JPS636977B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS636977B2 JPS636977B2 JP56166549A JP16654981A JPS636977B2 JP S636977 B2 JPS636977 B2 JP S636977B2 JP 56166549 A JP56166549 A JP 56166549A JP 16654981 A JP16654981 A JP 16654981A JP S636977 B2 JPS636977 B2 JP S636977B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- deflection
- ion plasma
- ions
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 50
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置及び薄膜装置の製造及び具
体的には幅広いイオン・プラズマ・ビームの偏向
及び結像に関する。
体的には幅広いイオン・プラズマ・ビームの偏向
及び結像に関する。
大直径、例えば10cmもしくはそれ以上の直径の
イオン・プラズマ・ビームは、イオン・プレーテ
イング、ウエハ清浄化及び平坦化などの処理に需
要がましている。これ等の処理の多くにおいて
は、容易に幅広いイオン・ビームを偏向もしくは
結像させ得る様にする事によつて更に適用の柔軟
性が高まる。１つの例として、イオン・プレーテ
イングの前のイオン研摩による基板の予備清浄化
がある。また、他の例として、イオン研摩装置を
高電流密度イオン・プレーテイング装置へ容易に
変換し得るということがある。
イオン・プラズマ・ビームは、イオン・プレーテ
イング、ウエハ清浄化及び平坦化などの処理に需
要がましている。これ等の処理の多くにおいて
は、容易に幅広いイオン・ビームを偏向もしくは
結像させ得る様にする事によつて更に適用の柔軟
性が高まる。１つの例として、イオン・プレーテ
イングの前のイオン研摩による基板の予備清浄化
がある。また、他の例として、イオン研摩装置を
高電流密度イオン・プレーテイング装置へ容易に
変換し得るということがある。
ビームは主に正に帯電された粒子より成るので
従来技術法は帯電表面もしくは磁石によつて偏向
される帯電粒子ビームを開示している。これに比
較して、イオン・プラズマ・ビームはイオン及び
電子の両方より成る比較的幅広いビームで純粋に
帯電された正のイオンではない。従つて、この様
な幅広いビームは、この様な電子の存在のために
従来の技法によつては首尾よく偏向することがで
きない。
従来技術法は帯電表面もしくは磁石によつて偏向
される帯電粒子ビームを開示している。これに比
較して、イオン・プラズマ・ビームはイオン及び
電子の両方より成る比較的幅広いビームで純粋に
帯電された正のイオンではない。従つて、この様
な幅広いビームは、この様な電子の存在のために
従来の技法によつては首尾よく偏向することがで
きない。
本発明の目的は、精密な電子制御手段を要する
ことなく、大直径のイオン・プラズマ・ビームを
偏向及び収束させる簡単な技法を与える事にあ
る。本発明の他の目的は自動調節的方法で幅広い
イオン・プラズマ・ビームを偏向及び収束させる
技法を与える事にある。
ことなく、大直径のイオン・プラズマ・ビームを
偏向及び収束させる簡単な技法を与える事にあ
る。本発明の他の目的は自動調節的方法で幅広い
イオン・プラズマ・ビームを偏向及び収束させる
技法を与える事にある。
上述の目的は、予定の制御電圧に保持され、あ
るいはイオン・ビームによつて帯電される表面を
もつ偏向手段によつてイオン・ビームが偏向され
るような装置を与える本発明によつて達成され
る。偏向手段の表面は電気的に浮遊している帯電
表面であるので、ビーム電位によつて決定される
電圧に自己帯電される。１つの実施例において、
その表面はイオン源からのビームの送出方向に対
して45度の角度で置かれる。
るいはイオン・ビームによつて帯電される表面を
もつ偏向手段によつてイオン・ビームが偏向され
るような装置を与える本発明によつて達成され
る。偏向手段の表面は電気的に浮遊している帯電
表面であるので、ビーム電位によつて決定される
電圧に自己帯電される。１つの実施例において、
その表面はイオン源からのビームの送出方向に対
して45度の角度で置かれる。
これ以外に、ビームは、電場を偏向表面の領域
に限定する目的で偏向表面に平行に、接地された
メツシユ・スクリーン格子を位置付ける事によつ
て制御される。接地された格子は格子を介して偏
向表面にイオンを通過させる大きさの開孔を有す
るが、負の電位にあるため電子は通過させない。
に限定する目的で偏向表面に平行に、接地された
メツシユ・スクリーン格子を位置付ける事によつ
て制御される。接地された格子は格子を介して偏
向表面にイオンを通過させる大きさの開孔を有す
るが、負の電位にあるため電子は通過させない。
第１図は本発明に従うイオン・ビーム装置の概
略図である。一般的に本発明のシステムは真空室
１７内に含まれるターゲツト材料１５を処理する
ためのイオン源１を含む。イオン源１は米国特許
第3913320号に開示された“Kaufman源”の如き
通常の源でよい。特にイオン源１は室１７内に存
在する電源３によつて電力を受ける熱イオン陰極
２及びイオン源壁に隣接し、ステンレス鋼の如き
非磁気的材料から形成される陽極４を含む。陽極
の電圧供給源５は電源Vaを与える。同様に放電
電力供給源６は放電電圧Vdを与える。加速器格
子電力供給源８は電圧Vgを単一もしくは多重抽
出格子７に与える。
略図である。一般的に本発明のシステムは真空室
１７内に含まれるターゲツト材料１５を処理する
ためのイオン源１を含む。イオン源１は米国特許
第3913320号に開示された“Kaufman源”の如き
通常の源でよい。特にイオン源１は室１７内に存
在する電源３によつて電力を受ける熱イオン陰極
２及びイオン源壁に隣接し、ステンレス鋼の如き
非磁気的材料から形成される陽極４を含む。陽極
の電圧供給源５は電源Vaを与える。同様に放電
電力供給源６は放電電圧Vdを与える。加速器格
子電力供給源８は電圧Vgを単一もしくは多重抽
出格子７に与える。
アルゴン気体がイオン源１に気体導入口１８か
ら与えられる。気体は陽極４へ加速される陰極２
からの電子によつて電離される。多重開孔加速器
格子７はイオン源の下方端に示されている。プラ
ズマ１９はイオン源室中のイオン及び電子によつ
て形成され、イオン・ビームのためのイオン源を
与える。これ等のイオンはプラズマ１９から抽出
され、イオン・ビーム加速用格子７中の開孔へ指
向されて第１図に示されたイオン軌道直線１１に
よつて示されたビームが形成される。
ら与えられる。気体は陽極４へ加速される陰極２
からの電子によつて電離される。多重開孔加速器
格子７はイオン源の下方端に示されている。プラ
ズマ１９はイオン源室中のイオン及び電子によつ
て形成され、イオン・ビームのためのイオン源を
与える。これ等のイオンはプラズマ１９から抽出
され、イオン・ビーム加速用格子７中の開孔へ指
向されて第１図に示されたイオン軌道直線１１に
よつて示されたビームが形成される。
電子が中和器９からビーム１１へ加えられ、タ
ーゲツト１５の帯電を防止する。中和器９は電圧
Vnの供給源１０から電力が供給される。この様
なビームは直径10cm以上である。しかしながら、
本発明のビーム１１の経路中に45゜の角度で置か
れた表面をもつ偏向装置１２によつて偏向が達成
される。その表面は正の電荷に帯電される。これ
は絶縁層例えばガラスもしくは接地されていない
金属表面によつて達成されている。十分な正の電
荷が蓄積された時、イオン・ビーム１１はもは
や、偏向装置１２に衝突し得ず、従つて偏向され
る。角度45゜の場合、イオンのエネルギーをEeV
（エレクトロン・ボルト）とすると、偏向装置１
２の表面が約Ｅ／２ボルトまで帯電されている
と、図示のようにビーム線１４が90゜偏向される。
ビーム偏向のより良い制御は偏向装置１２の表面
に平行に接地された負の電位にある格子１３を置
く事によつて達成される。格子１３はイオン・ビ
ーム・プラズマ１１中の電子のデバイ長以下であ
る開孔を有する高度に透過性の金属メツシユ・ス
クリーンである。例えば、アルゴン・プラズマ・
ビームの場合、デバイ長は典型的には0.1mmであ
り、従つて、メツシユ格子開孔は0.1mm以下であ
る。従つて、要するに電子はメツシユ格子１３の
負の電位のためメツシユ格子１３を通過せず、イ
オンのみが通過し、偏向装置１２の表面によつて
偏向される。これにより偏向用電界がその表面の
領域に限定され、偏向の前もしくは後のイオンの
軌道を乱す事はない。同様に格子１３の存在はビ
ーム１１及び１４によつて示された領域において
追加の電子によつて中性化されるのを可能とし、
空間電荷の反発によつてビームが拡がるのが防止
される。
ーゲツト１５の帯電を防止する。中和器９は電圧
Vnの供給源１０から電力が供給される。この様
なビームは直径10cm以上である。しかしながら、
本発明のビーム１１の経路中に45゜の角度で置か
れた表面をもつ偏向装置１２によつて偏向が達成
される。その表面は正の電荷に帯電される。これ
は絶縁層例えばガラスもしくは接地されていない
金属表面によつて達成されている。十分な正の電
荷が蓄積された時、イオン・ビーム１１はもは
や、偏向装置１２に衝突し得ず、従つて偏向され
る。角度45゜の場合、イオンのエネルギーをEeV
（エレクトロン・ボルト）とすると、偏向装置１
２の表面が約Ｅ／２ボルトまで帯電されている
と、図示のようにビーム線１４が90゜偏向される。
ビーム偏向のより良い制御は偏向装置１２の表面
に平行に接地された負の電位にある格子１３を置
く事によつて達成される。格子１３はイオン・ビ
ーム・プラズマ１１中の電子のデバイ長以下であ
る開孔を有する高度に透過性の金属メツシユ・ス
クリーンである。例えば、アルゴン・プラズマ・
ビームの場合、デバイ長は典型的には0.1mmであ
り、従つて、メツシユ格子開孔は0.1mm以下であ
る。従つて、要するに電子はメツシユ格子１３の
負の電位のためメツシユ格子１３を通過せず、イ
オンのみが通過し、偏向装置１２の表面によつて
偏向される。これにより偏向用電界がその表面の
領域に限定され、偏向の前もしくは後のイオンの
軌道を乱す事はない。同様に格子１３の存在はビ
ーム１１及び１４によつて示された領域において
追加の電子によつて中性化されるのを可能とし、
空間電荷の反発によつてビームが拡がるのが防止
される。
上述のように、イオンが絶縁表面１２に向う
時、この様な表面はビーム１１中のイオンの電位
に帯電される。この時点で導入イオンはもはや帯
電表面に衝突せず、表面の角度に従つて偏向され
る。１つの実施例に従えば、偏向装置１２の表面
は電気的に浮遊している。他の実施例に従えば、
偏向装置１２の表面は制御装置１６によつて決定
される電位を有する。制御装置１６は第２．１，
２．２及び２．３図に示された３つの形式のどれ
かを取り得る。従つて、制御装置は第２．１図に
示された如く可変値のコンデンサ及び可変値の抵
抗値２１より成り得る。もしくは制御装置１６は
第２．２図に示された如く電力供給源２２′より
成り制御電圧装置によつてビーム偏向を可能にし
ている。制御装置１６は同様に第２．３図に示さ
れた如くスパツタ付着のためにスイツチ２３を含
みアースに直接接続されるのを可能としている。
時、この様な表面はビーム１１中のイオンの電位
に帯電される。この時点で導入イオンはもはや帯
電表面に衝突せず、表面の角度に従つて偏向され
る。１つの実施例に従えば、偏向装置１２の表面
は電気的に浮遊している。他の実施例に従えば、
偏向装置１２の表面は制御装置１６によつて決定
される電位を有する。制御装置１６は第２．１，
２．２及び２．３図に示された３つの形式のどれ
かを取り得る。従つて、制御装置は第２．１図に
示された如く可変値のコンデンサ及び可変値の抵
抗値２１より成り得る。もしくは制御装置１６は
第２．２図に示された如く電力供給源２２′より
成り制御電圧装置によつてビーム偏向を可能にし
ている。制御装置１６は同様に第２．３図に示さ
れた如くスパツタ付着のためにスイツチ２３を含
みアースに直接接続されるのを可能としている。
イオン・ビームの収束は第３図に示されたよう
な適切な湾曲表面２４によつて達成することがで
きる。偏向部材２５上の湾曲表面２４は湾曲反射
鏡と同様にイオンを共通の焦点２６に指向する。
な適切な湾曲表面２４によつて達成することがで
きる。偏向部材２５上の湾曲表面２４は湾曲反射
鏡と同様にイオンを共通の焦点２６に指向する。
このビーム偏向技法の利点は、
(1) 簡単であること、すなわち表面１２の角度が
偏向の角度を決定する。
偏向の角度を決定する。
(2) 自動調節的であること、すなわち表面１２上
の電荷はイオンを反発するために適切なレベル
に調節される。従つて自動調節的である。
の電荷はイオンを反発するために適切なレベル
に調節される。従つて自動調節的である。
(3) 本発明の技法はイオン研摩のために使用され
るイオン・ビーム装置などにおいて容易に使用
することができる。
るイオン・ビーム装置などにおいて容易に使用
することができる。
本発明の技法に対する１つの応用は薄膜付着の
前に基板を予じめ清浄にする事にある。ターゲツ
ト１５の位置に存在する基板は偏向されたイオ
ン・ビームによつてスパツタで清浄にされ得る。
第２．３図に示された制御装置のスイツチ２３を
オンにして使用する事により偏向装置１２の表面
が接地され、イオン・ビームがその表面にスパツ
タされ、ビームはもはや偏向されなくなる。ここ
で基板はスパツタ付着によつて偏向装置１２の表
面から除去される材料で被覆される。
前に基板を予じめ清浄にする事にある。ターゲツ
ト１５の位置に存在する基板は偏向されたイオ
ン・ビームによつてスパツタで清浄にされ得る。
第２．３図に示された制御装置のスイツチ２３を
オンにして使用する事により偏向装置１２の表面
が接地され、イオン・ビームがその表面にスパツ
タされ、ビームはもはや偏向されなくなる。ここ
で基板はスパツタ付着によつて偏向装置１２の表
面から除去される材料で被覆される。
本発明の技法は同様にイオン研摩装置を高電流
密度イオン・プレーテイング装置に変換するため
に使用される。通常のウエハ保持器を第４図に示
された如く湾曲した凹反射表面２４によつて置換
する事によつて、イオン・ビームは偏向され、点
２６に収束される。ターゲツト２７は焦点の位置
に置かれ、収束ビーム中の高電流密度によつて高
率でスパツタされる。この様にターゲツト２７か
らのスパツタ材料がウエハ２８上に付着される。
密度イオン・プレーテイング装置に変換するため
に使用される。通常のウエハ保持器を第４図に示
された如く湾曲した凹反射表面２４によつて置換
する事によつて、イオン・ビームは偏向され、点
２６に収束される。ターゲツト２７は焦点の位置
に置かれ、収束ビーム中の高電流密度によつて高
率でスパツタされる。この様にターゲツト２７か
らのスパツタ材料がウエハ２８上に付着される。
本発明の技法は同様に高強度イオン研摩装置を
与える。第３及び第４図の収束イオン・ビームは
焦点近くに高い除去速度のイオン研摩を与える。
与える。第３及び第４図の収束イオン・ビームは
焦点近くに高い除去速度のイオン研摩を与える。
第４図に示された構造体によつて、ビームはタ
ーゲツト表面を横切つてビームをラスタさせる事
が出来、多層材料の場合には、ビームは容易に１
つのターゲツトから他のターゲツトに移動され
る。この事は偏向されたイオン・ビームの方向を
変更する偏向表面の角度を変更する事によつて達
成される。
ーゲツト表面を横切つてビームをラスタさせる事
が出来、多層材料の場合には、ビームは容易に１
つのターゲツトから他のターゲツトに移動され
る。この事は偏向されたイオン・ビームの方向を
変更する偏向表面の角度を変更する事によつて達
成される。
第１図は本発明に従うイオン・ビーム装置の概
略図である。第２．１図、第２．２図及び第２．
３図はイオン・ビーム偏向表面に対する制御装置
の３つの互換形を示す。第３図はイオン・ビーム
の収束のための湾曲偏向表面を示す。第４図は本
発明の偏向技法を使用する高電流密度イオン・プ
レーテイング装置を示す。 １……イオン源、２……熱イオン陰極、４……
陽極、７……多重開孔加速器格子、９……中和
器、１１……イオン・ビーム軌道、１２……偏向
装置、１３……スクリーン格子、１５……ターゲ
ツト、１６……制御装置、１７……真空室、１８
……気体導入口、１９……プラズマ。
略図である。第２．１図、第２．２図及び第２．
３図はイオン・ビーム偏向表面に対する制御装置
の３つの互換形を示す。第３図はイオン・ビーム
の収束のための湾曲偏向表面を示す。第４図は本
発明の偏向技法を使用する高電流密度イオン・プ
レーテイング装置を示す。 １……イオン源、２……熱イオン陰極、４……
陽極、７……多重開孔加速器格子、９……中和
器、１１……イオン・ビーム軌道、１２……偏向
装置、１３……スクリーン格子、１５……ターゲ
ツト、１６……制御装置、１７……真空室、１８
……気体導入口、１９……プラズマ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) 正に荷電されたイオンを含むイオン・プ
ラズマを形成するためのイオン源１と、 (b) 上記イオン源中の上記イオン・プラズマから
幅広いイオン・プラズマ・ビームを抽出するた
めの抽出手段７と、 (c) 上記イオン・プラズマ・ビームの経路中にあ
つて、上記イオン・プラズマ・ビームをターゲ
ツト材料に向つて偏向させるように、正の電位
の表面をもち該表面が上記イオン・プラズマ・
ビームの上記イオン源からの抽出方向に対して
傾斜して位置付けられている偏向手段１２と、 (d) 上記イオン・プラズマの経路中で上記偏向手
段の上記表面付近に位置付けられ、上記イオ
ン・プラズマ中のイオンを通過させる開口を有
し、上記イオン・プラズマ中の電子の通過を阻
止するように負の電位に接続されたスクリーン
格子１３、 とを具備する幅広いイオン・プラズマ・ビームを
偏向させるための装置。 ２ 上記偏向手段が上記イオン・プラズマ・ビー
ムを焦点に向けて収束させるための凹反射表面を
有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/221,661 US4381453A (en) | 1980-12-31 | 1980-12-31 | System and method for deflecting and focusing a broad ion beam |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57113548A JPS57113548A (en) | 1982-07-15 |
| JPS636977B2 true JPS636977B2 (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=22828769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56166549A Granted JPS57113548A (en) | 1980-12-31 | 1981-10-20 | Device for deflecting wide ion plasma beam |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4381453A (ja) |
| EP (1) | EP0055326B1 (ja) |
| JP (1) | JPS57113548A (ja) |
| DE (1) | DE3171316D1 (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1188251A (en) * | 1981-10-07 | 1985-06-04 | Joel L. Williams | Substrate with chemically modified surface and method of manufacture thereof |
| EP0090067B2 (de) | 1982-03-31 | 1991-03-20 | Ibm Deutschland Gmbh | Reaktor für das reaktive Ionenätzen und Ätzverfahren |
| US4538067A (en) * | 1982-12-09 | 1985-08-27 | International Business Machines Corporation | Single grid focussed ion beam source |
| US4424103A (en) | 1983-04-04 | 1984-01-03 | Honeywell Inc. | Thin film deposition |
| US4559102A (en) * | 1983-05-09 | 1985-12-17 | Sony Corporation | Method for recrystallizing a polycrystalline, amorphous or small grain material |
| US4690744A (en) * | 1983-07-20 | 1987-09-01 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Method of ion beam generation and an apparatus based on such method |
| KR890002747B1 (ko) * | 1983-11-07 | 1989-07-26 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 이온 빔에 의한 성막방법 및 그 장치 |
| US4604179A (en) * | 1985-02-28 | 1986-08-05 | Trimedia Corporation | Sputtering-system baffle |
| JPH0668147B2 (ja) * | 1985-02-28 | 1994-08-31 | トリメデイア コ−ポレ−シヨン | 薄膜記憶ディスクおよび方法 |
| US4747922A (en) * | 1986-03-25 | 1988-05-31 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Confined ion beam sputtering device and method |
| US4925542A (en) * | 1988-12-08 | 1990-05-15 | Trw Inc. | Plasma plating apparatus and method |
| US5064520A (en) * | 1989-02-15 | 1991-11-12 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for forming a film |
| US4985657A (en) * | 1989-04-11 | 1991-01-15 | Lk Technologies, Inc. | High flux ion gun apparatus and method for enhancing ion flux therefrom |
| JP2605148B2 (ja) * | 1989-10-20 | 1997-04-30 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 酸化物薄膜の製造方法 |
| GB9005204D0 (en) * | 1990-03-08 | 1990-05-02 | Superion Ltd | Apparatus and methods relating to scanning ion beams |
| DE4019729A1 (de) * | 1990-06-21 | 1992-01-02 | Leybold Ag | Ionenquelle |
| AU5483196A (en) * | 1995-04-14 | 1996-10-30 | Spectra-Physics Lasers, Inc. | Method for producing dielectric coatings |
| US5741404A (en) * | 1996-05-24 | 1998-04-21 | Micron Technology, Inc. | Multi-planar angulated sputtering target and method of use for filling openings |
| US5601654A (en) * | 1996-05-31 | 1997-02-11 | The Regents Of The University Of California, Office Of Technology Transfer | Flow-through ion beam source |
| US6331227B1 (en) | 1999-12-14 | 2001-12-18 | Epion Corporation | Enhanced etching/smoothing of dielectric surfaces |
| US6338775B1 (en) * | 2000-08-07 | 2002-01-15 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus and method for uniformly depositing thin films over substrates |
| US6610179B2 (en) | 2001-03-16 | 2003-08-26 | David Alan Baldwin | System and method for controlling deposition thickness using a mask with a shadow that varies with respect to a target |
| JP2004031603A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Nec Corp | レーザｃｖｄ装置、レーザｃｖｄ法、パターン欠陥修正装置及びパターン欠陥修正方法 |
| KR100851901B1 (ko) * | 2005-01-07 | 2008-08-13 | 삼성전자주식회사 | 이온 빔 추출장치 |
| JP4405973B2 (ja) * | 2006-01-17 | 2010-01-27 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜作製装置 |
| US8878147B2 (en) | 2010-09-07 | 2014-11-04 | Joseph C. Robinson | Method and apparatus for in situ preparation of serial planar surfaces for microscopy |
| US8686379B1 (en) | 2010-09-07 | 2014-04-01 | Joseph C. Robinson | Method and apparatus for preparing serial planar cross sections |
| DE102017210066A1 (de) * | 2017-06-14 | 2018-12-20 | Tesa Se | Verfahren zur simultanen Plasmarandverkapselung von mindestens zwei Klebebandseiten |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2762916A (en) * | 1950-07-13 | 1956-09-11 | Hartford Nat Bank & Trust Co | Device comprising an electric discharge tube having a concentrated electron beam |
| NL6716628A (ja) * | 1967-12-07 | 1969-06-10 | ||
| US3913320A (en) * | 1974-11-13 | 1975-10-21 | Ion Tech Inc | Electron-bombardment ion sources |
-
1980
- 1980-12-31 US US06/221,661 patent/US4381453A/en not_active Expired - Fee Related
-
1981
- 1981-09-09 DE DE8181107092T patent/DE3171316D1/de not_active Expired
- 1981-09-09 EP EP81107092A patent/EP0055326B1/en not_active Expired
- 1981-10-20 JP JP56166549A patent/JPS57113548A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0055326B1 (en) | 1985-07-10 |
| EP0055326A1 (en) | 1982-07-07 |
| DE3171316D1 (en) | 1985-08-14 |
| US4381453A (en) | 1983-04-26 |
| JPS57113548A (en) | 1982-07-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS636977B2 (ja) | ||
| US4523971A (en) | Programmable ion beam patterning system | |
| US3472751A (en) | Method and apparatus for forming deposits on a substrate by cathode sputtering using a focussed ion beam | |
| JP2020064860A (ja) | 基板処理システム、イオン注入システム、およびビームラインイオン注入システム | |
| US3192892A (en) | Ion bombardment cleaning and coating apparatus | |
| JP2019525386A (ja) | イオン化ツールを有するｘ線源 | |
| JPS6330987B2 (ja) | ||
| US5757018A (en) | Zero deflection magnetically-suppressed Faraday for ion implanters | |
| TWI732817B (zh) | 離子束裝置中汙染控制的裝置和方法 | |
| US3649502A (en) | Apparatus for supported discharge sputter-coating of a substrate | |
| US6184532B1 (en) | Ion source | |
| JP2002512658A (ja) | 基板電極を使用するスパッタコーティング装置及び方法 | |
| JP5337028B2 (ja) | 装置 | |
| US5378341A (en) | Conical magnetron sputter source | |
| EP0094473B1 (en) | Apparatus and method for producing a stream of ions | |
| US3415985A (en) | Ionic microanalyzer wherein secondary ions are emitted from a sample surface upon bombardment by neutral atoms | |
| Probyn | A low-energy ion source for the deposition of chromium | |
| US3573454A (en) | Method and apparatus for ion bombardment using negative ions | |
| JPS59112557A (ja) | イオン・ビ−ムを制御する装置及び方法 | |
| US3555332A (en) | Apparatus for producing a high energy beam of selected metallic ions | |
| US4731540A (en) | Ion beam materials processing system with neutralization means and method | |
| US3313969A (en) | Charged particle deflecting apparatus having hemispherical electrodes | |
| JP3958869B2 (ja) | ＭｇＯ膜形成方法およびパネル | |
| JPH09167593A (ja) | イオン注入装置 | |
| JP3958870B2 (ja) | 真空成膜装置 |