JPS6360197A - 化合物半導体薄膜の形成方法 - Google Patents
化合物半導体薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS6360197A JPS6360197A JP20367786A JP20367786A JPS6360197A JP S6360197 A JPS6360197 A JP S6360197A JP 20367786 A JP20367786 A JP 20367786A JP 20367786 A JP20367786 A JP 20367786A JP S6360197 A JPS6360197 A JP S6360197A
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- JP
- Japan
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- thin film
- group
- semiconductor thin
- forming
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は単結晶基板上に該基板とは材質の異なる薄膜を
形成するヘテロエピタキシに係り、特に■族単結晶基板
上に高品質の■−ｖ族化合物半導体薄膜を形成するのに
好適な薄膜形成方法に関する。
形成するヘテロエピタキシに係り、特に■族単結晶基板
上に高品質の■−ｖ族化合物半導体薄膜を形成するのに
好適な薄膜形成方法に関する。
現在、Ｓｉに代表される■族半導体単結晶基板上にＧ
ａ Ａ ｓに代表される■−■族化合物半導体結晶薄膜
を形成する試みが盛んに行われている。これは、このよ
うな薄膜構造が形成できると光素子と電子回路素子のモ
ノリシック化など新しい機能素子の開発が予測されるか
らである。しかしながら、ｍ−ｖ族化合物結晶はｍ族と
■族の２元素から成る有極性材料であるのに対し、■族
単結晶基板は単一元素から成る無極性材料である。従っ
て、■族単結晶基板上にｎｌ−ｖ族化合物半導体１膜を
エピタキシャル成長させようとする場合、ｍ族と■族の
配列の位相がずれ、極性が反転した領域。
ａ Ａ ｓに代表される■−■族化合物半導体結晶薄膜
を形成する試みが盛んに行われている。これは、このよ
うな薄膜構造が形成できると光素子と電子回路素子のモ
ノリシック化など新しい機能素子の開発が予測されるか
らである。しかしながら、ｍ−ｖ族化合物結晶はｍ族と
■族の２元素から成る有極性材料であるのに対し、■族
単結晶基板は単一元素から成る無極性材料である。従っ
て、■族単結晶基板上にｎｌ−ｖ族化合物半導体１膜を
エピタキシャル成長させようとする場合、ｍ族と■族の
配列の位相がずれ、極性が反転した領域。
いわゆるアンチ・フェイズ・ドメインができる場合があ
り、基板面内全域で■族と■族の元素の位相がそろっＺ
ｌたいわゆるシングル・ドメイン単 ・結晶を確実に形
成することは困芝であった。
り、基板面内全域で■族と■族の元素の位相がそろっＺ
ｌたいわゆるシングル・ドメイン単 ・結晶を確実に形
成することは困芝であった。
このような間層を解決するために例えばＳｉ単結晶基板
の温度を４５０°Ｃ以下として非晶質のＧ ａ Ａ ｓ
薄膜を堆積した後、Ｓｉ単結晶基板の温度を６００℃と
してＧａＡｓ単結晶薄膜を成長させるという方法がジャ
パニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィズイッ
クス、２４．６（１９８５年）第Ｌ３９１頁からＬ３９
３頁（Ｊｐｎ、 Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ２４
．６ （１９８５）ｐｐ、Ｌ３９１−３９３）において
論じられており、この方法によりシングル・ドメインの
ＧａＡｓ甲、結晶薄膜を確実に得ることができるように
なった。また、この方法は薄膜形成の初期の段階で基板
温度が低いため薄膜表面の平坦性も優れているという利
点もあった。半導体薄膜の素子応用の観点から薄膜表面
の平坦性は重要である。
の温度を４５０°Ｃ以下として非晶質のＧ ａ Ａ ｓ
薄膜を堆積した後、Ｓｉ単結晶基板の温度を６００℃と
してＧａＡｓ単結晶薄膜を成長させるという方法がジャ
パニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィズイッ
クス、２４．６（１９８５年）第Ｌ３９１頁からＬ３９
３頁（Ｊｐｎ、 Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ２４
．６ （１９８５）ｐｐ、Ｌ３９１−３９３）において
論じられており、この方法によりシングル・ドメインの
ＧａＡｓ甲、結晶薄膜を確実に得ることができるように
なった。また、この方法は薄膜形成の初期の段階で基板
温度が低いため薄膜表面の平坦性も優れているという利
点もあった。半導体薄膜の素子応用の観点から薄膜表面
の平坦性は重要である。
上記従来技術はＳｉ単結晶基板上にシングル・ドメイン
のＧａＡｓ薄膜を形成した一例であるが、初期の薄膜成
長を低温で行っているため結晶性が劣る。結晶性を向上
させるためには例えばＧ ａ Ａ ｓ成板上のＧａＡｓ
薄膜の成長の場合と同じように基板温度を６００℃程度
に高める必要がある。しかし、Ｓｉ基板を用いた場合に
は基板温度を６００℃付近まで高めると、通常の方法で
は膜表面の平坦性が劣り、さらに結晶性も劣ることが前
述の論文にも論じられている。
のＧａＡｓ薄膜を形成した一例であるが、初期の薄膜成
長を低温で行っているため結晶性が劣る。結晶性を向上
させるためには例えばＧ ａ Ａ ｓ成板上のＧａＡｓ
薄膜の成長の場合と同じように基板温度を６００℃程度
に高める必要がある。しかし、Ｓｉ基板を用いた場合に
は基板温度を６００℃付近まで高めると、通常の方法で
は膜表面の平坦性が劣り、さらに結晶性も劣ることが前
述の論文にも論じられている。
本発明の目的は、■族単結晶基板上に■−■族化合物￥
４膜をシングル・ドメイン成長させ、かつ平坦性の優れ
た膜を得るだけでなく、結晶性の優れた単結晶薄膜を形
成することにある。
４膜をシングル・ドメイン成長させ、かつ平坦性の優れ
た膜を得るだけでなく、結晶性の優れた単結晶薄膜を形
成することにある。
上記目的はｍ−ｖ族化合物半導体薄膜を形成する初期の
段階においてＶ族元素を過剰に供給することにより達成
される。
段階においてＶ族元素を過剰に供給することにより達成
される。
例えば、ＧａＡｓ単結晶法板上に分子線エピタキシ法で
Ｇ ａ Ａ ｓ単結晶薄膜を形成する場合、Ｇａの分子
線量に対するＡｓの分子線量の比を５程度から１００程
度とすることにより鏡面でかつ結晶性の良い薄膜が得ら
れる。例えばＳｉ基板上にＧａＡｓ薄膜を形成する初期
段階において、Ｇａに対するＡｓの分子線量比を５０程
度に高めてＧａＡｓ単結晶薄膜の初期成長層を形成した
後、上記分子線量比を５程度としてＱ ａ Ａ ｓ単結
晶薄膜を形成する。なお、膜形成時のＳｉ基板の温度は
薄膜形成の初期段階から６００℃とした。また初期成長
層の厚みは５０〜５００ｎｍ程度が好ましい。
Ｇ ａ Ａ ｓ単結晶薄膜を形成する場合、Ｇａの分子
線量に対するＡｓの分子線量の比を５程度から１００程
度とすることにより鏡面でかつ結晶性の良い薄膜が得ら
れる。例えばＳｉ基板上にＧａＡｓ薄膜を形成する初期
段階において、Ｇａに対するＡｓの分子線量比を５０程
度に高めてＧａＡｓ単結晶薄膜の初期成長層を形成した
後、上記分子線量比を５程度としてＱ ａ Ａ ｓ単結
晶薄膜を形成する。なお、膜形成時のＳｉ基板の温度は
薄膜形成の初期段階から６００℃とした。また初期成長
層の厚みは５０〜５００ｎｍ程度が好ましい。
本発明において、■族単結晶基板上に■−■族化合物半
導体薄膜を形成する初期段階で■族元素に対して■族元
素を過剰に供給することがどのような作用を及ぼして■
族単結晶基板上の■−■族化合物半導体薄膜の結晶性を
高めているか明らかではない。しかしながら、次の実施
例で示すように薄膜形成の初期の段階で■族元素を過剰
に供給することにより■族単結晶基板上のｍ −ｖ １
１化合物半導体薄膜の結晶性が格段に向上することは明
白である。
導体薄膜を形成する初期段階で■族元素に対して■族元
素を過剰に供給することがどのような作用を及ぼして■
族単結晶基板上の■−■族化合物半導体薄膜の結晶性を
高めているか明らかではない。しかしながら、次の実施
例で示すように薄膜形成の初期の段階で■族元素を過剰
に供給することにより■族単結晶基板上のｍ −ｖ １
１化合物半導体薄膜の結晶性が格段に向上することは明
白である。
以下１本発明の実施例により説明する。
実施例１゜
まずＳｉ単結晶基板上に分子線エピタキシ法によりＧ
ａ Ａ ｓ単結晶薄膜を形成した例を第１図により説明
する。
ａ Ａ ｓ単結晶薄膜を形成した例を第１図により説明
する。
基板として直径５０ｍｍのＳｔウェハ１を用いた。
Ｓｔウェハ１の面方位は（１００）面を（０１１）方位
に２ｍ傾けた方位である。このＳｉウェハＩを有機洗浄
した後、硝酸ボイル（９０℃、１０分間）、２．５％弗
酸水溶液浸漬（１分間）、純水洗浄（１０分間）を３回
繰り返した。次に９０℃に加熱したアンモニア水（２０
％）、過酸化水素（２０％）水溶液中に１０分間入れ１
５分間の純水洗浄の後、２．５％弗酸水溶液に１分間浸
漬し、さらに１０分間純水洗浄し、次に９０℃に加熱し
た塩酸（６０％）、過酸化水素水（２０％）水溶液中に
１０分間入れ、ウェハ１の表面に極く薄い（〜５人）酸
化膜を形成した。
に２ｍ傾けた方位である。このＳｉウェハＩを有機洗浄
した後、硝酸ボイル（９０℃、１０分間）、２．５％弗
酸水溶液浸漬（１分間）、純水洗浄（１０分間）を３回
繰り返した。次に９０℃に加熱したアンモニア水（２０
％）、過酸化水素（２０％）水溶液中に１０分間入れ１
５分間の純水洗浄の後、２．５％弗酸水溶液に１分間浸
漬し、さらに１０分間純水洗浄し、次に９０℃に加熱し
た塩酸（６０％）、過酸化水素水（２０％）水溶液中に
１０分間入れ、ウェハ１の表面に極く薄い（〜５人）酸
化膜を形成した。
このＳｉウェハ１をすばやく分子線エピタキシ装置に入
れ１０″″”Ｐａ以下の真空度に排気した後、脱ガス処
理および酸化膜除去処理を行った。
れ１０″″”Ｐａ以下の真空度に排気した後、脱ガス処
理および酸化膜除去処理を行った。
脱ガス処理は基板温度６００℃９時間１０分間。
真空度１０−’Ｐａで酸化膜除去処理は基板温度９００
℃９時間１５分間、真空度１０−’Ｐａで行った。酸化
膜除去の後、基板温度を６００℃として、最初の２時間
は０．Ｏ３ｎｍ／ｓの成長速度でＧａに対するＡｓの分
子線量の比を５０として、２００ｎｍの初期成長Ｇ ａ
Ａ ｓ薄膜２を形成した。引き続いて、次の２時間は
Ｇａ分子線量のみ１０倍に上げて、Ｑａに対するＡｓの
分子線量の比を５として、０ 、３ ｎ ｍ ／ ｓの
成長速度で２μｍのＧａＡｓ薄膜３を形成した。
℃９時間１５分間、真空度１０−’Ｐａで行った。酸化
膜除去の後、基板温度を６００℃として、最初の２時間
は０．Ｏ３ｎｍ／ｓの成長速度でＧａに対するＡｓの分
子線量の比を５０として、２００ｎｍの初期成長Ｇ ａ
Ａ ｓ薄膜２を形成した。引き続いて、次の２時間は
Ｇａ分子線量のみ１０倍に上げて、Ｑａに対するＡｓの
分子線量の比を５として、０ 、３ ｎ ｍ ／ ｓの
成長速度で２μｍのＧａＡｓ薄膜３を形成した。
以上のようにしてＳｉ基板１上に形成したＧ ａ Ａ
ｓ薄膜３の表面は鏡面であり結晶性も優れていた。また
、成長初期から基板温度は６００℃としたが、成長膜は
シングル・ドメインの単結晶であった。第２図は、この
方法で作製したＳｉ基板ｌ上のＧ ａ Ａ ｓ薄膜２，
３のＸ線回折測定曲線である。第２図では、５ｉ（４０
０）回折線と同様にＧａＡｓ （４００）回折線もＣｕ
Ｋ、、１とＫ （＋１’ ２線が明瞭に分離されており
、Ｓｉ基板ｌ上に形成したにａＡｓ薄膜２，３の結晶性
が優れていることがわかる。
ｓ薄膜３の表面は鏡面であり結晶性も優れていた。また
、成長初期から基板温度は６００℃としたが、成長膜は
シングル・ドメインの単結晶であった。第２図は、この
方法で作製したＳｉ基板ｌ上のＧ ａ Ａ ｓ薄膜２，
３のＸ線回折測定曲線である。第２図では、５ｉ（４０
０）回折線と同様にＧａＡｓ （４００）回折線もＣｕ
Ｋ、、１とＫ （＋１’ ２線が明瞭に分離されており
、Ｓｉ基板ｌ上に形成したにａＡｓ薄膜２，３の結晶性
が優れていることがわかる。
実施例２゜
次にＳｉ＠結晶基板上に分子線エピタキシ法によりＩｎ
Ｐ単結晶薄膜を形成した例を第３図により説明する。
Ｐ単結晶薄膜を形成した例を第３図により説明する。
基板には直径５０ｍ＋ｅのＳｉウェハ４を用い、成長前
の基板処理は実施例１と同じ方法で行った。
の基板処理は実施例１と同じ方法で行った。
成長時の基板温度は４５０℃として最初の２時間は０．
Ｏ３ｎｍ／ｓの成長速度でＩｎの分子線量に対するＰの
分子線量の比を５００として２００ｎｍの初期成長Ｉｎ
Ｐ薄膜５を形成した。引き続いて次の６時間はＩｎ分子
線量のみ５倍に上げてＩｎに対するＰの分子線量を１０
０として０．１５ｎｍ／ｓの成長速度で２μｍの厚さの
ＩｎＰ薄膜６を形成した。この場合も実施例Ｉで形成し
たＧａＡｓ薄膜と同様鏡面かつ結晶性の良いＩｎＰ薄膜
６が得られた。
Ｏ３ｎｍ／ｓの成長速度でＩｎの分子線量に対するＰの
分子線量の比を５００として２００ｎｍの初期成長Ｉｎ
Ｐ薄膜５を形成した。引き続いて次の６時間はＩｎ分子
線量のみ５倍に上げてＩｎに対するＰの分子線量を１０
０として０．１５ｎｍ／ｓの成長速度で２μｍの厚さの
ＩｎＰ薄膜６を形成した。この場合も実施例Ｉで形成し
たＧａＡｓ薄膜と同様鏡面かつ結晶性の良いＩｎＰ薄膜
６が得られた。
実施例３゜
さらに、Ｓｉ単結晶基板上に減圧有機金属ＣＶＤ法によ
りＧ ａ Ａ ｓ単結晶薄膜を形成した例を説明する。
りＧ ａ Ａ ｓ単結晶薄膜を形成した例を説明する。
基板およびＧ ａ Ａ ｓ薄膜の構成は第１図と同様で
ある。なお、成長前のＳｉ基板４は有機洗浄の後、５０
％弗酸水溶液に１分間浸漬して乾燥後、ＣＶＤ装置内の
カーボンサセプタ上に設置した。次にＡ５Ｈ３ガスを０
．５％含むＨ２ガスを１００Ｔｏｒｒの圧力で１２００
ｓｅｃｍの流量で流した雰囲気中でＳｉ基板４を１００
０℃に加熱し。
ある。なお、成長前のＳｉ基板４は有機洗浄の後、５０
％弗酸水溶液に１分間浸漬して乾燥後、ＣＶＤ装置内の
カーボンサセプタ上に設置した。次にＡ５Ｈ３ガスを０
．５％含むＨ２ガスを１００Ｔｏｒｒの圧力で１２００
ｓｅｃｍの流量で流した雰囲気中でＳｉ基板４を１００
０℃に加熱し。
１０分間保持した。次にＳｉ基板４の温度を７００℃と
し、ＡｓＨ３およびＧａ （ＣＨ３）３の分圧をそれぞ
れ１０Ｔｏｒｒおよび０．０３Ｔｏｒｒ。
し、ＡｓＨ３およびＧａ （ＣＨ３）３の分圧をそれぞ
れ１０Ｔｏｒｒおよび０．０３Ｔｏｒｒ。
成長管内の圧力を１００Ｔｏｒｒ、原料ガスを希釈する
ために用いたＨ２ガスを含めた全ガス流量を１２００ｓ
ｃｃｍとして１００ ｎ ｍ／ｍｉｎの成長速度で２分
間成長し、２００ｎｍの厚さの初期成長Ｇ ａ Ａ ｓ
薄膜５を形成した。引き続いてＡ５Ｈ３の流量を２０分
の１に減少させて１００ ｎｍ／ｍｉｎの成長速度で２
０分間成長し、厚さ２μｍのＧ ａ Ａ ｓ薄膜６を形
成した。この場合も、実施例１の場合と同様鏡面かつ結
晶性の優れたＧａＡｓ薄膜が得られた。
ために用いたＨ２ガスを含めた全ガス流量を１２００ｓ
ｃｃｍとして１００ ｎ ｍ／ｍｉｎの成長速度で２分
間成長し、２００ｎｍの厚さの初期成長Ｇ ａ Ａ ｓ
薄膜５を形成した。引き続いてＡ５Ｈ３の流量を２０分
の１に減少させて１００ ｎｍ／ｍｉｎの成長速度で２
０分間成長し、厚さ２μｍのＧ ａ Ａ ｓ薄膜６を形
成した。この場合も、実施例１の場合と同様鏡面かつ結
晶性の優れたＧａＡｓ薄膜が得られた。
実施例４゜
実施例１と同様の条件で初期成長時のＧａ分子線量に対
するＡｓ分子線量の比のみを変えて形成したＧ ａ Ａ
ｓ薄膜の結晶性の違いについてＸ線回折ロッキングカ
ーブを測定して調べた。
するＡｓ分子線量の比のみを変えて形成したＧ ａ Ａ
ｓ薄膜の結晶性の違いについてＸ線回折ロッキングカ
ーブを測定して調べた。
第４図は、初期成長時のＧａに対するＡｓ分子線量の比
に対して、作製したＧ ａ Ａ ｓ膜のＸｉ１回路ロッ
キングカーブの半値巾をプロットした図である。初期成
長後のＧａに対するＡｓ分子線量の比はいずれの場合も
５であるが第４図から、初期成長時のＧａに対するＡｓ
分子線量の比は２５以上。
に対して、作製したＧ ａ Ａ ｓ膜のＸｉ１回路ロッ
キングカーブの半値巾をプロットした図である。初期成
長後のＧａに対するＡｓ分子線量の比はいずれの場合も
５であるが第４図から、初期成長時のＧａに対するＡｓ
分子線量の比は２５以上。
すなわち、初期成長後のＧａに対するＡｓ分子線量の比
に対して５倍以上とした場合にＧ ａ Ａ ｓ薄膜の結
晶性向上に効果があるといえる。
に対して５倍以上とした場合にＧ ａ Ａ ｓ薄膜の結
晶性向上に効果があるといえる。
本発明によれば、■族単結晶基板上に■−■族化合物単
結晶薄膜を形成する初期段階において、■族元素を過剰
に供給することにより、高品質のｍ−ｖ族化合物単結晶
薄膜を形成することができた。
結晶薄膜を形成する初期段階において、■族元素を過剰
に供給することにより、高品質のｍ−ｖ族化合物単結晶
薄膜を形成することができた。
■族元素を過剰に供給して形成した初期成長膜の膜厚に
対して、（４００）Ｘ線回折ロッキングカーブ半値巾を
測定した結果として、Ｓｉ基板上のＧ ａ Ａ ｓの成
長の場合について例示すると第５図のようになる。高品
質のＧ ａ Ａ ｓ薄膜をＳｉ基板上に形成するために
は、初期成長膜の厚さは５゜ｎｍ以上であることが望ま
しい。
対して、（４００）Ｘ線回折ロッキングカーブ半値巾を
測定した結果として、Ｓｉ基板上のＧ ａ Ａ ｓの成
長の場合について例示すると第５図のようになる。高品
質のＧ ａ Ａ ｓ薄膜をＳｉ基板上に形成するために
は、初期成長膜の厚さは５゜ｎｍ以上であることが望ま
しい。
また１本発明の実施例は分子線エピタキシ法。
有機金ａｃＶＤ法の場合について示したが、本発明はハ
イドライドＣＶＤ法、クロライドＣＶＤ法等の他の気相
成長法を用いた場合にも有効であると思われる。
イドライドＣＶＤ法、クロライドＣＶＤ法等の他の気相
成長法を用いた場合にも有効であると思われる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例１で作製したＳｉ基板上ＧａＡ
ｓ薄膜の断面構造図、第２図は実施例１で作製したＳｔ
基板上Ｇ ａ Ａ ｓ薄膜のＸ線回折図、第３図は本発
明の実施例２で作製したＳｉ基板上ＧａＡｓ薄膜の断面
構造図、第４図及び第５図は初期成長膜の膜厚を変えて
作製したＳｉ基板上Ｇ ａ Ａ ｓ薄膜について測定し
た（４００）回折ロッキングカーブの半値巾を示す図で
ある。 １・・・Ｓｉ基板、２・・・初期成長Ｇ ａ Ａ ｓ薄
膜、３・・・Ｇ ａ Ａ ｓ薄膜、４・・・Ｓｉ基板、
５・・・初期成長ＩｎＰ薄膜、６−ＩｎＰ薄膜。 ＼−−′ 一一−◆２θ （０） 箪５１］ ｇ ／＋Ａ期販 丁ｓＰ！算・υ（ 戒衣枦シη６珪牒撓鈴勤丸。
ｓ薄膜の断面構造図、第２図は実施例１で作製したＳｔ
基板上Ｇ ａ Ａ ｓ薄膜のＸ線回折図、第３図は本発
明の実施例２で作製したＳｉ基板上ＧａＡｓ薄膜の断面
構造図、第４図及び第５図は初期成長膜の膜厚を変えて
作製したＳｉ基板上Ｇ ａ Ａ ｓ薄膜について測定し
た（４００）回折ロッキングカーブの半値巾を示す図で
ある。 １・・・Ｓｉ基板、２・・・初期成長Ｇ ａ Ａ ｓ薄
膜、３・・・Ｇ ａ Ａ ｓ薄膜、４・・・Ｓｉ基板、
５・・・初期成長ＩｎＰ薄膜、６−ＩｎＰ薄膜。 ＼−−′ 一一−◆２θ （０） 箪５１］ ｇ ／＋Ａ期販 丁ｓＰ！算・υ（ 戒衣枦シη６珪牒撓鈴勤丸。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、IV族単結晶基板上にIII−Ｖ族化合物半導体薄膜を
形成する薄膜の形成方法において、成長初期のIII族の
原子あるいはその原子を含む分子に対するＶ族の原子あ
るいはその原子を含む分子の供給量の比を成長初期後の
該化合物半導体薄膜を形成する際の供給量の比よりも過
剰とすることを特徴とする化合物半導体薄膜の形成方法
。 ２、特許請求の範囲第１項記載の化合物半導体薄膜の形
成方法において、初期成長層の厚さを５０ｎｍ以上とす
ることを特徴とする化合物半導体薄膜の形成方法。 ３、特許請求の範囲第１項又は第２項記載の化合物半導
体薄膜の形成方法において初期成長層形成時のIII族の
原子あるいはその原子を含む分子に対するＶ族の原子あ
るいはその原子を含む分子の供給量の比を段階的に減少
せしめることを特徴とする化合物半導体薄膜の形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20367786A JPH0753631B2 (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 化合物半導体薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20367786A JPH0753631B2 (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 化合物半導体薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6360197A true JPS6360197A (ja) | 1988-03-16 |
| JPH0753631B2 JPH0753631B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=16478016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20367786A Expired - Lifetime JPH0753631B2 (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 化合物半導体薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0753631B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03278426A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-10 | Daido Steel Co Ltd | 化合物半導体の結晶成長法 |
-
1986
- 1986-09-01 JP JP20367786A patent/JPH0753631B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03278426A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-10 | Daido Steel Co Ltd | 化合物半導体の結晶成長法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0753631B2 (ja) | 1995-06-07 |
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