JPS637610A - コンデンサ用薄膜誘電体材料の製造方法 - Google Patents
コンデンサ用薄膜誘電体材料の製造方法Info
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- JPS637610A JPS637610A JP15228686A JP15228686A JPS637610A JP S637610 A JPS637610 A JP S637610A JP 15228686 A JP15228686 A JP 15228686A JP 15228686 A JP15228686 A JP 15228686A JP S637610 A JPS637610 A JP S637610A
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、コンデンサ用薄膜誘電体材料の製造方法に関
するものであり、産業上有益に、小型・軽量化フィルム
コンデンサを、大量生産することを目的とする。
するものであり、産業上有益に、小型・軽量化フィルム
コンデンサを、大量生産することを目的とする。
(従来の技術)(発明が解決しようとする問題点)近年
、エレクトロニクス分野において、高集積回路の採用及
び部品の高密度実装の普及などに伴い1機器の小型・軽
量化志向がますます強くなってきている。その中にあっ
て、フィルムコンデンサも同様に小型化へと種々の開発
が試みられている。ところで、コンデンサの静電容量は
、誘電体の誘電率と電極面積に比例し、厚さに反比例す
る。
、エレクトロニクス分野において、高集積回路の採用及
び部品の高密度実装の普及などに伴い1機器の小型・軽
量化志向がますます強くなってきている。その中にあっ
て、フィルムコンデンサも同様に小型化へと種々の開発
が試みられている。ところで、コンデンサの静電容量は
、誘電体の誘電率と電極面積に比例し、厚さに反比例す
る。
したがって、フィルムコンデンサの小型化をはかる場合
には2誘電体材料として使用するフィルムの誘電率を大
きく2厚さを薄くすることにより。
には2誘電体材料として使用するフィルムの誘電率を大
きく2厚さを薄くすることにより。
単位電極面積あたりの静電容量を太き(することが要求
される。
される。
一般にフィルムコンデンサの誘電体材料としては、ポリ
エチレンテレフクレート、ポリプロピレン、ポリスチレ
ン、ポリカーボネートなど力)らなる高分子フィルムが
使用される。これらの高分子フィルムの厚さは4〜6μ
mh<q通であるが、近年市場要請により2〜3μmの
厚さのポリエチレンテレフタレートのフィルムも製品化
されてはいる。しかしながら、2〜3μmの厚さの薄物
フィルムを工業的規模で生産する場合、そのフィルムの
薄さからくる多くの技術的問題点がでてくる。
エチレンテレフクレート、ポリプロピレン、ポリスチレ
ン、ポリカーボネートなど力)らなる高分子フィルムが
使用される。これらの高分子フィルムの厚さは4〜6μ
mh<q通であるが、近年市場要請により2〜3μmの
厚さのポリエチレンテレフタレートのフィルムも製品化
されてはいる。しかしながら、2〜3μmの厚さの薄物
フィルムを工業的規模で生産する場合、そのフィルムの
薄さからくる多くの技術的問題点がでてくる。
しわの発生を防止しつつ、厚み精度の高い薄物フィルム
を歩留りよく製造加工生産するには、原料ポリマーの精
製、未延伸フィルムの溶融成型、加熱延伸などの各工程
における最適の製造方法、製造条件の選択、製造ライン
の建屋内界囲気の防塵管理、高度の品質管理が必要とな
る。したがって。
を歩留りよく製造加工生産するには、原料ポリマーの精
製、未延伸フィルムの溶融成型、加熱延伸などの各工程
における最適の製造方法、製造条件の選択、製造ライン
の建屋内界囲気の防塵管理、高度の品質管理が必要とな
る。したがって。
1物フイルムを安価に量産するのは非常に難しく。
フィルム厚みは2μm程度が限界と考えられている。さ
らに、2〜3μm厚みのTJ*フィルムを誘電体として
フィルムコンデンサに加工する際1通常はフィルムの両
面に電極を構成するために真空装置内でアルミニウム金
属の蒸着を行い、いわゆる金属化フィルムとし、帯状に
切り出して素子巻きする加工工程を経るが、フィルムの
薄さからくる技術上の困難度は大きく、生産性の低下を
もたらしている。−方、フィルムコンデンサの誘電体材
料として求められている電気特性は、誘電率が高く温度
依存性が小さいもの、誘電正接が小さく電気絶縁耐圧特
性に優れたものがよい。種々の高分子フィルムが開発さ
れてはいるが、ポリエチレンテレフタレーロポリプロピ
レンフイルム以上に電気特性、物理特性、経済性に優れ
た誘電体材料としての有機高分子フィルムはない。高誘
電率を有する高分子フィルム、たとえば最近開発された
ポリフッ化ビニリデンフィルムは、誘電率が8〜9とポ
リエチレンテレフタレートフィルムの誘電率3と比べて
3倍近く大きく、フィルムコンデンサの誘電体材料とし
て有望視されたが、誘電正接が5%と大きく、致命的な
欠点となっている。
らに、2〜3μm厚みのTJ*フィルムを誘電体として
フィルムコンデンサに加工する際1通常はフィルムの両
面に電極を構成するために真空装置内でアルミニウム金
属の蒸着を行い、いわゆる金属化フィルムとし、帯状に
切り出して素子巻きする加工工程を経るが、フィルムの
薄さからくる技術上の困難度は大きく、生産性の低下を
もたらしている。−方、フィルムコンデンサの誘電体材
料として求められている電気特性は、誘電率が高く温度
依存性が小さいもの、誘電正接が小さく電気絶縁耐圧特
性に優れたものがよい。種々の高分子フィルムが開発さ
れてはいるが、ポリエチレンテレフタレーロポリプロピ
レンフイルム以上に電気特性、物理特性、経済性に優れ
た誘電体材料としての有機高分子フィルムはない。高誘
電率を有する高分子フィルム、たとえば最近開発された
ポリフッ化ビニリデンフィルムは、誘電率が8〜9とポ
リエチレンテレフタレートフィルムの誘電率3と比べて
3倍近く大きく、フィルムコンデンサの誘電体材料とし
て有望視されたが、誘電正接が5%と大きく、致命的な
欠点となっている。
以上の問題点を解決するための手段として5有機高分子
フィルムを支持体基板とし、その少な(とも−方の面に
、下部電極としての導電性金属層。
フィルムを支持体基板とし、その少な(とも−方の面に
、下部電極としての導電性金属層。
有機高分子薄膜層、a膜銹電体層、及び上部電極として
の導電性金属層を11ル次、積層してなるコンデンサ用
薄膜誘電体材料が提案されている。しかしながら、この
ようなフィルムコンデンサの誘電体材料として非常に優
れた電気特性を有するコンデンサ用薄膜誘電体材料を製
造するにおいて、産業上、安価に9歩留りよく製造する
方法がないのが現状である。
の導電性金属層を11ル次、積層してなるコンデンサ用
薄膜誘電体材料が提案されている。しかしながら、この
ようなフィルムコンデンサの誘電体材料として非常に優
れた電気特性を有するコンデンサ用薄膜誘電体材料を製
造するにおいて、産業上、安価に9歩留りよく製造する
方法がないのが現状である。
(問題点を解決するための手段)
本発明者らは、前記コンデンサ用薄膜誘電体材料の産業
上、有益な製造方法を開発すべく鋭意研究を進めた結果
、有機高分子フィルムを支持体成板とし、その少なくと
も一方の面に下部電極としての導電性金属層、有機高分
子薄膜層、水溶性高分子層、薄膜誘電体層、及び上部電
極としての導電性金属層を順次各層の必要パターンに応
じて積層した後、水洗により、水溶性高分子層ならびに
その上の薄膜誘電体層及び上部電極を一括洗い出すこと
によって、下部電極を露出させるという本発明に到達し
たのである。
上、有益な製造方法を開発すべく鋭意研究を進めた結果
、有機高分子フィルムを支持体成板とし、その少なくと
も一方の面に下部電極としての導電性金属層、有機高分
子薄膜層、水溶性高分子層、薄膜誘電体層、及び上部電
極としての導電性金属層を順次各層の必要パターンに応
じて積層した後、水洗により、水溶性高分子層ならびに
その上の薄膜誘電体層及び上部電極を一括洗い出すこと
によって、下部電極を露出させるという本発明に到達し
たのである。
以下に9図面を参照して本発明を具体的に説明する。
まず、下部電極は、有機高分子フィルムの長平方向に、
必要な設計で、非蒸着部分が存在するように電極形成さ
れる。導電性金属層としては、アルミニウム、亜鉛等が
あげられ、好ましくはアルミニウムを用いるのがよい。
必要な設計で、非蒸着部分が存在するように電極形成さ
れる。導電性金属層としては、アルミニウム、亜鉛等が
あげられ、好ましくはアルミニウムを用いるのがよい。
ただし、フィルムの長手方向とはフィルムの巻き取り方
向、フィルムの幅方向とは長手方向に交差する方向を意
味する。
向、フィルムの幅方向とは長手方向に交差する方向を意
味する。
有機高分子フィルム基板(1)上に(第1図)。
コート法または印刷法により、フィルムの長手方向に必
要な設計で水溶性高分子層を形成する(第2図)。水溶
性高分子層としては、ポリアクリル酸ソーダ、ポリビニ
ルアルコール、メチルセルローズ、カルボキシメチルセ
ルローズ、ポリエチレンオキサイド、ポリビニルピロリ
ドン、ポリアクリル酸アミド等があげられ、好ましくは
セルローズ系を用いるのがよい、形成法としては、どの
ような方法を用いてもよいが、好ましくはグラビア印刷
法を用いるのがよい。次に、この上全面に。
要な設計で水溶性高分子層を形成する(第2図)。水溶
性高分子層としては、ポリアクリル酸ソーダ、ポリビニ
ルアルコール、メチルセルローズ、カルボキシメチルセ
ルローズ、ポリエチレンオキサイド、ポリビニルピロリ
ドン、ポリアクリル酸アミド等があげられ、好ましくは
セルローズ系を用いるのがよい、形成法としては、どの
ような方法を用いてもよいが、好ましくはグラビア印刷
法を用いるのがよい。次に、この上全面に。
導電性金属層を蒸着法、イオンプレーティング法あるい
はスパッタリング法で形成し、水洗により。
はスパッタリング法で形成し、水洗により。
水溶性高分子層ならびにその上の導電性金属層を洗い出
すことによって下部電極(2)を形成する(第3図)。
すことによって下部電極(2)を形成する(第3図)。
あるいは、テープマージン法、オイルマージン法におい
て下部電極を形成してもよい。
て下部電極を形成してもよい。
この下部電極(2)上に(第3図)、必要なパターンに
応じて、任意の幅で、それぞれの下部電極中央部分に非
印刷部分が残るように(第4図)。
応じて、任意の幅で、それぞれの下部電極中央部分に非
印刷部分が残るように(第4図)。
有機高分子薄膜層(3)を形成する。有機高分子薄膜層
としては、1kHzで測定した誘電正接が1%以下であ
り、膜厚0.1〜0.7μmの範囲である熱可塑性樹脂
、熱硬化性樹脂及び両者の混合物を用いるのがよい。た
だし膜厚が0.1μm以下では、十分な電気絶縁抵抗が
得られず、膜厚が0.7μm以上では、断面積あたり、
大きな静電容量が得られないので実用的でない。たとえ
ば、熱可塑性樹脂としては、ポリスチレン、ポリエチレ
ン。
としては、1kHzで測定した誘電正接が1%以下であ
り、膜厚0.1〜0.7μmの範囲である熱可塑性樹脂
、熱硬化性樹脂及び両者の混合物を用いるのがよい。た
だし膜厚が0.1μm以下では、十分な電気絶縁抵抗が
得られず、膜厚が0.7μm以上では、断面積あたり、
大きな静電容量が得られないので実用的でない。たとえ
ば、熱可塑性樹脂としては、ポリスチレン、ポリエチレ
ン。
ポリアミド、ポリエステル等があげられ、熱硬化性樹脂
としては、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、
エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル。
としては、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、
エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル。
アルキド樹脂、ウレタン樹脂等があげられる。好ましく
はポリエステル系樹脂を用いるのがよい。
はポリエステル系樹脂を用いるのがよい。
両者の非印刷部分上に、当該部分よりも広い幅で水溶性
高分子層(4)を形成する(第5図)。その上全面に、
薄膜誘電体層(5)(第6図)、上部電極(6)として
の導電性金属層(第7図)を。
高分子層(4)を形成する(第5図)。その上全面に、
薄膜誘電体層(5)(第6図)、上部電極(6)として
の導電性金属層(第7図)を。
蒸着法、イオンプレーティング法あるいはスパッタリン
グ法を用いて、順次積層する。薄膜誘電体層としては、
硫化亜鉛、酸化鉛、酸化珪素、酸化チタン、イツトリウ
ム酸化物等があげられ、好ましくは硫化亜鉛を用いるが
よい。また、その膜厚は0.1〜0.8μmの範囲がよ
い。ただし、膜厚が0.1μm以下では、十分な電気絶
縁抵抗が得られず、膜厚が0.8μm以上では、膜自身
の亀裂を生じ9歩留り率の低下を招く。また、より高い
電気絶縁抵抗及び、誘電特性が望まれる場合には、必要
に応じて、薄膜誘電体層(5)と上部電極(6)との間
に有機高分子薄膜層を付加してもよい。次に、これらを
水洗により、水溶性高分子層(4)ならびに水溶性高分
子層(4)上の薄膜誘電体層(5)及び上部電極(6)
を洗い出し、下部電極を露出させる。連続乾燥炉に入れ
、水分を十分取り除いた後、スリッターにより、任意の
幅で切り出すことによって(7)、コンデンサ用薄膜誘
電体材料を得るのである。これらを所望の容量単位を得
るため、任意の長さで切り出すことによって。
グ法を用いて、順次積層する。薄膜誘電体層としては、
硫化亜鉛、酸化鉛、酸化珪素、酸化チタン、イツトリウ
ム酸化物等があげられ、好ましくは硫化亜鉛を用いるが
よい。また、その膜厚は0.1〜0.8μmの範囲がよ
い。ただし、膜厚が0.1μm以下では、十分な電気絶
縁抵抗が得られず、膜厚が0.8μm以上では、膜自身
の亀裂を生じ9歩留り率の低下を招く。また、より高い
電気絶縁抵抗及び、誘電特性が望まれる場合には、必要
に応じて、薄膜誘電体層(5)と上部電極(6)との間
に有機高分子薄膜層を付加してもよい。次に、これらを
水洗により、水溶性高分子層(4)ならびに水溶性高分
子層(4)上の薄膜誘電体層(5)及び上部電極(6)
を洗い出し、下部電極を露出させる。連続乾燥炉に入れ
、水分を十分取り除いた後、スリッターにより、任意の
幅で切り出すことによって(7)、コンデンサ用薄膜誘
電体材料を得るのである。これらを所望の容量単位を得
るため、任意の長さで切り出すことによって。
巻き回し型コンデンサ、あるいは単位容量を切り出し、
積層することよって、チップ型コンデンサを得るのであ
る。
積層することよって、チップ型コンデンサを得るのであ
る。
以上、有機高分子フィルムを支持体基板とし。
その少なくとも一方の面に、下部電極としての導電性金
属層、有機高分子薄膜層、薄膜誘電体層。
属層、有機高分子薄膜層、薄膜誘電体層。
及び下部電極としての4電性金属層を順次積層してなる
コンデンサ用薄膜誘電体材料を製造するに際して、水溶
性高分子層を形成し、−括洗い出すことによって、下部
電極を露出させることにより。
コンデンサ用薄膜誘電体材料を製造するに際して、水溶
性高分子層を形成し、−括洗い出すことによって、下部
電極を露出させることにより。
連続大量生産が可能となり、産業上、有益であり。
かつ歩留りのよい製造が可能となったのである。
(実施例)
以下に、実施例を示して本発明を図面を参照して具体的
に説明する。
に説明する。
実施例1〜5
支持体基板(1)として、フィルム厚6μmのポリエス
テルフィルムを用い(第1図)、このフィルムのlff
1方向に、18m−のピッチ、幅2龍のパターンで、水
溶性高分子層として、ヒドロキシプロピルセルローズ(
TCI−E、P、、東京化成)をフィルムの長平方向に
、グラビア印刷法により1μm形成した(第2図)。次
に、この上全面に。
テルフィルムを用い(第1図)、このフィルムのlff
1方向に、18m−のピッチ、幅2龍のパターンで、水
溶性高分子層として、ヒドロキシプロピルセルローズ(
TCI−E、P、、東京化成)をフィルムの長平方向に
、グラビア印刷法により1μm形成した(第2図)。次
に、この上全面に。
AIを下部電極(2)として、真空蒸着法により0.0
6μm蒸着し、水洗により、水溶性高分子層ならびに水
溶性高分子層上のAIを同時に洗い出し、連続乾燥炉に
て水分を蒸発させた(第3図)。
6μm蒸着し、水洗により、水溶性高分子層ならびに水
溶性高分子層上のAIを同時に洗い出し、連続乾燥炉に
て水分を蒸発させた(第3図)。
次に、有機高分子薄膜層(3)として、それぞれ下部電
極中央部分に2mlの幅で非印刷部分が残るように、フ
ィルムの長平方向にグラビア印刷法によりポリエステル
樹脂(バイロン200.東洋紡)を0゜3μm形成した
(第4図)。ついで、この非印刷部分の両端にl sm
ずつ重なるように、水溶性高分子層(4)を1μmグラ
ビア印刷した(第5図)。さらに、この有機高分子薄膜
層(3)、水溶性高分子層(4)上全面に、硫化亜鉛薄
膜誘電体層(5)を、RFビイオンプレーティング法よ
り形成した(第6図)。すなわち、アルゴンをペルジャ
ー内に導入し、真空度7 X 10−’Torrに保ち
、電圧2 k V、、周波数13.56MHzの高周波
電界を100W印加しながら、電子銃により硫化亜鉛蒸
発母材を加熱蒸発させ、0.5μm形成した。
極中央部分に2mlの幅で非印刷部分が残るように、フ
ィルムの長平方向にグラビア印刷法によりポリエステル
樹脂(バイロン200.東洋紡)を0゜3μm形成した
(第4図)。ついで、この非印刷部分の両端にl sm
ずつ重なるように、水溶性高分子層(4)を1μmグラ
ビア印刷した(第5図)。さらに、この有機高分子薄膜
層(3)、水溶性高分子層(4)上全面に、硫化亜鉛薄
膜誘電体層(5)を、RFビイオンプレーティング法よ
り形成した(第6図)。すなわち、アルゴンをペルジャ
ー内に導入し、真空度7 X 10−’Torrに保ち
、電圧2 k V、、周波数13.56MHzの高周波
電界を100W印加しながら、電子銃により硫化亜鉛蒸
発母材を加熱蒸発させ、0.5μm形成した。
ただし、蒸発母材は、純度99.99%の微粉末をプレ
ス成型し、800℃で6時間真空焼結を行ったものを用
いた。この硫化亜鉛1膜誘電体層(5)上に、上部電極
(6)としてAIを0.06μm真空蒸着した(第7図
)。次に、水洗により、水溶性高分子層(4)ならびに
水溶性高分子層(4)上の薄膜誘電体層(5)及び上部
電極(6)を−括洗い出し、下部電極(2)を露出させ
た(第8図)。次に、連続乾燥炉に入れ、水分を十分取
り除いた後、スリッターにより、それぞれの下部電極及
び下部電極間中央部分を切断しく7)1巻き取り、コン
デンサ用薄膜誘電体材料を得た。このコンデンサ用薄膜
誘電体材料を素子巻機にかけて。
ス成型し、800℃で6時間真空焼結を行ったものを用
いた。この硫化亜鉛1膜誘電体層(5)上に、上部電極
(6)としてAIを0.06μm真空蒸着した(第7図
)。次に、水洗により、水溶性高分子層(4)ならびに
水溶性高分子層(4)上の薄膜誘電体層(5)及び上部
電極(6)を−括洗い出し、下部電極(2)を露出させ
た(第8図)。次に、連続乾燥炉に入れ、水分を十分取
り除いた後、スリッターにより、それぞれの下部電極及
び下部電極間中央部分を切断しく7)1巻き取り、コン
デンサ用薄膜誘電体材料を得た。このコンデンサ用薄膜
誘電体材料を素子巻機にかけて。
設計静電容1i20nF(実施例1)、40nF (実
施例2)、6’0nF(実施例3)、80nF(実施例
4)、100nF(実施例5)コンデンサ素子を形成し
た。ただし、フィルムの幅方向に切断する場合には、バ
ーンオフをおこなった。これらのコンデンサ素子に、亜
鉛溶射により外部電極を形成し。
施例2)、6’0nF(実施例3)、80nF(実施例
4)、100nF(実施例5)コンデンサ素子を形成し
た。ただし、フィルムの幅方向に切断する場合には、バ
ーンオフをおこなった。これらのコンデンサ素子に、亜
鉛溶射により外部電極を形成し。
樹脂モールド後、静電容量(lkHzで測定)。
電気絶縁抵抗(30Vで測定)及び歩留り率を測定した
。その結果を表1.に示す。ただし歩留り率は、それぞ
れサンプル100点を作成し、その内で、電気絶縁抵抗
が5X109Ω以上のものを百分率で表したものである
。
。その結果を表1.に示す。ただし歩留り率は、それぞ
れサンプル100点を作成し、その内で、電気絶縁抵抗
が5X109Ω以上のものを百分率で表したものである
。
表 1゜
(発明の効果)
本発明によれば5次の効果を得ることができる。
(11従来の金属化フィルムコンデンサと比較して、大
幅に小型化されたコンデンサ用薄膜誘電体材料を2産業
上、安価に製造できる。
幅に小型化されたコンデンサ用薄膜誘電体材料を2産業
上、安価に製造できる。
(2)従来の薄膜コンデンサと比較して、電気絶縁抵抗
の大きい、誘電正接の小さなコンデンサ用薄膜誘電体材
料を歩留りよく、製造できる。
の大きい、誘電正接の小さなコンデンサ用薄膜誘電体材
料を歩留りよく、製造できる。
つまり、水溶性高分子層を形成し、−括洗い出すことに
よってコンデンサ用薄膜誘電体材料を形成することより
、従来の方法に比べて、工程が簡略化され、大幅なコス
トダウンが可能となった。
よってコンデンサ用薄膜誘電体材料を形成することより
、従来の方法に比べて、工程が簡略化され、大幅なコス
トダウンが可能となった。
また同時に、誘電正接が低く、電気絶縁抵抗1歩留り率
の高いものを、安定して製造することが可能となった。
の高いものを、安定して製造することが可能となった。
本発明により製造された薄膜誘電体材料は、従来のフィ
ルムコンデンサの誘電体材料である金属化フィルムに比
べて、装造加工工程上の取り扱いはほとんど変わらず、
コンデンサ用の全く新規な優れた薄膜誘電体材料を、産
業上有益に製造することができる。
ルムコンデンサの誘電体材料である金属化フィルムに比
べて、装造加工工程上の取り扱いはほとんど変わらず、
コンデンサ用の全く新規な優れた薄膜誘電体材料を、産
業上有益に製造することができる。
第1図〜第8図は、本発明の一例の態様を示す断面図で
ある。 1 有機高分子フィルム基板 2 下部電極 3 有機高分子薄膜層 4 水溶性高分子層 51膜誘電体層 6 上部電極 7 切断位置
ある。 1 有機高分子フィルム基板 2 下部電極 3 有機高分子薄膜層 4 水溶性高分子層 51膜誘電体層 6 上部電極 7 切断位置
Claims (2)
- (1)有機高分子フィルムを支持体基板とし、その少な
くとも一方の面に下部電極としての導電性金属層、有機
高分子薄膜層、水溶性高分子層、薄膜誘電体層、及び上
部電極としての導電性金属層を順次各層の必要パターン
に応じて積層した後、水洗により、水溶性高分子層なら
びにその上の薄膜誘電体層及び上部電極を一括洗い出す
ことによって、下部電極を露出させ、また、これら下部
電極、薄膜誘電体層及び上部電極は、蒸着法、イオンプ
レーティング法あるいはスパッタリング法により、有機
高分子薄膜層及び水溶性高分子層がコート法あるいは印
刷法により形成されることを特徴とするコンデンサ用薄
膜誘電体材料の製造方法。 - (2)下部電極が有機高分子フィルムの長手方向に、必
要な設計で非蒸着部分が存在するように電極形成され、
有機高分子薄膜層は、下部電極中央部分に、必要なパタ
ーンに応じて、任意の幅で、非印刷部分が残るように形
成され、次に、水溶性高分子層が非印刷部分上に、当該
部分よりも広い幅で形成され、さらに薄膜誘電体層が有
機高分子薄膜層、水溶性高分子層上全面に形成され、ま
た上部電極は薄膜誘電体層上全面に電極形成されること
をを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15228686A JPS637610A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | コンデンサ用薄膜誘電体材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15228686A JPS637610A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | コンデンサ用薄膜誘電体材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS637610A true JPS637610A (ja) | 1988-01-13 |
Family
ID=15537204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15228686A Pending JPS637610A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | コンデンサ用薄膜誘電体材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS637610A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5888621A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-26 | Yamato Scale Co Ltd | 高速計量装置 |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP15228686A patent/JPS637610A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5888621A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-26 | Yamato Scale Co Ltd | 高速計量装置 |
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