JPS6362679A - スクライブ用ダイヤモンド砥石 - Google Patents
スクライブ用ダイヤモンド砥石Info
- Publication number
- JPS6362679A JPS6362679A JP61205987A JP20598786A JPS6362679A JP S6362679 A JPS6362679 A JP S6362679A JP 61205987 A JP61205987 A JP 61205987A JP 20598786 A JP20598786 A JP 20598786A JP S6362679 A JPS6362679 A JP S6362679A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scribing
- grindstone
- present
- fine
- diamond
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B27—WORKING OR PRESERVING WOOD OR SIMILAR MATERIAL; NAILING OR STAPLING MACHINES IN GENERAL
- B27B—SAWS FOR WOOD OR SIMILAR MATERIAL; COMPONENTS OR ACCESSORIES THEREFOR
- B27B33/00—Sawing tools for saw mills, sawing machines, or sawing devices
- B27B33/20—Edge trimming saw blades or tools combined with means to disintegrate waste
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Forests & Forestry (AREA)
- Dicing (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ウェハのスクライブ加工に係り、割れ、欠は
不良の低減、面取り加工に好適なスクライブ用ダイヤモ
ンド砥石に関する。
不良の低減、面取り加工に好適なスクライブ用ダイヤモ
ンド砥石に関する。
従来のスクライブ用砥石では、スクライブ時の割れ、欠
は不良を完全に押え切れない、また切断面の面取り加工
が出来なかった。
は不良を完全に押え切れない、また切断面の面取り加工
が出来なかった。
したがって、本発明の目的は、LSI製造工程における
スクライブ工程における歩留の向」二とチップの面取り
加工による製品の品質の向1−に資することの出来るス
クライブ用ダイヤモンド砥石を提供することである。
スクライブ工程における歩留の向」二とチップの面取り
加工による製品の品質の向1−に資することの出来るス
クライブ用ダイヤモンド砥石を提供することである。
本発明においては、スクライブ用ダイヤモンド砥石を、
粗研磨材を精研磨材ではさみ込んだサンドイッチ構造と
した点に特徴がある。
粗研磨材を精研磨材ではさみ込んだサンドイッチ構造と
した点に特徴がある。
従来の、スクライブ用ダイヤモンド砥石は単一の素材を
用い、かつ加工面の形状もフラットであるため、+1t
−の砥石では、同時に粗研磨、精研磨、面取り加工が出
来ない。これに対し、本発明によれば、サンドイッチ構
造とした複数の素材を用い、加工面の形状を工夫するこ
とにより、同時に粗研磨と精研磨と面取り加工か可能と
なる。
用い、かつ加工面の形状もフラットであるため、+1t
−の砥石では、同時に粗研磨、精研磨、面取り加工が出
来ない。これに対し、本発明によれば、サンドイッチ構
造とした複数の素材を用い、加工面の形状を工夫するこ
とにより、同時に粗研磨と精研磨と面取り加工か可能と
なる。
以下、本発明の実施例を第4図、第2図により説明する
。
。
第1図に本発明によるスクライブ用ダイシング砥石の加
工方向から見た断面図を示す。第2図に示す従来の砥石
との基本的な構造の違いは、本発明においては粗研磨材
層1を精研磨材層2ではさみこんだサンドイッチ構造と
した点にある。従来の砥石は単一素材ご3で構成されて
いる。
工方向から見た断面図を示す。第2図に示す従来の砥石
との基本的な構造の違いは、本発明においては粗研磨材
層1を精研磨材層2ではさみこんだサンドイッチ構造と
した点にある。従来の砥石は単一素材ご3で構成されて
いる。
さらに、精研磨部2の加工面は精研磨部2と粗研磨部1
の境界面に対してO(≦90°)の角度を持っていると
ころに砥石加工面の形状的な特徴がある。
の境界面に対してO(≦90°)の角度を持っていると
ころに砥石加工面の形状的な特徴がある。
ウェハスクライブ加工時には、第3図に示すように、先
ず、粗研磨部1がウェハ4にあたり、従来通りのスクラ
イブ溝加工5が行われる。尚、第3図中の矢印7は砥石
の切り込み方向を示す。加工が進むと精研磨部2が加工
面にあたり、切断面の仕」−げ、面取り6が行われる。
ず、粗研磨部1がウェハ4にあたり、従来通りのスクラ
イブ溝加工5が行われる。尚、第3図中の矢印7は砥石
の切り込み方向を示す。加工が進むと精研磨部2が加工
面にあたり、切断面の仕」−げ、面取り6が行われる。
かくして、加工終了時には、第3図に示すようなウェハ
加工断面が得られる。
加工断面が得られる。
上記のようなフローにて加工が進むため、粗研磨部1の
加工面の幅をスクライブ領域の幅に比して細くとれば、
粗研磨時の割れ、欠けのチップ内部への波及を抑えるこ
とが出来る。更に、精研磨部2により仕上げが行われ、
同時に而取り6がなされる。
加工面の幅をスクライブ領域の幅に比して細くとれば、
粗研磨時の割れ、欠けのチップ内部への波及を抑えるこ
とが出来る。更に、精研磨部2により仕上げが行われ、
同時に而取り6がなされる。
本発明によれば、スクライブ加工において、+1′4−
のスクライブ用砥石にネ1q研磨部と粗研磨部を持つた
め、従来通りのスクライブ工程、同一工数にて割れ、欠
は不良の低減ができるため、L S 丁等の製造歩留の
向−1−という効果がある。また、精研磨加工面が傾斜
しているという形状により面取り加工が同時に行えるた
め、チップ切断部へのノ1b;力凍中を緩和できるとい
う効果があり、品質の向上にもつなかる。
のスクライブ用砥石にネ1q研磨部と粗研磨部を持つた
め、従来通りのスクライブ工程、同一工数にて割れ、欠
は不良の低減ができるため、L S 丁等の製造歩留の
向−1−という効果がある。また、精研磨加工面が傾斜
しているという形状により面取り加工が同時に行えるた
め、チップ切断部へのノ1b;力凍中を緩和できるとい
う効果があり、品質の向上にもつなかる。
第]−図は本発明砥石の加工方向から見た部分断面図、
第2図は従来の砥石の加工方向から見た部分断面図、第
33図は本発明の砥石によりスクライブ加工されたウェ
ハの断面図である。 ]・・・粗研磨部、2・・・精研磨部。
第2図は従来の砥石の加工方向から見た部分断面図、第
33図は本発明の砥石によりスクライブ加工されたウェ
ハの断面図である。 ]・・・粗研磨部、2・・・精研磨部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、粗研磨材層の左右両面に該粗研磨材層の一部が突出
するように精研磨材層を設けたことを特徴とするスクラ
イブ用ダイヤモンド砥石。 2、上記精研磨材層にテーパを設けたことを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載のスクライブ用ダイヤモンド
砥石。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61205987A JPS6362679A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | スクライブ用ダイヤモンド砥石 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61205987A JPS6362679A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | スクライブ用ダイヤモンド砥石 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6362679A true JPS6362679A (ja) | 1988-03-18 |
Family
ID=16516021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61205987A Pending JPS6362679A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | スクライブ用ダイヤモンド砥石 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6362679A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100303535B1 (ko) * | 1994-01-24 | 2002-08-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 엘씨디용스크라이브장치 |
| US6455920B2 (en) | 1998-02-27 | 2002-09-24 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a ball grid array and a fabrication process thereof |
| CN106239306A (zh) * | 2016-08-01 | 2016-12-21 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种变r值晶片边缘倒角方法 |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP61205987A patent/JPS6362679A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100303535B1 (ko) * | 1994-01-24 | 2002-08-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 엘씨디용스크라이브장치 |
| US6455920B2 (en) | 1998-02-27 | 2002-09-24 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a ball grid array and a fabrication process thereof |
| US6657282B2 (en) | 1998-02-27 | 2003-12-02 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a ball grid array and a fabrication process thereof |
| US6784542B2 (en) | 1998-02-27 | 2004-08-31 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a ball grid array and a fabrication process thereof |
| US6987054B2 (en) | 1998-02-27 | 2006-01-17 | Fujitsu Limited | Method of fabricating a semiconductor device having a groove formed in a resin layer |
| US7064047B2 (en) | 1998-02-27 | 2006-06-20 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a ball grid array and a fabrication process thereof |
| US7556985B2 (en) | 1998-02-27 | 2009-07-07 | Fujitsu Microelectronics Limited | Method of fabricating semiconductor device |
| CN106239306A (zh) * | 2016-08-01 | 2016-12-21 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种变r值晶片边缘倒角方法 |
| CN106239306B (zh) * | 2016-08-01 | 2018-07-31 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种变r值晶片边缘倒角方法 |
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