JPS6371633A - 微粒子計数装置 - Google Patents
微粒子計数装置Info
- Publication number
- JPS6371633A JPS6371633A JP61215744A JP21574486A JPS6371633A JP S6371633 A JPS6371633 A JP S6371633A JP 61215744 A JP61215744 A JP 61215744A JP 21574486 A JP21574486 A JP 21574486A JP S6371633 A JPS6371633 A JP S6371633A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- light
- scattered light
- sample
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体や薬品製造プロセス等の高清浄プロセス
管理に用いられる微粒子測定装置に係り、特に窩感検出
に好適な微粒子計数装置に関する。
管理に用いられる微粒子測定装置に係り、特に窩感検出
に好適な微粒子計数装置に関する。
従来レーザ散乱光による微粒子検出M置は、「′85ク
リーンテクノロジシンポジウム予稿P4−4−1〜P4
−4−10“米国におけるエアロゾル計測技術”」に奥
井により論じられている様に試料検体の一部に光を照射
したときに試料中の微粒子から散乱する光を集光して検
出するもので、気中粒子0.1μm、液中粒子0.3μ
m程度まで測定できるものであった。しかし高感度検出
に対する配慮は微弱な散乱光をできるだけ多く集光検出
することに重点がありバックグランドノイズを減らす測
定については配慮されてぃなかった。
リーンテクノロジシンポジウム予稿P4−4−1〜P4
−4−10“米国におけるエアロゾル計測技術”」に奥
井により論じられている様に試料検体の一部に光を照射
したときに試料中の微粒子から散乱する光を集光して検
出するもので、気中粒子0.1μm、液中粒子0.3μ
m程度まで測定できるものであった。しかし高感度検出
に対する配慮は微弱な散乱光をできるだけ多く集光検出
することに重点がありバックグランドノイズを減らす測
定については配慮されてぃなかった。
上記従来技術は微弱光の高感度検出のため、検出器の感
度を高くして使用するが、バックグランドノイズの除去
について配慮がされておらず、電気的ノイズ等がより微
小な粒子を測定する上での障害となっていた。
度を高くして使用するが、バックグランドノイズの除去
について配慮がされておらず、電気的ノイズ等がより微
小な粒子を測定する上での障害となっていた。
本発明の目的は上記バックグランドノイズを除去し1粒
子からの散乱光に基く信号のみを測定して、ノイズ対検
出信号比、以下S / N比と称す。
子からの散乱光に基く信号のみを測定して、ノイズ対検
出信号比、以下S / N比と称す。
を向上させることにより、更に高感度な検出を可能にす
ることにある。
ることにある。
上記目的は照射レーザ光を音響光学変調器等の光チョッ
パにより一定周波数で強度変調して散乱光に基く信号が
この周波数で変調される状態になし、かつ検出器からの
信号のうち該周波数と同一周波数の信号のみをロックイ
ン増幅器等を用い位相検波することにより達成される。
パにより一定周波数で強度変調して散乱光に基く信号が
この周波数で変調される状態になし、かつ検出器からの
信号のうち該周波数と同一周波数の信号のみをロックイ
ン増幅器等を用い位相検波することにより達成される。
光チョッパは一定周波数、例えばIM)Iz、で強度変
調されるため、微粒子にレーザ光が照射されたときに散
乱光強度も同一周波数で変調され、検出信号は同一周波
数の変調信号となる。一方電気的ノイズ等は周波数変調
を受けないので、検出信号とノイズ双方が位相検波器に
導入されても、該周波数を有する信号のみが測定される
。
調されるため、微粒子にレーザ光が照射されたときに散
乱光強度も同一周波数で変調され、検出信号は同一周波
数の変調信号となる。一方電気的ノイズ等は周波数変調
を受けないので、検出信号とノイズ双方が位相検波器に
導入されても、該周波数を有する信号のみが測定される
。
以下本発明の一実施例を第1図により説明する9レーザ
光源1からの光Aは音響光学変調器等の光チョッパ2を
介して一定周波数で強度変調され、集光系3により試料
セル4中の試料4′に集光照射される。試料中の微粒子
は照射光を散乱するので、散乱光Bを放物凹面鏡や楕円
面鏡等の集光系5により集光し光検出器6により電気信
号Cに変換される。該電気信号Cは位相検波器7に導か
れ、光強度変調信号と同一周波数の信号、即ち散乱光に
基く信号のみが選択的に測定される。
光源1からの光Aは音響光学変調器等の光チョッパ2を
介して一定周波数で強度変調され、集光系3により試料
セル4中の試料4′に集光照射される。試料中の微粒子
は照射光を散乱するので、散乱光Bを放物凹面鏡や楕円
面鏡等の集光系5により集光し光検出器6により電気信
号Cに変換される。該電気信号Cは位相検波器7に導か
れ、光強度変調信号と同一周波数の信号、即ち散乱光に
基く信号のみが選択的に測定される。
本実施例によれば散乱光検出時のS / N比を向上さ
せる効果がある。
せる効果がある。
本発明によれば微弱散乱光検出時のS / N比を向上
させることができるので、従来バックグランドノイズと
同レベルで測定できなかった微弱な散乱光に基く信号を
測定でき、より微小な粒子の測定が可能となる。
させることができるので、従来バックグランドノイズと
同レベルで測定できなかった微弱な散乱光に基く信号を
測定でき、より微小な粒子の測定が可能となる。
第1図は本発明の一実施例の微粒子計数装置の主要構成
図である。 1・・・レーザ、2・・・光チョッパ、3・・・レーザ
集光系、4・・・試料セル、5・・・散乱光集光系、6
・・・光検出器、7・・・位相検波器、8・・・データ
処理部。 、−7>代理人弁理士 小 川 勝 男゛
・。
図である。 1・・・レーザ、2・・・光チョッパ、3・・・レーザ
集光系、4・・・試料セル、5・・・散乱光集光系、6
・・・光検出器、7・・・位相検波器、8・・・データ
処理部。 、−7>代理人弁理士 小 川 勝 男゛
・。
Claims (1)
- 1、試料検体を流す容器の微小域にレーザ光を照射し試
料中の粒子からの散乱光を検出する粒子検出装置におい
て、レーザ光を一定周波数で強度変調するための手段及
びレーザ光の強度変調周波数と同一周波数の検出器から
の信号を測定するための位相検波器から成ることを特徴
とする微粒子計数装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215744A JPS6371633A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 微粒子計数装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215744A JPS6371633A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 微粒子計数装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6371633A true JPS6371633A (ja) | 1988-04-01 |
Family
ID=16677488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61215744A Pending JPS6371633A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 微粒子計数装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6371633A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03117748U (ja) * | 1990-03-15 | 1991-12-05 | ||
| WO2000042642A1 (fr) * | 1999-01-11 | 2000-07-20 | Hitachi, Ltd. | Procede et dispositif de production d'une plaquette de circuit |
| US6355570B1 (en) | 1998-03-04 | 2002-03-12 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor manufacturing methods, plasma processing methods and plasma processing apparatuses |
| US6576559B2 (en) | 1998-03-04 | 2003-06-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor manufacturing methods, plasma processing methods and plasma processing apparatuses |
| CN102564928A (zh) * | 2012-01-09 | 2012-07-11 | 南通大学 | 光学粒子计数器的传感器 |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP61215744A patent/JPS6371633A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03117748U (ja) * | 1990-03-15 | 1991-12-05 | ||
| US6355570B1 (en) | 1998-03-04 | 2002-03-12 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor manufacturing methods, plasma processing methods and plasma processing apparatuses |
| US6576559B2 (en) | 1998-03-04 | 2003-06-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor manufacturing methods, plasma processing methods and plasma processing apparatuses |
| WO2000042642A1 (fr) * | 1999-01-11 | 2000-07-20 | Hitachi, Ltd. | Procede et dispositif de production d'une plaquette de circuit |
| US7355143B1 (en) | 1999-01-11 | 2008-04-08 | Hitachi, Ltd. | Circuit board production method and its apparatus |
| CN102564928A (zh) * | 2012-01-09 | 2012-07-11 | 南通大学 | 光学粒子计数器的传感器 |
| CN102564928B (zh) | 2012-01-09 | 2013-03-27 | 南通大学 | 光学粒子计数器的传感器 |
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