JPS6364363A - 赤外線固体撮像装置 - Google Patents

赤外線固体撮像装置

Info

Publication number
JPS6364363A
JPS6364363A JP61206833A JP20683386A JPS6364363A JP S6364363 A JPS6364363 A JP S6364363A JP 61206833 A JP61206833 A JP 61206833A JP 20683386 A JP20683386 A JP 20683386A JP S6364363 A JPS6364363 A JP S6364363A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
infrared
electrodes
silicon
image sensing
amorphous silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61206833A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2510999B2 (ja
Inventor
Yujiro Naruse
雄二郎 成瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP61206833A priority Critical patent/JP2510999B2/ja
Publication of JPS6364363A publication Critical patent/JPS6364363A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2510999B2 publication Critical patent/JP2510999B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
    • H10F39/157—CCD or CID infrared image sensors
    • H10F39/1575—CCD or CID infrared image sensors of the hybrid type

Landscapes

  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は金属と半導体膜との多層Ｃ４造を利用しナー−
＃　Ｍ　　ｉ’、自ＦＥ　＆　９３７色ネ域佼ト（従来
の技術） この発明に最も近い従来技術例として、シッットキーバ
リア型ＩＲＣＣＤが知られている。第２図に単位画素の
断面構造を示す。赤外光１４の受感領域は光の入射方向
に沿って、無反射コーテイング膜１５、Ｐ形シリコン１
６、白金シリサイド（Ｐｔ１）Ｓｉ）１７、Ｓｉｎ、膜
１８、アルミニウム光反射膜１９の多層構造となってい
る。信号キャリアが発生するメカニズムは、第３区のエ
ネルギーバンド図に示すように、Ｐｔ　−８ｉからの正
孔注入現象である。発生した信号電荷は、ポリシリコン
のトランスファゲート２０によってＣＣＤ領域へ転送さ
れ、さらにポリシリコンのＣＯＤゲート２１によりａ次
転送されていく。最終的に、各単位画素からの画像信号
はビデオ出力され、表示装ｆなによって赤外画像が得ら
れる。
（発明が解決しようとする問題点） 第２図に示した従来の赤外線固体撮像装置には、以下に
述べるような問題点がある。
（１）３〜５聰帯の赤外線吸収率１第３０チ程度にすぎ
ない。
（２）赤外線受光領域と電荷転送領域とが同一平面上に
形成されているので、赤外線を検出する面積効率の点で
不利である。
本発明は上記の叩き問題を解決し、赤外縁の吸収率と、
有効画素占有率が高い赤外線固体撮像装置を提供するこ
とを目的とする。
〔発明の構成〕
（問題を解決するための手段） 本発明にかかる赤外線固体撮像装置は、シリコン固体撮
像素子の各受光単位画素上に、赤外線を検出するための
金属膜／半導体膜多層構造素子を形成する。さらｌこ、
各多層構造素子とシリコン上の巣位画素とは電気的に接
続されていて、信号電荷がシリコン固体撮像素子（電荷
転送素子）へ注入後、転送される。
（作　用） 本発明による赤外線固体撮像装置で（ば、金属／半導体
多層構造素子が、８Ｂ（シｙａｙトキバリア）型ＩＲ（
赤外）センサとして作用する。
一方、発生する信号電荷は、多層構造２子の基板である
シリコン電荷伝送素子へ注入され、転送が行なわれる。
各単位画素からの画像信号はビデオ出力され、表示装置
１こよって赤外画像が得られる。
（実施例） 本発明の実施例を単位素子の断面図第１図により説明す
る。赤外線検出部はＰｔ富極１、アモルファスシリコン
膜２およびへｉｏ電極３の多層構造になっている。アモ
ルファスシリコンは、　Ｐｔとの接合でＳＢを、一方Ｍ
Ｏとの接合でオーミックを形成するので、図の構成では
５個のＳＢ　Ｗ　ＩＲセンサが並列接続された状態ｉこ
なっている。Ｐｔ寅極は透明導電膜４により共通アース
１こ接続されている。また、ＭＯ電極はＡｌ配腺５１こ
よって蓄積ダイオード６と電気的につながっている。し
たがって（第３図）と同様な原理で発生する信号キャリ
アは、シリコン撮影素子へ入力される。赤外光１０Ｌｊ
５個のＩＲセンサで受光されるので、吸収効率が大きい
。注入された信号電荷は、ポリシリコンゲート７により
電荷転送領域ヘシフトされる。その後の動作は通常の可
視用固体撮像素子と同じである。
８はポリイミドで、デバイスプロセスにおいて、平担化
を目的として形成されている。また５図中１）．１２２
よび１３は、Ｐ＋、　ｎ＋およびＳｉｎ、領域である。
本発明は上記した実施例に限られるものではなく、以下
に列記するように種々変形して実施することができる。
（ａ）　　−１／アモルファスシリコンの１数は任意に
選択可能である。
（ｂ）ＳＢＩＲセンサは、並列だけでなく直列接続も可
能である。
（Ｃ）　　動作原理は異なるが、放射線撮像装置として
も使える。この場合、金属と放射線が相互作用し、金属
からの電子放出によりアモルファスシリコン中で電子正
孔対が発生する。
Ｃｄ）　　赤外線受光部の半導体膜は、アモルファスシ
リコンに限定されるものではなく、アモルファスＳｉＣ
等も適用できる。また、結晶あるいは多結晶性の半導体
膜も、プロセス技術ｉこ応じて採用できる。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明によれば、赤外、線感知部分
と電荷転送部分とが立体的に４４成されているので、検
出面積の利用効率が高い。さらに、複数個のＳＢ　ＩＲ
センサは積層できるので、赤外線の吸収が犬で、高感度
になる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を説明するための図、第２図
及び第３図は従来の赤外線固体撮像装置を説明するため
の図である。 ９・・・ｐ基板、２２・・ｐ領域、２３・・・ｎ　領域
。 代理人弁理士　　則　近　嚢　佑 同　　　　　竹　花　喜久男 テａｚ　　　　　　　９ト　　　　　　　泥　　　７−
−−１０．？、％托＼１．。 第２図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）シリコン固体撮像素子の各受光単位画素上に金属
    電極と半導体膜との周期的多務構造素子を形成し、この
    領域を赤外線による信号電荷発生源として機能させるこ
    とを特徴とする赤外線固体撮像装置。
  2. （２）前記半導体膜は、アモルファスシリコンであるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の赤外線固体
    撮像装置。
  3. （３）前記金属電極はＰｔ、Ｍｏ、Ｔａのいずれからな
    る金属薄膜より構成されていることを特徴とする特許請
    求の範囲第１項記載の赤外線固体撮像装置。
JP61206833A 1986-09-04 1986-09-04 赤外線固体撮像装置 Expired - Fee Related JP2510999B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61206833A JP2510999B2 (ja) 1986-09-04 1986-09-04 赤外線固体撮像装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61206833A JP2510999B2 (ja) 1986-09-04 1986-09-04 赤外線固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6364363A true JPS6364363A (ja) 1988-03-22
JP2510999B2 JP2510999B2 (ja) 1996-06-26

Family

ID=16529825

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61206833A Expired - Fee Related JP2510999B2 (ja) 1986-09-04 1986-09-04 赤外線固体撮像装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2510999B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63281459A (ja) * 1987-05-13 1988-11-17 Nikon Corp 赤外線固体撮像装置
US5214408A (en) * 1990-10-25 1993-05-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Distance detecting apparatus for a vehicle

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58118173A (ja) * 1982-01-05 1983-07-14 Toshiba Corp 赤外線検知装置
JPS60237329A (ja) * 1984-05-11 1985-11-26 Nec Corp 高速光検出器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58118173A (ja) * 1982-01-05 1983-07-14 Toshiba Corp 赤外線検知装置
JPS60237329A (ja) * 1984-05-11 1985-11-26 Nec Corp 高速光検出器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63281459A (ja) * 1987-05-13 1988-11-17 Nikon Corp 赤外線固体撮像装置
US5214408A (en) * 1990-10-25 1993-05-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Distance detecting apparatus for a vehicle

Also Published As

Publication number Publication date
JP2510999B2 (ja) 1996-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60130274A (ja) 固体撮像装置
KR20030033931A (ko) 방사선 검출장치
US4467340A (en) Pre-multiplexed Schottky barrier focal plane
US3842274A (en) Photoconductively activated gated, infrared charge coupled imaging device (pagirccd)
GB2127223A (en) Infra-red light detector
US4213137A (en) Monolithic variable size detector
EP1073267B1 (en) Radiation image pickup device
US4197553A (en) Monolithic extrinsic silicon infrared detector structure employing multi-epitaxial layers
JPS6364363A (ja) 赤外線固体撮像装置
EP0524714A1 (en) A solid-state camera device
GB2100511A (en) Detector for responding to light at a predetermined wavelength, and method of making the detector
JP2000156491A (ja) 赤外線固体撮像素子
JP2697767B2 (ja) 放射線撮像装置
JPH03163872A (ja) 撮像デバイス
US20240387571A1 (en) Photoelectric conversion device and equipment
US20240387573A1 (en) Photoelectric conversion apparatus and photoelectric conversion system
JPS63164270A (ja) 積層型固体撮像装置
US20240387453A1 (en) Photoelectric conversion apparatus and photoelectric conversion system
JPS61226955A (ja) 固体撮像装置
JPH04293264A (ja) 赤外線固体撮像素子
JPH04337667A (ja) 固体撮像素子
JP2754382B2 (ja) 赤外線固体撮像装置
JPH0550747U (ja) 固体撮像装置
JPS6242447A (ja) 固体撮像装置
JPH02156122A (ja) 光検知方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees