JPS6362098B2 - - Google Patents
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- JPS6362098B2 JPS6362098B2 JP10072281A JP10072281A JPS6362098B2 JP S6362098 B2 JPS6362098 B2 JP S6362098B2 JP 10072281 A JP10072281 A JP 10072281A JP 10072281 A JP10072281 A JP 10072281A JP S6362098 B2 JPS6362098 B2 JP S6362098B2
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- wire
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- B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
- B23K20/004—Wire welding
- B23K20/005—Capillary welding
- B23K20/007—Ball bonding
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- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5525—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising copper [Cu]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
本発明は、ボール接着(ball bonding)により
ワイヤ(線)を他の素子に接続することに関す
る。 ボール接着は、例えば小型素子や小型回路の電
気的な相互接続用として使用される。例えば集積
回路シリコンチツプを基板回路に接続するような
非常に小型の回路には、通常アルミニウム線また
は金線が使用される。典型的には、そのようなワ
イヤの直径は約25μmである。 一つの公知の金線接着技術においては、金線の
一端にボールが形成され、次いでその金のボール
がシリコンチツプあるいは基板回路に熱圧縮接着
または超音波接着により接続される。ボールの形
成は、ワイヤに水素炎を与えるか、あるいは金線
と電極の間に充分な電圧(350Vまたはそれ以上)
を与え、そのギヤツプに放電を起こさせてワイヤ
と電極の間にスパーク放電を発生させることによ
り、形成される。 他の公知の技術では、くさび形の超音波工具を
用いて、アルミニウム線または金線をシリコンチ
ツプ上のパツドまたは基板回路上のパツドに接続
する。しかし、ボール接着はくさび形工具を用い
た接着に対して多くの長所を有する。 ギヤツプ間に電圧を与えることによりワイヤの
端部に接着用のボールを形成することは、上述し
た直径よりも大きな直径、例えば直径200μmの
ワイヤを接着することを可能にする。この程度の
直径の金線またはアルミニウム線は、例えば高電
力の電子回路で使用される。ボール接着法はま
た、他の材料(例えば銅または鋼)のワイヤの使
用や電子工学以外の分野における接着への使用な
どにも応用できる。しかしながら上述のようなワ
イヤ径に対しては、電圧(例えば750V)とキヤ
パシタンス(例えば18μF)の組合せによつて好
ましくない電気的シヨツク発生の原因となる。 本発明によるスパーク放電によりワイヤにボー
ルを形成する方法は、高電圧低電流電源から高電
圧を電極とボールを形成するワイヤの間に与え
て、両者の間にアークを形成し、かつアークが形
成されると上記高電圧が無効になる初期工程と;
そして一旦アークが形成されると、高電流低電圧
電源からボールを形成するための電流を取り出す
工程からなる。 上記方法を実現する本発明の装置は、電極と;
ワイヤ先端と電極の間にスパーク放電が発生する
ギヤツプを形成するようにワイヤを支持するワイ
ヤ保持具と;第1の電源回路が第2の電源回路よ
りも高い電圧と低い電流を供給するような第1お
よび第2の電源回路と;初期には第1の高電圧回
路をワイヤと電極の間に接続して両者の間に高電
圧低電流を印加してアーク放電を開始させ、そし
て次に第2の低電圧電源をアークに接続して低電
圧高電流をワイヤと電極の間のギヤツプに通じて
ボールを形成し、高電圧回路がアークが形成され
るまでの間有効であるような回路手段からなる。 例として、低電圧高キヤパシタンス電源の一出
力端と高電圧低キヤパシタンス電源の一出力端が
共通のSCR(サイリスタ)を介してワイヤまたは
電極に接続され、そしてSCRを点火してそれに
よりギヤツプ間に電源を接続するためのスイツチ
手段が設けられる。SCRの点火と同時に、低電
圧電源のスイツチが開成する。 アークを安定させるために従来提案されたこと
は、アークの消滅を防止するためにアークが高い
電圧を必要とする条件の下では、高電圧電源から
の高電圧によりアークを得、かつそのような必要
性がない場合にはアークを低電圧電源から供給す
るというような方法で、高電圧低電流電源と低電
圧高電流電源を接続するものである。しかしなが
らそのような接続では、アークの消滅を防止する
ために、高電圧電源が永久的に印加される。これ
に対して本発明の回路では、高電圧電源は一旦ア
ークが形成されると実質的に無効になり、かつ続
いて起こるアークの消滅を防止することができな
い。高電圧電源は結局再び充電されることはな
い。 本発明を明確に理解するため、本発明を具体化
した2つの方法と装置を以下に説明する。 ワイヤの端部にボールを形成するために、ワイ
ヤ1の先端と電極9の間の約0.005インチ(0.125
mm)のギヤツプにスパーク放電が発生される。電
極9は前部11(図に断面で示す)が透明に形成
された保持具10内に支持され、保持具10は軸
転自在なアーム12の端部に取り付けられる。駆
動手段14によつて回転されるカム13によつて
アーム12が揺動され、第1図に示すボール形成
位置に電極を移動し、次いで接着が可能な位置に
アーム12を引き込ませる。電極保持具10の透
明な前部11には、ノズル先端とワイヤを保持具
10内に挿入させる開口15が形成される。 シールドガス供給源24が管25を介して保持
具10の内部に連通され、必要に応じて(例えば
アルミニウム線の場合)使用される。アーク放電
の間は、シールドガスは電極9に沿つてワイヤ先
端に向けて流れ、開口15から外部へ排出され
る。 ワイヤと電極間のスパーク放電によりワイヤ端
部にボールが形成される。カム13が回転を続け
るに従い、電極が引つ込む。 駆動手段14はまた別のカム30を駆動する。
このカム30は、端部に伝導性クランプ3を取り
付けたアーム32を軸33周りにフオロワ31を
介して揺動させる。超音波トランスデユーサ6も
同じく軸33周りに揺動する。第1図に示す位置
では、カム30はアーム32とトランスデユーサ
6とを揺動させて伝導性クランプ3と毛細管状ノ
ズル4を工作物の上方に持ち上げ、ボールを形成
させる。ボールの形成が終ると、カム30の回転
によつて伝導性クランプ3と毛細管状ノズル4が
下方に揺動し、ボールをマイクロ回路に接触させ
る。スプリング34はフオロワ31を常時カム3
0に接触させる。次いで超音波トランスデユーサ
6が励起され、超音波ホーン5を介してノズルお
よびワイヤ端部のボールをマイクロ回路に向けて
振動させ、公知の方法で超音波接着を行なう。 上記の方法でワイヤがマイクロ回路に接着され
ると、ワイヤは取出し端子35に接続することが
できる。ワイヤを端子35に接続する方法は本発
明の特徴ではないが、実用上は、得られる接着面
積が大きいのでくさび型接着が行われる。しか
し、マイクロ回路に接続させるためには、得られ
る接着面積が小さく、接着を行なうために必要な
エネルギ量がより臨界的である。必要であれば毛
細管状ノズル4を用いて公知の方法で取出し端子
にくさび型接着を行うことができる。 本発明の第1実施例を示す第2図において、
240Vの電源が2つの並列の巻線40と42に印
加される。巻線40は可変トランスの巻線で、ト
ランスのワイパは別のトランス44に接続され
る。巻線42は2つの2次巻線46と48を有す
る。 低電圧電源として、巻線44は全波整流器5
0、スイツチS1aおよび33Ωの抵抗51を介し
て、本実施例では14000μFの値を持つコンデンサ
52に接続される。コンデンサ52の出力側で
は、一方の出力線が出力端子54に直接延び、か
つ他方の出力線が2.8Ωの抵抗56、整流器58
およびサイリスタ60を介してもう一方の出力端
子62に延びる。出力端子62と54は第1図に
対応して付番された端子に接続される。 高電圧電源は、整流器64と66およびコンデ
ンサ68と70とを含む倍電圧器と2次巻線46
とを組み合わせて得られる。倍電圧器の一方側は
直接出力端子54に接続される。他方側は1MΩ
の抵抗72、200Ωの抵抗74およびサイリスタ
60を介して出力端子62に接続される。
0.005μFのコンデンサ76が抵抗72と74の接
続点と出力端子54に接続される出力線の間に接
続される。 巻線48はサイリスタ60用の制御電圧を与え
る。巻線48は全波整流器78を介してコンデン
サ80(470μF)の両端に接続され、コンデンサ
80の一方側はサイリスタ60のカソードに直接
接続され、他方側は抵抗82およびスイツチS1
b(スイツチS1aと連結されている)を介して
サイリスタ60のゲートに接続される。 ボールを形成する場合は、トランス40および
42への電源回路のスイツチS2が閉成されて回
路を励起する。コンデンサ52が33Ωの抵抗51
を介して例えば60Vの電圧に充電される。コンデ
ンサ76は1MΩの抵抗72を介して(例えば
660V)の高電圧に充電される。コンデンサ80
はサイリスタ60を点火するのに適した電圧に充
電される。 次に連結されているスイツチS1aとS1bが
それぞれ開成および閉成され、スイツチS1aは
大容量のコンデンサ52を充電状態に残し、そし
てスイツチS1bを閉成した結果サイリスタ60
が点火され、導電路を形成して高電圧のコンデン
サ76によりワイヤと電極間のギヤツプに放電さ
せ、従つてアークを形成する。一旦コンデンサ7
6が放電されると、抵抗72の値が大きいため
に、コンデンサ76はボール形成サイクルの期間
中は高電圧レベルに再び充電することができな
い。また、抵抗74の値(200Ω)が低電圧回路
内の抵抗56の値(2.8Ω)に比較して大きいた
めに、コンデンサ76はギヤツプに高電流を供給
することもできない。サイリスタ60が点火され
ると、先ず回路の出力端子間の高電圧によつてダ
イオード58が逆バイアスになり、ダイオード5
8によつてコンデンサ52が出力端子から絶縁さ
れる。一旦コンデンサ76が放電されると、ギヤ
ツプ間の電圧が落ち、その電圧がコンデンサ52
の充電電圧より小さい値になると、次にコンデン
サ52がダイオード58によりコンデンサ76に
より供給された電流よりもはるかに大きな電流を
ギヤツプ間に放電する。これによりワイヤにボー
ルが形成される。 大きなキヤパシタンスと組み合わされた低電圧
電源も、小さなキヤパシタンスと高い充放電抵抗
と組み合わされた高電圧電源も、どちらも操作者
にとつて危険を構成するものとはならない。すな
わち、高電圧回路の高抵抗は、一旦アークが形成
されると高電圧は事実上存在しないということを
意味する。 低電圧電源の電圧は、安全規準に従うために
100V以下であることが好ましい。イギリス規準
638、第2部、1978年では、このような装置にお
いては「無負荷電圧」は直流機器に対してリプル
10%で100V(平均値)を超えてはならないこと
が要求されている。同じ要求がアーク溶接機器の
無負荷電圧に関する最終調整書、セネレク26
(SEC)23E、1973年6月にも見い出される。
アークを維持するためには、最小40Vの電圧が一
般に必要である。 第3A図は、高電圧における放電サイクルの初
期の短かい段階についての時間に対する電流のグ
ラフである。第2のより長い段階が第3図Bに示
される。アークに沿う電流を測定することは難し
いので、電流は代わりに抵抗負荷により測定し
た。第3図Bにおいて、1.1×103μFのコンデンサ
52と2.8Ωの抵抗56に対しては、電流は3m
s程度の間に時定数(63%まで)だけ落ちる。 アルミニウム線にボールを形成する時にシール
ドガスを使用することは既に述べた。本出願人に
係るイギリス特許出願No.31346/77において説明
されているように、スパーク放電技術を用いてア
ルミニウム線にボール接着を行なう際に最初に経
験する問題は、形成されたボールは全く酸化され
ていて使用できないということであつた。保護雰
囲気中でアルミニウム線にボールを形成する試み
がなされた時は、グロー放電はボールが形成され
ないという結果になつた。この問題は、ワイヤの
断面のピーク電流密度が1.2×109A/m2から13.5
×109A/m2の間であるように回路の抵抗を設定
することにより解決した。上記の電流密度は、従
来金線のボール接着に用いられていた電流密度の
40から400倍であつた。 種々の材料および種々の直径のワイヤについて
使用される電圧値とキヤパシタンス値の実際例
を、以下の表に示す。
ワイヤ(線)を他の素子に接続することに関す
る。 ボール接着は、例えば小型素子や小型回路の電
気的な相互接続用として使用される。例えば集積
回路シリコンチツプを基板回路に接続するような
非常に小型の回路には、通常アルミニウム線また
は金線が使用される。典型的には、そのようなワ
イヤの直径は約25μmである。 一つの公知の金線接着技術においては、金線の
一端にボールが形成され、次いでその金のボール
がシリコンチツプあるいは基板回路に熱圧縮接着
または超音波接着により接続される。ボールの形
成は、ワイヤに水素炎を与えるか、あるいは金線
と電極の間に充分な電圧(350Vまたはそれ以上)
を与え、そのギヤツプに放電を起こさせてワイヤ
と電極の間にスパーク放電を発生させることによ
り、形成される。 他の公知の技術では、くさび形の超音波工具を
用いて、アルミニウム線または金線をシリコンチ
ツプ上のパツドまたは基板回路上のパツドに接続
する。しかし、ボール接着はくさび形工具を用い
た接着に対して多くの長所を有する。 ギヤツプ間に電圧を与えることによりワイヤの
端部に接着用のボールを形成することは、上述し
た直径よりも大きな直径、例えば直径200μmの
ワイヤを接着することを可能にする。この程度の
直径の金線またはアルミニウム線は、例えば高電
力の電子回路で使用される。ボール接着法はま
た、他の材料(例えば銅または鋼)のワイヤの使
用や電子工学以外の分野における接着への使用な
どにも応用できる。しかしながら上述のようなワ
イヤ径に対しては、電圧(例えば750V)とキヤ
パシタンス(例えば18μF)の組合せによつて好
ましくない電気的シヨツク発生の原因となる。 本発明によるスパーク放電によりワイヤにボー
ルを形成する方法は、高電圧低電流電源から高電
圧を電極とボールを形成するワイヤの間に与え
て、両者の間にアークを形成し、かつアークが形
成されると上記高電圧が無効になる初期工程と;
そして一旦アークが形成されると、高電流低電圧
電源からボールを形成するための電流を取り出す
工程からなる。 上記方法を実現する本発明の装置は、電極と;
ワイヤ先端と電極の間にスパーク放電が発生する
ギヤツプを形成するようにワイヤを支持するワイ
ヤ保持具と;第1の電源回路が第2の電源回路よ
りも高い電圧と低い電流を供給するような第1お
よび第2の電源回路と;初期には第1の高電圧回
路をワイヤと電極の間に接続して両者の間に高電
圧低電流を印加してアーク放電を開始させ、そし
て次に第2の低電圧電源をアークに接続して低電
圧高電流をワイヤと電極の間のギヤツプに通じて
ボールを形成し、高電圧回路がアークが形成され
るまでの間有効であるような回路手段からなる。 例として、低電圧高キヤパシタンス電源の一出
力端と高電圧低キヤパシタンス電源の一出力端が
共通のSCR(サイリスタ)を介してワイヤまたは
電極に接続され、そしてSCRを点火してそれに
よりギヤツプ間に電源を接続するためのスイツチ
手段が設けられる。SCRの点火と同時に、低電
圧電源のスイツチが開成する。 アークを安定させるために従来提案されたこと
は、アークの消滅を防止するためにアークが高い
電圧を必要とする条件の下では、高電圧電源から
の高電圧によりアークを得、かつそのような必要
性がない場合にはアークを低電圧電源から供給す
るというような方法で、高電圧低電流電源と低電
圧高電流電源を接続するものである。しかしなが
らそのような接続では、アークの消滅を防止する
ために、高電圧電源が永久的に印加される。これ
に対して本発明の回路では、高電圧電源は一旦ア
ークが形成されると実質的に無効になり、かつ続
いて起こるアークの消滅を防止することができな
い。高電圧電源は結局再び充電されることはな
い。 本発明を明確に理解するため、本発明を具体化
した2つの方法と装置を以下に説明する。 ワイヤの端部にボールを形成するために、ワイ
ヤ1の先端と電極9の間の約0.005インチ(0.125
mm)のギヤツプにスパーク放電が発生される。電
極9は前部11(図に断面で示す)が透明に形成
された保持具10内に支持され、保持具10は軸
転自在なアーム12の端部に取り付けられる。駆
動手段14によつて回転されるカム13によつて
アーム12が揺動され、第1図に示すボール形成
位置に電極を移動し、次いで接着が可能な位置に
アーム12を引き込ませる。電極保持具10の透
明な前部11には、ノズル先端とワイヤを保持具
10内に挿入させる開口15が形成される。 シールドガス供給源24が管25を介して保持
具10の内部に連通され、必要に応じて(例えば
アルミニウム線の場合)使用される。アーク放電
の間は、シールドガスは電極9に沿つてワイヤ先
端に向けて流れ、開口15から外部へ排出され
る。 ワイヤと電極間のスパーク放電によりワイヤ端
部にボールが形成される。カム13が回転を続け
るに従い、電極が引つ込む。 駆動手段14はまた別のカム30を駆動する。
このカム30は、端部に伝導性クランプ3を取り
付けたアーム32を軸33周りにフオロワ31を
介して揺動させる。超音波トランスデユーサ6も
同じく軸33周りに揺動する。第1図に示す位置
では、カム30はアーム32とトランスデユーサ
6とを揺動させて伝導性クランプ3と毛細管状ノ
ズル4を工作物の上方に持ち上げ、ボールを形成
させる。ボールの形成が終ると、カム30の回転
によつて伝導性クランプ3と毛細管状ノズル4が
下方に揺動し、ボールをマイクロ回路に接触させ
る。スプリング34はフオロワ31を常時カム3
0に接触させる。次いで超音波トランスデユーサ
6が励起され、超音波ホーン5を介してノズルお
よびワイヤ端部のボールをマイクロ回路に向けて
振動させ、公知の方法で超音波接着を行なう。 上記の方法でワイヤがマイクロ回路に接着され
ると、ワイヤは取出し端子35に接続することが
できる。ワイヤを端子35に接続する方法は本発
明の特徴ではないが、実用上は、得られる接着面
積が大きいのでくさび型接着が行われる。しか
し、マイクロ回路に接続させるためには、得られ
る接着面積が小さく、接着を行なうために必要な
エネルギ量がより臨界的である。必要であれば毛
細管状ノズル4を用いて公知の方法で取出し端子
にくさび型接着を行うことができる。 本発明の第1実施例を示す第2図において、
240Vの電源が2つの並列の巻線40と42に印
加される。巻線40は可変トランスの巻線で、ト
ランスのワイパは別のトランス44に接続され
る。巻線42は2つの2次巻線46と48を有す
る。 低電圧電源として、巻線44は全波整流器5
0、スイツチS1aおよび33Ωの抵抗51を介し
て、本実施例では14000μFの値を持つコンデンサ
52に接続される。コンデンサ52の出力側で
は、一方の出力線が出力端子54に直接延び、か
つ他方の出力線が2.8Ωの抵抗56、整流器58
およびサイリスタ60を介してもう一方の出力端
子62に延びる。出力端子62と54は第1図に
対応して付番された端子に接続される。 高電圧電源は、整流器64と66およびコンデ
ンサ68と70とを含む倍電圧器と2次巻線46
とを組み合わせて得られる。倍電圧器の一方側は
直接出力端子54に接続される。他方側は1MΩ
の抵抗72、200Ωの抵抗74およびサイリスタ
60を介して出力端子62に接続される。
0.005μFのコンデンサ76が抵抗72と74の接
続点と出力端子54に接続される出力線の間に接
続される。 巻線48はサイリスタ60用の制御電圧を与え
る。巻線48は全波整流器78を介してコンデン
サ80(470μF)の両端に接続され、コンデンサ
80の一方側はサイリスタ60のカソードに直接
接続され、他方側は抵抗82およびスイツチS1
b(スイツチS1aと連結されている)を介して
サイリスタ60のゲートに接続される。 ボールを形成する場合は、トランス40および
42への電源回路のスイツチS2が閉成されて回
路を励起する。コンデンサ52が33Ωの抵抗51
を介して例えば60Vの電圧に充電される。コンデ
ンサ76は1MΩの抵抗72を介して(例えば
660V)の高電圧に充電される。コンデンサ80
はサイリスタ60を点火するのに適した電圧に充
電される。 次に連結されているスイツチS1aとS1bが
それぞれ開成および閉成され、スイツチS1aは
大容量のコンデンサ52を充電状態に残し、そし
てスイツチS1bを閉成した結果サイリスタ60
が点火され、導電路を形成して高電圧のコンデン
サ76によりワイヤと電極間のギヤツプに放電さ
せ、従つてアークを形成する。一旦コンデンサ7
6が放電されると、抵抗72の値が大きいため
に、コンデンサ76はボール形成サイクルの期間
中は高電圧レベルに再び充電することができな
い。また、抵抗74の値(200Ω)が低電圧回路
内の抵抗56の値(2.8Ω)に比較して大きいた
めに、コンデンサ76はギヤツプに高電流を供給
することもできない。サイリスタ60が点火され
ると、先ず回路の出力端子間の高電圧によつてダ
イオード58が逆バイアスになり、ダイオード5
8によつてコンデンサ52が出力端子から絶縁さ
れる。一旦コンデンサ76が放電されると、ギヤ
ツプ間の電圧が落ち、その電圧がコンデンサ52
の充電電圧より小さい値になると、次にコンデン
サ52がダイオード58によりコンデンサ76に
より供給された電流よりもはるかに大きな電流を
ギヤツプ間に放電する。これによりワイヤにボー
ルが形成される。 大きなキヤパシタンスと組み合わされた低電圧
電源も、小さなキヤパシタンスと高い充放電抵抗
と組み合わされた高電圧電源も、どちらも操作者
にとつて危険を構成するものとはならない。すな
わち、高電圧回路の高抵抗は、一旦アークが形成
されると高電圧は事実上存在しないということを
意味する。 低電圧電源の電圧は、安全規準に従うために
100V以下であることが好ましい。イギリス規準
638、第2部、1978年では、このような装置にお
いては「無負荷電圧」は直流機器に対してリプル
10%で100V(平均値)を超えてはならないこと
が要求されている。同じ要求がアーク溶接機器の
無負荷電圧に関する最終調整書、セネレク26
(SEC)23E、1973年6月にも見い出される。
アークを維持するためには、最小40Vの電圧が一
般に必要である。 第3A図は、高電圧における放電サイクルの初
期の短かい段階についての時間に対する電流のグ
ラフである。第2のより長い段階が第3図Bに示
される。アークに沿う電流を測定することは難し
いので、電流は代わりに抵抗負荷により測定し
た。第3図Bにおいて、1.1×103μFのコンデンサ
52と2.8Ωの抵抗56に対しては、電流は3m
s程度の間に時定数(63%まで)だけ落ちる。 アルミニウム線にボールを形成する時にシール
ドガスを使用することは既に述べた。本出願人に
係るイギリス特許出願No.31346/77において説明
されているように、スパーク放電技術を用いてア
ルミニウム線にボール接着を行なう際に最初に経
験する問題は、形成されたボールは全く酸化され
ていて使用できないということであつた。保護雰
囲気中でアルミニウム線にボールを形成する試み
がなされた時は、グロー放電はボールが形成され
ないという結果になつた。この問題は、ワイヤの
断面のピーク電流密度が1.2×109A/m2から13.5
×109A/m2の間であるように回路の抵抗を設定
することにより解決した。上記の電流密度は、従
来金線のボール接着に用いられていた電流密度の
40から400倍であつた。 種々の材料および種々の直径のワイヤについて
使用される電圧値とキヤパシタンス値の実際例
を、以下の表に示す。
【表】
【表】
本発明は、鋼線、プラチナ線および銅ニツケル
線にボールを形成する場合にも使用できる。 ワイヤの極性を正にした場合に形成されるボー
ルよりも、ワイヤの極性を負にした方がアルミニ
ウムおよびその合金に形成されるボールの品質が
良く、他の条件が同じ場合は、形成されるボール
の大きさが大きいことが判明した。しかしなが
ら、鉄の場合は逆で、ワイヤを正極にする方が好
ましい。貴金属(例えばプラチナおよび金)につ
いては、極性をどちらにしても良品質のボールが
得られ、主な相違はボールの大きさであり、これ
ら貴金属では、ワイヤを正極にした方が負極にし
た場合よりも大きなボールが得られる。 上述の実施例では、キヤパシタンスと抵抗を用
いて異なつた値の電流と充電電荷とを得る回路に
ついて説明した。電子的電源が上述した回路の出
力波形に類似するように設定することにより、所
望の放電特性を得ることも可能である。あるい
は、予め定められた時間だけ一定電流の放電を与
えるような方法で、電源を動作させることもでき
る。いずれの場合でも、高電圧によつてプロセス
を開始することが必要で、一旦開始されると、プ
ロセスはより低い電源電圧レベルで継続される。 第4図は、一定電流の電源を用いた本発明の第
2実施例による装置をブロツク図で示す。初期放
電は一定電流の電源によつて650Vおよび3Aで
100μs間与えられ、この期間は時間制御によつて
調節される。この初期期間は第5図の電流−時間
グラフで「A」で表示される。第1の定電流電源
と同一の回路の他の一部である第2の定電流電源
によつて、初期の高電圧放電が完了した時に、よ
り長い期間の間パワー放電が行われる。第2の放
電は第5図に領域「B」で示すように、100Vお
よび10Aで10msまたは20msまでの調節自在の
期間の間行われる。
線にボールを形成する場合にも使用できる。 ワイヤの極性を正にした場合に形成されるボー
ルよりも、ワイヤの極性を負にした方がアルミニ
ウムおよびその合金に形成されるボールの品質が
良く、他の条件が同じ場合は、形成されるボール
の大きさが大きいことが判明した。しかしなが
ら、鉄の場合は逆で、ワイヤを正極にする方が好
ましい。貴金属(例えばプラチナおよび金)につ
いては、極性をどちらにしても良品質のボールが
得られ、主な相違はボールの大きさであり、これ
ら貴金属では、ワイヤを正極にした方が負極にし
た場合よりも大きなボールが得られる。 上述の実施例では、キヤパシタンスと抵抗を用
いて異なつた値の電流と充電電荷とを得る回路に
ついて説明した。電子的電源が上述した回路の出
力波形に類似するように設定することにより、所
望の放電特性を得ることも可能である。あるい
は、予め定められた時間だけ一定電流の放電を与
えるような方法で、電源を動作させることもでき
る。いずれの場合でも、高電圧によつてプロセス
を開始することが必要で、一旦開始されると、プ
ロセスはより低い電源電圧レベルで継続される。 第4図は、一定電流の電源を用いた本発明の第
2実施例による装置をブロツク図で示す。初期放
電は一定電流の電源によつて650Vおよび3Aで
100μs間与えられ、この期間は時間制御によつて
調節される。この初期期間は第5図の電流−時間
グラフで「A」で表示される。第1の定電流電源
と同一の回路の他の一部である第2の定電流電源
によつて、初期の高電圧放電が完了した時に、よ
り長い期間の間パワー放電が行われる。第2の放
電は第5図に領域「B」で示すように、100Vお
よび10Aで10msまたは20msまでの調節自在の
期間の間行われる。
第1図はワイヤと電極をギヤツプ形成位置に支
持した状態を示す本発明装置の正面図、第2図は
本発明の第1実施例によるワイヤと電極間の接続
回路図、第3図AおよびBは第2図の回路を抵抗
負荷に接続した時の出力電流の図、第4図は本発
明の第2実施例によるワイヤと電極間の接続回路
のブロツク図、第5図は第4図の回路の出力電流
の図である。 1……ワイヤ、9……電極、10……保持具、
40,42,44,46,48……巻線、51,
56,72,74……抵抗、52,76……コン
デンサ、54,62……出力端子、60……サイ
リスタ、S1a,S1b……スイツチ。
持した状態を示す本発明装置の正面図、第2図は
本発明の第1実施例によるワイヤと電極間の接続
回路図、第3図AおよびBは第2図の回路を抵抗
負荷に接続した時の出力電流の図、第4図は本発
明の第2実施例によるワイヤと電極間の接続回路
のブロツク図、第5図は第4図の回路の出力電流
の図である。 1……ワイヤ、9……電極、10……保持具、
40,42,44,46,48……巻線、51,
56,72,74……抵抗、52,76……コン
デンサ、54,62……出力端子、60……サイ
リスタ、S1a,S1b……スイツチ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 素子または端子へワイヤをボール接着するた
めのボールをスパーク放電によりワイヤに形成す
る方法において、アークが形成されるまでの間だ
け有効な高電圧低電流電源からの高電圧を電極と
ボールが形成されるワイヤの間に印加することに
より、電極とワイヤの間にアークの形成を開始す
る工程と、一旦アークが形成された後は、ボール
を形成するための電流を低電圧高電流電源から取
り出す工程からなることを特徴とするボール形成
方法。 2 ボール形成工程の前に、高電圧低電流電源の
小容量のコンデンサを高抵抗を介して充電し、か
つ低電圧高電流電源の大容量のコンデンサをはる
かに小さい抵抗を介して充電する工程と、続いて
高電圧のコンデンサを直列の抵抗を介してギヤツ
プ間に放電してアークを形成する工程と、次に高
電圧コンデンサの放電抵抗よりもはるかに小さい
抵抗を介して、低電圧コンデンサをギヤツプ間に
放電してボールを形成する工程からなることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 素子または端子へワイヤをボール接着するた
めのボールをスパーク放電によりワイヤに形成す
る装置において、電極と、ワイヤ先端と電極の間
にスパーク放電を発生させるギヤツプを形成する
ようにワイヤを支持するワイヤ保持具と、第1の
電源回路が第2の電源回路より高い電圧と低い電
流を与えるような第1および第2の電源回路と、
最初に第1の高電圧回路をワイヤと電極の間に接
続して両者の間に高電圧低電流を印加してアーク
放電を開始させ、かつ続いて第2の低電圧回路を
アークに接続しワイヤと電極の間のギヤツプに低
電圧高電流を通過させてそれによりボールを形成
させるための回路手段から構成され、高電圧回路
がアークが形成されるまでの間だけ有効であるこ
とを特徴とするボール形成装置。 4 第1および第2電源回路が第1および第2の
コンデンサを含み、第1のコンデンが第2のコン
デンサに比べて極めて容量が小さく、第1および
第2の電源回路がそれぞれのコンデンサについて
充電・放電抵抗を有し、第1の電源回路の充電・
放電抵抗の値が第2の電源回路の抵抗の値よりも
はるかに大きいことを特徴とする特許請求の範囲
第3項記載の装置。 5 低電圧電源の一方側と高電圧電源の一方側が
共通のサイリスタを介してワイヤまたは電極に接
続され、サイリスタを点火して電源をギヤツプ間
に印加するためのスイツチ手段が設けられている
ことを特徴とする特許請求の範囲第3項または第
4項記載の装置。 6 第1の電源回路のコンデンサの容量が0.1μF
以下であることを特徴とする特許請求の範囲第3
項または第4項または第5項記載の装置。 7 第2の電源回路のコンデンサの容量が
1000μF以上であることを特徴とする特許請求の
範囲第3項ないし第6項のいずれかに記載の装
置。 8 第1の電源回路により与えられる電圧が、
350Vと10000Vの間であることを特徴とする特許
請求の範囲第3項ないし第7項のいずれかに記載
の装置。 9 第2の電源回路により与えられる電圧が、
40Vと100Vの間であることを特徴とする特許請
求の範囲第3項ないし第8項のいずれかに記載の
装置。 10 第1および第2の電源回路が電子的な一定
電流の電源であることを特徴とする特許請求の範
囲第3項記載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8021382 | 1980-06-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5740947A JPS5740947A (en) | 1982-03-06 |
| JPS6362098B2 true JPS6362098B2 (ja) | 1988-12-01 |
Family
ID=10514418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10072281A Granted JPS5740947A (en) | 1980-06-30 | 1981-06-30 | Ball bonding for wire |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4459452A (ja) |
| EP (1) | EP0043692B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5740947A (ja) |
| DE (1) | DE3162649D1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0061852A3 (en) * | 1981-03-30 | 1983-08-24 | Texas Instruments Incorporated | Self starting current controlled discharge bonding wire ball maker |
| FR2522629B1 (fr) * | 1982-03-02 | 1986-12-05 | Centre Nat Rech Scient | Procede et dispositif de prehension et de transfert individuel de pieces |
| JPS58154241A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-13 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製法 |
| EP0348018B1 (en) * | 1982-03-10 | 1999-05-19 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacture of a resin encapsulated semiconductor device |
| US4476366A (en) * | 1983-02-01 | 1984-10-09 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Controlled bonding wire ball formation |
| US4572772A (en) * | 1983-11-07 | 1986-02-25 | Texas Instruments Incorporated | Method for cleaning an electrode |
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| JPH0719791B2 (ja) * | 1985-04-05 | 1995-03-06 | 三菱電機株式会社 | ワイヤボンデイング用ボ−ルの形成方法 |
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| JP2581971B2 (ja) * | 1988-11-17 | 1997-02-19 | 株式会社カイジョー | ボール形成装置及びそのワイヤ切れ検知方法 |
| GB9100225D0 (en) * | 1991-01-05 | 1991-02-20 | Emhart Inc | Bonding head |
| RU2120362C1 (ru) * | 1996-05-05 | 1998-10-20 | Военный инженерно-технический университет | Устройство для сварки |
| US6660956B1 (en) * | 2000-06-13 | 2003-12-09 | Asm Technology Singapore Pte | Method of and apparatus for monitoring a ball forming process |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2759088A (en) * | 1951-07-07 | 1956-08-14 | Baker & Co Inc | Method of rounding wire end |
| US3241218A (en) * | 1962-01-05 | 1966-03-22 | New Twist Connector Corp | Method of fabricating pin connectors |
| GB1142206A (en) * | 1965-05-04 | 1969-02-05 | Welding Inst | Improvements in or relating to power sources for electric arc stabilisation |
| FR2063196A5 (en) * | 1969-09-02 | 1971-07-09 | Radiotechnique Compelec | Fusion cutting thin filaments for semiconductor welding |
| CA1020236A (en) * | 1974-01-28 | 1977-11-01 | Continental Can Company | Arc welding system having main power and ignition power sources |
| CH568656A5 (en) * | 1974-03-20 | 1975-10-31 | Transistor Ag | Welding of contact blobs to semiconductor lead wires - uses electric DC light arc of preset current strength for melting lead wire end |
| US3934108A (en) * | 1974-09-16 | 1976-01-20 | Uthe Technology, Inc. | Lead bonding method and apparatus |
| DE2459289A1 (de) * | 1974-12-14 | 1976-06-16 | Messer Griesheim Gmbh | Einrichtung zum lichtbogenschweissen, plasmaschweissen und/oder schneiden |
| GB1600021A (en) * | 1977-07-26 | 1981-10-14 | Welding Inst | Electrical inter-connection method and apparatus |
| DE2746803C2 (de) * | 1977-10-18 | 1986-08-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Trennen eines aus einer Vielzahl von Drähten bestehenden Seiles |
| DE2944608A1 (de) * | 1979-11-05 | 1981-05-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Einrichtung zum lichtbogenschweissen mit vorgegebener stromcharakteristik |
-
1981
- 1981-06-26 US US06/277,870 patent/US4459452A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-06-30 JP JP10072281A patent/JPS5740947A/ja active Granted
- 1981-06-30 EP EP81302971A patent/EP0043692B1/en not_active Expired
- 1981-06-30 DE DE8181302971T patent/DE3162649D1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4459452A (en) | 1984-07-10 |
| EP0043692A3 (en) | 1982-01-20 |
| JPS5740947A (en) | 1982-03-06 |
| EP0043692B1 (en) | 1984-03-14 |
| EP0043692A2 (en) | 1982-01-13 |
| DE3162649D1 (en) | 1984-04-19 |
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