JPS6367121A - 圧縮成形装置 - Google Patents
圧縮成形装置Info
- Publication number
- JPS6367121A JPS6367121A JP21231786A JP21231786A JPS6367121A JP S6367121 A JPS6367121 A JP S6367121A JP 21231786 A JP21231786 A JP 21231786A JP 21231786 A JP21231786 A JP 21231786A JP S6367121 A JPS6367121 A JP S6367121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating
- molding
- temperature
- mold
- molding tool
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は圧縮成形装置に係り、特にプラスチック等の樹
脂成形品を製造するのに好適な圧縮成形品を製造するの
に好適な圧縮成形装置に関する。
脂成形品を製造するのに好適な圧縮成形品を製造するの
に好適な圧縮成形装置に関する。
圧縮成形を行う場合には、成形材料を加熱する必要があ
る。従来用いられている圧縮成形装置においては、ヒー
タにより成形型の全体を加熱するようになっている（オ
ーム社発行、プラスチック工学、第３０７頁、第３１図
参照）。
る。従来用いられている圧縮成形装置においては、ヒー
タにより成形型の全体を加熱するようになっている（オ
ーム社発行、プラスチック工学、第３０７頁、第３１図
参照）。
ヒータにより成形型全体を加熱する従来装置にあっては
、全体を加熱するだけの熱量を必要とすることから大き
な消費電力を必要とし、また微妙な温度制御が困難であ
る。微妙な温度制御が困難であることは成形材料に対し
て最適温度を与えにくいことを意味し、したがって例え
ば熱硬化樹脂を成形材料とする場合にあっては硬化不十
分な状態となったり、逆に材料の分解を招来して一定の
高品質が得られないこととなる。
、全体を加熱するだけの熱量を必要とすることから大き
な消費電力を必要とし、また微妙な温度制御が困難であ
る。微妙な温度制御が困難であることは成形材料に対し
て最適温度を与えにくいことを意味し、したがって例え
ば熱硬化樹脂を成形材料とする場合にあっては硬化不十
分な状態となったり、逆に材料の分解を招来して一定の
高品質が得られないこととなる。
そこで、本発明は温度制御が容易であり、かつ、消費電
力を達成しうる圧縮成形装置を提供することを目的とす
る。
力を達成しうる圧縮成形装置を提供することを目的とす
る。
上記問題点を解決し、かつ、上記目的を達成するために
、本発明は、成形材料を成形型内に充填し、当該充填さ
れた成形材料を圧縮することにより成形を行う圧縮成形
装置において、前記成形型の成形材料と接する壁面に設
けられた膜状発熱体と、この膜状発熱体を加熱する加熱
手段とを備えたことを特徴とするものである。
、本発明は、成形材料を成形型内に充填し、当該充填さ
れた成形材料を圧縮することにより成形を行う圧縮成形
装置において、前記成形型の成形材料と接する壁面に設
けられた膜状発熱体と、この膜状発熱体を加熱する加熱
手段とを備えたことを特徴とするものである。
〔作用〕
上記本発明の構成によれば、成形型の成形材料と接する
壁面に膜状発熱体を設け、この膜状発熱体を加熱手段に
より加熱するようにしたものであるため、不必要に成形
型を加熱することなく、また加熱手段による供給熱量の
調整により任意に温度制御が可能である。よって、省消
費電力を達成し、かつ温度制御による成形材料に対する
最適温度を付与することができるため、一定の高品質成
形品を製造することができる。
壁面に膜状発熱体を設け、この膜状発熱体を加熱手段に
より加熱するようにしたものであるため、不必要に成形
型を加熱することなく、また加熱手段による供給熱量の
調整により任意に温度制御が可能である。よって、省消
費電力を達成し、かつ温度制御による成形材料に対する
最適温度を付与することができるため、一定の高品質成
形品を製造することができる。
次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１の実施例
第１図に、第１の実施例を示す。この第１の実施例は誘
導加熱を利用したものである。すなわち、第１図におい
て、成形型は型本体１およびふた２から成り、成形品３
は成形型の内面形状通りに成形される。型本体１および
ふた２は絶縁物で、それぞれの内面には導電性材料から
成る薄膜層４が形成されている。成形型の周囲には加熱
コイル５が設けられており、加熱コイル５に高周波電流
を流すことにより、薄膜Ｎ４には渦電流が生じて発熱す
る。
導加熱を利用したものである。すなわち、第１図におい
て、成形型は型本体１およびふた２から成り、成形品３
は成形型の内面形状通りに成形される。型本体１および
ふた２は絶縁物で、それぞれの内面には導電性材料から
成る薄膜層４が形成されている。成形型の周囲には加熱
コイル５が設けられており、加熱コイル５に高周波電流
を流すことにより、薄膜Ｎ４には渦電流が生じて発熱す
る。
以上の構成により、熱容量の大きい成形型全体を加熱す
ることな（成形品３を温度上昇させることができる。ま
た、発熱量は加熱コイル５への高周波電流量を制御する
ことにより、任意の温度に調節が可能である。
ることな（成形品３を温度上昇させることができる。ま
た、発熱量は加熱コイル５への高周波電流量を制御する
ことにより、任意の温度に調節が可能である。
薄膜層４の形成には、イオンビームミキシングによる方
法が有効であり、その原理を第３図に示す、型１１はホ
ルダ１２に取付けられ、被処理面に対抗する位置にイオ
ン源１６．下部に蒸発器１４が設けられている。蒸発粒
子１３を型１１に蒸着させるとともに、イオンビーム１
５を照射すると、蒸発粒子１３とイオンビーム１５で決
まる物質の薄膜を型１１の表面に強固な付着力をもって
形成することができる。この現象は非熱平衡プロセスで
あり、任意の組成をもつ新物質の合成が容易であり、膜
厚の制御もサブミクロンオーダまで自由にできるので、
必要な物性をもったＮＩＩＩ層４の形成が可能である。
法が有効であり、その原理を第３図に示す、型１１はホ
ルダ１２に取付けられ、被処理面に対抗する位置にイオ
ン源１６．下部に蒸発器１４が設けられている。蒸発粒
子１３を型１１に蒸着させるとともに、イオンビーム１
５を照射すると、蒸発粒子１３とイオンビーム１５で決
まる物質の薄膜を型１１の表面に強固な付着力をもって
形成することができる。この現象は非熱平衡プロセスで
あり、任意の組成をもつ新物質の合成が容易であり、膜
厚の制御もサブミクロンオーダまで自由にできるので、
必要な物性をもったＮＩＩＩ層４の形成が可能である。
第２の実施例
次に、第２図に第２の実施例を示す。この実施例は抵抗
加熱を利用したものである。すなわち、第２図において
、型本体１およびふた２は絶縁物であり、薄膜層４は抵
抗体からなる。薄膜層４には端子６ａ、６ｂが接続され
ており、これらの端子６ａ、６ｂ間に電圧を印加して通
電することにより薄膜層４にジュール熱が発生する。
加熱を利用したものである。すなわち、第２図において
、型本体１およびふた２は絶縁物であり、薄膜層４は抵
抗体からなる。薄膜層４には端子６ａ、６ｂが接続され
ており、これらの端子６ａ、６ｂ間に電圧を印加して通
電することにより薄膜層４にジュール熱が発生する。
この構成により、熱容量の大きい成形型全体を加熱する
ことなく成形品３の温度を上昇させることができる。ま
た、加熱温度は薄膜層４への通電電流を制御することに
より任意の温度に調整することができ、成形材料の最適
加熱温度に調節しうる。なお、薄膜層４の形成方法は第
３図と同様でよい。
ことなく成形品３の温度を上昇させることができる。ま
た、加熱温度は薄膜層４への通電電流を制御することに
より任意の温度に調整することができ、成形材料の最適
加熱温度に調節しうる。なお、薄膜層４の形成方法は第
３図と同様でよい。
第２匠
以上の実施例の他に、誘電加熱を利用したものも実施可
能である。すなわち、図示しないが、型本体１およびふ
た２を導電材料で形成し、薄膜層４を高誘電物質（例え
ば、セラミック等）により形成する。そして、成形型全
体を密閉空間内に配置して外部より高周波電解をかける
ようにする。
能である。すなわち、図示しないが、型本体１およびふ
た２を導電材料で形成し、薄膜層４を高誘電物質（例え
ば、セラミック等）により形成する。そして、成形型全
体を密閉空間内に配置して外部より高周波電解をかける
ようにする。
この高周波電解により高誘電物質の薄膜層４の誘電損失
により発熱が生じる。
により発熱が生じる。
この構成によって成形品３を加熱することができる。ま
た、成形品３の加熱温度は高周波電界を制御することに
より、任意の温度に調節することができる。なお、薄膜
層４の形成方法は第３図と同様である。
た、成形品３の加熱温度は高周波電界を制御することに
より、任意の温度に調節することができる。なお、薄膜
層４の形成方法は第３図と同様である。
以上述べたように、本発明によれば、成形型の成形材料
と接する壁面に膜状発熱体を設け、この膜状発熱体と加
熱手段により加熱するようにしたものであるため、不必
要に成形型を加熱することなく、また加熱手段による供
給熱量の調節により任意に温度制御が可能である。よっ
て、省消費電力を達成し、かつ温度制御による成形材料
に対する最適温度を付与することができるため、一定の
高品質成形品を製造することができる。
と接する壁面に膜状発熱体を設け、この膜状発熱体と加
熱手段により加熱するようにしたものであるため、不必
要に成形型を加熱することなく、また加熱手段による供
給熱量の調節により任意に温度制御が可能である。よっ
て、省消費電力を達成し、かつ温度制御による成形材料
に対する最適温度を付与することができるため、一定の
高品質成形品を製造することができる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図、第２図は
第２の実施例を示す断面図、第３図は薄膜層の形成方法
を示す断面図である。 １・・・型本体、２・・・ふた、３・・・成形品、４・
・・薄膜層、５・・・加熱コイル、６ａ、６ｂ・・・端
子。
第２の実施例を示す断面図、第３図は薄膜層の形成方法
を示す断面図である。 １・・・型本体、２・・・ふた、３・・・成形品、４・
・・薄膜層、５・・・加熱コイル、６ａ、６ｂ・・・端
子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、成形材料を成形型内に充填し、当該充填された成形
材料を圧縮することにより成形を行う圧縮成形装置にお
いて、 前記成形型の成形材料と接する壁面に設けられた膜状発
熱体と、この膜状発熱体を加熱する加熱手段とを備えた
ことを特徴とする圧縮成形装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の装置において、成形型
は絶縁物、膜状発熱体は抵抗体、加熱手段は前記膜状発
熱体に電流を通電する通電装置であることを特徴とする
圧縮成形装置。 ３、特許請求の範囲第１項記載の装置において、成形型
は絶縁物、膜状発熱体は導電体、加熱手段は前記導電体
に高周波磁界を与える誘導加熱装置であることを特徴と
する圧縮成形装置。 ４、特許請求の範囲第１項記載の装置において、成形型
は導電体、膜状発熱体は高誘電物質、加熱手段は前記膜
状発熱体に高周波電界を与える誘電加熱装置であること
を特徴とする圧縮成形装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21231786A JPS6367121A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 圧縮成形装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21231786A JPS6367121A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 圧縮成形装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6367121A true JPS6367121A (ja) | 1988-03-25 |
Family
ID=16620545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21231786A Pending JPS6367121A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 圧縮成形装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6367121A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02194925A (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 樹脂チューブの先端加工方法 |
| JPH04173313A (ja) * | 1990-11-07 | 1992-06-22 | Sanshu Mold:Kk | 射出成形用金型およびこの金型を使用する射出成形方法 |
| US5837183A (en) * | 1996-03-11 | 1998-11-17 | Bridgestone Sports Co., Ltd. | Golf ball molding method and apparatus |
-
1986
- 1986-09-09 JP JP21231786A patent/JPS6367121A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02194925A (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 樹脂チューブの先端加工方法 |
| JPH04173313A (ja) * | 1990-11-07 | 1992-06-22 | Sanshu Mold:Kk | 射出成形用金型およびこの金型を使用する射出成形方法 |
| US5837183A (en) * | 1996-03-11 | 1998-11-17 | Bridgestone Sports Co., Ltd. | Golf ball molding method and apparatus |
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