JPS6376338A - 半導体用加熱装置 - Google Patents
半導体用加熱装置Info
- Publication number
- JPS6376338A JPS6376338A JP21913886A JP21913886A JPS6376338A JP S6376338 A JPS6376338 A JP S6376338A JP 21913886 A JP21913886 A JP 21913886A JP 21913886 A JP21913886 A JP 21913886A JP S6376338 A JPS6376338 A JP S6376338A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hot air
- circulation path
- temperature
- lead frame
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は樹脂封止層をもつ半導体装置を加熱もしくは乾
燥する装置の改良に関する。
燥する装置の改良に関する。
(従来の技術)
半導体装置を製造するに当っては半導体基板に回路もし
くは素子を造り込んで製造した半導体素子に組立工程を
施して半導体装置を完成するのは良く知られている通り
である。この組立工程も集積回路素子などはいわゆるD
IPもしくはIDF (InterDigitated
Frame)型のリードフレームにマウント後所定の
ワイヤボンディング工程、樹脂封止工程、Cut &
Bend工程更にメッキ工程を経て半導体装置が得られ
る。
くは素子を造り込んで製造した半導体素子に組立工程を
施して半導体装置を完成するのは良く知られている通り
である。この組立工程も集積回路素子などはいわゆるD
IPもしくはIDF (InterDigitated
Frame)型のリードフレームにマウント後所定の
ワイヤボンディング工程、樹脂封止工程、Cut &
Bend工程更にメッキ工程を経て半導体装置が得られ
る。
この樹脂封止工程は封止樹脂タブレットをモールド装置
にセットして封止を行い、次の加熱工程を終えると半導
体素子が封止樹脂層に埋設されて外部からの汚染を防止
する。この加熱装置の一種として、第2図に示す構造が
採用されており、被加熱体は半導体素子を埋設した樹脂
封止層を係止したリードフレームである。
にセットして封止を行い、次の加熱工程を終えると半導
体素子が封止樹脂層に埋設されて外部からの汚染を防止
する。この加熱装置の一種として、第2図に示す構造が
採用されており、被加熱体は半導体素子を埋設した樹脂
封止層を係止したリードフレームである。
このリードフレームとしては前述のように多ピン型の半
導体装置に適用されるDIPもしくはIDFタイプであ
り、これは相対向して配置する金属製枠体の一定区域を
区分して得られる単位体の求心方向に、この金属製枠体
を起点して延長する遊端をもつリードを設け、この求心
位置に設けるこの金属製枠体間に架橋するベッド部に半
導体素子を固定する。この半導体素子とリード部間を電
気的に接続後前述のように半導体素子を封止樹脂層に埋
設する。殆んどの機種での封止樹脂層は断面が矩形状の
ほぼ扁平な直方体に成形され、一部の機種では断面正方
形になる。
導体装置に適用されるDIPもしくはIDFタイプであ
り、これは相対向して配置する金属製枠体の一定区域を
区分して得られる単位体の求心方向に、この金属製枠体
を起点して延長する遊端をもつリードを設け、この求心
位置に設けるこの金属製枠体間に架橋するベッド部に半
導体素子を固定する。この半導体素子とリード部間を電
気的に接続後前述のように半導体素子を封止樹脂層に埋
設する。殆んどの機種での封止樹脂層は断面が矩形状の
ほぼ扁平な直方体に成形され、一部の機種では断面正方
形になる。
ところで、第2図に示す加熱装置観は一面に開閉自在な
断熱扉(図示せず)をもつ金属製加熱室21と、その周
囲に設ける循環路22と、この循環路22に形成する熱
風機構23で構成する。この熱風機構23はヒータ24
ならびに送風機25がらなり、これに対向する循環路2
3壁而には透孔26を設置する。
断熱扉(図示せず)をもつ金属製加熱室21と、その周
囲に設ける循環路22と、この循環路22に形成する熱
風機構23で構成する。この熱風機構23はヒータ24
ならびに送風機25がらなり、これに対向する循環路2
3壁而には透孔26を設置する。
この金属製加熱室21には前述の扁平な封止松脂を係止
したリードフレーム27を配置する。この配置に当って
は断面矩形状の封止樹脂層の短辺に沿って熱風を送るよ
うにし、又透孔26の設置位置は第2図に示すように複
数のリードフレーム27中心付近とする。
したリードフレーム27を配置する。この配置に当って
は断面矩形状の封止樹脂層の短辺に沿って熱風を送るよ
うにし、又透孔26の設置位置は第2図に示すように複
数のリードフレーム27中心付近とする。
尚ヒータ温度は機種即ち封止樹脂層の容積により異なる
が数百℃数時間の熱負荷を加え、又このリードフレーム
は柱体により枠組みされたトレイに収容する。
が数百℃数時間の熱負荷を加え、又このリードフレーム
は柱体により枠組みされたトレイに収容する。
(発明が解決しようとする問題点)
このような加熱装置では単一の送風機による一定方向へ
強制的に熱風を送っており、被加熱物の形状ならびに設
置した位置によってはこの熱風を送る方向ならびに熱風
の強さを変えて均一な加熱もしくは効率の良い加熱を行
うのが鎧しい。更にこの加熱室に設置するリードフレー
ム列即ちトレイは第2図で2列だけを示したが、もっと
多数を設置する場合が多く、しかも一定期間経過しだも
のから取出すので、被加熱物の温度が一定でない場合が
多い。従って昇温済み封止樹脂層の温度低下をもたらし
て、所定温度までの昇温に時間がかかる。本発明は上記
薙点を除去した新規な半導体用加熱装置を提供するもの
で、特に被加熱物の状態や設置位置により加熱条件を変
更可能にすることを目的とする。
強制的に熱風を送っており、被加熱物の形状ならびに設
置した位置によってはこの熱風を送る方向ならびに熱風
の強さを変えて均一な加熱もしくは効率の良い加熱を行
うのが鎧しい。更にこの加熱室に設置するリードフレー
ム列即ちトレイは第2図で2列だけを示したが、もっと
多数を設置する場合が多く、しかも一定期間経過しだも
のから取出すので、被加熱物の温度が一定でない場合が
多い。従って昇温済み封止樹脂層の温度低下をもたらし
て、所定温度までの昇温に時間がかかる。本発明は上記
薙点を除去した新規な半導体用加熱装置を提供するもの
で、特に被加熱物の状態や設置位置により加熱条件を変
更可能にすることを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明に係る半導体用加熱装置では、金属製加熱室に被
加熱物を設置する領域を階層的に設け、この金属製加熱
室の周りに循環路を形成する。この階層的に設置する領
域に対向する循環路壁には透孔を形成し、ここに連続し
て熱風機構を配置する。従って階層的に設置する領域に
はトレイに収納した複数のリードフレームを層流状の熱
風で加熱することが可能となり、更に個々の熱風機構の
ヒータ温度、送風機の廻転数等を自動的に制御可能な機
構を付設する。
加熱物を設置する領域を階層的に設け、この金属製加熱
室の周りに循環路を形成する。この階層的に設置する領
域に対向する循環路壁には透孔を形成し、ここに連続し
て熱風機構を配置する。従って階層的に設置する領域に
はトレイに収納した複数のリードフレームを層流状の熱
風で加熱することが可能となり、更に個々の熱風機構の
ヒータ温度、送風機の廻転数等を自動的に制御可能な機
構を付設する。
(作 用)
このように被加熱物に対向する循環路壁には透孔が向き
合って形成されしかもここにはヒータならびに送風機を
備えた熱風機構が設置されており、しかもこの送風機の
回転方向を正逆にセットすれば層流状の熱風が階層的に
設ける領域毎に流れてから循環路を流れることになる。
合って形成されしかもここにはヒータならびに送風機を
備えた熱風機構が設置されており、しかもこの送風機の
回転方向を正逆にセットすれば層流状の熱風が階層的に
設ける領域毎に流れてから循環路を流れることになる。
このためこの領域毎の加熱では領域相互間の影響を除去
して効率的な利用が可能となる。更に、熱風機構毎に制
御機構を付設することによって熱風の流速、流れ方向を
自在に変えられ均一な加熱ができる。
して効率的な利用が可能となる。更に、熱風機構毎に制
御機構を付設することによって熱風の流速、流れ方向を
自在に変えられ均一な加熱ができる。
(実施例)
第1図に本発明を詳述するが、都合上従来の技術と重複
するところもあるが、新番号をつけて説明する。
するところもあるが、新番号をつけて説明する。
この半導体用加熱装置よは開閉自在な断熱扉(図示せず
)をもつ金属(Afi)製加熱室2と、その周囲に設け
る循環路3と、この循環路に形成する熱風機構7・・・
で構成する。この金属製加熱室2゜2は仕切り棚4,4
により区分されこれを今後階層的に形成する領域3,3
と記載する。
)をもつ金属(Afi)製加熱室2と、その周囲に設け
る循環路3と、この循環路に形成する熱風機構7・・・
で構成する。この金属製加熱室2゜2は仕切り棚4,4
により区分されこれを今後階層的に形成する領域3,3
と記載する。
この階層的に形成する領域3,3には被加熱体を載置す
るが、再度説明すると、リードフレームは相対向して配
置する金属製枠体の一定域を区分して得られる単位体の
求心方向にこの金属製枠体を起点として延長する遊端を
もつリードを設け。
るが、再度説明すると、リードフレームは相対向して配
置する金属製枠体の一定域を区分して得られる単位体の
求心方向にこの金属製枠体を起点として延長する遊端を
もつリードを設け。
この求心位置に設けるこの金属製枠体間に架橋するベッ
ド部に半導体素子を固定する。
ド部に半導体素子を固定する。
この半導体素子は形成した電極とリード間を金属細線に
よって接続して電気的な導通を図ってから、いわゆるモ
ールド工程を施してほぼ扁平な封止樹脂層を形成する。
よって接続して電気的な導通を図ってから、いわゆるモ
ールド工程を施してほぼ扁平な封止樹脂層を形成する。
その断面形状は多くの機種で矩形であり少品種が正方形
となる。
となる。
このリードフレームを階層的に形成する領域3゜3に載
置するには、柱体により枠組みしたトレイに積重ねたも
のを使い、リードフレームに係止される封止樹脂層は通
常中数個である。
置するには、柱体により枠組みしたトレイに積重ねたも
のを使い、リードフレームに係止される封止樹脂層は通
常中数個である。
ところで熱風機構7・・・と被処理物であるリードフレ
ーム列8・・・の間に位置する循環路壁には透孔6・・
・を設けて熱風がリードフレーム列に当るよう配慮され
ている。この熱風機構はヒータ10、送風機11及び温
度センサ9で構成し、向き合った送風機11.11の廻
転方向を正逆の関係として一方で送風他方で吸引させ、
層流状の熱風を被処理物であるリードフレーム列に与え
てから循環路に流す。
ーム列8・・・の間に位置する循環路壁には透孔6・・
・を設けて熱風がリードフレーム列に当るよう配慮され
ている。この熱風機構はヒータ10、送風機11及び温
度センサ9で構成し、向き合った送風機11.11の廻
転方向を正逆の関係として一方で送風他方で吸引させ、
層流状の熱風を被処理物であるリードフレーム列に与え
てから循環路に流す。
この各熱風機構の温度センサ9は第2図に示した温度検
出回路12、送風機11は送風機駆動回路13、又ヒー
タlOはヒータ駆動回路14に電気的に接続し、それぞ
れは制御装置15に相互接続する。更にこの制御装置1
5には入力装置16と記憶回路17を同じく相互接続し
て熱風機構7・・・を自動的に制御可能にする。
出回路12、送風機11は送風機駆動回路13、又ヒー
タlOはヒータ駆動回路14に電気的に接続し、それぞ
れは制御装置15に相互接続する。更にこの制御装置1
5には入力装置16と記憶回路17を同じく相互接続し
て熱風機構7・・・を自動的に制御可能にする。
この制御機構ではリードフレーム列8を階層的に設置し
た領域3に載置すると、入力装置16によりその位置等
の情報が制御袋@15に入力し、これを基にしてヒータ
10ならびに送風機11を駆動する。
た領域3に載置すると、入力装置16によりその位置等
の情報が制御袋@15に入力し、これを基にしてヒータ
10ならびに送風機11を駆動する。
しかし一定方向の層流状熱風を与えると、風下側のリー
ドフレーム列8の昇温速度が遅くなるので。
ドフレーム列8の昇温速度が遅くなるので。
一定時間毎に送風機の回転方向を変えて送風方向を逆転
する。
する。
又一方の階層状に形成した領域3のリードフレーム列の
加熱が終り新しい被加熱物を載置しても、各循環路によ
って一定温度に維持された領域3には低温の熱風が入ら
ないので温度低下を防ぎ一定温度が保たれる。
加熱が終り新しい被加熱物を載置しても、各循環路によ
って一定温度に維持された領域3には低温の熱風が入ら
ないので温度低下を防ぎ一定温度が保たれる。
このように本発明では層流状の熱風により被処理物の加
熱が行われ、この熱風は循環路に流れることになるので
階層的に設置する領域相互間の影響を除去して効率的な
利用が可能となる。更に各熱風機構には制御機構を付設
したので熱風の流速、流れを自在に変えられ均一な加熱
が可能となる。
熱が行われ、この熱風は循環路に流れることになるので
階層的に設置する領域相互間の影響を除去して効率的な
利用が可能となる。更に各熱風機構には制御機構を付設
したので熱風の流速、流れを自在に変えられ均一な加熱
が可能となる。
第1図は本発明に係る加熱装置の概略を示す断面図、第
2図はこの装置に付設する制御回路のブロック図、第3
図は従来装置の要部を示す断面図である。
2図はこの装置に付設する制御回路のブロック図、第3
図は従来装置の要部を示す断面図である。
Claims (1)
- 一面に開閉自在な扉をもち階層的な領域を形成した金
属製加熱室と、その周りを囲む循環路と、相対向して配
置する金属枠体の一定区域を区分して得られる単位体の
求心方向にこの枠体から延びる遊端をもつリードを設け
この求心位置に固定する半導体素子の電極とこのリード
間を電気的に接続しこの半導体素子を埋設する樹脂封止
層を設けるリードフレームと、前記金属加熱室の階層的
な領域に互に平行に配置する積層したリードフレームの
列と、このリードフレーム列の長手方向に対向する前記
循環路に形成する熱風機構と、このリードフレーム列の
長手方向に対向する前記循環路に形成する熱風機構と、
この機構と前記リードフレームの長手方向間に位置する
前記循環路壁に設ける透孔とを具備し、前記熱風機構か
ら発生する熱層流により前記樹脂封止層を加熱すること
を特徴とする半導体用加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21913886A JPS6376338A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体用加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21913886A JPS6376338A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体用加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376338A true JPS6376338A (ja) | 1988-04-06 |
Family
ID=16730820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21913886A Pending JPS6376338A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体用加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6376338A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100338951B1 (ko) * | 1999-12-18 | 2002-05-31 | 박종섭 | 반도체 패키지 제조용 베이크 오븐의 받침대 인,입출장치 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP21913886A patent/JPS6376338A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100338951B1 (ko) * | 1999-12-18 | 2002-05-31 | 박종섭 | 반도체 패키지 제조용 베이크 오븐의 받침대 인,입출장치 |
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