JPS6378698A - 選択駆動回路 - Google Patents
選択駆動回路Info
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- JPS6378698A JPS6378698A JP22188286A JP22188286A JPS6378698A JP S6378698 A JPS6378698 A JP S6378698A JP 22188286 A JP22188286 A JP 22188286A JP 22188286 A JP22188286 A JP 22188286A JP S6378698 A JPS6378698 A JP S6378698A
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- controlled device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、単一の結合回路、例えばトランスを用いて複
数の制御対象の中から特定の対象を選択して選択的に駆
動することを可能にする選択駆動回路に関するものであ
り、例えばディジタル交換機の加入者回路における転極
スイッチを選択的に開閉制御する場合などに使用可能な
ものである。
数の制御対象の中から特定の対象を選択して選択的に駆
動することを可能にする選択駆動回路に関するものであ
り、例えばディジタル交換機の加入者回路における転極
スイッチを選択的に開閉制御する場合などに使用可能な
ものである。
従来、制御回路と被制御装置間を絶縁して制御するには
トランス等を用いて絶縁する方法が採られていたが、そ
の制御方法はトランス等に印加する制御信号の有無に基
づいた制御であり、従って各制御ポイント毎にトランス
等を必要としていた。
トランス等を用いて絶縁する方法が採られていたが、そ
の制御方法はトランス等に印加する制御信号の有無に基
づいた制御であり、従って各制御ポイント毎にトランス
等を必要としていた。
このため、制御ポイントが多いとそれに比例して使用す
るトランス等が増加し、経済的でないことに加え、回路
の増大を招くという欠点があった。
るトランス等が増加し、経済的でないことに加え、回路
の増大を招くという欠点があった。
そこで本発明は、選択駆動回路において、従来、制御ポ
イント毎に必要としていたトランス等の結合回路の数を
削減し、単一の結合回路で複数の制御ポイントの制御を
可能にすること、を解決すべき問題点としている。
イント毎に必要としていたトランス等の結合回路の数を
削減し、単一の結合回路で複数の制御ポイントの制御を
可能にすること、を解決すべき問題点としている。
問題点解決のため、本発明では、被制御回路(ポイント
)に闇値特性を付与し、これを非対称波形で駆動するこ
ととした。
)に闇値特性を付与し、これを非対称波形で駆動するこ
ととした。
複数の被制御回路(ポイント)の闇値特性が異なってい
るので、非対称波形をもつ駆動信号により選択的に被制
御回路を駆動することができる。
るので、非対称波形をもつ駆動信号により選択的に被制
御回路を駆動することができる。
次に図を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の第1の実施例を示す回路図である。同
図において、I+、Izは制御入力端子、Tはトランス
であってp++ p2は1次側端子、sl+ 52
は2次側端子、OP、及びOP zは正側駆動出力端子
、ON、及びON 2は負側駆動出力端子、LD、及び
LD、1は被制御装置である。
図において、I+、Izは制御入力端子、Tはトランス
であってp++ p2は1次側端子、sl+ 52
は2次側端子、OP、及びOP zは正側駆動出力端子
、ON、及びON 2は負側駆動出力端子、LD、及び
LD、1は被制御装置である。
トランスTの2次側端子の一方S、は、正側駆動出力端
子及び負側駆動出力端子の一方であるOP、及びON、
に接続し、2次側端子の他方S2は、正側駆動出力端子
及び負側駆動出力端子の他方であるOP2及びON t
に接続し、正側駆動出力端子op、及びOP、には端子
op、に対する端子OP、の電位が正の一定値(閾値■
ア、)以上の電位となったときに応動する第1の被制御
装置LDpを、負側駆動出力端子ON、及びON、には
端子ON2に対する端子ONIの電位が負の一定値(閾
値V yN)以上となったときに応動する第2の被制御
装置LD、、を接続する。
子及び負側駆動出力端子の一方であるOP、及びON、
に接続し、2次側端子の他方S2は、正側駆動出力端子
及び負側駆動出力端子の他方であるOP2及びON t
に接続し、正側駆動出力端子op、及びOP、には端子
op、に対する端子OP、の電位が正の一定値(閾値■
ア、)以上の電位となったときに応動する第1の被制御
装置LDpを、負側駆動出力端子ON、及びON、には
端子ON2に対する端子ONIの電位が負の一定値(閾
値V yN)以上となったときに応動する第2の被制御
装置LD、、を接続する。
尚負の電圧における“以上”の用語は絶対値が大きいこ
とを表わす。
とを表わす。
制御入力端子It、Itに交流信号を印加すると、これ
に応動してトランスTの2次側Sl+S!にも信号が発
生する。本発明はこの制御入力端子1、、I2に印加す
る交流信号に非対称信号を使用しており、具体的波形例
として矩形波の例を第2図に示す。
に応動してトランスTの2次側Sl+S!にも信号が発
生する。本発明はこの制御入力端子1、、I2に印加す
る交流信号に非対称信号を使用しており、具体的波形例
として矩形波の例を第2図に示す。
第2図は端子1.Lに対する端子I、の電位を示したも
ので縦軸は電圧であって一点鎖線の上側が正電圧、横軸
は時間を表わし、左側から右側に向けて時間の経過を表
わしており、Kは係数、■は単位電圧、t、及び1zは
各々パルスの時間幅を表わす。
ので縦軸は電圧であって一点鎖線の上側が正電圧、横軸
は時間を表わし、左側から右側に向けて時間の経過を表
わしており、Kは係数、■は単位電圧、t、及び1zは
各々パルスの時間幅を表わす。
この様な波形の交流信号を制御入力端子11+12に印
加するとトランスTの2次側端子SI+32間にも相似
の波形が発生する。簡単のため、2次側端子間の波形も
第2図で示した如き波形とする。
加するとトランスTの2次側端子SI+32間にも相似
の波形が発生する。簡単のため、2次側端子間の波形も
第2図で示した如き波形とする。
周知の如く、トランスは直流信号の伝達ができないので
、トランスの2次側の電圧は零電位を基準とした上下の
面積が等しくなる。即ちtI−K・V=t2・■であり
、■を消去し、Kについて整理するとに=t2/l、と
なる。従って1.と1.を適当な値(比)に選定すると
、一方の極性の電圧を闇値以上に、他方の極性の電圧を
闇値以下にすることができる。
、トランスの2次側の電圧は零電位を基準とした上下の
面積が等しくなる。即ちtI−K・V=t2・■であり
、■を消去し、Kについて整理するとに=t2/l、と
なる。従って1.と1.を適当な値(比)に選定すると
、一方の極性の電圧を闇値以上に、他方の極性の電圧を
闇値以下にすることができる。
具体的数値を挙げて説明する。1.とt2の比を1対4
に選定するとに=tz /l I=4となり、K−V=
4Vとなる。従って第2図(a)の波形の場合、t、の
期間の電圧は4v、t2の期間の電圧は−Vとなる。又
第2図(b)の波形の場合は逆に1.の期間の電圧はV
、t2の期間の電圧は一4■となる。
に選定するとに=tz /l I=4となり、K−V=
4Vとなる。従って第2図(a)の波形の場合、t、の
期間の電圧は4v、t2の期間の電圧は−Vとなる。又
第2図(b)の波形の場合は逆に1.の期間の電圧はV
、t2の期間の電圧は一4■となる。
ここで閾値VTP並びにVTNを2V並びに−2■に選
定、換言すれば単位電圧■を閾値Vア、及びVTN(絶
対値)の1/2に選定すれば、第2図(a)の場合はt
lの期間に第1の被制御装置LD、を駆動でき、t2の
期間を含め第2の被制御装置LD、lは駆動されること
を防止することができる。
定、換言すれば単位電圧■を閾値Vア、及びVTN(絶
対値)の1/2に選定すれば、第2図(a)の場合はt
lの期間に第1の被制御装置LD、を駆動でき、t2の
期間を含め第2の被制御装置LD、lは駆動されること
を防止することができる。
即ち選択的に第1の被制御装置を駆動することが実現で
きる。同様にして第2図(b)の波形を用いれば第2の
被制御装置LDアを選択的に駆動できる。
きる。同様にして第2図(b)の波形を用いれば第2の
被制御装置LDアを選択的に駆動できる。
この結果から明らかなように、同一の結合回路即ち本実
施例ではトランスを介して複数の被制御装置を選択的に
制御でき従来の技術に比べて駆動回路を簡略化できると
いう改善が見られたことになる。
施例ではトランスを介して複数の被制御装置を選択的に
制御でき従来の技術に比べて駆動回路を簡略化できると
いう改善が見られたことになる。
第3図は、被制御装置の具体例を示した第2の実施例で
あって、被制御装置としてトランジスタを採用した場合
の例である。T r nはNPN形トランジスタ、T□
はPNPN上形ンジスタ、OC,+0□ + Ocn
+ C1anはトランジスタの出力端子である。トラ
ンジスタは一般的にベース・エミッタ間電圧■、と呼ば
れる電圧以上を印加するとオンする。即ち、N P N
形トランジスタはベース・エミッタ間に約0.75ボル
ト以上の電圧を印加するとオン(コレクタからエミッタ
に向かう電流を流せる状態)し、PNPN上形ンジスタ
はベース・エミッタ間に約−0,75ボルト以上の電圧
を印加するとオン(エミッタからコレクタに向かう電流
を流せる状態)する。
あって、被制御装置としてトランジスタを採用した場合
の例である。T r nはNPN形トランジスタ、T□
はPNPN上形ンジスタ、OC,+0□ + Ocn
+ C1anはトランジスタの出力端子である。トラ
ンジスタは一般的にベース・エミッタ間電圧■、と呼ば
れる電圧以上を印加するとオンする。即ち、N P N
形トランジスタはベース・エミッタ間に約0.75ボル
ト以上の電圧を印加するとオン(コレクタからエミッタ
に向かう電流を流せる状態)し、PNPN上形ンジスタ
はベース・エミッタ間に約−0,75ボルト以上の電圧
を印加するとオン(エミッタからコレクタに向かう電流
を流せる状態)する。
従ってこのベース・エミッタ間電圧が闇値として機能し
、第1の実施例における説明から明らかなように両トラ
ンジスタを選択的に制御できる。
、第1の実施例における説明から明らかなように両トラ
ンジスタを選択的に制御できる。
第4図は闇値の調整手段を備えた第3の実施例を示す回
路図であってVRはバリスタである。バリスタはバリス
タ電圧Vv*と呼ばれる電圧以上の電圧が印加されると
電流が流れる。従って闇値電圧はベース・エミッタ間電
圧■Iとバリスタ電圧VVIIの和となる。
路図であってVRはバリスタである。バリスタはバリス
タ電圧Vv*と呼ばれる電圧以上の電圧が印加されると
電流が流れる。従って闇値電圧はベース・エミッタ間電
圧■Iとバリスタ電圧VVIIの和となる。
本実施例によれば、バリスタ電圧VVRO値は任意に設
定できるので、闇値電圧を任意の値に設定できる。闇値
調整用の素子はバリスタに限らず、印加電圧によって抵
抗値が変化する素子であれば何れの素子も使用すること
ができる。
定できるので、闇値電圧を任意の値に設定できる。闇値
調整用の素子はバリスタに限らず、印加電圧によって抵
抗値が変化する素子であれば何れの素子も使用すること
ができる。
第5図はその一例としてバリスタをツェナーダイオード
ZDI 、ZDZに置換する場合のバリスタに相当する
部分を示したものであり、ツェナーダイオードZD+
、ZDtを逆極性に直列接続することにより、Slの電
位が32の電位に対して正の場合はZD、のツェナー電
圧とZ D 2の順方向電圧降下の和、負の場合はZD
zのツェナー電圧とZD、の順方向電圧降下の和がバリ
スタ電圧VVIIに相当した目的を達成する。
ZDI 、ZDZに置換する場合のバリスタに相当する
部分を示したものであり、ツェナーダイオードZD+
、ZDtを逆極性に直列接続することにより、Slの電
位が32の電位に対して正の場合はZD、のツェナー電
圧とZ D 2の順方向電圧降下の和、負の場合はZD
zのツェナー電圧とZD、の順方向電圧降下の和がバリ
スタ電圧VVIIに相当した目的を達成する。
又以上の説明から明らかなように、駆動信号の極性によ
って作動するツェナーダイオードが異なり、従って被制
御装置毎に闇値を設定することができる。
って作動するツェナーダイオードが異なり、従って被制
御装置毎に闇値を設定することができる。
第6図は闇値の他の調整手段を備えた第4の実施例を示
す回路図であってツェナーダイオードを被制御装置、こ
の例ではトランジスタT rl!+ ’r、。
す回路図であってツェナーダイオードを被制御装置、こ
の例ではトランジスタT rl!+ ’r、。
毎に挿入したものであり、トランジスタT rr+側の
閾値はT、の■1とZD、のツェナー電圧■2□の和、
トランジスタT□側の闇値はTr、の■1とZD2のツ
ェナー電圧v2,2の和となる。従って本実施例によっ
ても被制御装置毎に闇値を設定することができる。
閾値はT、の■1とZD、のツェナー電圧■2□の和、
トランジスタT□側の闇値はTr、の■1とZD2のツ
ェナー電圧v2,2の和となる。従って本実施例によっ
ても被制御装置毎に闇値を設定することができる。
以上闇値の調整方法について具体的例を示したが、これ
ら闇値調整手段は駆動信号の経路であれば、何れの部分
でも挿入可能であり、本発明はその挿入位置によらず適
用される。
ら闇値調整手段は駆動信号の経路であれば、何れの部分
でも挿入可能であり、本発明はその挿入位置によらず適
用される。
第7図は本発明の第5の実施例を示す回路図であって、
第3図におけるトランジスタのコレクタ・エミッタの接
続を逆にしたものである。駆動信号はその極性に応じて
S1→T r nのベース−0,p−図示していない負
荷装置→Oe9→s2)ないしs2→0cfi−図示し
ていない負荷装置−〇07→T、、。
第3図におけるトランジスタのコレクタ・エミッタの接
続を逆にしたものである。駆動信号はその極性に応じて
S1→T r nのベース−0,p−図示していない負
荷装置→Oe9→s2)ないしs2→0cfi−図示し
ていない負荷装置−〇07→T、、。
のベース−s、の経路の電流として流れ、従って、本実
施例によっても被制御装置を選択的に制御できる。
施例によっても被制御装置を選択的に制御できる。
第8図は被制御装置であるトランジスタが何れもNPN
形の場合の、第6の実施例であって、T r I’+
1は第1のNPN)ランジスタ、T r n□は第2の
NPN)ランジスタである。駆動信号はその極性に応じ
てS I −Trnl のベース−エミッターS2ない
し、S2→T r n 2のベース−エミッター31の
経路の電流として流れ、従って本実施例によっても被制
御装置を選択的に制御できる。
形の場合の、第6の実施例であって、T r I’+
1は第1のNPN)ランジスタ、T r n□は第2の
NPN)ランジスタである。駆動信号はその極性に応じ
てS I −Trnl のベース−エミッターS2ない
し、S2→T r n 2のベース−エミッター31の
経路の電流として流れ、従って本実施例によっても被制
御装置を選択的に制御できる。
第9図は結合回路としてコンデンサを用いた第7の実施
例であってC1及びC2はコンデンサ、Rは抵抗である
。
例であってC1及びC2はコンデンサ、Rは抵抗である
。
本実施例においては、制御入力端子!++IZ間に印加
された交流信号はコンデンサ、C8及びC!にて直流成
分が遮断されて正側駆動出力端子op、、op2並びに
負側駆動出力端子ON、。
された交流信号はコンデンサ、C8及びC!にて直流成
分が遮断されて正側駆動出力端子op、、op2並びに
負側駆動出力端子ON、。
ON、に現われる。以降の動作は既に述べた各実施例と
同様であり、本実施例によっても被制御装置を選択的に
駆動することができる。
同様であり、本実施例によっても被制御装置を選択的に
駆動することができる。
以上の説明から明らかなように本発明は結合回路の形式
によらず適用される。
によらず適用される。
第9図においてコンデンサC,,C,間に抵抗Rを接続
しているが、これは被制御装置側に非対称の負荷特性が
あった場合、コンデンサが一方の極性の電圧に充電され
、被制御装置の駆動が十分行なえなくなることがあり、
この一方的充電を放電させるものであり、必要に応じて
挿入する。
しているが、これは被制御装置側に非対称の負荷特性が
あった場合、コンデンサが一方の極性の電圧に充電され
、被制御装置の駆動が十分行なえなくなることがあり、
この一方的充電を放電させるものであり、必要に応じて
挿入する。
第10図は平滑機能を備えた第8の実施例であってり、
、Dnはダイオード、C,、Cnはコンデンサ、Rpp
+ Rp、、は抵抗、FETnはnチャネル形電界
効果トランジスタ、FET、はpチャネル形電界効果ト
ランジスタである。
、Dnはダイオード、C,、Cnはコンデンサ、Rpp
+ Rp、、は抵抗、FETnはnチャネル形電界
効果トランジスタ、FET、はpチャネル形電界効果ト
ランジスタである。
s2に対してSlの電位が正の場合、その電圧はコンデ
ンサC2に蓄積される。ダイオードD。
ンサC2に蓄積される。ダイオードD。
はSIの電位が下がった時にC2に蓄積した電圧(電荷
)がトランス側に逆流して放電することを防止するため
のものである。このCPに蓄積された電圧が電界効果ト
ランジスタFETfiの闇値電圧以上となるとFET、
はオンし、ドレイン・ソース間即ち出力端子Oep ”
Ottp間が導通する。S2に対してSlの電位が負
の場合は同様にしてpチャネル側電界効果トランジスタ
FET、がオンする。
)がトランス側に逆流して放電することを防止するため
のものである。このCPに蓄積された電圧が電界効果ト
ランジスタFETfiの闇値電圧以上となるとFET、
はオンし、ドレイン・ソース間即ち出力端子Oep ”
Ottp間が導通する。S2に対してSlの電位が負
の場合は同様にしてpチャネル側電界効果トランジスタ
FET、がオンする。
本構成によれば、コンデンサによって駆動信号の電圧を
保持しているため、スイッチ閉成の連続性を高めること
ができ、駆動信号として用いる交流信号の周波数や、非
対称波形のjl+j2の時間率の比、Kに対する選択範
囲を広げることができる。尚、Rpp+Rp、、は保持
時間を設定するための放電(時定数)用抵抗である。
保持しているため、スイッチ閉成の連続性を高めること
ができ、駆動信号として用いる交流信号の周波数や、非
対称波形のjl+j2の時間率の比、Kに対する選択範
囲を広げることができる。尚、Rpp+Rp、、は保持
時間を設定するための放電(時定数)用抵抗である。
第11図は多数の被制御装置を共通の結合回路、即ち本
実施例ではトランスを介して選択的に制御したものであ
り、S2に対してs、が正の場合に駆動される被制御装
置がm個、負の場合に駆動される被制御装置がn個の例
を示しており、Rfi+R2は抵抗であって、各記号に
付した添字は上記、 被制御装置の番号を表わしてい
る。
実施例ではトランスを介して選択的に制御したものであ
り、S2に対してs、が正の場合に駆動される被制御装
置がm個、負の場合に駆動される被制御装置がn個の例
を示しており、Rfi+R2は抵抗であって、各記号に
付した添字は上記、 被制御装置の番号を表わしてい
る。
ツェナーダイオードは添字の番号が大きくなるほどツェ
ナー電圧が高くなるようにツェナー電圧を選定する。R
7及びRpは電流が特定(ツェナー電圧が最も低い)被
制御回路のみに流れることを防止するためのものであり
、stに対し、s。
ナー電圧が高くなるようにツェナー電圧を選定する。R
7及びRpは電流が特定(ツェナー電圧が最も低い)被
制御回路のみに流れることを防止するためのものであり
、stに対し、s。
の電位が正の場合、その電圧以下の闇値即ちツェナー電
圧の被制御回路即ちNPN )ランジスタT r fi
がすべて動作する。s2に対しSlの電位が負の場合は
同様にして該電圧以下のPNP l−ランジスタTrp
がすべて動作する。従って交流信号波形の非対称性(例
えば第2図におけるtlとt2の比、即ちK)を制御す
れば複数の被制御回路を選択的に制御することができる
。
圧の被制御回路即ちNPN )ランジスタT r fi
がすべて動作する。s2に対しSlの電位が負の場合は
同様にして該電圧以下のPNP l−ランジスタTrp
がすべて動作する。従って交流信号波形の非対称性(例
えば第2図におけるtlとt2の比、即ちK)を制御す
れば複数の被制御回路を選択的に制御することができる
。
尚用途によっては被制御回路の出力を更に論理変換(例
えば2進コード化)して使用することも可能である。
えば2進コード化)して使用することも可能である。
以上の各実施例において、駆動信号及び闇値を電圧で説
明したが、これを電流としても本発明を適用でき、既に
第2の実施例として説明した第3図を用いてこれを説明
する。
明したが、これを電流としても本発明を適用でき、既に
第2の実施例として説明した第3図を用いてこれを説明
する。
トランスの構造として1次側の巻線数に対して2次側の
巻線数を十分大きくしたトランスは電流トランスとして
知られ、このトランスは一次側に流れる電流に比例した
電流をその2次側に発生する。一方トランジスタはその
電流増幅率hFEに応じ、ベースに流入した電流のhF
E倍の電流をコレクタに流す。従ってトランジスタのコ
レクタ側に流すべき負荷電流を■、とするとI L /
h FEのベース電流が闇値として作用することにな
る。
巻線数を十分大きくしたトランスは電流トランスとして
知られ、このトランスは一次側に流れる電流に比例した
電流をその2次側に発生する。一方トランジスタはその
電流増幅率hFEに応じ、ベースに流入した電流のhF
E倍の電流をコレクタに流す。従ってトランジスタのコ
レクタ側に流すべき負荷電流を■、とするとI L /
h FEのベース電流が闇値として作用することにな
る。
電流トランスの直流の遮断機能は通常のトランスと同様
であり従ってトランスの1次側に流す電流によって、2
次側のトランジスタ即ち被制御装置を選択的に制御する
ことができる。
であり従ってトランスの1次側に流す電流によって、2
次側のトランジスタ即ち被制御装置を選択的に制御する
ことができる。
以上の説明から明らかなように本発明は駆動信号の種別
によらず適用される。
によらず適用される。
又、トランスを用いる場合、被制御装置相互間を絶縁し
たい場合は2次巻線を分離すれば良い。
たい場合は2次巻線を分離すれば良い。
以上説明したように本発明によれば、単一の結合回路を
介して複数の被制御装置を選択的に制御でき、回路の簡
略化が図れるという利点がある。
介して複数の被制御装置を選択的に制御でき、回路の簡
略化が図れるという利点がある。
一般に制御装置と被制御装置間を絶縁する場合トランス
が使用されるが、本発明はこの様な部分に広範囲に適用
することができる。
が使用されるが、本発明はこの様な部分に広範囲に適用
することができる。
第1図は本発明の特徴を最も良く表わしている第1の実
施例を示す回路図、第2図は本発明における駆動信号と
して用いている交流信号の波形の例を示す波形図、第3
図は被制御装置の具体例を示した第2の実施例を示す回
路図、第4図は闇値の調整手段を備えた第3の実施例を
示す回路図、第5図は第3の実施例における素子の他の
例を示した回路図、第6図は闇値の他の調整手段を備え
た第4の実施例を示す回路図、第7図は被制御装置の他
の具体例を示した第5の実施例を示す回路図、第8図は
被制御装置の他の具体例を示した第6の実施例を示す回
路図、第9図は結合回路としてコンデンサを用いた第7
の実施例を示す回路図、第10図は平滑機能を備えた第
8の実施例を示す回路図、第11図は多数の被制御装置
を有する第9の実施例を示す回路図、である。 符号の説明 1、、L・・・制御入力端子、T・・・トランス、pl
。 p2・・・トランスの1次側端子、sI+52・・・ト
ランスの2次側端子、op、、op、・・・正側駆動出
力端子、ONI 、ON!・・・負側駆動出力端子、L
Dp・・・被制御装置、LD、・・・被制御装置、vT
、・・・閾値、vTN・・・閾値、K・・・係数、■・
・・単位電圧、tl+t2・・・時間幅、To・・・N
PN形トランジスタ、T□・P N P形トランジスタ
、OeP + O@p l ocn lO6,
l・・・トランジスタの出力端子、VR・・・バリスタ
、Z D+ 、 Z Di ・・’ツェナーダイオー
ド、Tril+T32・・・NPN形トランジスタ、D
p、D、・・・ダイオード、C,、C,、・・・コンデ
ンサ、R,、、R□・・・抵抗、FET、・・・nチャ
ネル形電界効果トランジスタ、FET、・・・pチャネ
ル形電界効果トランジスタ、R,、、R,・・・抵抗。 代理人 弁理士 並 木 昭 夫 代理人 弁理士 松 崎 清 薯 1$!1 第 2 図 −第3 図 第 4 図 第 5 図 第6図 rn M7 図 遍 8の に9 ■
施例を示す回路図、第2図は本発明における駆動信号と
して用いている交流信号の波形の例を示す波形図、第3
図は被制御装置の具体例を示した第2の実施例を示す回
路図、第4図は闇値の調整手段を備えた第3の実施例を
示す回路図、第5図は第3の実施例における素子の他の
例を示した回路図、第6図は闇値の他の調整手段を備え
た第4の実施例を示す回路図、第7図は被制御装置の他
の具体例を示した第5の実施例を示す回路図、第8図は
被制御装置の他の具体例を示した第6の実施例を示す回
路図、第9図は結合回路としてコンデンサを用いた第7
の実施例を示す回路図、第10図は平滑機能を備えた第
8の実施例を示す回路図、第11図は多数の被制御装置
を有する第9の実施例を示す回路図、である。 符号の説明 1、、L・・・制御入力端子、T・・・トランス、pl
。 p2・・・トランスの1次側端子、sI+52・・・ト
ランスの2次側端子、op、、op、・・・正側駆動出
力端子、ONI 、ON!・・・負側駆動出力端子、L
Dp・・・被制御装置、LD、・・・被制御装置、vT
、・・・閾値、vTN・・・閾値、K・・・係数、■・
・・単位電圧、tl+t2・・・時間幅、To・・・N
PN形トランジスタ、T□・P N P形トランジスタ
、OeP + O@p l ocn lO6,
l・・・トランジスタの出力端子、VR・・・バリスタ
、Z D+ 、 Z Di ・・’ツェナーダイオー
ド、Tril+T32・・・NPN形トランジスタ、D
p、D、・・・ダイオード、C,、C,、・・・コンデ
ンサ、R,、、R□・・・抵抗、FET、・・・nチャ
ネル形電界効果トランジスタ、FET、・・・pチャネ
ル形電界効果トランジスタ、R,、、R,・・・抵抗。 代理人 弁理士 並 木 昭 夫 代理人 弁理士 松 崎 清 薯 1$!1 第 2 図 −第3 図 第 4 図 第 5 図 第6図 rn M7 図 遍 8の に9 ■
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)正方向の所定レベル以上の信号を入力されるとこれ
に応動する第1の被制御装置の入力側と、負方向の所定
レベル以上の信号を入力されるとこれに応動する第2の
被制御装置の入力側と、を並列接続し、その並列接続し
た入力側を直流遮断機能を有する結合回路を介して非対
称波形をもつ交流信号で駆動することにより、前記第1
の被制御装置と第2の被制御装置を選択的に駆動するよ
うにしたことを特徴とする選択駆動回路。 2)特許請求の範囲第1項記載の選択駆動回路において
、前記第1および第2の各被制御装置はそれぞれが複数
個の装置から成り、同一の被制御装置に属する該複数個
の装置の応動する各信号レベルは、同一極性内で各々異
なつた信号レベルであることを特徴とする選択駆動回路
。 3)正方向の所定レベル以上の信号を入力されるとこれ
に応動する被制御装置と負方向の所定レベル以上の信号
を入力されるとこれに応動する被制御装置を複数個有し
、該複数個の被制御装置の応動する前記所定の信号レベ
ルは同一極性内では各々異なった値とし、前記複数個の
被制御装置の入力側を直流遮断機能を有する結合回路を
介して非対称波形の交流信号により共通駆動することに
より前記複数個の被制御装置を選択的に駆動するように
したことを特徴とする選択駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22188286A JPS6378698A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 選択駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22188286A JPS6378698A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 選択駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6378698A true JPS6378698A (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=16773658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22188286A Pending JPS6378698A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 選択駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6378698A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03188367A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-08-16 | Agency Of Ind Science & Technol | 炭素微小電極及びその製造方法 |
| US5281319A (en) * | 1991-07-09 | 1994-01-25 | Agency Of Industrial Science And Technology | Carbon micro-sensor electrode and method for preparing it |
-
1986
- 1986-09-22 JP JP22188286A patent/JPS6378698A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03188367A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-08-16 | Agency Of Ind Science & Technol | 炭素微小電極及びその製造方法 |
| US5281319A (en) * | 1991-07-09 | 1994-01-25 | Agency Of Industrial Science And Technology | Carbon micro-sensor electrode and method for preparing it |
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