｊ ／２ ｌ≦１５＝ΔＷ（ｒ）−α
・・・・・・・・・（３）（ｉｉｉ） ｊ ／
２＋１５＜ｒ≦Ｊ：ΔＷ（ｒ）−ΔＷ（Ｊ）−ｒ）
−・−・・・＜４）で与えられる。ここで１はＸ方向の
パターンサイズ（３０履以上）、α、βは定数である。
例えば初期露光量４．４μＣ／ａｊ（ビーム電１４４０
ｎＡ、白黒比Ｗ／ （Ｗ＋８）＝５０％）でＸ方向のパ
ターンサイズｊ＝６０ｍ＋の場合、（ｉ） ０≦ｒ＜
１５： ΔＷ（ｒ）＝−６，６７Ｘ１０’ ｘ ｒ （ｒ ＋ ３０ ） ”・・・” （５）（
ｉｉ） １５≦ｒ≦４５ ： ΔＷ （ｒ） ＝０． １５ ”−＝（６）
（ｉｉｉ） ４５ ＜ ｒ≦６０： △Ｗ （ｒ） ＝Ｗ （６０−ｒ） ＝（７）で表わ
される。
ｎＡ、白黒比Ｗ／ （Ｗ＋８）＝５０％）でＸ方向のパ
ターンサイズｊ＝６０ｍ＋の場合、（ｉ） ０≦ｒ＜
１５： ΔＷ（ｒ）＝−６，６７Ｘ１０’ ｘ ｒ （ｒ ＋ ３０ ） ”・・・” （５）（
ｉｉ） １５≦ｒ≦４５ ： ΔＷ （ｒ） ＝０． １５ ”−＝（６）
（ｉｉｉ） ４５ ＜ ｒ≦６０： △Ｗ （ｒ） ＝Ｗ （６０−ｒ） ＝（７）で表わ
される。
第５図はパターンエツジからの距離ｒとパターン寸法偏
差ΔＷとの関係を（５）〜（７）式に示した近似式で与
えた場合と実測値で与えた場合の両方で示したものであ
る。第５図から明らかなように、近似式と実測値とはほ
ぼ一致している。そこでこの寸法偏差に対し、単位ドー
ズ当りの寸法変化率をγ（μＣ／ａｊ）／μｍとして γ・（ΔＷｌ／２）−ΔＷ（ｒ）） （μＣ／ｄ） ・・・・・・・・・（８）
の補正ドーズΔＴ （ｒ）を与えれば寸法変動は最小に
抑えられることになる。
差ΔＷとの関係を（５）〜（７）式に示した近似式で与
えた場合と実測値で与えた場合の両方で示したものであ
る。第５図から明らかなように、近似式と実測値とはほ
ぼ一致している。そこでこの寸法偏差に対し、単位ドー
ズ当りの寸法変化率をγ（μＣ／ａｊ）／μｍとして γ・（ΔＷｌ／２）−ΔＷ（ｒ）） （μＣ／ｄ） ・・・・・・・・・（８）
の補正ドーズΔＴ （ｒ）を与えれば寸法変動は最小に
抑えられることになる。
実描画に当ってはドーズ量補正を連続的に実行すること
はできないため、フレームごとにビーム電流を変化させ
ながら行う。ｎフレームの代表ドーズｆｆ１Ｄｃ （ｎ
）はｒ−１２８（２ｎ−１）とすることにより、 Ｄ （ｎ）＝Ｄｇ ＋Ｄ （ｒ）−Ｄ、＋Δ
Ｄ （１２８（２ｎ−１） ）・・・・・・・・・（９
） で与えられる。第１図における斜線部がこの補正露光量
を示しており、フレームからフレームへ移る時にこのド
ーズ量補正を実行する。
はできないため、フレームごとにビーム電流を変化させ
ながら行う。ｎフレームの代表ドーズｆｆ１Ｄｃ （ｎ
）はｒ−１２８（２ｎ−１）とすることにより、 Ｄ （ｎ）＝Ｄｇ ＋Ｄ （ｒ）−Ｄ、＋Δ
Ｄ （１２８（２ｎ−１） ）・・・・・・・・・（９
） で与えられる。第１図における斜線部がこの補正露光量
を示しており、フレームからフレームへ移る時にこのド
ーズ量補正を実行する。
例えば、東芝製電子ビーム露光装置ＥＢＭ１３０／４０
を使用した場合、フレームからフレームへの移動時間（
フレーム位置決めに要する時間）は約１．５秒であり、
この時間内に電子光学系の自動調整を行い、ビーム電流
値を補正量だけ変化させれば良い。この補正は非常に短
時間で実施されるため実描画時間が延びるといった影響
は全くない。
を使用した場合、フレームからフレームへの移動時間（
フレーム位置決めに要する時間）は約１．５秒であり、
この時間内に電子光学系の自動調整を行い、ビーム電流
値を補正量だけ変化させれば良い。この補正は非常に短
時間で実施されるため実描画時間が延びるといった影響
は全くない。
次にビーム径を変化させて補正を行う場合について説明
する。
する。
前述したビーム電流を変化させる場合と同様な手法を用
いて予め補正ドーズ量を求めておく。実描画に当っての
ドーズ旦補正をフレームからフレームへの移動時間を利
用してビーム径を自動調整することにより実施する。こ
れはビーム電流が一定の場合ビーム径が大きくなれば実
効ドーズ量が低下することを利用するものである。この
方法を利用する場合には予めビーム径と実効ドーズ量と
の関係式を求めておくことが必要である。
いて予め補正ドーズ量を求めておく。実描画に当っての
ドーズ旦補正をフレームからフレームへの移動時間を利
用してビーム径を自動調整することにより実施する。こ
れはビーム電流が一定の場合ビーム径が大きくなれば実
効ドーズ量が低下することを利用するものである。この
方法を利用する場合には予めビーム径と実効ドーズ量と
の関係式を求めておくことが必要である。
（発明の効果〕
以上実施例に基づいて詳細に説明したように、本発明に
よるパターン形成方法を用いればかぶり効果による基板
面内の寸法ばらつきを従来の半分にまで改善でき、パタ
ーン領域やパターンの白黒比によらず再現性良くレジス
トパターンを形成することができる。さらに現像部分の
寸法が一定になるため現像時間を一定にできるという効
果もある。゛
よるパターン形成方法を用いればかぶり効果による基板
面内の寸法ばらつきを従来の半分にまで改善でき、パタ
ーン領域やパターンの白黒比によらず再現性良くレジス
トパターンを形成することができる。さらに現像部分の
寸法が一定になるため現像時間を一定にできるという効
果もある。゛
第１図は本発明によるフレームごとの補正露光の方法を
説明するための説明図で、斜線部が補正露光量を示す。 第２図はパターンの白黒比とパターン寸法との関係を示
す特性図、第３図はパターンの白黒比と露光量との関係
を示す特性図、第４図はビーム電流とパターン寸法偏差
との関係を示す特性図、第５図はパターンエッチからの
距離とパターン寸法偏差との関係を示す特性図、第６図
は従来の方法に伴うかぶり効果を説明するための説明図
、第７図はかぶり効果の影響をテストするための各パタ
ーン位置におけるパターン寸法誤差を示す説明図、第８
図は半導体チップにレジストパターンを形成するのに用
いられるマスクパターンの平面図、第９図は電子ビーム
露光による描画方式を説明するための説明図、第１０図
はレジスト中に吸収される露光量の面内のばらつきを示
す説明図である。 １・・・対物レンズ、２・・・電子線、３・・・対物レ
ンズ絞り、４・・・反射電子、５・・・半導体基板、８
・・・遮蔽板、９・・・パターンマスク、１０・・・オ
リジナルパターン。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第１図 嘱３図 第４図 第５図 第６図 パターンの位１ 第７図 第８図 （ｂ）’ （Ｃ） 第９図 第１０図
説明するための説明図で、斜線部が補正露光量を示す。 第２図はパターンの白黒比とパターン寸法との関係を示
す特性図、第３図はパターンの白黒比と露光量との関係
を示す特性図、第４図はビーム電流とパターン寸法偏差
との関係を示す特性図、第５図はパターンエッチからの
距離とパターン寸法偏差との関係を示す特性図、第６図
は従来の方法に伴うかぶり効果を説明するための説明図
、第７図はかぶり効果の影響をテストするための各パタ
ーン位置におけるパターン寸法誤差を示す説明図、第８
図は半導体チップにレジストパターンを形成するのに用
いられるマスクパターンの平面図、第９図は電子ビーム
露光による描画方式を説明するための説明図、第１０図
はレジスト中に吸収される露光量の面内のばらつきを示
す説明図である。 １・・・対物レンズ、２・・・電子線、３・・・対物レ
ンズ絞り、４・・・反射電子、５・・・半導体基板、８
・・・遮蔽板、９・・・パターンマスク、１０・・・オ
リジナルパターン。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第１図 嘱３図 第４図 第５図 第６図 パターンの位１ 第７図 第８図 （ｂ）’ （Ｃ） 第９図 第１０図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、形成されるパターンの露光部と未露光部との面積比
である白黒比と露光量との関係を求める第１の工程と、
パターンエッジからの距離とパターン寸法偏差との関係
を求める第２の工程と、単位露光量あたりの寸法変化率
に基づいて前記パターン寸法偏差に対する補正露光量を
求める第３の工程と、描画フレーム毎に前記露光量を前
記補正露光量で補正を加えながら電子線を照射する第４
の工程とを備えたことを特徴とする電子線ビームによる
パターン形成方法。 ２、前記補正としてビーム電流を変化させることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の電子線ビームによる
パターン形成方法。 ３、前記補正としてビーム径を変化させることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の電子線ビームによるパ
ターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61202977A JPS6358829A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 電子線ビ−ムによるパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61202977A JPS6358829A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 電子線ビ−ムによるパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358829A true JPS6358829A (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=16466283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61202977A Pending JPS6358829A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 電子線ビ−ムによるパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6358829A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03183118A (ja) * | 1989-12-12 | 1991-08-09 | Toshiba Corp | 電子ビーム露光方法及びその装置 |
| US6281513B1 (en) | 1998-06-12 | 2001-08-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern forming method |
| JP2006019733A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-19 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | 近接効果補正を制御するためのプロセス |
| JP2006019732A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-19 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | かぶり効果を減少させるための方法 |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP61202977A patent/JPS6358829A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03183118A (ja) * | 1989-12-12 | 1991-08-09 | Toshiba Corp | 電子ビーム露光方法及びその装置 |
| US5177367A (en) * | 1989-12-12 | 1993-01-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of exposure using an electron beam to provide uniform dosage and apparatus therefor |
| US6281513B1 (en) | 1998-06-12 | 2001-08-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern forming method |
| JP2006019733A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-19 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | 近接効果補正を制御するためのプロセス |
| JP2006019732A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-19 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | かぶり効果を減少させるための方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3009923B2 (ja) | フォトリソグラフィのための改善されたマスク | |
| JP3151417B2 (ja) | 光学的プロキシミティ補正方法および装置 | |
| US5994009A (en) | Interlayer method utilizing CAD for process-induced proximity effect correction | |
| JP4177043B2 (ja) | フレア測定用マスク、マスクの製造方法、ウェーハ上にフレア影響領域を設定する方法及びフレアを補正するためのマスク製作方法 | |
| US20030184721A1 (en) | Mask substrate and its manufacturing method | |
| JP2998651B2 (ja) | 露光用設計パターンの修正方法 | |
| US4610948A (en) | Electron beam peripheral patterning of integrated circuits | |
| JPS6358829A (ja) | 電子線ビ−ムによるパタ−ン形成方法 | |
| US5723238A (en) | Inspection of lens error associated with lens heating in a photolithographic system | |
| US6850858B1 (en) | Method and apparatus for calibrating a metrology tool | |
| JP2003209048A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP7803205B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画装置及びプログラム | |
| JP3384880B2 (ja) | 写真製版における焦点合わせ方法 | |
| US6586142B1 (en) | Method to overcome image distortion of lines and contact holes in optical lithography | |
| EP0526039A1 (en) | Method for exposing a pattern plate having an alignment pattern | |
| KR100207445B1 (ko) | 포토마스크 제조방법 | |
| US6429425B1 (en) | Method for forming a calibation standard to adjust a micro-bar of an electron microscope | |
| KR100573469B1 (ko) | 전자빔을 이용하는 포토마스크의 다중 노광방법 | |
| JP2006156864A (ja) | レジストパターン・ライン幅の算出方法、マスクパターン・ライン幅の補正方法、光近接効果補正方法、露光用マスクの作製方法、露光用マスクを作製するための電子線描画方法、露光方法、及び、半導体装置の製造方法 | |
| JP3115517B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| KR0146172B1 (ko) | 노광장치의 렌즈 비점수차 측정방법 | |
| JP2892753B2 (ja) | ホトマスクおよびホトマスクの製造方法 | |
| JP3242989B2 (ja) | アライメントパターンを有するパターン版の修正方法 | |
| JPS6386518A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP4255677B2 (ja) | 露光方法とそれを用いた半導体装置の製造方法 |