JPS6376435A - ドライエツチング制御方法 - Google Patents
ドライエツチング制御方法Info
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- JPS6376435A JPS6376435A JP21931586A JP21931586A JPS6376435A JP S6376435 A JPS6376435 A JP S6376435A JP 21931586 A JP21931586 A JP 21931586A JP 21931586 A JP21931586 A JP 21931586A JP S6376435 A JPS6376435 A JP S6376435A
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- JP
- Japan
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- etching
- plasma
- center
- dry etching
- emission intensity
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置等の製造に使用されるドライエツチ
ング方法に係り、特に、エツチングの均一性を制御する
のに好適なドライエツチング制御方法に関する。
ング方法に係り、特に、エツチングの均一性を制御する
のに好適なドライエツチング制御方法に関する。
平行平板電極を用いたドライエツチング装置では、被エ
ツチング材を設置しである電極側の電界強度は中央部と
外周部で差がある。このため、被エツチング材のエツチ
ングレートに中央部と周辺部で差が生じ、不均一なエツ
チングになってしまうという不都合がある。そこで、均
一なエツチングを得るために電界分布を制御することが
必要となるが、電界分布を直接モニタすることが困難な
ため、この制御をどのような観測データに基づいて行な
うかが問題となる。通常行なわれているエツチングの制
御は、エツチングの均一性を得るためではなく、例えば
発光分光法でプラズマを観測し、エツチングの終点を判
定しているにすぎなかった。
ツチング材を設置しである電極側の電界強度は中央部と
外周部で差がある。このため、被エツチング材のエツチ
ングレートに中央部と周辺部で差が生じ、不均一なエツ
チングになってしまうという不都合がある。そこで、均
一なエツチングを得るために電界分布を制御することが
必要となるが、電界分布を直接モニタすることが困難な
ため、この制御をどのような観測データに基づいて行な
うかが問題となる。通常行なわれているエツチングの制
御は、エツチングの均一性を得るためではなく、例えば
発光分光法でプラズマを観測し、エツチングの終点を判
定しているにすぎなかった。
尚、エツチング中のプラズマをモニタするもの和、例え
ば特開昭５７−２０７８５０号がある。
ば特開昭５７−２０７８５０号がある。
従来は、プラズマ状態の変化によるエツチング不良の発
生を防止する点について配慮がなされていないため、ま
すます大口径化するウニへのエツチング加工に問題が生
じてきている。
生を防止する点について配慮がなされていないため、ま
すます大口径化するウニへのエツチング加工に問題が生
じてきている。
本発明の目的は、エツチングの均一性を向上させるドラ
イエツチング制御方法を提供することにある。
イエツチング制御方法を提供することにある。
上記目的は、プラズマ中の局所の発光強度をモニタし、
該モニタ結果によりプラズマ条件を制御しエツチング状
態を制御することで、達成される。
該モニタ結果によりプラズマ条件を制御しエツチング状
態を制御することで、達成される。
プラズマ中の発光化学種の中には電界分布と相関関係が
ある化学種が存在する。そこで、この化学種の発光強度
のプラズマ内の分布をモニタし、モニタ電界でプラズマ
条件を制御することで電界分布を均一に制御することが
可能となる。この結果、エツチングの均一性が向上する
。
ある化学種が存在する。そこで、この化学種の発光強度
のプラズマ内の分布をモニタし、モニタ電界でプラズマ
条件を制御することで電界分布を均一に制御することが
可能となる。この結果、エツチングの均一性が向上する
。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第２図はドライエツチング制御装置の全体構成図である
。第２図において、ドライエツチング装置１には、一対
の平行平板電極２．２゛が配置されており、高周波電源
６より、下部電極２°に高周波電力が供給され、下部電
極２°上に設置された被エツチング材３がプラズマ５に
よりエツチングされる。プラズマ５内の特定化学種の発
光スペクトル７は観測窓４を通して集光レンズ８により
集光され、光ファイバ９を通って分光器１１に入り分光
された後、光検出器１２により光強度が電気信号１３に
変換され、制御装置１４で処理される。プラズマ５内の
発光スペクトル７を集光するレンズ８と光ファイバ９は
スキャン装置１０に取り付けてあり、該スキャン装置１
０１制御装［１１４からの信号により前後左右に移動し
、プラズマ５内の局所の発光強風を採光できるようにな
っている。プラズマ５内の局所の発光強度は制御装置１
４で処理される。
。第２図において、ドライエツチング装置１には、一対
の平行平板電極２．２゛が配置されており、高周波電源
６より、下部電極２°に高周波電力が供給され、下部電
極２°上に設置された被エツチング材３がプラズマ５に
よりエツチングされる。プラズマ５内の特定化学種の発
光スペクトル７は観測窓４を通して集光レンズ８により
集光され、光ファイバ９を通って分光器１１に入り分光
された後、光検出器１２により光強度が電気信号１３に
変換され、制御装置１４で処理される。プラズマ５内の
発光スペクトル７を集光するレンズ８と光ファイバ９は
スキャン装置１０に取り付けてあり、該スキャン装置１
０１制御装［１１４からの信号により前後左右に移動し
、プラズマ５内の局所の発光強風を採光できるようにな
っている。プラズマ５内の局所の発光強度は制御装置１
４で処理される。
第１図は、制御装置１４での制御処理７ｏ−チャートで
ある。本制御処理では、第３図＋ａ＋、 ［ｂ）に示す
ように、実線で示す発光強度と点線で示す電界強度の相
関関係から、ウェハ中央と端部との発光強度比がある設
定範囲内にあるとき（第３図（ａ））は、電界強度は正
常であるとし、設定範囲外になったとき（第３図（ｂ）
）は異常とする。
ある。本制御処理では、第３図＋ａ＋、 ［ｂ）に示す
ように、実線で示す発光強度と点線で示す電界強度の相
関関係から、ウェハ中央と端部との発光強度比がある設
定範囲内にあるとき（第３図（ａ））は、電界強度は正
常であるとし、設定範囲外になったとき（第３図（ｂ）
）は異常とする。
先ず、第１図のステップ１において、光ファイバ９を介
して入力して（る信号を連続測定することにより、発光
分布を求める。次に、電極中央部と電極周辺部の発光強
度比Ａを演算しくステップ２）、ステップ３で強度比人
と設定値Ｂとの大小を比較する。
して入力して（る信号を連続測定することにより、発光
分布を求める。次に、電極中央部と電極周辺部の発光強
度比Ａを演算しくステップ２）、ステップ３で強度比人
と設定値Ｂとの大小を比較する。
ステップ３０判定結果がＡ■Ｂ、即ち、強度比Ａが正常
であると判定された場合は、高周波電源６の調整は行な
わずに本プログラムの実行を終了する。
であると判定された場合は、高周波電源６の調整は行な
わずに本プログラムの実行を終了する。
ステップ３の判定結果がＡ）Ｂ、即ち、電極周辺部に比
べて電極中央部での発光強度が強（なりすぎたと判定さ
れた場合は、ステップ４に進んで高周波電力を小さくし
、本プログラムの実行を終了する。
べて電極中央部での発光強度が強（なりすぎたと判定さ
れた場合は、ステップ４に進んで高周波電力を小さくし
、本プログラムの実行を終了する。
ステップ５０判定結果がＡ（Ｂ、即ち、第３図（ｂ）に
示すように、電極周辺部の発光強度が電極中央部より強
（なりすぎた場合は、ステップ５に進んで高周波電力を
太き（し、本プログラムを終了する。
示すように、電極周辺部の発光強度が電極中央部より強
（なりすぎた場合は、ステップ５に進んで高周波電力を
太き（し、本プログラムを終了する。
この様に、本実施例では、発光強度比により高周波電力
？制御するため、電界分布が均一となりエツチングの均
一性が向上する。
？制御するため、電界分布が均一となりエツチングの均
一性が向上する。
不発明によれば、非接触でプラズマ内の電界分布がモニ
タでき、それにより電界分布の制御が可能となるため、
エツチングの均一性を向上させることができ、生産性向
上が図れる。
タでき、それにより電界分布の制御が可能となるため、
エツチングの均一性を向上させることができ、生産性向
上が図れる。
第１図は本発明の一実施例に係るドライエツチング制御
方法の７ｏ−チャート、第２図のドライエツチング制御
装置の全体構成図、第３図＋４）、 Ｔｂ）は正常時と
異常時のプラズマモニタ結果を示すグラフである。 １−・ドライエツチング装置 ３・・・被エツチング材、 ６・・・高周波電源、８
・・・集光レンズ、 ９・−光ファイバ、 １０・−スキャン装置、 １４ ・・・制御装置。 代理人弁理士 小 川 勝 男６運 第 １ 口 ”Ａｚ 口 ％５［Ｆ］ ←ウェハ４漣中 −う＝ハイＬ−
方法の７ｏ−チャート、第２図のドライエツチング制御
装置の全体構成図、第３図＋４）、 Ｔｂ）は正常時と
異常時のプラズマモニタ結果を示すグラフである。 １−・ドライエツチング装置 ３・・・被エツチング材、 ６・・・高周波電源、８
・・・集光レンズ、 ９・−光ファイバ、 １０・−スキャン装置、 １４ ・・・制御装置。 代理人弁理士 小 川 勝 男６運 第 １ 口 ”Ａｚ 口 ％５［Ｆ］ ←ウェハ４漣中 −う＝ハイＬ−
Claims (1)
- １、低温ガスプラズマを用いてエッチングを行うドライ
エッチング装置において、被エッチング材上の中央部と
周辺部のプラズマ発光強度のモニタ結果によりエッチン
グの状態を制御することを特徴とするドライエッチング
制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21931586A JPS6376435A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | ドライエツチング制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21931586A JPS6376435A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | ドライエツチング制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376435A true JPS6376435A (ja) | 1988-04-06 |
Family
ID=16733557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21931586A Pending JPS6376435A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | ドライエツチング制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6376435A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5232537A (en) * | 1990-10-12 | 1993-08-03 | Seiko Epson Corporation | Dry etching apparatus |
| US5372673A (en) * | 1993-01-25 | 1994-12-13 | Motorola, Inc. | Method for processing a layer of material while using insitu monitoring and control |
| JPH1126189A (ja) * | 1997-07-07 | 1999-01-29 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| US6265316B1 (en) | 1998-04-03 | 2001-07-24 | Nec Corporation | Etching method |
| KR20020077753A (ko) * | 2001-04-03 | 2002-10-14 | 한국표준과학연구원 | 박막 두께 변화율 산출 및 공정조건 모니터링 장치 |
| WO2020153118A1 (ja) * | 2019-01-21 | 2020-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP21931586A patent/JPS6376435A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5232537A (en) * | 1990-10-12 | 1993-08-03 | Seiko Epson Corporation | Dry etching apparatus |
| US5346582A (en) * | 1990-10-12 | 1994-09-13 | Seiko Epson Corporation | Dry etching apparatus |
| US5372673A (en) * | 1993-01-25 | 1994-12-13 | Motorola, Inc. | Method for processing a layer of material while using insitu monitoring and control |
| JPH1126189A (ja) * | 1997-07-07 | 1999-01-29 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| US6265316B1 (en) | 1998-04-03 | 2001-07-24 | Nec Corporation | Etching method |
| KR100314953B1 (ko) * | 1998-04-03 | 2002-04-24 | 가네꼬 히사시 | 에칭방법 |
| KR20020077753A (ko) * | 2001-04-03 | 2002-10-14 | 한국표준과학연구원 | 박막 두께 변화율 산출 및 공정조건 모니터링 장치 |
| WO2020153118A1 (ja) * | 2019-01-21 | 2020-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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