JPS6363444A - Ｎｍｒ用高周波プロ−ブ - Google Patents
Ｎｍｒ用高周波プロ−ブInfo
- Publication number
- JPS6363444A JPS6363444A JP61205858A JP20585886A JPS6363444A JP S6363444 A JPS6363444 A JP S6363444A JP 61205858 A JP61205858 A JP 61205858A JP 20585886 A JP20585886 A JP 20585886A JP S6363444 A JPS6363444 A JP S6363444A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency probe
- nmr
- conductor
- high frequency
- coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、Ｎ Ｍ Ｒ（核磁気共［１ｆ３）用高周波
プローブに関し、特に受信信号の位相孔れを除去できる
Ｎ Ｍ Ｒ用高周波プローブに関するものである。
プローブに関し、特に受信信号の位相孔れを除去できる
Ｎ Ｍ Ｒ用高周波プローブに関するものである。
［従来の技術］
第５図は、例えば「ジャーナル・オブ・マグネティック
°レゾナンス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｇｎｅｔｉ
ｃ Ｒｅ５ｏｎａｎｃｅ）」（１９７９年、第３６巻）
の第４４７〜４５１頁に記載さｉｚた、従来のＮＭＲ用
高同高周波プローブす斜視図である。
°レゾナンス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｇｎｅｔｉ
ｃ Ｒｅ５ｏｎａｎｃｅ）」（１９７９年、第３６巻）
の第４４７〜４５１頁に記載さｉｚた、従来のＮＭＲ用
高同高周波プローブす斜視図である。
図において、（１）は中空円筒状体を構成するように左
右に配置された一対の導体板例えば銅板であり、それぞ
れ８字形を成し、バーチカル・バンド（ｖｅｒｔｉｃａ
ｌ ｂａｎｄ）と呼ばれる非突出部（１＆）及びウィ
ング（ｗｉｎｇ）と呼ばれる突出部（Ｔｏ）を有してい
る。
右に配置された一対の導体板例えば銅板であり、それぞ
れ８字形を成し、バーチカル・バンド（ｖｅｒｔｉｃａ
ｌ ｂａｎｄ）と呼ばれる非突出部（１＆）及びウィ
ング（ｗｉｎｇ）と呼ばれる突出部（Ｔｏ）を有してい
る。
く２）は各導体板（１）の隣接する突出部（ｌｂ）間に
挿入された固定コンデンサであり、一対の導体板（１）
を容量結きして円筒状のコイルを構成している。
挿入された固定コンデンサであり、一対の導体板（１）
を容量結きして円筒状のコイルを構成している。
尚、このコイルは、ＮＭＲ用高周波プローブ内に挿入さ
れる測定対象（例えば人体）の形状に応じて、適宜楕円
筒状にも構成され得る。又、図示しない傾斜磁場コイル
等との干渉を防ぐため、非突出部（１ｍ）は適宜複数本
の導体ワイヤでも構成され得る。
れる測定対象（例えば人体）の形状に応じて、適宜楕円
筒状にも構成され得る。又、図示しない傾斜磁場コイル
等との干渉を防ぐため、非突出部（１ｍ）は適宜複数本
の導体ワイヤでも構成され得る。
（３）は突出部（１ｂ）の内側に絶縁Ｍ（図示せず）を
介して設置された一対の電界シールド用の導体環であり
、高周波プローブ内に測定対象（図示せず）を配置した
場合に、発生磁界による測定対象内の誘電損失を低減す
るようになっている。又、一方の導体環（３ａ）はトッ
プ・ガード・リングと呼ばれ、他方の導体環（３ｂ〉は
ボトム・ガード・リングと呼ばれている。
介して設置された一対の電界シールド用の導体環であり
、高周波プローブ内に測定対象（図示せず）を配置した
場合に、発生磁界による測定対象内の誘電損失を低減す
るようになっている。又、一方の導体環（３ａ）はトッ
プ・ガード・リングと呼ばれ、他方の導体環（３ｂ〉は
ボトム・ガード・リングと呼ばれている。
尚、固定コンデンサ（２）の一部には同軸ケーブルから
なる伝送線路（図示せず）が接続され、導体環（３）の
一部はグランドに接続され、又、コイルのインピーダン
スは可変コンデンサ（図示せず）により送受信回路（図
示せず）のインピーダンス即ち５０Ωに整合され、伝送
線路も５０Ωに設定されている。更に、ＮＭＲ用高周波
プローブ全体は、空隙を介して導体筒（図示せず）によ
り包囲されている。
なる伝送線路（図示せず）が接続され、導体環（３）の
一部はグランドに接続され、又、コイルのインピーダン
スは可変コンデンサ（図示せず）により送受信回路（図
示せず）のインピーダンス即ち５０Ωに整合され、伝送
線路も５０Ωに設定されている。更に、ＮＭＲ用高周波
プローブ全体は、空隙を介して導体筒（図示せず）によ
り包囲されている。
従来のＮＭＲ用高同高周波１０−ブ記のように構成され
、導体板（１）、固定コンデンサ（２）及び導体環（３
ンが等測的にＬＣ直列共振回路として働く立体回路を形
成している。
、導体板（１）、固定コンデンサ（２）及び導体環（３
ンが等測的にＬＣ直列共振回路として働く立体回路を形
成している。
又、第６図は第５図に示したＮ Ｍ Ｒ層高周波プロー
ブと傾斜磁場コイルとの関係を示す斜視図であり、（５
ａ）及び（５ｂ）はＮＭＲ用高同高周波プローブ下に配
設されたＺ軸方向の傾斜磁場コイルである。（６）は傾
斜磁場コイル（５ａ）及び（５ｂ）により生成されるＺ
軸方向の傾斜磁場（勾配磁場）であり、矢印（６）の大
きさがそれぞれの位置における磁場の大きさを示してい
る。 （７ａ）及び（７ｂ）は各傾斜磁場コーイル（５
ａ）、（５ｂ）に流される直流電流である。
ブと傾斜磁場コイルとの関係を示す斜視図であり、（５
ａ）及び（５ｂ）はＮＭＲ用高同高周波プローブ下に配
設されたＺ軸方向の傾斜磁場コイルである。（６）は傾
斜磁場コイル（５ａ）及び（５ｂ）により生成されるＺ
軸方向の傾斜磁場（勾配磁場）であり、矢印（６）の大
きさがそれぞれの位置における磁場の大きさを示してい
る。 （７ａ）及び（７ｂ）は各傾斜磁場コーイル（５
ａ）、（５ｂ）に流される直流電流である。
尚、傾斜磁場コイル（５ａ）及び（５ｂ）の詳細につい
ては、例えばｒＮＭＲ診断法」（真野勇著、秀潤社１９
８４年４月１日発行）の第７７〜７９頁に記載されてい
る。
ては、例えばｒＮＭＲ診断法」（真野勇著、秀潤社１９
８４年４月１日発行）の第７７〜７９頁に記載されてい
る。
第６図に示したように、傾斜磁場コイル（５ａ）、（５
ｂ）にパルス状の直流電流（７ａ）、（７ｂ）を流すと
、傾斜磁場（６）が発生すると共に、各導体環（３ａ）
、（３ｂ）の周方向に沿って起電力が発生し、誘導電流
が渦電流となって流れる。
ｂ）にパルス状の直流電流（７ａ）、（７ｂ）を流すと
、傾斜磁場（６）が発生すると共に、各導体環（３ａ）
、（３ｂ）の周方向に沿って起電力が発生し、誘導電流
が渦電流となって流れる。
［発明が解決しようとする問厘点〕
従来のＮ Ｍ Ｒ層高周波プローブは以上のように、電
気的に閉ループ構造の導体環（３）が内蔵されているの
で、ＮＭＲ装置に用いられる傾斜磁場コイル（５ａ）、
（５ｂ）から発生する傾斜磁場パルスの立ち上がり及び
立ち下がりに伴い導体環（３）に１Ａ電流が流れてしま
い、受信されるＮＭＲ信号の位相が乱れ、受信信号の複
素フーリエ変換後の実数部のみの画像からＮＭＲ画像又
は流れの画像を構成するときに、画質及び測定精度の低
下をもたらすという問題点があった。
気的に閉ループ構造の導体環（３）が内蔵されているの
で、ＮＭＲ装置に用いられる傾斜磁場コイル（５ａ）、
（５ｂ）から発生する傾斜磁場パルスの立ち上がり及び
立ち下がりに伴い導体環（３）に１Ａ電流が流れてしま
い、受信されるＮＭＲ信号の位相が乱れ、受信信号の複
素フーリエ変換後の実数部のみの画像からＮＭＲ画像又
は流れの画像を構成するときに、画質及び測定精度の低
下をもたらすという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、渦電流の発生を防ぎ、受信信号の位相乱れを
除去できるＮ Ｐ、ｉ Ｒ層高周波プローブを得ること
を目的とする。
たもので、渦電流の発生を防ぎ、受信信号の位相乱れを
除去できるＮ Ｐ、ｉ Ｒ層高周波プローブを得ること
を目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係るＮＭＲ用高同高周波プローブ導体環の少
なくとも一箇所に非導通部を設け、電気的に開ループ構
造としたものである。
なくとも一箇所に非導通部を設け、電気的に開ループ構
造としたものである。
［作用コ
この発明においては、傾Ｚ″（磁場パルスを印加しても
導体環に渦電流が生じない。
導体環に渦電流が生じない。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例を示す斜視口である１図におい
て、（１）〜（３）は前述の従来装こと同様のものであ
り、（３＾）、（３Ｂ）は各導体環（Ｊａ）、（３ｂ）
にそれぞれ対応している。又、Ｎへ１Ｒ装置として用い
られる傾斜磁場コイル（５ａ）、（５ｂ）などの配π及
び構造は、第６図に示したものと同様である。
図はこの発明の一実施例を示す斜視口である１図におい
て、（１）〜（３）は前述の従来装こと同様のものであ
り、（３＾）、（３Ｂ）は各導体環（Ｊａ）、（３ｂ）
にそれぞれ対応している。又、Ｎへ１Ｒ装置として用い
られる傾斜磁場コイル（５ａ）、（５ｂ）などの配π及
び構造は、第６図に示したものと同様である。
（４ａ）、（４ｂ）は各導体環（３ａ）、り３ｂ）にそ
れぞれ設けられたスリットであり、各導体環（３ａ）及
び（３ｂ）を開ループ構造にするための非導通部を構成
している。これらスリット（４ａ）、（４ｂ）の各間に
は大きな起電力が発生するので、各スリット（４ａ）、
（４ｂ）は十分な耐圧を備えている。又、各スリット（
４ａ）、（４ｂ）は、電界シールドが不完全になるのを
防ぐため、各固定コンデンサ（２）の位置と９０”異な
るように配置されている。尚、非導通部として、スリッ
ト（４ａ）、（４ｂ）に代えて他の周知の非導通部例え
ば絶縁層などを用いても同等に作用することは言うまで
もない。
れぞれ設けられたスリットであり、各導体環（３ａ）及
び（３ｂ）を開ループ構造にするための非導通部を構成
している。これらスリット（４ａ）、（４ｂ）の各間に
は大きな起電力が発生するので、各スリット（４ａ）、
（４ｂ）は十分な耐圧を備えている。又、各スリット（
４ａ）、（４ｂ）は、電界シールドが不完全になるのを
防ぐため、各固定コンデンサ（２）の位置と９０”異な
るように配置されている。尚、非導通部として、スリッ
ト（４ａ）、（４ｂ）に代えて他の周知の非導通部例え
ば絶縁層などを用いても同等に作用することは言うまで
もない。
次に、第１図に示したこの発明の一実施例の動作につい
て説明する。前述のように、Ｚ軸方向の傾斜磁場コイル
（５ａ）、（５ｂ）にパルス状の直流電流（７ａ）、（
７ｂ）を流すと、導体環（３ａ）、（３ｂ）に誘導電流
が渦電流となって流れようとする。しかし、スリット（
４ａ）、（４ｂ）により各導体環（３ａ）、（３ｂ）は
電気的に開ループ構造となっているなめ、誘導電流即ち
渦電流は全く流れない。
て説明する。前述のように、Ｚ軸方向の傾斜磁場コイル
（５ａ）、（５ｂ）にパルス状の直流電流（７ａ）、（
７ｂ）を流すと、導体環（３ａ）、（３ｂ）に誘導電流
が渦電流となって流れようとする。しかし、スリット（
４ａ）、（４ｂ）により各導体環（３ａ）、（３ｂ）は
電気的に開ループ構造となっているなめ、誘導電流即ち
渦電流は全く流れない。
従って、傾斜磁場（６）の空間的位相が乱されず、ＮＭ
Ｒ用高同高周波プローブ得られる受信信号の位相が乱さ
れることはないので、この受信信号に基づいて高精度の
ＮＭＲ画像が得られることになる。
Ｒ用高同高周波プローブ得られる受信信号の位相が乱さ
れることはないので、この受信信号に基づいて高精度の
ＮＭＲ画像が得られることになる。
尚、上記実施例では、バーチカル・バンド即ち非突出部
（１ａ）が板状且つコイルが円筒状の場合について説明
したが、第２図の斜視図に示すように、非突出部〈１＆
）を複数本の導体ワイヤ又はたんざく状の導体板で構成
してもよい。
（１ａ）が板状且つコイルが円筒状の場合について説明
したが、第２図の斜視図に示すように、非突出部〈１＆
）を複数本の導体ワイヤ又はたんざく状の導体板で構成
してもよい。
又、第３図の斜視図に示すように、コイルを構成する導
体板（１）及びコイル内の各導体環（３＾）、（３Ｂ）
をそれぞれ楕円筒状に構成してもよい。
体板（１）及びコイル内の各導体環（３＾）、（３Ｂ）
をそれぞれ楕円筒状に構成してもよい。
更に、第４図の分解斜視図に示すように非突出部（１ａ
）を複数本の導体ワイヤで構成し且つコーイルを楕円筒
状に構成してもよい。
）を複数本の導体ワイヤで構成し且つコーイルを楕円筒
状に構成してもよい。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、導体環の少なくとも一
箇所に非導通部を設けることにより導体環を電気的に開
ループ構造とし、傾斜磁場パルスを印加しても導体環に
渦電流が生じないようにしたので、受信信号の位相部れ
を除去できるＮＭＲ用高同高周波プローブられる効果が
ある。
箇所に非導通部を設けることにより導体環を電気的に開
ループ構造とし、傾斜磁場パルスを印加しても導体環に
渦電流が生じないようにしたので、受信信号の位相部れ
を除去できるＮＭＲ用高同高周波プローブられる効果が
ある。
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図、第２図は非
突出部が複数本の導体ワイヤからなるコイルにこの発明
の一実施例を適用した例を示す斜視図、第３図は楕円筒
状のコイルにこの発明の一実施例を適用した例を示す斜
視図、第４図は楕円筒状且つ非突出部が複数本の導体ワ
イヤからなるコイルにこの発明の一実施例を適用した例
を示す分解斜視口、第５Ｉ２１は従来のＮＭＲ用高同高
周波プローブす斜視図、第６図は第５図のＮ Ｍ Ｒ用
高周波プローブにＮＭＲ装置のＺ方向の傾斜磁場コイル
を組み合わせた例を示す斜視図である。 （１）・・・導体板 （１ａ）・・・非突出部（
１ｂ）・・・突出部 （２）・・・固定コンデン
サ（３Ｌ（３＾）、（３Ｂ）・・・導体環（４ａ）、（
４ｂ）・・・スリット（非導通部）尚、図中、同一符号
は同−又は相当部分を示す。 １：導伴板 １ｑ： 作置と郭 市Ｘ突巳郭 ２ 二 固安二フーテ゛２ブ ３．３Ａ、３Ｂ ＋導＠環 ４ａ、４ｂ ： スリリド （非導色部）Ｂ
突出部が複数本の導体ワイヤからなるコイルにこの発明
の一実施例を適用した例を示す斜視図、第３図は楕円筒
状のコイルにこの発明の一実施例を適用した例を示す斜
視図、第４図は楕円筒状且つ非突出部が複数本の導体ワ
イヤからなるコイルにこの発明の一実施例を適用した例
を示す分解斜視口、第５Ｉ２１は従来のＮＭＲ用高同高
周波プローブす斜視図、第６図は第５図のＮ Ｍ Ｒ用
高周波プローブにＮＭＲ装置のＺ方向の傾斜磁場コイル
を組み合わせた例を示す斜視図である。 （１）・・・導体板 （１ａ）・・・非突出部（
１ｂ）・・・突出部 （２）・・・固定コンデン
サ（３Ｌ（３＾）、（３Ｂ）・・・導体環（４ａ）、（
４ｂ）・・・スリット（非導通部）尚、図中、同一符号
は同−又は相当部分を示す。 １：導伴板 １ｑ： 作置と郭 市Ｘ突巳郭 ２ 二 固安二フーテ゛２ブ ３．３Ａ、３Ｂ ＋導＠環 ４ａ、４ｂ ： スリリド （非導色部）Ｂ
Claims (7)
- （１）コイル内に電界シールド用の導体環を有するＮＭ
Ｒ高周波プローブにおいて、前記導体環の少なくとも一
箇所に非導通部を設け、前記導体環を電気的に開ループ
構造としたことを特徴とするＮＭＲ用高周波プローブ。 - （２）非導通部は、スリットであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のＮＭＲ用高周波プローブ。 - （３）コイルは、円筒状又は楕円筒状であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載のＮＭＲ用
高周波プローブ。 - （４）コイルは、非突出部及び突出部を有するＨ字形を
成す少なくとも一対の導体板と、これら導体板の前記突
出部の間に挿入された固定コンデンサとから構成された
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のい
ずれかに記載のＮＭＲ用高周波プローブ。 - （５）非突出部は、板状であることを特徴とする特許請
求の範囲第４項記載のＮＭＲ用高周波プローブ。 - （６）非突出部は、複数本の導体ワイヤで構成されたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項記載のＮＭＲ用高
周波プローブ。 - （７）非導通部は、固定コンデンサの位置と異なるよう
に配置されたことを特徴とする特許請求の範囲第４項乃
至第６項のいずれかに記載のＮＭＲ用高周波プローブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61205858A JPS6363444A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | Ｎｍｒ用高周波プロ−ブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61205858A JPS6363444A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | Ｎｍｒ用高周波プロ−ブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6363444A true JPS6363444A (ja) | 1988-03-19 |
Family
ID=16513878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61205858A Pending JPS6363444A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | Ｎｍｒ用高周波プロ−ブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6363444A (ja) |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP61205858A patent/JPS6363444A/ja active Pending
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