JPS6371648A - ダイオ−ド型湿度センサ - Google Patents
ダイオ−ド型湿度センサInfo
- Publication number
- JPS6371648A JPS6371648A JP21597886A JP21597886A JPS6371648A JP S6371648 A JPS6371648 A JP S6371648A JP 21597886 A JP21597886 A JP 21597886A JP 21597886 A JP21597886 A JP 21597886A JP S6371648 A JPS6371648 A JP S6371648A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- zno
- humidity
- lower electrode
- humidity sensor
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- Pending
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は小型、低電力にしてメンテナンスフリーの湿度
センサに関するものである。
センサに関するものである。
（従来技術および発明が解決しようとする問題点〕従来
より湿度センサは物理的・化学的に安定なセラミックス
によるものが多く開発されている。セラミックスの感湿
家構には物理吸着水によるイオン伝４金利用するタイプ
〔内用他９表面科学、 ｓ、 １８９ ｃｘ９ｓ２）：
清水他、電気化学。
より湿度センサは物理的・化学的に安定なセラミックス
によるものが多く開発されている。セラミックスの感湿
家構には物理吸着水によるイオン伝４金利用するタイプ
〔内用他９表面科学、 ｓ、 １８９ ｃｘ９ｓ２）：
清水他、電気化学。
ｓｏ、 ８３１ （ｘ９ｓｚ） ：定岡他、電気化学、
５１．４３７（１９８３））と化学的吸着水による半
導体の電子伝導度変化を利用するタイプ（Ｈ，Ａｒａｉ
ｅｔ ａｌ。
５１．４３７（１９８３））と化学的吸着水による半
導体の電子伝導度変化を利用するタイプ（Ｈ，Ａｒａｉ
ｅｔ ａｌ。
Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｉｎｔｅｒｎ
ａｔｉｏｎａｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ ｏｎＣｈｅｍｉｃａ
ｌ ５ｅｎｓｏｒａ＋ ３９３ （１９８３）： Ｔ、
Ｎ１ｔｔａ ｅｔ ａｌ。
ａｔｉｏｎａｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ ｏｎＣｈｅｍｉｃａ
ｌ ５ｅｎｓｏｒａ＋ ３９３ （１９８３）： Ｔ、
Ｎ１ｔｔａ ｅｔ ａｌ。
Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｉｎｔｅｒｎ
ａｔｉｏｎａｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ ｏｎＣｈｅｍｉｃａ
ｌ ５ｅｎｓｏｒｓ＋ ３８７ （１９８３））とがあ
る。前者のタイプはセラミックスの細孔に水が物理吸着
することによって、ヒドロニウムイオンが電気伝導キャ
リアとなり素子のインピーダンスが低下することＫよっ
て湿度を知ることができる。
ａｔｉｏｎａｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ ｏｎＣｈｅｍｉｃａ
ｌ ５ｅｎｓｏｒｓ＋ ３８７ （１９８３））とがあ
る。前者のタイプはセラミックスの細孔に水が物理吸着
することによって、ヒドロニウムイオンが電気伝導キャ
リアとなり素子のインピーダンスが低下することＫよっ
て湿度を知ることができる。
このため感湿性は素子の粗孔分布とインピーダンスとに
大きく依存する欠点を有すると共に、細孔に入り込んだ
水は出にくくなり、長時間便用すると誤差を生じるため
、定期的に３００℃前板に加熱してリフレッシュしなけ
ればならないという欠点を有していた。後者のタイプは
通常、素子の動作温度は３００〜５００℃であシ、高温
で使用しなければならないという欠点を有していたＯ 最近、ＣｕＯとＺｎＯの焼結体を機械的圧着により湿度
を測定する方法が提唱されている（中村他１日本化学会
誌 １１５４ （１９８５） 〕ｏ ＣｕＯ／ ＺｎＯ
のへテロ接合の整流性がＣｕＯ／ ＺｎＯの界面に水が
入り込むことにより変化することを利用している。高温
を必要としない利点はあるが、焼結体ｔ−機械的圧層し
て、素子化しているため微細化して、チップ上で他の素
子と集積化することは不可能である欠点を有していた。
大きく依存する欠点を有すると共に、細孔に入り込んだ
水は出にくくなり、長時間便用すると誤差を生じるため
、定期的に３００℃前板に加熱してリフレッシュしなけ
ればならないという欠点を有していた。後者のタイプは
通常、素子の動作温度は３００〜５００℃であシ、高温
で使用しなければならないという欠点を有していたＯ 最近、ＣｕＯとＺｎＯの焼結体を機械的圧着により湿度
を測定する方法が提唱されている（中村他１日本化学会
誌 １１５４ （１９８５） 〕ｏ ＣｕＯ／ ＺｎＯ
のへテロ接合の整流性がＣｕＯ／ ＺｎＯの界面に水が
入り込むことにより変化することを利用している。高温
を必要としない利点はあるが、焼結体ｔ−機械的圧層し
て、素子化しているため微細化して、チップ上で他の素
子と集積化することは不可能である欠点を有していた。
（発明の目的）
本発明は上記の欠点を改善するために提案されたもので
、従来の湿度センサが必要とした高温によるリフレッシ
ュ、従来の湿度センナでは不可能であった微細化、他の
素子との集積化の点を解決したメンテナンスフリーの薄
膜のダイオード型湿度センナを提供することを目的とす
る０ （問題点’ｔ−解決するだめの手段） 上記の目的を達成する丸め、本発明はＣｒ、Ａｕと順次
に横＝して形成された下部！極上に、電気抵抗率が１Ｏ
−ｆｆｉΩ譚以下の第１のＺｎ０１Ｕ 、電気抵抗率が
１０’Ω百以上の第２のＺｎＯ層を順次に槓Ｊ−した後
、Ｃｒ層 Ｎｉ 、 Ｗｅ Ａｕ層 Ｐｄ＋ Ｐｔのう
ちの一種類の金Ｓを積層したことを特徴とするダイオー
ド型湿度センナを発明の要旨とするものである。
、従来の湿度センサが必要とした高温によるリフレッシ
ュ、従来の湿度センナでは不可能であった微細化、他の
素子との集積化の点を解決したメンテナンスフリーの薄
膜のダイオード型湿度センナを提供することを目的とす
る０ （問題点’ｔ−解決するだめの手段） 上記の目的を達成する丸め、本発明はＣｒ、Ａｕと順次
に横＝して形成された下部！極上に、電気抵抗率が１Ｏ
−ｆｆｉΩ譚以下の第１のＺｎ０１Ｕ 、電気抵抗率が
１０’Ω百以上の第２のＺｎＯ層を順次に槓Ｊ−した後
、Ｃｒ層 Ｎｉ 、 Ｗｅ Ａｕ層 Ｐｄ＋ Ｐｔのう
ちの一種類の金Ｓを積層したことを特徴とするダイオー
ド型湿度センナを発明の要旨とするものである。
しかして本発明の最も主要な特徴とする点は、仕事関数
が高く水素等の還元性ガスに影響されないＣｒ、 Ｎｉ
、 Ｗ、 Ａｕのいずれか一つを上Ｓ電極として薄膜
のＺｎＯとショットキーダイオードを構成することにあ
る。従来技術とはすべて薄Ｍ［Ｉ、したショットキー接
合を用いて湿度センサを構成した点、上部電極にＣｒ、
Ｎｉ 、 Ｗ、 Ａｕのいずれか一つを用いた点及び
これらの動作メカニズムから吻理吸看水によるイオン伝
導性をオリ用したセラミックス湿度センサに見られる定
期的なリフレッシュ動作全必要としないいわゆるメンテ
ナンスフリーである点が異なる。
が高く水素等の還元性ガスに影響されないＣｒ、 Ｎｉ
、 Ｗ、 Ａｕのいずれか一つを上Ｓ電極として薄膜
のＺｎＯとショットキーダイオードを構成することにあ
る。従来技術とはすべて薄Ｍ［Ｉ、したショットキー接
合を用いて湿度センサを構成した点、上部電極にＣｒ、
Ｎｉ 、 Ｗ、 Ａｕのいずれか一つを用いた点及び
これらの動作メカニズムから吻理吸看水によるイオン伝
導性をオリ用したセラミックス湿度センサに見られる定
期的なリフレッシュ動作全必要としないいわゆるメンテ
ナンスフリーである点が異なる。
次に本発明の詳細な説明する。なお実施例は一つの例示
でめって、本発明の梢神を逸脱しない範囲で％種々の変
更あるいは改良を行いうろことは言うまでもない。
でめって、本発明の梢神を逸脱しない範囲で％種々の変
更あるいは改良を行いうろことは言うまでもない。
第１図は本発明の第１の実施例を示すものであって、（
イ）は斜視図、（ロ）は断面図を示す０図において、工
はＺｎＯ膜を示すもので、この膜は２層構造となってお
９％ １ａ［気抵抗１０′″３０備の層を厚さ１ｏｏｏ
Ａ 、 １ ｂ電気抵抗１０６Ω側の層を厚さ１μｍの
１幀に積層する。しかしてＺｎＯ膜は断面が逆り字状に
形成され、その中の一部はガラス基板４に接合され、こ
のＺｎＯ膜とガラス基板４との間の間隙に下部電極２が
配置されている０さらにこの下部電極２も２層に形成さ
れておシ、ガラス基板４に接する側には２ａとしてＣｒ
層（厚さ１００＾） ｒ Ｃｒ層の上には２ｂとしてＡ
ｕ層（厚さ１０００λンが形成されているｏ３は上部電
極でＮｉ層（厚さ２００＾）がＺｎＯ膜上に形成されて
いる。
イ）は斜視図、（ロ）は断面図を示す０図において、工
はＺｎＯ膜を示すもので、この膜は２層構造となってお
９％ １ａ［気抵抗１０′″３０備の層を厚さ１ｏｏｏ
Ａ 、 １ ｂ電気抵抗１０６Ω側の層を厚さ１μｍの
１幀に積層する。しかしてＺｎＯ膜は断面が逆り字状に
形成され、その中の一部はガラス基板４に接合され、こ
のＺｎＯ膜とガラス基板４との間の間隙に下部電極２が
配置されている０さらにこの下部電極２も２層に形成さ
れておシ、ガラス基板４に接する側には２ａとしてＣｒ
層（厚さ１００＾） ｒ Ｃｒ層の上には２ｂとしてＡ
ｕ層（厚さ１０００λンが形成されているｏ３は上部電
極でＮｉ層（厚さ２００＾）がＺｎＯ膜上に形成されて
いる。
これを動作するには、下部電極２と上部電極３０間に５
Ｈｚ程度の低周波数で約２ｖの交流電圧を印加する。下
部電極２ｂｉ′ｉ電気抵抗ｌＯ−！ΩｄのＺｎ０層１ａ
と接しているためオーミック接続されているが、下部電
極３は電気抵抗１０６Ω側のＺｎＯ層ｌｂと接続してお
りショットキー接合を形成しているために整流性を示す
。上Ｓ″ＱＩ憾３は厚さ２００ＡのＮｉ層で、隙間が多
く存在し、水の十人やも自白な状況となっている。まｆ
ｃ、Ｚ２１０Ｊ曽１の表面は水が吸膚しやすいため上部
電極３とＺｎＯ＊ １の界面には湿度に応じた水が存在
している。
Ｈｚ程度の低周波数で約２ｖの交流電圧を印加する。下
部電極２ｂｉ′ｉ電気抵抗ｌＯ−！ΩｄのＺｎ０層１ａ
と接しているためオーミック接続されているが、下部電
極３は電気抵抗１０６Ω側のＺｎＯ層ｌｂと接続してお
りショットキー接合を形成しているために整流性を示す
。上Ｓ″ＱＩ憾３は厚さ２００ＡのＮｉ層で、隙間が多
く存在し、水の十人やも自白な状況となっている。まｆ
ｃ、Ｚ２１０Ｊ曽１の表面は水が吸膚しやすいため上部
電極３とＺｎＯ＊ １の界面には湿度に応じた水が存在
している。
このようなｍ遺になっているから１．ｆ１２Ｖの交流電
圧を印加すると湿度に応じて第２図に示すような整流特
性を得ることができる。この整流性は低湿度時には化学
吸着水が鱗心して生じたＨのポツピング伝導によるもの
でお夕、高湿度時では物理吸潜水から生じるＨ３Ｏ＋の
拡散低感によるものである。いずれにしても水の嘔気分
解反応に起因する効果で６９、隊間に入り込んだ水は分
解されて消費≧れる。このため、高温によるリフレッシ
ュ動作を必要としない。この結果から明らかなように従
来技術に比べて、４膜を用いて湿度センナを構成でき、
かつ高温によるリフレッシュ動作を必要としないため小
型。
圧を印加すると湿度に応じて第２図に示すような整流特
性を得ることができる。この整流性は低湿度時には化学
吸着水が鱗心して生じたＨのポツピング伝導によるもの
でお夕、高湿度時では物理吸潜水から生じるＨ３Ｏ＋の
拡散低感によるものである。いずれにしても水の嘔気分
解反応に起因する効果で６９、隊間に入り込んだ水は分
解されて消費≧れる。このため、高温によるリフレッシ
ュ動作を必要としない。この結果から明らかなように従
来技術に比べて、４膜を用いて湿度センナを構成でき、
かつ高温によるリフレッシュ動作を必要としないため小
型。
低電力化が可能となる改善がめった。
なお、第１のＺｎＯ層の電気抵抗率は１０１Ωｄ以下が
好ましいが、１０１Ωｃｍｆ超過すると下部電極に対し
てオーミック接続されがたく好ましくない。また第２の
ＺｎＯＦ−の電気抵抗率は１０８０口以上が好ましいが
１０’Ω閤未満の場合は、上部電極に対して整流性を示
さず好ましくない。
好ましいが、１０１Ωｃｍｆ超過すると下部電極に対し
てオーミック接続されがたく好ましくない。また第２の
ＺｎＯＦ−の電気抵抗率は１０８０口以上が好ましいが
１０’Ω閤未満の場合は、上部電極に対して整流性を示
さず好ましくない。
〔実施例２〕
実施例１におけるｍ１図の素子構造において下部電極３
をＣｒ＋ Ｎｉ、 Ｗ、 Ａｕｇ Ｐｄ とした場合の
感湿性及び水素ガスに対する感ガス性を第１表に示す。
をＣｒ＋ Ｎｉ、 Ｗ、 Ａｕｇ Ｐｄ とした場合の
感湿性及び水素ガスに対する感ガス性を第１表に示す。
第１表
バイアス＋１．５ｖのもとて
Ｉ／Ｉ。で評価する
Ｉｏ 湿度０％での電流値
工 加湿時の゛電流値
第１表において、乾燥空気中で、順方向バイアス１．５
ｖに設定した場合の電ａ値を工。、湿度を与えた場合さ
らに水素を含ませた場合の電流値を工とし、 Ｉ／Ｉ
。で感湿性及び感ガス性を評価した。参考のため実施例
１におけるＮｉの上部電極３の結果も合わせて示した。
ｖに設定した場合の電ａ値を工。、湿度を与えた場合さ
らに水素を含ませた場合の電流値を工とし、 Ｉ／Ｉ
。で感湿性及び感ガス性を評価した。参考のため実施例
１におけるＮｉの上部電極３の結果も合わせて示した。
湿度７０％のみの場合は上部電極に依存せず感湿性が見
られるが、湿度７０チの空気に１０００ ｐｐｍの水素
を添加するとＰｄだけが反応して大きな感度を示した。
られるが、湿度７０チの空気に１０００ ｐｐｍの水素
を添加するとＰｄだけが反応して大きな感度を示した。
Ｐｄ、Ｐｔなとの白金系金属薄膜は低温で水素などの還
元性ガスに反応するが、還元性ガスのない雰囲気におけ
る温度センサとしては使用可能である。この結果から明
らかなようにＣｒ ＨＮｌ ＊Ｗ、Ａｕは湿度のみを感
知するという改善があった０ 〔実施例３」 第３図は本発明の第３の実施例を説明する図であって、
Ｓｉ基板５上に、白金温度計６．ＩＣ部７．電極バッド
８が設けられている。素子部分の下部電極３にはＮｉを
用いである。これらの動作としては、素子部分で水分を
感知し、白金ｍ度計６で温度を感知し、これらをＩＣ部
７で演算して相対湿度を計算し、七の結果を電極バッド
８を逃して出力させる。このように演算を受は持つＩＣ
部７及び白金温度計６と湿度センナの素子部分を同−Ｓ
ｔ基板上に形成できる理由は、本発明のダイオード型湿
度センサがすべて薄膜で形成できること、高温によるリ
フレッシュを必要としないためである。この結果から明
らかなように、従来の技術に比べ、演算部を含めて小型
化、低消費電力化ができる改善があった０ （発明の効果） 以上説明したように本発明によれば、ＺｎＯ薄膜とＣｒ
＊ Ｎｌ ＋ Ｗ ＊ Ａｕの薄膜とでショットキー
接合を構成し、これらの接合の隙間に入り込んだ水分全
電気分解することによショットキー接合の整流性を変化
させて湿度を測定するため、これまでのセラミックスを
利用した湿度センサと異なシ高温によるリフレッシュに
よって水を追い出す動作を必要とせず、かつ薄膜を用い
て素子を構成できるためメンテナンスフリーであシ小型
化、低駆動電力化できる利点がある。さらに、 Ｓｔプ
ロセスをオリ用できるためＭ錆化も図れる。
元性ガスに反応するが、還元性ガスのない雰囲気におけ
る温度センサとしては使用可能である。この結果から明
らかなようにＣｒ ＨＮｌ ＊Ｗ、Ａｕは湿度のみを感
知するという改善があった０ 〔実施例３」 第３図は本発明の第３の実施例を説明する図であって、
Ｓｉ基板５上に、白金温度計６．ＩＣ部７．電極バッド
８が設けられている。素子部分の下部電極３にはＮｉを
用いである。これらの動作としては、素子部分で水分を
感知し、白金ｍ度計６で温度を感知し、これらをＩＣ部
７で演算して相対湿度を計算し、七の結果を電極バッド
８を逃して出力させる。このように演算を受は持つＩＣ
部７及び白金温度計６と湿度センナの素子部分を同−Ｓ
ｔ基板上に形成できる理由は、本発明のダイオード型湿
度センサがすべて薄膜で形成できること、高温によるリ
フレッシュを必要としないためである。この結果から明
らかなように、従来の技術に比べ、演算部を含めて小型
化、低消費電力化ができる改善があった０ （発明の効果） 以上説明したように本発明によれば、ＺｎＯ薄膜とＣｒ
＊ Ｎｌ ＋ Ｗ ＊ Ａｕの薄膜とでショットキー
接合を構成し、これらの接合の隙間に入り込んだ水分全
電気分解することによショットキー接合の整流性を変化
させて湿度を測定するため、これまでのセラミックスを
利用した湿度センサと異なシ高温によるリフレッシュに
よって水を追い出す動作を必要とせず、かつ薄膜を用い
て素子を構成できるためメンテナンスフリーであシ小型
化、低駆動電力化できる利点がある。さらに、 Ｓｔプ
ロセスをオリ用できるためＭ錆化も図れる。
第１図は本発明の湿度センサの実施例、第２図は第１崗
の素子による感湿特性、第３図は第１図の素子と白金温
度計及びそれらの情報を処理して出力するｘｃｇ分を集
積化した湿度センサを示す。 ｌ・・・・・・・・・ＺｎＯ膜 ２・・・・・・・・・Ｃｒ ＊ Ａｕからなる下部１Ｊ
Ｌ極、３・・・・・・・・・Ｃｒ ＋ Ｎｉ 、 Ｗ
＊ Ａｕのいずれか一つの金属薄膜からなる上部電極 ４・・・・・・・・・ガラス基板 ５・・・・・・・・・Ｓｔ基板 ６・・・・・・・・・白金温度計 ７・・・・・・・・・ＩＣ部 ８・・・・・・・・・電極パッド 特許出願人 日本電信電話株式会社 塔・−７ ほか１名 第２図 る湿特性
の素子による感湿特性、第３図は第１図の素子と白金温
度計及びそれらの情報を処理して出力するｘｃｇ分を集
積化した湿度センサを示す。 ｌ・・・・・・・・・ＺｎＯ膜 ２・・・・・・・・・Ｃｒ ＊ Ａｕからなる下部１Ｊ
Ｌ極、３・・・・・・・・・Ｃｒ ＋ Ｎｉ 、 Ｗ
＊ Ａｕのいずれか一つの金属薄膜からなる上部電極 ４・・・・・・・・・ガラス基板 ５・・・・・・・・・Ｓｔ基板 ６・・・・・・・・・白金温度計 ７・・・・・・・・・ＩＣ部 ８・・・・・・・・・電極パッド 特許出願人 日本電信電話株式会社 塔・−７ ほか１名 第２図 る湿特性
Claims (1)
- Ｃｒ，Ａｕと順次に積層して形成された下部電極上に
、電気抵抗率が１０＾−＾２Ωｃｍ以下の第１のＺｎＯ
層、電気抵抗率が１０＾ＲΩｃｍ以上の第２のＺｎＯ層
を順次に積層した後、Ｃｒ，Ｎｉ，Ｗ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐ
ｔのうちの一種類の金属を積層したことを特徴とするダ
イオード型湿度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21597886A JPS6371648A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | ダイオ−ド型湿度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21597886A JPS6371648A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | ダイオ−ド型湿度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6371648A true JPS6371648A (ja) | 1988-04-01 |
Family
ID=16681387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21597886A Pending JPS6371648A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | ダイオ−ド型湿度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6371648A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH047359U (ja) * | 1990-05-02 | 1992-01-23 | ||
| EP1254478A4 (en) * | 2000-01-19 | 2004-12-01 | Adrena Inc | A chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a schottky barrier |
| US6903433B1 (en) | 2000-01-19 | 2005-06-07 | Adrena, Inc. | Chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a schottky barrier |
| US7274082B2 (en) | 2000-01-19 | 2007-09-25 | Adrena, Inc. | Chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a schottky barrier |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP21597886A patent/JPS6371648A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH047359U (ja) * | 1990-05-02 | 1992-01-23 | ||
| EP1254478A4 (en) * | 2000-01-19 | 2004-12-01 | Adrena Inc | A chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a schottky barrier |
| US6903433B1 (en) | 2000-01-19 | 2005-06-07 | Adrena, Inc. | Chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a schottky barrier |
| US6998693B2 (en) | 2000-01-19 | 2006-02-14 | Adrena, Inc. | Chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a schottky barrier |
| US7057213B2 (en) | 2000-01-19 | 2006-06-06 | Adrena, Inc. | Chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a schottky barrier |
| US7274082B2 (en) | 2000-01-19 | 2007-09-25 | Adrena, Inc. | Chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a schottky barrier |
| US7282778B2 (en) | 2000-01-19 | 2007-10-16 | Adrena, Inc. | Chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a Schottky barrier |
| US7385271B2 (en) | 2000-01-19 | 2008-06-10 | Adrena, Inc. | Chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a schottky barrier |
| US7391056B2 (en) | 2000-01-19 | 2008-06-24 | Adrena, Inc. | Chemical sensor using chemically induced electron-hole production at a Schottky barrier |
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