JPS6367537A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPS6367537A JPS6367537A JP61213284A JP21328486A JPS6367537A JP S6367537 A JPS6367537 A JP S6367537A JP 61213284 A JP61213284 A JP 61213284A JP 21328486 A JP21328486 A JP 21328486A JP S6367537 A JPS6367537 A JP S6367537A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- semiconductor pressure
- semiconductor
- covering body
- receiving surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/148—Details about the circuit board integration, e.g. integrated with the diaphragm surface or encapsulation
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体のピエゾ抵抗効果を利用する半導体圧
力センサに関するものである。
力センサに関するものである。
従来の技術
流体の圧力を検出するための半導体圧力センサにおいて
は、圧力検出素子およびその入出力端子を流体から隔絶
しておかなければならない（たとえば株式会社日刊工業
新聞社発行「電子技術」１９８６年３月号第５１頁〜第
５２頁）。
は、圧力検出素子およびその入出力端子を流体から隔絶
しておかなければならない（たとえば株式会社日刊工業
新聞社発行「電子技術」１９８６年３月号第５１頁〜第
５２頁）。
以下に、従来の圧力センサの一例について、第２図を用
いて説明する。
いて説明する。
この圧力センサにおいては、拡散抵抗体が作り込まれ、
ダイヤフラム構造に形成されたシリコンからなる半導体
圧力検出素子１が、その受圧面２がコツプ状の基台３の
開口部へ向くように、基台３の底部に配置されている。
ダイヤフラム構造に形成されたシリコンからなる半導体
圧力検出素子１が、その受圧面２がコツプ状の基台３の
開口部へ向くように、基台３の底部に配置されている。
基台３には、半導体圧力検出素子１が流体の圧力によっ
て発生する電気信号を外部へ導き出すための端子となる
ステム４．５がそれぞれ絶縁体６，７を介して貫通保持
されており、これらのステム４，５の基台１内の端部と
半導体圧力検出素子１の電極面（図示せず）とは導電線
８，９によって電気的に接続されている。
て発生する電気信号を外部へ導き出すための端子となる
ステム４．５がそれぞれ絶縁体６，７を介して貫通保持
されており、これらのステム４，５の基台１内の端部と
半導体圧力検出素子１の電極面（図示せず）とは導電線
８，９によって電気的に接続されている。
そして、基台３には、半導体圧力検出素子１゜ステム４
，５および導電線８，９をそれぞれ絶縁保護する、たと
えばシリコーンオイルなどのゲル状樹脂からなる圧力伝
搬体１０が充填され、この圧力伝搬体１０をたとえばシ
リコーンゴムなどからなる樹脂の被覆体１１が覆ってい
る。
，５および導電線８，９をそれぞれ絶縁保護する、たと
えばシリコーンオイルなどのゲル状樹脂からなる圧力伝
搬体１０が充填され、この圧力伝搬体１０をたとえばシ
リコーンゴムなどからなる樹脂の被覆体１１が覆ってい
る。
上述した半導体圧力センサに、流体の圧力が矢印Ａ方向
へ加わり、この圧力が、被覆体１１および圧力伝搬体１
０を介して半導体圧力検出素子１に伝達される。半導体
圧力検出素子１は、印加された圧力を電気信号に変換し
、ステム４，５間にそれを発生する。
へ加わり、この圧力が、被覆体１１および圧力伝搬体１
０を介して半導体圧力検出素子１に伝達される。半導体
圧力検出素子１は、印加された圧力を電気信号に変換し
、ステム４，５間にそれを発生する。
発明が解決しようとする問題点
この半導体装置では、被覆体１１は半導体圧力検出素子
１などを流体から保護するものであるため、シリコーン
ゴムなどの軟弾性材料で構成されており、また、圧力伝
搬体１０が半導体圧力検出素子への圧力伝搬をできるだ
け阻害しないように、たとえばシリコーンオイルなどゲ
ル状の樹脂で構成されている。これら圧力伝搬体１０お
よび被覆体１１の二重の樹脂構造となっているため、構
造が複雑となり、その生産性があまりよ（ない。また、
半導体圧力検出素子１への圧力伝搬は、この圧力は圧力
伝搬体１０および被覆体１１を介して行われるため、こ
れらの厚み分だけ圧力の伝達損が生じて正確な測定がむ
ずかしいという問題を有していた。
１などを流体から保護するものであるため、シリコーン
ゴムなどの軟弾性材料で構成されており、また、圧力伝
搬体１０が半導体圧力検出素子への圧力伝搬をできるだ
け阻害しないように、たとえばシリコーンオイルなどゲ
ル状の樹脂で構成されている。これら圧力伝搬体１０お
よび被覆体１１の二重の樹脂構造となっているため、構
造が複雑となり、その生産性があまりよ（ない。また、
半導体圧力検出素子１への圧力伝搬は、この圧力は圧力
伝搬体１０および被覆体１１を介して行われるため、こ
れらの厚み分だけ圧力の伝達損が生じて正確な測定がむ
ずかしいという問題を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決し、生産性に優れ、実
用的にも十分な性能を有する半導体圧力センサを提供し
ようとするものである。
用的にも十分な性能を有する半導体圧力センサを提供し
ようとするものである。
問題点を解決するための手段
本発明の圧力センサは、被覆体の、半導体圧力検出素子
の受圧面上における部分に凹部を設け、その厚みを薄（
、した単層構造としている。
の受圧面上における部分に凹部を設け、その厚みを薄（
、した単層構造としている。
作用
この構成によって、半導体圧力検出素子の受圧面近傍の
被覆が薄いので、圧力が少ない損失でこの素子に伝達さ
れる。また、一つの被覆体で覆われるので、構造も非常
に簡単化なものとなる。
被覆が薄いので、圧力が少ない損失でこの素子に伝達さ
れる。また、一つの被覆体で覆われるので、構造も非常
に簡単化なものとなる。
実施例
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。なお、上記
従来例の構成要素と対応する要素には、同じ符号を付し
ている。
従来例の構成要素と対応する要素には、同じ符号を付し
ている。
図に示すように、ダイヤフラム型半導体圧力検出素子１
はコツプ状の基台３の底部に配置され、ステム４，５の
端部と導電線４で接続されている。そして、基台３内の
半導体圧力検出素子１゜ステム４，５および導電線４を
保護するように、これらを被覆体１２で覆っている。こ
の被覆体１２は反応硬化特性を有する樹脂を基台３に充
填し、被覆するとともに、半導体圧力検出素子１直上に
凹部１３が設けられてその受圧面２上の部分が薄く形成
されている。
はコツプ状の基台３の底部に配置され、ステム４，５の
端部と導電線４で接続されている。そして、基台３内の
半導体圧力検出素子１゜ステム４，５および導電線４を
保護するように、これらを被覆体１２で覆っている。こ
の被覆体１２は反応硬化特性を有する樹脂を基台３に充
填し、被覆するとともに、半導体圧力検出素子１直上に
凹部１３が設けられてその受圧面２上の部分が薄く形成
されている。
本実施例において、たとえば液体による矢印Ａ方向の圧
力を増加させて行くと、被覆体１２を介して圧力が半導
体圧力検出素子１に伝達されるウ一般に樹脂の圧力伝達
損失は、被覆体１２を構成する樹脂の厚さをｔ、その硬
さをｔ、受圧面の面積をＳとすると、ｔｘｋ／で表わさ
れる。被覆体の、半導体圧力検出素子１の受圧面２上の
部分が薄ければ薄いほど、それによる圧力伝達損が少な
くなり、流体の圧力をより正確に検知することができる
。
力を増加させて行くと、被覆体１２を介して圧力が半導
体圧力検出素子１に伝達されるウ一般に樹脂の圧力伝達
損失は、被覆体１２を構成する樹脂の厚さをｔ、その硬
さをｔ、受圧面の面積をＳとすると、ｔｘｋ／で表わさ
れる。被覆体の、半導体圧力検出素子１の受圧面２上の
部分が薄ければ薄いほど、それによる圧力伝達損が少な
くなり、流体の圧力をより正確に検知することができる
。
なお、本実施例ではダイヤフラム型圧力センサについて
述べたが、それに限らず他の半導体圧力センサにも本考
案を適用できることはいうまでもないことである。
述べたが、それに限らず他の半導体圧力センサにも本考
案を適用できることはいうまでもないことである。
発明の効果
本発明によれば、半導体圧力検出素子をその受圧面直上
の部分に凹部が形成された被覆体で覆っているので、流
体の圧力を精度よく測定することができ、また防水性の
よい半導体圧力センサを得ることができる。さらに、被
覆体の構造が簡単化されているため、部品点数も少なく
てすみ、生産性が向上し、低価格、高信頼性の半導体圧
力センサを実現することができる。
の部分に凹部が形成された被覆体で覆っているので、流
体の圧力を精度よく測定することができ、また防水性の
よい半導体圧力センサを得ることができる。さらに、被
覆体の構造が簡単化されているため、部品点数も少なく
てすみ、生産性が向上し、低価格、高信頼性の半導体圧
力センサを実現することができる。
第１図は本発明の一実施例の半導体圧力センサの断面図
、第２図は従来の半導体圧力センサの一例の断面図であ
る。 １・・・・・・半導体圧力検出素子、２・・・・・・受
圧面、３・・・・・・基台、４，５・・・・・・ステム
、８，９・・・・・・導電線、１２・・・・・・被覆体
、１３・・・・・・凹部。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名１−−一手
４り叡ＩＥカオ爽出」（−トＺ−４圧 分 ３−１台 ４．５−−−ス テ ム １３−凹 都 第２図
、第２図は従来の半導体圧力センサの一例の断面図であ
る。 １・・・・・・半導体圧力検出素子、２・・・・・・受
圧面、３・・・・・・基台、４，５・・・・・・ステム
、８，９・・・・・・導電線、１２・・・・・・被覆体
、１３・・・・・・凹部。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名１−−一手
４り叡ＩＥカオ爽出」（−トＺ−４圧 分 ３−１台 ４．５−−−ス テ ム １３−凹 都 第２図
Claims (2)
- （１）圧力を電気信号に変換する半導体圧力検出素子と
、前記半導体圧力検出素子を外部へ電気的に導出するた
めの端子と、前記端子および前記半導体圧力検出素子を
接続する導電線と、前記半導体圧力検出素子および前記
導電線を収納し、かつ前記ステムが支持されているコッ
プ状の基台と、少なくとも前記半導体圧力検出素子およ
び前記導電線を被覆するとともに、前記半導体圧力検出
素子の受圧面直上の部分に凹部が形成されている被覆体
とを備えていることを特徴とする半導体圧力センサ。 - （２）被覆体が反応硬化特性を有する樹脂で構成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半
導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213284A JPS6367537A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213284A JPS6367537A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6367537A true JPS6367537A (ja) | 1988-03-26 |
Family
ID=16636561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61213284A Pending JPS6367537A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6367537A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014085206A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Denso Corp | 圧力センサ装置およびその製造方法 |
| JP2014085299A (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Denso Corp | 圧力センサ装置およびその製造方法 |
| JP2014174121A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Denso Corp | 圧力センサ |
-
1986
- 1986-09-10 JP JP61213284A patent/JPS6367537A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014085206A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Denso Corp | 圧力センサ装置およびその製造方法 |
| JP2014085299A (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Denso Corp | 圧力センサ装置およびその製造方法 |
| JP2014174121A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Denso Corp | 圧力センサ |
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