JPS6376439A - 乾燥方法 - Google Patents

乾燥方法

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JPS6376439A
JPS6376439A JP21959986A JP21959986A JPS6376439A JP S6376439 A JPS6376439 A JP S6376439A JP 21959986 A JP21959986 A JP 21959986A JP 21959986 A JP21959986 A JP 21959986A JP S6376439 A JPS6376439 A JP S6376439A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
moisture
drying
cell
microwaves
Prior art date
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Pending
Application number
JP21959986A
Other languages
English (en)
Inventor
Megumi Ishikawa
恵 石川
Masaaki Harazono
正昭 原園
Masahiro Watanabe
正博 渡辺
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は乾燥方法に係り1%に半導体ウニ/%の迅速で
均一な乾燥方法に関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体ウェハ乾燥方法としては、特開昭60− 
N9727号公報に記載のように、蒸発液を加熱して発
生させた蒸気中に被乾燥体を保持して乾燥を行なう方法
がある。この方法は、蒸発液としてたとえばイングロビ
ルアルコール(IPA)’ft:用い、該IPAを加熱
して蒸気を発生させ、該蒸気中に被乾燥体である半導体
ウェハを保持する。加熱により発生した蒸気は半導体ウ
ェハ表面に接触すると結露するが、この際、ウェノ1表
面に付着していた水分を吸収・除去するというものであ
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術では蒸発液の蒸気がウェノ1表面に接触し
た後、結露してウェノ・表面を流れ落ちるため、ウェハ
表面に乾燥ムラを生じる恐れがあり。
均一な乾燥を行なうのは困難であった。また、ウェハ表
面の水分が完全に蒸発液の蒸気に吸収・除去される迄に
はある程度の時間がかかるため、この間にウェハ表面の
水分中に乾燥雰囲気中のガス(たとえば酸素)が溶解し
、ウェハ表面を変質する恐れがあった。
本発明の目的は乾燥ムラや表面変質を起こす恐れのない
、迅速で均一な乾燥方法を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、ウェハ表面の水分に均一にマイクロ波を照
射し、該水分を瞬時に蒸発・乾燥させることにより達成
される。
〔作用〕
ウェハ表面の水分にマイクロ波を照射すると。
水分子はマイクロ波のエネルギーを吸収して分極し、活
発な回転運動を・起こす。この回転運動によりて生じた
摩擦熱により、水分の温度は瞬時に沸点まで上昇する。
その結果、水分は水蒸気となって蒸発・除去される。し
たがりて、ウェハ表面に付着した水分に対して均一にマ
イクロ波を照射することにより、ウェハを均一かつ迅速
に乾燥することが可能となる。
さらに、マイクロ波に透明な材質膜のセル内にウェハを
保持することにより、照射室内壁等からの汚染が防止で
きる。また不活性ガスをセル内に導入することにより、
不活性雰囲気下で乾燥が行なえるとと′もに、水分の蒸
発によって生じた水蒸気をセル内から速やかに除去でき
る。
なお、セルの材質としては石英、陶磁器、ガラスなど、
不活性ガスとしては窒素、アルゴンなどが望ましい。
〔実施例〕
以下1本発明の一実施例を第1図により説明する。
マイクロ波発生器1を備えた照射室2内に、マイクロ波
に透明な材質でできたセル3を設ける。
セル3には不活性ガスの導入口4及び排出口5が設けら
れている。セル3内に水分6の付着したウェハ7を保持
する。マイクロ波発生器1より発生したマイクロ波8は
、ウェハ表面に均一に照射されるよう任意の角度をもた
せた反射板9によって反射され、ウェハ7表面の水分6
を照射する。このときガス導入口4よりセル中に不活性
ガス10を導入し、セル内を不活性ガス雰囲気にすると
ともに、ウェハ上の水分が蒸発して生じた水蒸気をセル
内から速やかに排気する。極〈短時間(たとえば、10
〜20秒)の照射で水分は完全に蒸発・除去され、乾燥
は終了する。
このように1本実施例によれば、極〈短時間で確実にウ
ェハの乾燥が行ない得るという効果がある。
〔発明の効果〕
t 被乾燥体表面に付着した水分に対してマイクロ波を
照射し、瞬時に水分を蒸発・除去することによって、短
時間で乾燥を終了できる。
2 被乾燥体表面に付着した水分に対して均一にマイク
ロ波を照射することにより、乾燥ムラを生じることなく
、均一な乾燥を行なうことができる。
五 被乾燥体をマイクロ波に透明なセル内に保持するこ
とにより、照射室内壁等からの汚染を防止できる。
4、 セル内を不活性雰囲気にすることにより、ウェハ
表面の水分への酸素等の溶解が防止でき。
ウェハ表面が変質することが防止できる。
5、 上記+、2,5.4の結果、ウェハの乾燥工程に
おける生産性が向上するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である乾燥装置の断面図であ
る。 1・−・・・・・・・・・・マイクロ波発生器2・・・
・・−・・・・照射室 3・・・・・−・・・・・セル

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、照射室内の被乾燥体である半導体ウェハに、周波数
    1000MHz〜3000MHzのマイクロ波を照射す
    ることを特徴とする乾燥方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011501086A (ja) * 2007-10-15 2011-01-06 エンウェイブ コーポレイション 有機材料のマイクロ波による真空乾燥装置及び方法
CN108709373A (zh) * 2018-05-31 2018-10-26 湖州旭源电气科技有限公司 一种实验室用的烘箱

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011501086A (ja) * 2007-10-15 2011-01-06 エンウェイブ コーポレイション 有機材料のマイクロ波による真空乾燥装置及び方法
JP2015061998A (ja) * 2007-10-15 2015-04-02 エンウェイブ コーポレイションEnwave Corporation 有機材料のマイクロ波による真空乾燥装置
US10178873B2 (en) 2007-10-15 2019-01-15 Enwave Corporation Apparatus and method for microwave vacuum-drying of organic materials
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