JPS6369977A - 均一な被膜を形成する為の光ｃｖｄ装置 - Google Patents
均一な被膜を形成する為の光ｃｖｄ装置Info
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- JPS6369977A JPS6369977A JP21332586A JP21332586A JPS6369977A JP S6369977 A JPS6369977 A JP S6369977A JP 21332586 A JP21332586 A JP 21332586A JP 21332586 A JP21332586 A JP 21332586A JP S6369977 A JPS6369977 A JP S6369977A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野」
本発明は、半導体作製に用いられる光ＣＶＤ装置に関す
るものである。
るものである。
「従来技術」
近年、超ＬＳＩに代表される半導体の高密度化が進み、
それと共にその作製に用いられる種々の装置の性能に高
い要求がなされる様になってきている。
それと共にその作製に用いられる種々の装置の性能に高
い要求がなされる様になってきている。
現在、半導体装置は、シリコン基板上にＣＶＤ装置、又
はスパッタリング装置を用いて種々の半導体膜、導体膜
、絶縁体膜を積層させると共に、適時、エツチングを行
ない所望の構成を得ている。この際、各膜厚は、主に膜
形成時間を適宜設定することによって調整している。
はスパッタリング装置を用いて種々の半導体膜、導体膜
、絶縁体膜を積層させると共に、適時、エツチングを行
ない所望の構成を得ている。この際、各膜厚は、主に膜
形成時間を適宜設定することによって調整している。
この中で、ＣＶＤ装置、特に光ＣＶＤ装置は、低温で膜
形成を行ない得るもので、窒化シリコン膜形成等に好都
合なものである。
形成を行ない得るもので、窒化シリコン膜形成等に好都
合なものである。
この膜厚は半導体基板上でのバラツキは、±１０％以内
にすることが望ましく、光ＣＶＤ装置の場合光源の選定
及びその配置にはそれなりの工夫が必要とされる。具体
的には、基板上に多数の光源を平行に配置して、基板に
対して直角で一様な光を作ることが望ましいが、有限個
の光源を用いて基板上での光度を一定にすることは理論
的に不可能であり、しかも、光源を多数設けることは、
電源ラインの本数が増え、それらの間で放電が起こる等
の不都合がある。
にすることが望ましく、光ＣＶＤ装置の場合光源の選定
及びその配置にはそれなりの工夫が必要とされる。具体
的には、基板上に多数の光源を平行に配置して、基板に
対して直角で一様な光を作ることが望ましいが、有限個
の光源を用いて基板上での光度を一定にすることは理論
的に不可能であり、しかも、光源を多数設けることは、
電源ラインの本数が増え、それらの間で放電が起こる等
の不都合がある。
「発明の目的」
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであリ、その
目的は、各基板間、及び個々の基板上での膜厚を均一に
して被膜形成をすることの出来る光ＣＶＤ装置を提供す
ることである。
目的は、各基板間、及び個々の基板上での膜厚を均一に
して被膜形成をすることの出来る光ＣＶＤ装置を提供す
ることである。
「発明の構成」
前記目的を達成する為に、本発明は、真空チャンバと、
真空ポンプと、前記真空チャンバ内のカートと、前記カ
ートを照射する光源と被膜形成時に前記カートと前記光
源との位置を変化させる手段とから光ＣＶＤ装置を構成
した。
真空ポンプと、前記真空チャンバ内のカートと、前記カ
ートを照射する光源と被膜形成時に前記カートと前記光
源との位置を変化させる手段とから光ＣＶＤ装置を構成
した。
「実施例」
第１図及び第２図は、本発明になる光照射機構を用いた
光ＣＶＤ装置を示す断面図である。
光ＣＶＤ装置を示す断面図である。
図中、光ＣＶＤ装置ｌは、チャンバ３、紫外線光源５、
正六角形状の基板ホルダ７、回動機構９及び反応ガス導
入系１１及び排出系１３から成っている。光源５は、一
端の閉鎖された石英管１７によって気密囲まれた水銀ラ
ンプ１９から成り、膜形成を行なうべき基板１５が取り
つけられた基板ホルダの周囲に等間隔で同心円上に設け
られている。モータ２１は、これら光源５に囲まれた基
板ホルダ７を回動させ基板１５と各光源５との相対位置
を周期的に適時変化させている。又、石英管１７内は、
冷却用の窒素が循環しており、水銀ランプ１９の温度が
上昇し過ぎることを防止している。
正六角形状の基板ホルダ７、回動機構９及び反応ガス導
入系１１及び排出系１３から成っている。光源５は、一
端の閉鎖された石英管１７によって気密囲まれた水銀ラ
ンプ１９から成り、膜形成を行なうべき基板１５が取り
つけられた基板ホルダの周囲に等間隔で同心円上に設け
られている。モータ２１は、これら光源５に囲まれた基
板ホルダ７を回動させ基板１５と各光源５との相対位置
を周期的に適時変化させている。又、石英管１７内は、
冷却用の窒素が循環しており、水銀ランプ１９の温度が
上昇し過ぎることを防止している。
基板ホルダ７の中空内部に、加熱手段２３として、ハロ
ゲンランプヒータが設けられている。このヒータ２３は
、チャンバ３上部から支持されており、基板ホルダ７を
加熱している。
ゲンランプヒータが設けられている。このヒータ２３は
、チャンバ３上部から支持されており、基板ホルダ７を
加熱している。
基板１５は、２５ｃｍＸ３５ｃｍの大きさで、基板ホル
ダ７の一面当り２枚、全部で１２枚取付けられている。
ダ７の一面当り２枚、全部で１２枚取付けられている。
次に、このＣＶＤ装置の動作について説明す□る。
先ず膜形成を行なうべき基板１５を基板ホルダ７の各回
毎に２枚づつ取付ける。チャンバ３を完全に密閉し、排
出系（真空ポンプ）１３によって内部の気圧を約１０−
２〜１０−’ｔｏｒｒ迄下げる。次に、チャンバ３内に
、反応ガス導入系１１から反応ガスを約３ｔｏｒｒの圧
力になる迄導入する。基板１５が加熱手段２３によって
所定温度となった状態で、モータ２１を駆動させ基板ホ
ルダ７を回転させると共に、光源５から紫外線を基板面
に向って照射する。反応ガスは、基板１５上で熱と光に
よって所定の化学反応を進行させ、基板面に生成物を積
層させる。
毎に２枚づつ取付ける。チャンバ３を完全に密閉し、排
出系（真空ポンプ）１３によって内部の気圧を約１０−
２〜１０−’ｔｏｒｒ迄下げる。次に、チャンバ３内に
、反応ガス導入系１１から反応ガスを約３ｔｏｒｒの圧
力になる迄導入する。基板１５が加熱手段２３によって
所定温度となった状態で、モータ２１を駆動させ基板ホ
ルダ７を回転させると共に、光源５から紫外線を基板面
に向って照射する。反応ガスは、基板１５上で熱と光に
よって所定の化学反応を進行させ、基板面に生成物を積
層させる。
光源５の照度及び基板ホルダの回転速度を一定に保って
膜形成を行なっても、基板上の照度バラツキは平均化さ
れるが、各基板表面での照度をより一様にするには、基
板ホルダの回転速度を一定に保つ一方、光源５の照度を
これに同期させ、適当に変化させることが効果的である
。又、これとは逆に、光源５の照度を一定に保つ一方、
基板ホルダ７の回転速度を光源５との相対位置によって
適宜変化させることも、効果が期待出来る。
膜形成を行なっても、基板上の照度バラツキは平均化さ
れるが、各基板表面での照度をより一様にするには、基
板ホルダの回転速度を一定に保つ一方、光源５の照度を
これに同期させ、適当に変化させることが効果的である
。又、これとは逆に、光源５の照度を一定に保つ一方、
基板ホルダ７の回転速度を光源５との相対位置によって
適宜変化させることも、効果が期待出来る。
尚、上記実施例は、１つの好ましい実施態様を示したも
のであり、種々の変形例が考えられる。
のであり、種々の変形例が考えられる。
そのい（つかの例を以下に示す。
基板ホルダ７の断面形状は正六角形としたが、本件発明
者の検討によれば、正１２角形も充分に特徴を持つ形状
である事が分った。この場合、実施例同様各面２枚の基
板を載置するとして、合計２４枚の基板を同時に処理出
来る。勿論、その伸圧方形、正八角形等の正多角形にす
る事も可能である。
者の検討によれば、正１２角形も充分に特徴を持つ形状
である事が分った。この場合、実施例同様各面２枚の基
板を載置するとして、合計２４枚の基板を同時に処理出
来る。勿論、その伸圧方形、正八角形等の正多角形にす
る事も可能である。
又、特殊な場合には、丸形、（非圧）多角形もあり得る
光源１５は、基板ホルダ７の回転軸に対して同心円上に
配置したが、これ以外の配置も、場合によっては、より
効果的である。回転駆動機構は基板ホルダの下側に設け
られているが、これは基板ホルダの上側に設けても横側
にビニオンギアを用いて設けても良い。
配置したが、これ以外の配置も、場合によっては、より
効果的である。回転駆動機構は基板ホルダの下側に設け
られているが、これは基板ホルダの上側に設けても横側
にビニオンギアを用いて設けても良い。
「効果」
本発明によれば、均一な膜厚を持った被膜の形成が可能
な光ＣＶＤ装置が得られる
な光ＣＶＤ装置が得られる
第１図は、本発明の実施例を示す縦断面図である。第２
図は、本発明の実施例を示す横断面図である。
図は、本発明の実施例を示す横断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空チャンバと、 真空ポンプと、 前記真空チャンバ内のカートと、 前記カートを照射する光源と 被膜形成時に前記カートと前記光源との位置を変化させ
る手段とから成る光ＣＶＤ装置
Priority Applications (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21332586A JPS6369977A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 均一な被膜を形成する為の光ｃｖｄ装置 |
| KR1019870009832A KR910003742B1 (ko) | 1986-09-09 | 1987-09-05 | Cvd장치 |
| EP19920104124 EP0490883A1 (en) | 1986-09-09 | 1987-09-07 | CVD apparatus |
| EP87307896A EP0260097B1 (en) | 1986-09-09 | 1987-09-07 | Cvd method and apparatus |
| DE8787307896T DE3782991T2 (de) | 1986-09-09 | 1987-09-07 | Cvd-verfahren und vorrichtung. |
| CN87106283A CN1020290C (zh) | 1986-09-09 | 1987-09-09 | 化学汽相淀积装置 |
| US07/194,206 US4950624A (en) | 1986-09-09 | 1988-05-16 | Method of depositing films using photo-CVD with chamber plasma cleaning |
| US07/971,242 US5427824A (en) | 1986-09-09 | 1992-09-08 | CVD apparatus |
| US08/376,736 US5629245A (en) | 1986-09-09 | 1995-01-23 | Method for forming a multi-layer planarization structure |
| US08/769,115 US5855970A (en) | 1986-09-09 | 1996-12-18 | Method of forming a film on a substrate |
| US09/188,382 US6013338A (en) | 1986-09-09 | 1998-11-10 | CVD apparatus |
| US09/398,059 US6520189B1 (en) | 1986-09-09 | 1999-09-17 | CVD apparatus |
| US10/339,631 US20030140941A1 (en) | 1986-09-09 | 2003-01-10 | CVD apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21332586A JPS6369977A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 均一な被膜を形成する為の光ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6369977A true JPS6369977A (ja) | 1988-03-30 |
| JPH0210866B2 JPH0210866B2 (ja) | 1990-03-09 |
Family
ID=16637282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21332586A Granted JPS6369977A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 均一な被膜を形成する為の光ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6369977A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5522935A (en) * | 1992-02-28 | 1996-06-04 | Nec Corporation | Plasma CVD apparatus for manufacturing a semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5424990A (en) * | 1977-07-26 | 1979-02-24 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | Gas phase polymerization of vinyl chloride and/or vinyl chlroide analogue |
| JPS5630058A (en) * | 1979-08-17 | 1981-03-26 | Kawasaki Steel Corp | Preventing method for leakage of molten steel through porus brick |
-
1986
- 1986-09-09 JP JP21332586A patent/JPS6369977A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5424990A (en) * | 1977-07-26 | 1979-02-24 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | Gas phase polymerization of vinyl chloride and/or vinyl chlroide analogue |
| JPS5630058A (en) * | 1979-08-17 | 1981-03-26 | Kawasaki Steel Corp | Preventing method for leakage of molten steel through porus brick |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5522935A (en) * | 1992-02-28 | 1996-06-04 | Nec Corporation | Plasma CVD apparatus for manufacturing a semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0210866B2 (ja) | 1990-03-09 |
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