JPS6378103A - 二酸化テルル用反射防止膜 - Google Patents
二酸化テルル用反射防止膜Info
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- JPS6378103A JPS6378103A JP61224483A JP22448386A JPS6378103A JP S6378103 A JPS6378103 A JP S6378103A JP 61224483 A JP61224483 A JP 61224483A JP 22448386 A JP22448386 A JP 22448386A JP S6378103 A JPS6378103 A JP S6378103A
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- teo2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、音響光学効果を利用した音響光学素子（光変
調素子、光偏向素子、音響光学フィルタなど）の素材で
ある二酸化テルル用反射防止膜に関するものである。
調素子、光偏向素子、音響光学フィルタなど）の素材で
ある二酸化テルル用反射防止膜に関するものである。
従来の技術
最近、音響光学効果を利用した音響光学素子に二酸化テ
ルル結晶（以下ＴｅＯ２と記す。）が用いられている。
ルル結晶（以下ＴｅＯ２と記す。）が用いられている。
近年、可視域のレーザ光源は、短波長化と大出力化傾向
にあり、ＴｅＯ２は、紫外部の吸収端が３３０ ｎｍと
短かく、レーザ光に対する耐久性も１００ Ｗ／ｍｍ２
と大きい特徴を有している。そのためＡｒイオンレーザ
（λ＝４８８ｎｒｎ）やＨｅ −Ｃｄレーザ（λ＝４４
２ｎｍ）光等の光変調器や光偏向器用音響光学素子とし
て利用されてきている。
にあり、ＴｅＯ２は、紫外部の吸収端が３３０ ｎｍと
短かく、レーザ光に対する耐久性も１００ Ｗ／ｍｍ２
と大きい特徴を有している。そのためＡｒイオンレーザ
（λ＝４８８ｎｒｎ）やＨｅ −Ｃｄレーザ（λ＝４４
２ｎｍ）光等の光変調器や光偏向器用音響光学素子とし
て利用されてきている。
さらに白色光源から、任意の単色光を得る音響光学フィ
ルターとしても利用されてきている。
ルターとしても利用されてきている。
しかし、ＴｅＯ２は、光学的異方性を有しており結晶方
位（００１）軸に対して入射する光の偏波面が垂直か水
平かによって常光線と異常光線とになる。さらに、この
時ＴｅＯ２は常光線に対しては常光線屈折率（以下ｎ□
と記す。）、異常光線に対しては異常光線屈折率（以下
ｎ６と記す。）のそれぞれ違った屈折率を有している。
位（００１）軸に対して入射する光の偏波面が垂直か水
平かによって常光線と異常光線とになる。さらに、この
時ＴｅＯ２は常光線に対しては常光線屈折率（以下ｎ□
と記す。）、異常光線に対しては異常光線屈折率（以下
ｎ６と記す。）のそれぞれ違った屈折率を有している。
つまり、ＴｅＯ２の屈折率は、入射する光の偏波面によ
ってｎ□からｎｅまで夏化し、入射する光が常光か異常
か、さらにはランダム光か（二よって分光光学特性が大
きく変化することになる。
ってｎ□からｎｅまで夏化し、入射する光が常光か異常
か、さらにはランダム光か（二よって分光光学特性が大
きく変化することになる。
ＴｅＯ２が、光変調器、偏向器、音響光学フィルターに
盛んに使用されるに至り、その透過率向上と常光や異常
光等入射する光の偏波面によって分光光学特性が変化し
ないことを目的とした反射防止膜の要望が高まってきた
。
盛んに使用されるに至り、その透過率向上と常光や異常
光等入射する光の偏波面によって分光光学特性が変化し
ないことを目的とした反射防止膜の要望が高まってきた
。
従来、ＴｅＯ２用反射防止膜には、赤外域から紫外域ま
での広範囲に亘り光学的に透明であり反射防止膜として
製作が容易な弗化マグネシウム（以下ＭｇＦ２と記す）
が用いられている。
での広範囲に亘り光学的に透明であり反射防止膜として
製作が容易な弗化マグネシウム（以下ＭｇＦ２と記す）
が用いられている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、ＴｅＯ２は入射する光の偏波面によって
屈折率が、ｎ□ （例えば６３２．８ ｎｍで２．２６
）からｎ６ （例えば６３２．８ｎｍで２．４１）まで
変化する性質を有しているため、屈折率１．３８のＭｇ
Ｆ２膜では、入射する光の偏波面によって光学特性が大
きく変化する等の問題は改善されなかった。例えは、Ｍ
ｇ Ｆ２膜の反射防止膜に、可視光レーザの代表的なＨ
ｅ−Ｎｅレーザ（波長６３２．８ｎｍ）光が入射した場
合、片面での反射損失は、常光線入射では０．７％あり
、異常光線入射時では１．３％にも成り、反射損失に大
きな変化を生じていた。さら（−１近年レーザ光の短波
長化が進み、使用される光源にＡｒ レーデ（波長４８
８ｎｍ）やＨｅ−ＣｄＶ−ザ光（波長４４２ｎｍ）等も
盛んに使われるように成ってきている。それに伴ないＴ
ｅＯ２のｎｏ（例えば４４２ ｎｍで２．３８）やｎｅ
（例えば４４２ ｎｍで２．５５）自身も大きくなり、
第６図に示すように、ＭｇＦ２で２．５５）自身も大き
くなり、第６図に示すように、Ｍｇ Ｆ２膜の反射防止
膜を形成したＴｅＯ２基板に、波長４４２ ｎｍのＨｅ
−Ｃｄレーザ光が入射した場合、常光線入射と異常光線
入射では片面での反射損失の変化は、図中矢印で示す様
にそれぞれ１．２％と２．１％に成り約１％も光学特性
が大きく変化している。さらに反射損失自身も波長６３
２．８ ｎｍの時と比べて約２倍程増加している。
屈折率が、ｎ□ （例えば６３２．８ ｎｍで２．２６
）からｎ６ （例えば６３２．８ｎｍで２．４１）まで
変化する性質を有しているため、屈折率１．３８のＭｇ
Ｆ２膜では、入射する光の偏波面によって光学特性が大
きく変化する等の問題は改善されなかった。例えは、Ｍ
ｇ Ｆ２膜の反射防止膜に、可視光レーザの代表的なＨ
ｅ−Ｎｅレーザ（波長６３２．８ｎｍ）光が入射した場
合、片面での反射損失は、常光線入射では０．７％あり
、異常光線入射時では１．３％にも成り、反射損失に大
きな変化を生じていた。さら（−１近年レーザ光の短波
長化が進み、使用される光源にＡｒ レーデ（波長４８
８ｎｍ）やＨｅ−ＣｄＶ−ザ光（波長４４２ｎｍ）等も
盛んに使われるように成ってきている。それに伴ないＴ
ｅＯ２のｎｏ（例えば４４２ ｎｍで２．３８）やｎｅ
（例えば４４２ ｎｍで２．５５）自身も大きくなり、
第６図に示すように、ＭｇＦ２で２．５５）自身も大き
くなり、第６図に示すように、Ｍｇ Ｆ２膜の反射防止
膜を形成したＴｅＯ２基板に、波長４４２ ｎｍのＨｅ
−Ｃｄレーザ光が入射した場合、常光線入射と異常光線
入射では片面での反射損失の変化は、図中矢印で示す様
にそれぞれ１．２％と２．１％に成り約１％も光学特性
が大きく変化している。さらに反射損失自身も波長６３
２．８ ｎｍの時と比べて約２倍程増加している。
また、使用されるレーザ装置も年々大出力化の傾向（＝
あるため、ＭｇＦ２膜の吸湿性によりレーザ光照射に伴
ない吸収熱が増大することで、照射部分のＭｇＦ２膜が
劣化し透過率が大きく低下してしまうという問題点を有
していた。
あるため、ＭｇＦ２膜の吸湿性によりレーザ光照射に伴
ない吸収熱が増大することで、照射部分のＭｇＦ２膜が
劣化し透過率が大きく低下してしまうという問題点を有
していた。
本発明は、上記問題点を解決するもので、入射するレー
ザ光等の偏波面が変化しても光学特性の変化が少なく、
しかもレーザ光照射に対して耐久性の有る二酸化テルル
用反射防止膜を提供するこ本発明は、音響光学素子とし
て研磨仕上げされたＴｅ ０２基板の少なくとも一表面
上に二酸化ケイ素（以下５ｉ０２と記す。）膜、または
酸化アルミニウム（以下Ａ１２０５と記す。）膜を形成
することにより上記目的を達成するものである。
ザ光等の偏波面が変化しても光学特性の変化が少なく、
しかもレーザ光照射に対して耐久性の有る二酸化テルル
用反射防止膜を提供するこ本発明は、音響光学素子とし
て研磨仕上げされたＴｅ ０２基板の少なくとも一表面
上に二酸化ケイ素（以下５ｉ０２と記す。）膜、または
酸化アルミニウム（以下Ａ１２０５と記す。）膜を形成
することにより上記目的を達成するものである。
作 用
本発明は、上記構成により音響光学素子であるＴｅ ０
２基板に入射するレーザ光の偏光状態が常光線入射また
は異常光線入射（二なっても光学特性の変化が少なく、
さらに反射損失も少なく、効率良くレーザ光を取り出す
ことが出来て、しかもレーザ光の連続照射にも耐えるよ
うにしたものである。
２基板に入射するレーザ光の偏光状態が常光線入射また
は異常光線入射（二なっても光学特性の変化が少なく、
さらに反射損失も少なく、効率良くレーザ光を取り出す
ことが出来て、しかもレーザ光の連続照射にも耐えるよ
うにしたものである。
実施例
以下に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は、ＴｅＯ２基板上の本発明による、−表面上（
二形成した反射防止膜の構造図である。図中３は、両面
が光学研磨された波長４４２ ｎｍでｎｏが２，３８、
ｎｅが２．５５なるＴｅＯ２基板である。１は反射防止
膜で屈折率ｎ１が１．４５なる５ｉ０２膜、または屈折
率ｎ１が１，６３なるＡｌ２Ｏ３膜であり、それぞれ光
学的厚みｎ１ｄｌは１１０．５ｎｍの膜厚に電子銃やス
パッタ蒸着等で形成する。
二形成した反射防止膜の構造図である。図中３は、両面
が光学研磨された波長４４２ ｎｍでｎｏが２，３８、
ｎｅが２．５５なるＴｅＯ２基板である。１は反射防止
膜で屈折率ｎ１が１．４５なる５ｉ０２膜、または屈折
率ｎ１が１，６３なるＡｌ２Ｏ３膜であり、それぞれ光
学的厚みｎ１ｄｌは１１０．５ｎｍの膜厚に電子銃やス
パッタ蒸着等で形成する。
第２図は、’［’ｅ ０２基板上の両面に本発明による
反射防止膜を形成した時の構造図である。図中３は、第
１図と同じＴｅＯ２基板である。１および２は反射防止
膜で５ｉ０２膜またはＡｌ２Ｏ３膜である。
反射防止膜を形成した時の構造図である。図中３は、第
１図と同じＴｅＯ２基板である。１および２は反射防止
膜で５ｉ０２膜またはＡｌ２Ｏ３膜である。
第３図、第４図は、各々ＴｅＯ２基板上に本実施例によ
るＨｅ−Ｃｄレーザ（λ＝４４２ｎｍ）用に５ｉ０２膜
とＡ７２０３膜をそれぞれＴｅＯ２基板の一表面上に形
成した場合の反射率の波長依存性を示したものである。
るＨｅ−Ｃｄレーザ（λ＝４４２ｎｍ）用に５ｉ０２膜
とＡ７２０３膜をそれぞれＴｅＯ２基板の一表面上に形
成した場合の反射率の波長依存性を示したものである。
図中矢印ｎｏの線は、ＴｅＯ２基板（二常光線が入射し
た場合であり、矢印ｎ６の線は、異常光線が入射した場
合のそれぞれの反射率の波長依存性を示したものである
。第３図の５ｉ０２膜を形成した場合では、’ｆ’ｅ
０２基板の屈折率がｎｏ（＝２．３８）からｎｅ（＝２
．５５）まで変化した場合でも反射率の変化は、矢印で
示すように約０．５％とＭ ｇ Ｆ ２膜と比べ約半分
に小さくなっている。また第４図に示したＡｌ２Ｏ３膜
を形成した場合では、反射率の変化は矢印で示すように
約０．３％と非常に少なく出来る。
た場合であり、矢印ｎ６の線は、異常光線が入射した場
合のそれぞれの反射率の波長依存性を示したものである
。第３図の５ｉ０２膜を形成した場合では、’ｆ’ｅ
０２基板の屈折率がｎｏ（＝２．３８）からｎｅ（＝２
．５５）まで変化した場合でも反射率の変化は、矢印で
示すように約０．５％とＭ ｇ Ｆ ２膜と比べ約半分
に小さくなっている。また第４図に示したＡｌ２Ｏ３膜
を形成した場合では、反射率の変化は矢印で示すように
約０．３％と非常に少なく出来る。
第５因は、ＴｅＯ２基板（８ｍｍ Ｘ １０ｍｍ Ｘ
２ｍｍｔ）上（二、本実施例による５ｉ０２膜を両面に
形成した試料と従来技術のＭｇＦ２膜を両面に形成した
試料のＨｅ−Ｃｄレーデ光による耐光力テストの結。
２ｍｍｔ）上（二、本実施例による５ｉ０２膜を両面に
形成した試料と従来技術のＭｇＦ２膜を両面に形成した
試料のＨｅ−Ｃｄレーデ光による耐光力テストの結。
果を示したものである。Ｈｅ−Ｃｄレーザの出力は、３
７ｍＷ、 レーザ光のビーム径は、レンズを用いて２
６μｍに絞り、パワー密度を７０ｗ／ｍｍ２に設定し、
試料に連続照射した時の透過率の経時変化を示している
。
７ｍＷ、 レーザ光のビーム径は、レンズを用いて２
６μｍに絞り、パワー密度を７０ｗ／ｍｍ２に設定し、
試料に連続照射した時の透過率の経時変化を示している
。
この図からあきらかの様に５ｉ０２膜は、Ｈｅ −Ｃｄ
レーザ光を連続１２時間以上照射しても透過率の経時変
化は、２．５％程度でありＭｇＦ２膜の１７％の変化に
対して約１／７に経時変化を少なくすることができる。
レーザ光を連続１２時間以上照射しても透過率の経時変
化は、２．５％程度でありＭｇＦ２膜の１７％の変化に
対して約１／７に経時変化を少なくすることができる。
発明の効果
以上のように本発明は、ＴｅＯ２基板の少なくとも一表
面上に５ｉ０２膜またはＡｌ２Ｏ３膜を形成したＴｅ
０膜用反射防止膜を提供するもので、ＴｅＯ２基板に入
射するレーザ光等の光源の偏波面が常光線、異常光線あ
るいはランダム偏光に変化しても光学特性の変化が小さ
く、さらにレーザ光に対しても高い耐光力な有する反射
防止膜ができて、その効果は大きい。
面上に５ｉ０２膜またはＡｌ２Ｏ３膜を形成したＴｅ
０膜用反射防止膜を提供するもので、ＴｅＯ２基板に入
射するレーザ光等の光源の偏波面が常光線、異常光線あ
るいはランダム偏光に変化しても光学特性の変化が小さ
く、さらにレーザ光に対しても高い耐光力な有する反射
防止膜ができて、その効果は大きい。
第１図および第２図は、各々本発明の実施例におけるＴ
ｅＯ２用反射防止膜を説明するための断面図、第３図は
ＴｅＯ２基板の一表面上に５ｉ０２膜を形成し、常光線
と異常光線を入射させた場合の反射率の波長依存性を示
す図、第４図は、Ｔｅ ０２基板の一表面上にＡｌ２Ｏ
５膜を形成し常光線、異常光線を入射させた場合の反射
率の波長依存性を示す図、第５図は、ＴｅＯ２基板上の
両面に本実施例における５ｉ０２膜と従来技術のＭｇ
Ｆ ２膜のＨｅ −Ｃｄレーザ光に対する耐光力テスト
の結果で透過率の経時変化を示す図、第６図は、ＴｅＯ
２基板の一表面上に、従来技術のＭｇＦ２膜を形成し、
常光線と異常光線を入射させた場合の反射率の波長依存
性を示した図である。 １．２・・・反射防止膜、３・・・Ｔｅ ０２基板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はか１名第
１ 図 第３図 弧−！ｋ（ｒｒｙｎ） 第 ４ 図 俵畏 （ｎｙｎ） 第５図 １ＴＩＡ （’ｒ＋ｏｕｒｓ） 第６図 チ畏（ｎ〜
ｅＯ２用反射防止膜を説明するための断面図、第３図は
ＴｅＯ２基板の一表面上に５ｉ０２膜を形成し、常光線
と異常光線を入射させた場合の反射率の波長依存性を示
す図、第４図は、Ｔｅ ０２基板の一表面上にＡｌ２Ｏ
５膜を形成し常光線、異常光線を入射させた場合の反射
率の波長依存性を示す図、第５図は、ＴｅＯ２基板上の
両面に本実施例における５ｉ０２膜と従来技術のＭｇ
Ｆ ２膜のＨｅ −Ｃｄレーザ光に対する耐光力テスト
の結果で透過率の経時変化を示す図、第６図は、ＴｅＯ
２基板の一表面上に、従来技術のＭｇＦ２膜を形成し、
常光線と異常光線を入射させた場合の反射率の波長依存
性を示した図である。 １．２・・・反射防止膜、３・・・Ｔｅ ０２基板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はか１名第
１ 図 第３図 弧−！ｋ（ｒｒｙｎ） 第 ４ 図 俵畏 （ｎｙｎ） 第５図 １ＴＩＡ （’ｒ＋ｏｕｒｓ） 第６図 チ畏（ｎ〜
Claims (1)
- 二酸化テルル基板の少なくとも一表面上に二酸化ケイ素
膜または酸化アルミニウム膜を形成することを特徴とす
る二酸化テルル用反射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61224483A JPH0786561B2 (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 二酸化テルル用反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61224483A JPH0786561B2 (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 二酸化テルル用反射防止膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6378103A true JPS6378103A (ja) | 1988-04-08 |
| JPH0786561B2 JPH0786561B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=16814503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61224483A Expired - Fee Related JPH0786561B2 (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 二酸化テルル用反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786561B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104035146A (zh) * | 2014-06-12 | 2014-09-10 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 二氧化碲基底上的一种中短波红外增透膜 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140746A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Nec Corp | Optical element for surface destruction-proof |
-
1986
- 1986-09-22 JP JP61224483A patent/JPH0786561B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140746A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Nec Corp | Optical element for surface destruction-proof |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104035146A (zh) * | 2014-06-12 | 2014-09-10 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 二氧化碲基底上的一种中短波红外增透膜 |
| CN104035146B (zh) * | 2014-06-12 | 2015-11-25 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 二氧化碲基底上的一种中短波红外增透膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0786561B2 (ja) | 1995-09-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |