JPS6376889A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
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- JPS6376889A JPS6376889A JP21931886A JP21931886A JPS6376889A JP S6376889 A JPS6376889 A JP S6376889A JP 21931886 A JP21931886 A JP 21931886A JP 21931886 A JP21931886 A JP 21931886A JP S6376889 A JPS6376889 A JP S6376889A
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- substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造工程においてエツチング処理を行う
のに用いるドライエツチング装置にかかわり、特に、均
一なエツチングパターンを形成するのに好適なドライエ
ツチング装置に関する。
のに用いるドライエツチング装置にかかわり、特に、均
一なエツチングパターンを形成するのに好適なドライエ
ツチング装置に関する。
現在、半導体のデバイスパターンを形成するエツチング
工程では、反応性イオンエツチングを利用したドライエ
ツチング装置が広く用いられている。この装置は、所足
の圧力に制御された処理室にエツチングガスな導入し、
対向する平行平板電極の間に高周波電力を印加して放電
プラズマを発生させる構成である。そして、プラズマで
生成された中性ラジカルによる化学反応と、イオンの半
導体ウニ八基板（以下、基板と略記）への衝撃による物
理的スパッタ作用とを利用してエツチングを行っている
。イオンはプラズマと基板との間に形成されるシース領
域で加速されて基板に垂直に入射し、サイドエツチング
の少ないエツチング形状が得られ、微細加工に優れてい
る。
工程では、反応性イオンエツチングを利用したドライエ
ツチング装置が広く用いられている。この装置は、所足
の圧力に制御された処理室にエツチングガスな導入し、
対向する平行平板電極の間に高周波電力を印加して放電
プラズマを発生させる構成である。そして、プラズマで
生成された中性ラジカルによる化学反応と、イオンの半
導体ウニ八基板（以下、基板と略記）への衝撃による物
理的スパッタ作用とを利用してエツチングを行っている
。イオンはプラズマと基板との間に形成されるシース領
域で加速されて基板に垂直に入射し、サイドエツチング
の少ないエツチング形状が得られ、微細加工に優れてい
る。
こうしたエツチング技術では、基板全面にわたって均一
なパターンを得ることが重要であるが、現在のドライエ
ツチング装置でのエツチング速度の均一性は、５ｉｎ２
．５ｉｓＯ４の基板で１０％程度である。しかし、最近
のデバイスパターンの微細化に伴って被エツチング材の
下地膜は薄くなる傾向にあり、エツチング速度の不均一
さが下地を不均一にプラズマにさらすなど素子特性その
ものに影響を与えるため、エツチング特性として均一性
１０％では不十分となってきた。また、今後さらに基板
の大口径化が進むと予想されるので、この点からも均一
性の向上がＭ９な課題である。
なパターンを得ることが重要であるが、現在のドライエ
ツチング装置でのエツチング速度の均一性は、５ｉｎ２
．５ｉｓＯ４の基板で１０％程度である。しかし、最近
のデバイスパターンの微細化に伴って被エツチング材の
下地膜は薄くなる傾向にあり、エツチング速度の不均一
さが下地を不均一にプラズマにさらすなど素子特性その
ものに影響を与えるため、エツチング特性として均一性
１０％では不十分となってきた。また、今後さらに基板
の大口径化が進むと予想されるので、この点からも均一
性の向上がＭ９な課題である。
従来、均一性向上に対し、電極面上でプラズマを均一に
する目的で、平行平板電極の電極構造に特徴をもたせた
発明として、特開昭５７−１９５７７号公報、特開昭５
７−２３２２７号公報、および特開昭５７−１９２２６
８号公報に記載のドライエツチング装置がある。これら
装置は、平行平板電極のうち基板を載置する電極に対向
する電極を複数個に分割し、高周波電源をこれら分割電
極に接続するとともに、分割電極ごとに基板電極との１
！極間隔を可変とする構造としている。この構造によっ
て、各分割電極への高周波電力供給量を変えたり、電極
間隔を変えたりすることによって、放電プラズマの電界
強度を局所的に制御し、処理室全体に均一なプラズマを
得ようというものである。
する目的で、平行平板電極の電極構造に特徴をもたせた
発明として、特開昭５７−１９５７７号公報、特開昭５
７−２３２２７号公報、および特開昭５７−１９２２６
８号公報に記載のドライエツチング装置がある。これら
装置は、平行平板電極のうち基板を載置する電極に対向
する電極を複数個に分割し、高周波電源をこれら分割電
極に接続するとともに、分割電極ごとに基板電極との１
！極間隔を可変とする構造としている。この構造によっ
て、各分割電極への高周波電力供給量を変えたり、電極
間隔を変えたりすることによって、放電プラズマの電界
強度を局所的に制御し、処理室全体に均一なプラズマを
得ようというものである。
この電極間隔を局所的に変える構成によって、プラズマ
は均一になり、エツチング速度の均一性は向上するが、
圧力・高周波電力が変わると急激に均一性が悪化すると
いう問題があった。すなわち、均一性が良好な放電条件
の範囲が狭く、安定性が不十分であった。
は均一になり、エツチング速度の均一性は向上するが、
圧力・高周波電力が変わると急激に均一性が悪化すると
いう問題があった。すなわち、均一性が良好な放電条件
の範囲が狭く、安定性が不十分であった。
エツチング速度の均一性に関し、現在の装置における、
圧力、高周波電力、電極間隔を制御して得られる均一性
１０％程度では不十分であり、また、前述の特許公報に
示された公知の技術の構成では、良好な均一性は得られ
るものの、圧力、高周波電力が変わると均一性が急激に
悪化するなど、安定性の点が不十分であった。
圧力、高周波電力、電極間隔を制御して得られる均一性
１０％程度では不十分であり、また、前述の特許公報に
示された公知の技術の構成では、良好な均一性は得られ
るものの、圧力、高周波電力が変わると均一性が急激に
悪化するなど、安定性の点が不十分であった。
本発明の目的は、イオンエネルギーを部分的に制御して
、現在の装置で１０％程度得られている均一性を３〜５
％に向上し、しかも、圧力、高周波電力の変化に対する
均一性の特性な現在の装置のレベルに維持したドライエ
ツチング装置を提供することにある。
、現在の装置で１０％程度得られている均一性を３〜５
％に向上し、しかも、圧力、高周波電力の変化に対する
均一性の特性な現在の装置のレベルに維持したドライエ
ツチング装置を提供することにある。
上記目的は、プラズマを発生する高周波電源とは別に、
基板側の電極に接続された交流電源な設け、基板側の電
極を分割して、そのそれぞれに対し電位を与えて基板に
入射するイオンのエネルギーを制御することによって、
達成される。
基板側の電極に接続された交流電源な設け、基板側の電
極を分割して、そのそれぞれに対し電位を与えて基板に
入射するイオンのエネルギーを制御することによって、
達成される。
エツチング速度には、イオン区とイオンエネルギーが関
係している。基板側の電極に接続した交流電源によって
分割電極各部に電位を与えると、その部分のイオンエネ
ルギーが増加する。エツチング速度の遅い部分に電位を
与えると、その部分だけイオンエネルギーが高くなって
エツチング速度が上昇するが、他の部分は変化しない。
係している。基板側の電極に接続した交流電源によって
分割電極各部に電位を与えると、その部分のイオンエネ
ルギーが増加する。エツチング速度の遅い部分に電位を
与えると、その部分だけイオンエネルギーが高くなって
エツチング速度が上昇するが、他の部分は変化しない。
従って、この方法で、基板全体にわたってエツチング速
度を均一にすることができる。
度を均一にすることができる。
なお、この基板電極に接続される交流電源は、電極に電
位を与えるだけで、プラズマに対して数％しか電力を供
給しておらず、プラズマの放電状態は変化しない。従っ
て、平行平板ドライエツチング装置と電極構造は現在の
ものと同じでよく、圧力、高周波電力に対して同じ安定
した特性が得られる。
位を与えるだけで、プラズマに対して数％しか電力を供
給しておらず、プラズマの放電状態は変化しない。従っ
て、平行平板ドライエツチング装置と電極構造は現在の
ものと同じでよく、圧力、高周波電力に対して同じ安定
した特性が得られる。
以上のことから、本発明によれば、均一性の向上と安定
性とを併せて得ることができる。
性とを併せて得ることができる。
以下、本発明の実施例を第１図ないし第５図により説明
する。第１図は本発明の一実施例の装置の概略構成図、
第２図は基板への入射イオンエネルギーを制御したとき
のエツチング速度分布を示した図、第６図は他の実施例
の装置の概略構成図である。
する。第１図は本発明の一実施例の装置の概略構成図、
第２図は基板への入射イオンエネルギーを制御したとき
のエツチング速度分布を示した図、第６図は他の実施例
の装置の概略構成図である。
以下は、第１図、第５図に示す装置で、枚葉式のように
基板を１枚ずつ処理する方式を例にとって説明する。
基板を１枚ずつ処理する方式を例にとって説明する。
第１図において、１は処理室、２．５は互いに対向する
電極で、下側の電極５は、その上に基板５を載置し、か
つ絶縁材４を介して同心円リング状に３つの分割電極３
ａ、３ｂ、３ｃに分割されている。６は処理室１にプラ
ズマを発生させる周波数ｆａ（例えばＩＡ５６ＭＨｚ）
の高周波電源である。７ａ、７ｂ、７ｃは基板を載置す
る電極３の各分割電極３ａ、３ｂ、３ｃにそれぞれ接続
され、高周波電源６からの高周波電力をアースへ流すた
めのバイパス用のコンデンサである。８はプラズマ中の
イオンを基板５へ引き込む電位を与えるための周波数ｆ
Ｌ（例えば、１ｏｏｘｕｚ）の交流電源、９は交流電源
８の出力インピーダンス（例えば５０Ω）と等しい抵抗
値の抵抗器で、電極５の各分割電極５ａ、５ｂ％３ｃに
それぞれ所望の電位を与えるように可変端がそれぞれ分
割電極３ａ。
電極で、下側の電極５は、その上に基板５を載置し、か
つ絶縁材４を介して同心円リング状に３つの分割電極３
ａ、３ｂ、３ｃに分割されている。６は処理室１にプラ
ズマを発生させる周波数ｆａ（例えばＩＡ５６ＭＨｚ）
の高周波電源である。７ａ、７ｂ、７ｃは基板を載置す
る電極３の各分割電極３ａ、３ｂ、３ｃにそれぞれ接続
され、高周波電源６からの高周波電力をアースへ流すた
めのバイパス用のコンデンサである。８はプラズマ中の
イオンを基板５へ引き込む電位を与えるための周波数ｆ
Ｌ（例えば、１ｏｏｘｕｚ）の交流電源、９は交流電源
８の出力インピーダンス（例えば５０Ω）と等しい抵抗
値の抵抗器で、電極５の各分割電極５ａ、５ｂ％３ｃに
それぞれ所望の電位を与えるように可変端がそれぞれ分
割電極３ａ。
３ｂ、３ｃに接続された可変抵抗器９ａ、 ９ｂ、 ９
ｃ（各総抵抗値は例えば１５０Ω）で構成されている。
ｃ（各総抵抗値は例えば１５０Ω）で構成されている。
また、１０はプラズマである。上記コンデンサ７ａ、７
ｂ、７ｃは、例えば容量値が１０００ｐＦのものであり
、そのインピーダンスは、上記高い周波数ｆＢ１五５６
ＭＨｚに対しては１２Ωで、可変抵抗器９ａｓ ９ｂｓ
９ Ｃの抵抗値に対して１／１０と小さく、上記低い
周波数ｆＩ、１００ＫＨｚに対しては１６００Ωで、可
変抵抗器９ａ、 ９ｂ、 ９ｏの抵抗値に対して１０倍
以上の値となる。
ｂ、７ｃは、例えば容量値が１０００ｐＦのものであり
、そのインピーダンスは、上記高い周波数ｆＢ１五５６
ＭＨｚに対しては１２Ωで、可変抵抗器９ａｓ ９ｂｓ
９ Ｃの抵抗値に対して１／１０と小さく、上記低い
周波数ｆＩ、１００ＫＨｚに対しては１６００Ωで、可
変抵抗器９ａ、 ９ｂ、 ９ｏの抵抗値に対して１０倍
以上の値となる。
次に、第１図、第２図によって本実施例の動作を詳細に
説明する。第１図において、処理室１内は図示しない真
空排気系により排気され、図示しないガス供給系から反
応ガス（例えばフロンガスＣＦ４）が導入され、図示し
ない圧力制御装置により所定の圧力（例えばＩＰａから
数十Ｐａ）に保たれる。ここで、高周波電源６から電極
２に高周波電力を投入すると、電極５の分割電極３８〜
３ｃに接続されたコンデンサ７ａ〜７Ｃは前述のように
高周波電源６の周波数ｆＨに対しては低インピーダンス
であるため、電流はコンデンサ７８〜７Ｃを流れる。こ
のコンデンサ７ａ〜７Ｃの合成インピーダンスは、前述
の容量値１０００ｐＦで僅か五９Ωとなり、公知のアノ
ードカップリング方式（基板載置の電極６を直接アース
へ接続した構成）のドライエツチング装置と同様に、電
極２と３との間にプラズマ１０が安定して発生し、基板
５上の被エツチング材５１０２をエツチングする。次に
、交流電源８から電極３に電力が投入されると、電極３
の分割電極３８〜３Ｃに接続されたコンデンサ７８〜７
Ｃは交流電源８の周波数ｆＬに対しては高インピーダン
スであるため、交流電源８からの電流の大部分は可変抵
抗器９ａ〜９０を流れ、その両端に電位が発生する。こ
こで、可変抵抗器９８〜９ｃの各純抵抗値を前述のよう
に１５００とすると、その合成インピーダンスは５０Ω
となり、交流電源８と抵抗器９との間の整合回路は不要
である。そして、可変抵抗器９ａ〜９０の可変端を調整
することにより電位を分圧し、絶縁材４によって電気的
に分離された分割電極３８〜３Ｃに、それぞれ放電プラ
ズマとは独立して電位を与えるようにしている。
説明する。第１図において、処理室１内は図示しない真
空排気系により排気され、図示しないガス供給系から反
応ガス（例えばフロンガスＣＦ４）が導入され、図示し
ない圧力制御装置により所定の圧力（例えばＩＰａから
数十Ｐａ）に保たれる。ここで、高周波電源６から電極
２に高周波電力を投入すると、電極５の分割電極３８〜
３ｃに接続されたコンデンサ７ａ〜７Ｃは前述のように
高周波電源６の周波数ｆＨに対しては低インピーダンス
であるため、電流はコンデンサ７８〜７Ｃを流れる。こ
のコンデンサ７ａ〜７Ｃの合成インピーダンスは、前述
の容量値１０００ｐＦで僅か五９Ωとなり、公知のアノ
ードカップリング方式（基板載置の電極６を直接アース
へ接続した構成）のドライエツチング装置と同様に、電
極２と３との間にプラズマ１０が安定して発生し、基板
５上の被エツチング材５１０２をエツチングする。次に
、交流電源８から電極３に電力が投入されると、電極３
の分割電極３８〜３Ｃに接続されたコンデンサ７８〜７
Ｃは交流電源８の周波数ｆＬに対しては高インピーダン
スであるため、交流電源８からの電流の大部分は可変抵
抗器９ａ〜９０を流れ、その両端に電位が発生する。こ
こで、可変抵抗器９８〜９ｃの各純抵抗値を前述のよう
に１５００とすると、その合成インピーダンスは５０Ω
となり、交流電源８と抵抗器９との間の整合回路は不要
である。そして、可変抵抗器９ａ〜９０の可変端を調整
することにより電位を分圧し、絶縁材４によって電気的
に分離された分割電極３８〜３Ｃに、それぞれ放電プラ
ズマとは独立して電位を与えるようにしている。
次に、エツチング中の基板入射イオンのエネルギーとエ
ツチング速度の基板内分布を第２図を用いて説明する。
ツチング速度の基板内分布を第２図を用いて説明する。
図において、横軸は基板中心（電極５の中心と一致）か
らの距離を示し、縦軸はエツチング速度を示す。図中、
破線で示した分布は反応ガスにフロンガスＣＦ４を用い
、圧力３０Ｐａ。
らの距離を示し、縦軸はエツチング速度を示す。図中、
破線で示した分布は反応ガスにフロンガスＣＦ４を用い
、圧力３０Ｐａ。
高周波電力２００Ｗにおいて、従来法で８１０２をエツ
チングしたときのエツチング速度分布を示す。均一性は
１０％である。これに対し、交流電源８から電気を供給
し、電極径１７０１ＩＩｌｌの電極３を、中心から半径
４０ｍ、６０ｍの位置で分割した分割電極３８〜３ｃに
、周波数ｆ、が１００ＫＨｚで波高値ｖ０の電位を与え
たときのエツチング速度分布を、図に実線で示す。分割
電極３ａに波高値Ｖ０＝６６０Ｖ、同様に３ ｂｃ６３
０ Ｖ。
チングしたときのエツチング速度分布を示す。均一性は
１０％である。これに対し、交流電源８から電気を供給
し、電極径１７０１ＩＩｌｌの電極３を、中心から半径
４０ｍ、６０ｍの位置で分割した分割電極３８〜３ｃに
、周波数ｆ、が１００ＫＨｚで波高値ｖ０の電位を与え
たときのエツチング速度分布を、図に実線で示す。分割
電極３ａに波高値Ｖ０＝６６０Ｖ、同様に３ ｂｃ６３
０ Ｖ。
３ｏに６００ｖの電位を可変抵抗器９８〜９０を調整し
て設示印加すると、３ ａ ％ ５ｂ ｓ ３ｃの順に
イオンエネルギーが高められ、図のようにエツチング速
度の均一性が５％に向上する。
て設示印加すると、３ ａ ％ ５ｂ ｓ ３ｃの順に
イオンエネルギーが高められ、図のようにエツチング速
度の均一性が５％に向上する。
この構成では、上記説明のように電位だけを設定してい
るので、プラズマに対しては数％しか電力を供給してお
らず、プラズマの放電状態は変化しない。従って、圧力
、高周波電力に対し、現在の装置と同じ安定した特性を
得ることができる。
るので、プラズマに対しては数％しか電力を供給してお
らず、プラズマの放電状態は変化しない。従って、圧力
、高周波電力に対し、現在の装置と同じ安定した特性を
得ることができる。
以上の実施例では、プラズマを発生させる高周波電源の
周波数ｆ、を１ｉ５６ＭＨｚ、基板載置電極側に設ける
交流電源の周波数ｆＬを１００ＫＨｚ、 コンデンサ
容量を１ｏ００ＰＦ、交流電源の出力インピーダンスを
５００として説明したが、各電源の周波数はこれに限定
されるものではなく、高周波電源と交流電源とが互いに
影響しない周波数、コンデンサ容量、出力インピーダン
スの組み合わせであれば、他にも構成可能であることは
もちろんである。また、交流電源の波形は、正弦波に限
定することはなく、例えば特開昭６０−１２６８５２号
公報に開示されている電位波形（基板に入射するイオン
エネルギーを一足化する波形）のような特殊形状の波形
でもよい。さらに、基板載置側電極の電極径を１７０
ａｍ、分割位置を中心から半径４０■、６０１１Ｉ１１
の位置、分割数を３として説明したが、これらパラメー
タは上記値に限定されるものではない。また、電極の分
割形状は同心円リング状である必要はなく、対向電極や
基板（被エツチング試料）の形状に対応させて四角形の
ような形状とすることもできる。
周波数ｆ、を１ｉ５６ＭＨｚ、基板載置電極側に設ける
交流電源の周波数ｆＬを１００ＫＨｚ、 コンデンサ
容量を１ｏ００ＰＦ、交流電源の出力インピーダンスを
５００として説明したが、各電源の周波数はこれに限定
されるものではなく、高周波電源と交流電源とが互いに
影響しない周波数、コンデンサ容量、出力インピーダン
スの組み合わせであれば、他にも構成可能であることは
もちろんである。また、交流電源の波形は、正弦波に限
定することはなく、例えば特開昭６０−１２６８５２号
公報に開示されている電位波形（基板に入射するイオン
エネルギーを一足化する波形）のような特殊形状の波形
でもよい。さらに、基板載置側電極の電極径を１７０
ａｍ、分割位置を中心から半径４０■、６０１１Ｉ１１
の位置、分割数を３として説明したが、これらパラメー
タは上記値に限定されるものではない。また、電極の分
割形状は同心円リング状である必要はなく、対向電極や
基板（被エツチング試料）の形状に対応させて四角形の
ような形状とすることもできる。
本発明は、単に対向電極型のドライエツチング装置に有
効なだけでなく、β波Ｅ ＣＲ，（電子サイクロトロン
共鳴、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃ７ｃｌｏｔｒｏｒ Ｒｅ５
ｏｎａｎｃｓ）方式のドライエツチング装置にも適用で
きることは明らかである。これについて、次に説明する
。
効なだけでなく、β波Ｅ ＣＲ，（電子サイクロトロン
共鳴、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃ７ｃｌｏｔｒｏｒ Ｒｅ５
ｏｎａｎｃｓ）方式のドライエツチング装置にも適用で
きることは明らかである。これについて、次に説明する
。
第５図に、本発明をμ波ＥＣＲ方式ドライエツチング装
置に適用した場合を示す。第５図において第１図と閤−
符号を付したものは、同一または均等部分を示す。第３
図において、２０は導波管、２１はマグネトロン、２２
はコイルである。導波管２０の一端にはマグネトロン２
１が取り付けてあり、導波管２０の他端は処理室１を橿
い、その周囲にコイル２２がある。処理室１の下部には
基板５を載置した電極３がある。電極３は絶縁材４を介
してリング状に複数個に分割され（図では分割電極３８
〜３ｃｌ：３分割）、各分割電極は基板に入射するイオ
ンエネルギーを制御する交流電源８に可変抵抗器９ａ〜
９Ｃを介して接続されるとともに、可変抵抗器９８〜９
ｃを介して接地されている。本装置のプラズマは、マグ
ネトロン２１で発生したμ波（例えば２．４５ＧＨ２）
がコイル２２の磁界により電子サイクロトロン共鳴して
発生する。この場合、無電極でプラズマが発生するため
、前の実施例のようなコンデンサを基板載置電極に接続
する必要はなく、可変抵抗器９８〜９Ｃを調整すること
により、分割電極５８〜３Ｃに所望の電位を印加して、
基板に入射するイオンエネルギーを制御することができ
る。
置に適用した場合を示す。第５図において第１図と閤−
符号を付したものは、同一または均等部分を示す。第３
図において、２０は導波管、２１はマグネトロン、２２
はコイルである。導波管２０の一端にはマグネトロン２
１が取り付けてあり、導波管２０の他端は処理室１を橿
い、その周囲にコイル２２がある。処理室１の下部には
基板５を載置した電極３がある。電極３は絶縁材４を介
してリング状に複数個に分割され（図では分割電極３８
〜３ｃｌ：３分割）、各分割電極は基板に入射するイオ
ンエネルギーを制御する交流電源８に可変抵抗器９ａ〜
９Ｃを介して接続されるとともに、可変抵抗器９８〜９
ｃを介して接地されている。本装置のプラズマは、マグ
ネトロン２１で発生したμ波（例えば２．４５ＧＨ２）
がコイル２２の磁界により電子サイクロトロン共鳴して
発生する。この場合、無電極でプラズマが発生するため
、前の実施例のようなコンデンサを基板載置電極に接続
する必要はなく、可変抵抗器９８〜９Ｃを調整すること
により、分割電極５８〜３Ｃに所望の電位を印加して、
基板に入射するイオンエネルギーを制御することができ
る。
以上述べたように、本発明はプラズマ発生方式によって
限定されるものではない。
限定されるものではない。
以上説明したように、本発明によれば、ドライエツチン
グ装置において、基板に入射するイオンエネルギーを制
御する交流電源を、プラズマを発生する高周波電源と別
個に設置して、竜慣の分割された各部で独立して印加す
るように構成しているので、現在のドライエツチング装
置でエツチング速度の遅い部分を、イオンエネルギーの
増加によって補正することができ、均一性を３〜５％に
向上することができる。なお、基板への電位印加は、前
述のとおりプラズマを発生する高周波電源とは別個に行
われ、プラズマ放電自体を変化させていない。従って、
従来装置の圧力、高周波電力に対して同じ安定した特注
のエツチングを行うことができる。
グ装置において、基板に入射するイオンエネルギーを制
御する交流電源を、プラズマを発生する高周波電源と別
個に設置して、竜慣の分割された各部で独立して印加す
るように構成しているので、現在のドライエツチング装
置でエツチング速度の遅い部分を、イオンエネルギーの
増加によって補正することができ、均一性を３〜５％に
向上することができる。なお、基板への電位印加は、前
述のとおりプラズマを発生する高周波電源とは別個に行
われ、プラズマ放電自体を変化させていない。従って、
従来装置の圧力、高周波電力に対して同じ安定した特注
のエツチングを行うことができる。
第１図は本発明の一実施例のドライエツチング装置の概
略構成図、第２図は基板への入射イオンエネルギーを制
御したときのエツチング速度分布を示す図、第３図は本
発明の他の実施例の装置の概略構成図である。 １・・・処理室、 ２，５・・・電極、 ３ａ〜３
ｃ・・・分割電極、 ４・・・絶縁材、 ５・・・
基板、 ６・・・高周波電源、 ７８〜７ｃ・・・
コンデンサ、 ８・・・交流電源、 ヱ・・・抵抗器
、 ９ａ〜９ｃ・・・可変抵抗器、 １０・・・プ
ラズマ、 ２０・・・導波管、２１・・・マグネトロ
ン、 ２２・・・コイル。 第１図 ＋ ｐｓｔ室 ７ａ、７ｂ、７ｃ
コ＞打す乙 ｖｔオ互ｌ
ｇ り一浪電シＡや、３α、 ３ｂ
、 ３ｃ／ 分側電オ石 ９ 穂オ式−ネメ←
ヰ 杷ａ＋ｉ ｑ
ｃｘ、 ｑｂ、 ｑｃ ｑ毅ｈａ才へ４疑１５
塵木” ｔｏ フ０ラス°
７６高ｍ仮電源 児 １図 ７０ ５０ ３０ ０ Ｂ［） ５０ ７
０基級中尺部からの了巨島魚 （［違＝？＋ｖ部〕 〔１桁〕 第 ３０ ３ｔル ９α、 ｑｂ、 ’ｑｃ笥釘６４鳴
３Ａ、３ｂ、３Ｃ分劉ｔｐｐ ｚｏにＵ管４ イ酸
長、末オ Ｚｌ マゲ′ネｈｏ＞
５ 基力辷 ２Ｚコイル８ 吏流電源
略構成図、第２図は基板への入射イオンエネルギーを制
御したときのエツチング速度分布を示す図、第３図は本
発明の他の実施例の装置の概略構成図である。 １・・・処理室、 ２，５・・・電極、 ３ａ〜３
ｃ・・・分割電極、 ４・・・絶縁材、 ５・・・
基板、 ６・・・高周波電源、 ７８〜７ｃ・・・
コンデンサ、 ８・・・交流電源、 ヱ・・・抵抗器
、 ９ａ〜９ｃ・・・可変抵抗器、 １０・・・プ
ラズマ、 ２０・・・導波管、２１・・・マグネトロ
ン、 ２２・・・コイル。 第１図 ＋ ｐｓｔ室 ７ａ、７ｂ、７ｃ
コ＞打す乙 ｖｔオ互ｌ
ｇ り一浪電シＡや、３α、 ３ｂ
、 ３ｃ／ 分側電オ石 ９ 穂オ式−ネメ←
ヰ 杷ａ＋ｉ ｑ
ｃｘ、 ｑｂ、 ｑｃ ｑ毅ｈａ才へ４疑１５
塵木” ｔｏ フ０ラス°
７６高ｍ仮電源 児 １図 ７０ ５０ ３０ ０ Ｂ［） ５０ ７
０基級中尺部からの了巨島魚 （［違＝？＋ｖ部〕 〔１桁〕 第 ３０ ３ｔル ９α、 ｑｂ、 ’ｑｃ笥釘６４鳴
３Ａ、３ｂ、３Ｃ分劉ｔｐｐ ｚｏにＵ管４ イ酸
長、末オ Ｚｌ マゲ′ネｈｏ＞
５ 基力辷 ２Ｚコイル８ 吏流電源
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空処理室内にプラズマを発生させる手段と、プラ
ズマにさらされ処理される基板を載置する電極と、該基
板を載置する電極に接続され、電極電位を印加する手段
を備える電源とから構成されるドライエッチング装置で
あって、前記基板を載置する電極を複数個に分割構成し
、各分割電極ごとに交流電源による電極電位を印加調整
しうる調整手段を設けたことを特徴とするドライエッチ
ング装置。 ２、特許請求の範囲第１項に記載のドライエッチング装
置において、基板を載置する電極への電位の調整手段を
、可変抵抗器を用いた分圧電位印加調整手段で構成する
ことを特徴とするドライエッチング装置。 ３、特許請求の範囲第１項に記載のドライエッチング装
置において、真空処理室内にプラズマを発生させる手段
が、基板を載置する電極に対向する平板電極を設け、該
平板電極に高周波電源を接続してなることを特徴とする
ドライエッチング装置。 ４、特許請求の範囲第１項に記載のドライエッチング装
置において、真空処理室内にプラズマを発生させる手段
が、マイクロ波を用いたプラズマ発生装置であることを
特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21931886A JPS6376889A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21931886A JPS6376889A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376889A true JPS6376889A (ja) | 1988-04-07 |
Family
ID=16733601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21931886A Pending JPS6376889A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6376889A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007046160A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法および装置におけるセグメント化されてバイアスされる周縁電極 |
| JP2009032432A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Shibaura Mechatronics Corp | セルフバイアス制御装置およびプラズマ処理装置 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP21931886A patent/JPS6376889A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007046160A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法および装置におけるセグメント化されてバイアスされる周縁電極 |
| JP2009032432A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Shibaura Mechatronics Corp | セルフバイアス制御装置およびプラズマ処理装置 |
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