JPS637454B2 - - Google Patents
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- JPS637454B2 JPS637454B2 JP792281A JP792281A JPS637454B2 JP S637454 B2 JPS637454 B2 JP S637454B2 JP 792281 A JP792281 A JP 792281A JP 792281 A JP792281 A JP 792281A JP S637454 B2 JPS637454 B2 JP S637454B2
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- -1 polytetrafluoroethylene, tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer Polymers 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-OUBTZVSYSA-N Cobalt-60 Chemical compound [60Co] GUTLYIVDDKVIGB-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Description
本発明はエレクトレツト及びその製造法に係
り、更に詳しくは、誘電体からなる基材表面が略
全域に亘つて均一な電位を有する帯電域となつて
いるエレクトレツト及びその製造法に関する。 静電型マイクロホンや静電型ヘツドホン等の音
響機器などの静電型電気−機械変換又は静電型機
械−電気変換を利用した電気機器の成極電源とし
てエレクトレツトが用いられている。このエレク
トレツトとは、通常自発分極を持たない誘電体の
表面に永久的に保持される帯電域を設けたもので
ある。 ところで、従来のエレクトレツトは、誘電体基
材の表面に直接高電圧を印加して分極させるか、
或は荷電粒子を照射して製造したものであつた
が、これら誘電体は機械加工の精度に限界があ
り、基材の表面が平滑ではない為に、基材表面の
全体に亘つて均一に電圧を印加し或は荷電粒子を
照射しても誘電体基材の表面に保持された電荷の
分布が不均一となり、表面電位にばらつきを生ず
るという欠点を有していた。 本発明の目的は、従来のエレクトレツトが有し
ていた以上の欠点を解消して、誘電体から成る基
材表面が略全域に亘つて均一な電位を有する帯電
域となつているエレクトレツト及びその製造法を
提供することにある。 すなわち、本発明のエレクトレツトは、板状の
誘電体と、該誘電体の少なくとも片面に接合され
た導電体層から成り、前記の導電体層の少なくと
も1つに連接する誘電体の表層に帯電域が設けら
れていることを特徴とするものである。 上記誘電体としては、例えばポリ四フツ化エチ
レン、四フツ化エチレン−六フツ化プロピレン共
重合体、ポリフツ化ビニリデン等のフツ素樹脂;
ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフイ
ン;ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹
脂;或は無機絶縁性物質などが好ましい。 上記導電体層としては、導電性を有するもので
あれば何れの物質を用いても良いが、高導電率を
有し且つ高い加工精度を有しているために、アル
ミニウム、金、銀、銅などの金属が好ましい。 次に添付した図面に即して本発明のエレクトレ
ツトの製造例について詳細に説明する。第1図で
示した実施例では板状誘電体の両面に導電体層が
ある。板状の誘電体1の上面2及び下面2′に
各々導電体層3及び3′を接合して積層体4を作
製する。また、第2図の実施例では板状誘電体の
片面に導電体層があるが、板状の誘電体11の上
面12に導電体層13を接合して積層体14を作
製する。前記導電体層3,3′,13の接合方法
としては、導電体層として金属を用いる場合に
は、例えば金属板を適当な接着剤を用いて接着す
るか或は融着する方法、スパツタリング法又は真
空蒸着法により金属薄膜を形成する方法、又は電
解めつき法により金属を沈着する方法などが挙げ
られる。 次に前記導電体層3又は13の上面5又は15
に、第1図の例では図中矢印Aの方向から、第2
図の例では図中矢印Bの方向から荷電粒子を照射
する。すると、導電体層3又は13に連接する誘
電体1又は11の表層6又は16に帯電域が形成
される。荷電粒子を照射する方法としては、例え
ば、コロナ放電;コバルト60等の電離放射線又は
電子線などの照射;ホウ素イオン、リンイオンな
どのイオン注入などが挙げられる。 尚、前記製造例においては積層体の上面のみに
荷電粒子を照射して誘電体の一方の表層に帯電域
を形成したのであるが、例えば第1図の実施例に
おいて、積層体の下面7(第1図に図示)から荷
電粒子を照射して誘電体の他の表層にも同様に帯
電域を形成することも可能である。 本発明のエレクトレツトは、誘電体表面が略全
域に亘つて均一な電位を有する帯電域となつてお
り、従来のエレクトレツトのような不都合はな
い。 本発明のエレクトレツトは、例えば第1図に示
した例をそのまま静電型マイクロホンの固定電極
に利用できるほか、例えば静電型ヘツドホン等の
音響機器などの静電型電気−機械変換、静電型機
械−電気変換を利用した電気機器の成極電源とし
て有用である。 実施例 1 下記の材料を用いて大略第1図で示した様な実
施例を作製した。 厚さ0.075mmの四フツ化エチレン−六フツ化プ
ロピレン共重合体フイルム〔商品名:エフ・イ
ー・ピー(FEP)テフロン 2Cタイプ、デユポ
ン社製〕1の上面2及び下面2′に夫々アルミニ
ウム板(厚さ0.5mm)3,3′を、ホツトプレスを
用いて260℃で加熱融着して、直径60mmの円盤状
の積層体4を得た。 次に上記作製した積層体4にコロナ放電を施し
て本発明に係るエレクトレツトを得た。コロナ放
電は、放電電極に直径60μmのタングステンワイ
ヤを用い、被照射面をアルミニウム板3の上面5
とし且つ他のアルミニウム板3′を接地して、放
電電極と背電極、放電電極と被照射面の間隔を
夫々15mmとして、前記タングステンワイヤに数
KVの直流電圧を印加して1分間行つた。 タングステンワイヤに印加する直流電圧を下記
第1表に示した様に変化させた場合の積層体4の
上面5の表面電位を測定した。結果を第1表に示
した。
り、更に詳しくは、誘電体からなる基材表面が略
全域に亘つて均一な電位を有する帯電域となつて
いるエレクトレツト及びその製造法に関する。 静電型マイクロホンや静電型ヘツドホン等の音
響機器などの静電型電気−機械変換又は静電型機
械−電気変換を利用した電気機器の成極電源とし
てエレクトレツトが用いられている。このエレク
トレツトとは、通常自発分極を持たない誘電体の
表面に永久的に保持される帯電域を設けたもので
ある。 ところで、従来のエレクトレツトは、誘電体基
材の表面に直接高電圧を印加して分極させるか、
或は荷電粒子を照射して製造したものであつた
が、これら誘電体は機械加工の精度に限界があ
り、基材の表面が平滑ではない為に、基材表面の
全体に亘つて均一に電圧を印加し或は荷電粒子を
照射しても誘電体基材の表面に保持された電荷の
分布が不均一となり、表面電位にばらつきを生ず
るという欠点を有していた。 本発明の目的は、従来のエレクトレツトが有し
ていた以上の欠点を解消して、誘電体から成る基
材表面が略全域に亘つて均一な電位を有する帯電
域となつているエレクトレツト及びその製造法を
提供することにある。 すなわち、本発明のエレクトレツトは、板状の
誘電体と、該誘電体の少なくとも片面に接合され
た導電体層から成り、前記の導電体層の少なくと
も1つに連接する誘電体の表層に帯電域が設けら
れていることを特徴とするものである。 上記誘電体としては、例えばポリ四フツ化エチ
レン、四フツ化エチレン−六フツ化プロピレン共
重合体、ポリフツ化ビニリデン等のフツ素樹脂;
ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフイ
ン;ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹
脂;或は無機絶縁性物質などが好ましい。 上記導電体層としては、導電性を有するもので
あれば何れの物質を用いても良いが、高導電率を
有し且つ高い加工精度を有しているために、アル
ミニウム、金、銀、銅などの金属が好ましい。 次に添付した図面に即して本発明のエレクトレ
ツトの製造例について詳細に説明する。第1図で
示した実施例では板状誘電体の両面に導電体層が
ある。板状の誘電体1の上面2及び下面2′に
各々導電体層3及び3′を接合して積層体4を作
製する。また、第2図の実施例では板状誘電体の
片面に導電体層があるが、板状の誘電体11の上
面12に導電体層13を接合して積層体14を作
製する。前記導電体層3,3′,13の接合方法
としては、導電体層として金属を用いる場合に
は、例えば金属板を適当な接着剤を用いて接着す
るか或は融着する方法、スパツタリング法又は真
空蒸着法により金属薄膜を形成する方法、又は電
解めつき法により金属を沈着する方法などが挙げ
られる。 次に前記導電体層3又は13の上面5又は15
に、第1図の例では図中矢印Aの方向から、第2
図の例では図中矢印Bの方向から荷電粒子を照射
する。すると、導電体層3又は13に連接する誘
電体1又は11の表層6又は16に帯電域が形成
される。荷電粒子を照射する方法としては、例え
ば、コロナ放電;コバルト60等の電離放射線又は
電子線などの照射;ホウ素イオン、リンイオンな
どのイオン注入などが挙げられる。 尚、前記製造例においては積層体の上面のみに
荷電粒子を照射して誘電体の一方の表層に帯電域
を形成したのであるが、例えば第1図の実施例に
おいて、積層体の下面7(第1図に図示)から荷
電粒子を照射して誘電体の他の表層にも同様に帯
電域を形成することも可能である。 本発明のエレクトレツトは、誘電体表面が略全
域に亘つて均一な電位を有する帯電域となつてお
り、従来のエレクトレツトのような不都合はな
い。 本発明のエレクトレツトは、例えば第1図に示
した例をそのまま静電型マイクロホンの固定電極
に利用できるほか、例えば静電型ヘツドホン等の
音響機器などの静電型電気−機械変換、静電型機
械−電気変換を利用した電気機器の成極電源とし
て有用である。 実施例 1 下記の材料を用いて大略第1図で示した様な実
施例を作製した。 厚さ0.075mmの四フツ化エチレン−六フツ化プ
ロピレン共重合体フイルム〔商品名:エフ・イ
ー・ピー(FEP)テフロン 2Cタイプ、デユポ
ン社製〕1の上面2及び下面2′に夫々アルミニ
ウム板(厚さ0.5mm)3,3′を、ホツトプレスを
用いて260℃で加熱融着して、直径60mmの円盤状
の積層体4を得た。 次に上記作製した積層体4にコロナ放電を施し
て本発明に係るエレクトレツトを得た。コロナ放
電は、放電電極に直径60μmのタングステンワイ
ヤを用い、被照射面をアルミニウム板3の上面5
とし且つ他のアルミニウム板3′を接地して、放
電電極と背電極、放電電極と被照射面の間隔を
夫々15mmとして、前記タングステンワイヤに数
KVの直流電圧を印加して1分間行つた。 タングステンワイヤに印加する直流電圧を下記
第1表に示した様に変化させた場合の積層体4の
上面5の表面電位を測定した。結果を第1表に示
した。
【表】
更に上記により作製した実施例のコロナ放電停
止後の表面電位を経時的に測定し、各経過時間に
おける表面電位の放電停止直後のそれに対する保
持率(%)を算出した結果を第3図に示した。 比較例として、フイルム1の上面2にアルミニ
ウム板3を融着しない点を除き、他は実施例と同
様の積層体を作製し、その上面2に同様の処理を
施してエレクトレツトを作つた。そして、実施例
の上面5及び比較例の上面における表面電位を測
定し、夫々の上面の直径方向の変化を求めた。結
果を第4図に示した。第4図においてaは実施例
を、bは比較例を表わす。 第3図及び第4図から明らかなように、本発明
のエレクトレツトは、基材表面の略全域に亘つて
均一な帯電域を有するものであり、且つその帯電
域が長期に亘つて安定に保持されることが示され
た。 実施例 2 実施例1と同様の方法により得られた積層体4
のアルミニウム板3の上面5にコバルト60から生
ずる放電線を1分間照射して、本発明のエレクト
レツトを作製した。このエレクトレツトの上面5
の表面電位は−500Vであつた。 実施例 3 実施例1と同様の方法で得られた積層体4を市
販の走査型電子顕微鏡の試料室に固定し、アルミ
ニウム板3の上面5に、加速電圧10KeVで1分
間一次電子線を照射して本発明のエレクトレツト
を作製した。 得られたエレクトレツトの表面電位を測定した
ところ、−1000Vであつた。この表面電位は長期
に亘り安定に保持された。 実施例 4 実施例1と同様の方法で得られた積層体4を市
販のイオン注入装置内に固定し、アルミニウム板
3の上面5に、真空下でB+イオンを加速電圧
50KV、電流密度10-9A/cm2で100秒間注入して本
発明のエレクトレツトを得た。 得られたエレクトレツトの表面電位は+1100V
であつた。このエレクトレツトを相対湿度98%、
温度50℃の恒温恒湿槽内に24時間放置した後、再
び表面電位を測定したところ、+1000Vであつた。
この結果から明らかなように、本発明のエレクト
レツトは高温高湿下でも安定に電荷を保持するこ
とを示した。 実施例 5 実施例1と同様の方法で得られた積層体4を直
径4mmの円盤状に打抜き加工した後、アルミニウ
ム板3,3′の表面を研磨して鏡面仕上げを行つ
た。 上記により得られた積層体を第5図に示したプ
ラスチツク製筐体7に接着固定し、実施例1と同
様の方法でアルミニウム板3の上面5からコロナ
放電を行つた。放電終了後、第6図に示したよう
に、振動膜8、シールド用筐体9、プラスチツク
製スペーサ10、電界効果型トランジスタ17と
を取付けてマイクロホン50個を作製した。 上記により作製した50個のマイクロホンの感度
は−60±1dBであつた。一方、前記実施例1にて
説明した比較例を用いて同様の方法でマイクロホ
ンを作製した。このマイクロホンの感度は、最高
−58dB、最低−63dBであり、ばらつきが大きい
ものであつた。 上記の結果からも明らかなように、本発明のエ
レクトレツトを固定電極として用いることによつ
て、感度の一定したマイクロホンが得られる。
止後の表面電位を経時的に測定し、各経過時間に
おける表面電位の放電停止直後のそれに対する保
持率(%)を算出した結果を第3図に示した。 比較例として、フイルム1の上面2にアルミニ
ウム板3を融着しない点を除き、他は実施例と同
様の積層体を作製し、その上面2に同様の処理を
施してエレクトレツトを作つた。そして、実施例
の上面5及び比較例の上面における表面電位を測
定し、夫々の上面の直径方向の変化を求めた。結
果を第4図に示した。第4図においてaは実施例
を、bは比較例を表わす。 第3図及び第4図から明らかなように、本発明
のエレクトレツトは、基材表面の略全域に亘つて
均一な帯電域を有するものであり、且つその帯電
域が長期に亘つて安定に保持されることが示され
た。 実施例 2 実施例1と同様の方法により得られた積層体4
のアルミニウム板3の上面5にコバルト60から生
ずる放電線を1分間照射して、本発明のエレクト
レツトを作製した。このエレクトレツトの上面5
の表面電位は−500Vであつた。 実施例 3 実施例1と同様の方法で得られた積層体4を市
販の走査型電子顕微鏡の試料室に固定し、アルミ
ニウム板3の上面5に、加速電圧10KeVで1分
間一次電子線を照射して本発明のエレクトレツト
を作製した。 得られたエレクトレツトの表面電位を測定した
ところ、−1000Vであつた。この表面電位は長期
に亘り安定に保持された。 実施例 4 実施例1と同様の方法で得られた積層体4を市
販のイオン注入装置内に固定し、アルミニウム板
3の上面5に、真空下でB+イオンを加速電圧
50KV、電流密度10-9A/cm2で100秒間注入して本
発明のエレクトレツトを得た。 得られたエレクトレツトの表面電位は+1100V
であつた。このエレクトレツトを相対湿度98%、
温度50℃の恒温恒湿槽内に24時間放置した後、再
び表面電位を測定したところ、+1000Vであつた。
この結果から明らかなように、本発明のエレクト
レツトは高温高湿下でも安定に電荷を保持するこ
とを示した。 実施例 5 実施例1と同様の方法で得られた積層体4を直
径4mmの円盤状に打抜き加工した後、アルミニウ
ム板3,3′の表面を研磨して鏡面仕上げを行つ
た。 上記により得られた積層体を第5図に示したプ
ラスチツク製筐体7に接着固定し、実施例1と同
様の方法でアルミニウム板3の上面5からコロナ
放電を行つた。放電終了後、第6図に示したよう
に、振動膜8、シールド用筐体9、プラスチツク
製スペーサ10、電界効果型トランジスタ17と
を取付けてマイクロホン50個を作製した。 上記により作製した50個のマイクロホンの感度
は−60±1dBであつた。一方、前記実施例1にて
説明した比較例を用いて同様の方法でマイクロホ
ンを作製した。このマイクロホンの感度は、最高
−58dB、最低−63dBであり、ばらつきが大きい
ものであつた。 上記の結果からも明らかなように、本発明のエ
レクトレツトを固定電極として用いることによつ
て、感度の一定したマイクロホンが得られる。
第1図及び第2図は、本発明に係るエレクトレ
ツトの製作説明図である。第3図は、「実施例1」
で作製された実施例の帯電後の表面電位保持率の
経時変化を示した図である。第4図は「実施例
1」で作製された実施例及び比較例の直径方向に
おける表面電位の分布を示す図である。第5図及
び第6図は本発明のエレクトレツトを用いてマイ
クロホンを作製する時の製作説明図である。 1……誘電体、3,3′……導電体層、6……
表層。
ツトの製作説明図である。第3図は、「実施例1」
で作製された実施例の帯電後の表面電位保持率の
経時変化を示した図である。第4図は「実施例
1」で作製された実施例及び比較例の直径方向に
おける表面電位の分布を示す図である。第5図及
び第6図は本発明のエレクトレツトを用いてマイ
クロホンを作製する時の製作説明図である。 1……誘電体、3,3′……導電体層、6……
表層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 板状の誘電体と、該誘電体の少なくとも片面
に接合された導電体層から成り、前記の導電体層
の少なくとも1つに連接する誘電体の表層に帯電
域が設けられていることを特徴とするエレクトレ
ツト。 2 板状の誘電体の少なくとも片面に導電体層を
接合した後、前記導電体層の少なくとも1つに荷
電粒子を照射することを特徴とするエレクトレツ
トの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP792281A JPS57122512A (en) | 1981-01-23 | 1981-01-23 | Electret and method of producing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP792281A JPS57122512A (en) | 1981-01-23 | 1981-01-23 | Electret and method of producing same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57122512A JPS57122512A (en) | 1982-07-30 |
| JPS637454B2 true JPS637454B2 (ja) | 1988-02-17 |
Family
ID=11679013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP792281A Granted JPS57122512A (en) | 1981-01-23 | 1981-01-23 | Electret and method of producing same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57122512A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS625626A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-12 | 東レ株式会社 | 制電性エレクトレツトシ−トおよびその製法 |
| AT409695B (de) * | 2001-05-18 | 2002-10-25 | Akg Acoustics Gmbh | Elektrostatisches mikrofon |
| JP3835739B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2006-10-18 | シチズン電子株式会社 | エレクトレットコンデンサマイクロフォン |
| JP3940679B2 (ja) * | 2003-01-16 | 2007-07-04 | シチズン電子株式会社 | エレクトレットコンデンサマイクロホン |
| JP5459653B2 (ja) * | 2009-05-15 | 2014-04-02 | 日本放送協会 | 音響校正装置 |
-
1981
- 1981-01-23 JP JP792281A patent/JPS57122512A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57122512A (en) | 1982-07-30 |
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