JPS6381890A - 回路用基板及びその製造方法 - Google Patents
回路用基板及びその製造方法Info
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- JPS6381890A JPS6381890A JP22586986A JP22586986A JPS6381890A JP S6381890 A JPS6381890 A JP S6381890A JP 22586986 A JP22586986 A JP 22586986A JP 22586986 A JP22586986 A JP 22586986A JP S6381890 A JPS6381890 A JP S6381890A
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- carbon atoms
- circuit board
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、金属箔の表面に、抵抗体Ｎを介し、又は介す
ることなく、ポリイミド絶縁層が形成された構造を有す
るフレキシブル印刷回路等の作製に用いる回路用基板及
びその製造方法に関する。
ることなく、ポリイミド絶縁層が形成された構造を有す
るフレキシブル印刷回路等の作製に用いる回路用基板及
びその製造方法に関する。
従来、この種の回路用基板に用いる絶縁フィルムとして
は、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム及びエ
ポキシ位（脂ｆ＆ガラスクロスが知られている。このう
ち、エポキシ樹脂含浸ガラスクロスは可とう性、低誘電
特性に劣るという欠点が、Ｓ、！ｊ、またポリエステル
フィルムは耐熱性に劣るという問題がある。これに対し
、ポリイミドフィルムは耐熱性、低誘電特性、耐薬品性
、寸法安定性などに非常に優れている。
は、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム及びエ
ポキシ位（脂ｆ＆ガラスクロスが知られている。このう
ち、エポキシ樹脂含浸ガラスクロスは可とう性、低誘電
特性に劣るという欠点が、Ｓ、！ｊ、またポリエステル
フィルムは耐熱性に劣るという問題がある。これに対し
、ポリイミドフィルムは耐熱性、低誘電特性、耐薬品性
、寸法安定性などに非常に優れている。
ところで、従来の金属箔とポリイミドが積層されてなる
回路用基板は（１）金属箔上に接着剤全弁してポリイミ
ドを接着したもの、若しくは（２）金属箔上にポリイミ
ドを少なくとも３００℃以上の高温で熱融着させたもの
、あるいは（３）金属箔上にポリイミド前駆体のポリア
ミックニーｉ塗布し３００℃以上の高温で熱処理してポ
リイミド化させたものであった。
回路用基板は（１）金属箔上に接着剤全弁してポリイミ
ドを接着したもの、若しくは（２）金属箔上にポリイミ
ドを少なくとも３００℃以上の高温で熱融着させたもの
、あるいは（３）金属箔上にポリイミド前駆体のポリア
ミックニーｉ塗布し３００℃以上の高温で熱処理してポ
リイミド化させたものであった。
（１）の回路用基板は接着剤の耐熱性が低いためにポリ
イミドの耐熱性の特長を充分に発揮できないという欠点
？有していた。また接着剤使用に基づく工程が複雑にな
るという欠点も有していた。（２）及び（３）の回路用
基板は、いす汎も高温での熱処理が必要で生産性、経済
性に劣るという欠点を有していた。更に（３）の回路用
基板はポリイミド前駆体の組成によっては、生成ポリイ
ミド膜と金属箔との接着力が不充分となり回路パターン
形成時にはく離現象を生じ不良の原因になるという欠点
を有していた。
イミドの耐熱性の特長を充分に発揮できないという欠点
？有していた。また接着剤使用に基づく工程が複雑にな
るという欠点も有していた。（２）及び（３）の回路用
基板は、いす汎も高温での熱処理が必要で生産性、経済
性に劣るという欠点を有していた。更に（３）の回路用
基板はポリイミド前駆体の組成によっては、生成ポリイ
ミド膜と金属箔との接着力が不充分となり回路パターン
形成時にはく離現象を生じ不良の原因になるという欠点
を有していた。
本発明の目的は、従来の接着剤介在回路用基板が有して
いた耐熱性の欠除又は高温処理工程を必要とするポリイ
ミド回路用基板が有してい次生産性、経済性の悪さ及び
接着力の弱さという問題点を同時に解決した新しい回路
用基板及びその製造方法を提供することにある。
いた耐熱性の欠除又は高温処理工程を必要とするポリイ
ミド回路用基板が有してい次生産性、経済性の悪さ及び
接着力の弱さという問題点を同時に解決した新しい回路
用基板及びその製造方法を提供することにある。
本発明′５Ｉ：Ｗｔ説すれば、本発明の第１の発明は回
路用基板に関する発明であって、下記一般式： ％式％（１） 〔式中Ｒは、（ａ）６〜２０個の炭素原子全方する芳香
族炭化水素基又はそのハロゲン化誘専体、（ｂ）アルキ
レン基、炭素原子数２〜８個のアルキレン基で連鎖停止
されたポリオルガノシロキサン基、又は３〜２０個の炭
素原子を有するシクロアルキレン基、及びＣｃ）下記式
： 及び−ｃｎＨｚｎ−よりなる群から選択した１種の基、
ｍは零又は１の整数、ｎは１〜５の整数である）で示さ
れる基、よりなる群から選択した２価の基を示す〕で表
わされる繰返し単位を有するポリエーテルイミド及びエ
ポキシ樹脂全含有する組成物から得られるポリイミドフ
ィルムが接合されていること全特徴とする。
路用基板に関する発明であって、下記一般式： ％式％（１） 〔式中Ｒは、（ａ）６〜２０個の炭素原子全方する芳香
族炭化水素基又はそのハロゲン化誘専体、（ｂ）アルキ
レン基、炭素原子数２〜８個のアルキレン基で連鎖停止
されたポリオルガノシロキサン基、又は３〜２０個の炭
素原子を有するシクロアルキレン基、及びＣｃ）下記式
： 及び−ｃｎＨｚｎ−よりなる群から選択した１種の基、
ｍは零又は１の整数、ｎは１〜５の整数である）で示さ
れる基、よりなる群から選択した２価の基を示す〕で表
わされる繰返し単位を有するポリエーテルイミド及びエ
ポキシ樹脂全含有する組成物から得られるポリイミドフ
ィルムが接合されていること全特徴とする。
そして、本発明の第２の発明Ｆｉ回路用基板の製造方法
に関する発明であって、前記第１の発明の組成物の有機
溶媒溶液を金属箔上に塗布し、乾燥してポリイミドフィ
ルム膜全形成させ、熱接着により金属箔とポリイミドフ
ィルムとを結合させること全特徴とする。
に関する発明であって、前記第１の発明の組成物の有機
溶媒溶液を金属箔上に塗布し、乾燥してポリイミドフィ
ルム膜全形成させ、熱接着により金属箔とポリイミドフ
ィルムとを結合させること全特徴とする。
また、本発明の第３の発明は回路用基板の他の製造方法
に関する発明であって、前記第１の発明の組成物の有機
溶媒溶液からキャストして成形したポリイミドフィルム
金、金属箔上に熱融着によシ結合させることを特徴とす
る。
に関する発明であって、前記第１の発明の組成物の有機
溶媒溶液からキャストして成形したポリイミドフィルム
金、金属箔上に熱融着によシ結合させることを特徴とす
る。
本発明は、前記従来の問題点にかんがみてなされたもの
であり、熱可塑性を有するポリエーテルイミドと接着性
を有するエポキシ樹脂を可溶させたポリイミドフィルム
を基板絶縁層に用い、接着剤を介することなく、直接金
属箔に温度１００〜２５０℃の比較的低温で熱接着させ
ても十分な接合強度を保持し得ることを特徴としている
。従来の技術とは接着剤が不要でろり、高温の熱処理を
必要としないために経済的で信頼性の高いポリイミド回
路用基板となっているところが異なる。
であり、熱可塑性を有するポリエーテルイミドと接着性
を有するエポキシ樹脂を可溶させたポリイミドフィルム
を基板絶縁層に用い、接着剤を介することなく、直接金
属箔に温度１００〜２５０℃の比較的低温で熱接着させ
ても十分な接合強度を保持し得ることを特徴としている
。従来の技術とは接着剤が不要でろり、高温の熱処理を
必要としないために経済的で信頼性の高いポリイミド回
路用基板となっているところが異なる。
本発明に用いられるエポキシ樹脂としては、例エバ２．
２−ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）フロパン、２．２
−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−シフロモフェニル）
フロパン、１，１，２．２−テトラキス（ｐ−ヒドロキ
シフェニル）エタン、４．４′−ジヒドロキシジフェニ
ル、レゾルシン、カテコール及びヒドロΦノン等芳香族
多価フェノール類のグリシジルエーテル及びフェノール
ノボラック、クレゾールノボラック等のグリシジルエー
テル、更にビニルシクロヘキセンジエボキシド、（３；
４’−エポキシシクロヘキシルメチル）−５，４−エポ
キシシクロヘキサンカルボキシレート、（３；４’−エ
ポキシ−６′−メチル−シクロヘキシルメチル）−３，
４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボキシレ
ート、３−（３ｈ４’−エポキシシクロヘキシ／ｌ／）
−２，４−ジオキサスピロ（５，５） −８，９−エポ
キシウンデカン、３−（グリシジルオキシエトキシエチ
ル）−２，４−ジオキサスピロ（５，５）−８，９−エ
ポキシウンデカン等脂環式エポキシ樹脂及びトリグリシ
ジルイソシアヌレート、５．５−ジメテルヒタ゛ントイ
ンのＮ、Ｎ−ジグリシジル位誘導体等複索環式エポキシ
樹脂等が挙げられる。
２−ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）フロパン、２．２
−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−シフロモフェニル）
フロパン、１，１，２．２−テトラキス（ｐ−ヒドロキ
シフェニル）エタン、４．４′−ジヒドロキシジフェニ
ル、レゾルシン、カテコール及びヒドロΦノン等芳香族
多価フェノール類のグリシジルエーテル及びフェノール
ノボラック、クレゾールノボラック等のグリシジルエー
テル、更にビニルシクロヘキセンジエボキシド、（３；
４’−エポキシシクロヘキシルメチル）−５，４−エポ
キシシクロヘキサンカルボキシレート、（３；４’−エ
ポキシ−６′−メチル−シクロヘキシルメチル）−３，
４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボキシレ
ート、３−（３ｈ４’−エポキシシクロヘキシ／ｌ／）
−２，４−ジオキサスピロ（５，５） −８，９−エポ
キシウンデカン、３−（グリシジルオキシエトキシエチ
ル）−２，４−ジオキサスピロ（５，５）−８，９−エ
ポキシウンデカン等脂環式エポキシ樹脂及びトリグリシ
ジルイソシアヌレート、５．５−ジメテルヒタ゛ントイ
ンのＮ、Ｎ−ジグリシジル位誘導体等複索環式エポキシ
樹脂等が挙げられる。
本発明で使用するｍＪｙ、物は、硬化剤、硬化促進剤及
び充てん剤よりなる群から選択した添加剤を少なくとも
１種含有していてよい。その時の硬化剤の例としては、
無水フタル酸、無水メチルナジック酸、４−メチルへキ
サヒドロ無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロ
メリット酸等の酸無水物系硬化剤、ヘキサメチレンジア
ミン、ジエチレントリアミン、テトラエチレンペンタミ
ン、ｍ−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルエー
テル、ジアミノジフェニルメタンなどのアミン系硬化剤
、ポリアミド糸硬化剤、２−エチル−４−メチルイミダ
ゾール、２−メチルイミダゾールなどのイミダゾール系
硬化剤、ジシアンジアミドなどが挙げられる。
び充てん剤よりなる群から選択した添加剤を少なくとも
１種含有していてよい。その時の硬化剤の例としては、
無水フタル酸、無水メチルナジック酸、４−メチルへキ
サヒドロ無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロ
メリット酸等の酸無水物系硬化剤、ヘキサメチレンジア
ミン、ジエチレントリアミン、テトラエチレンペンタミ
ン、ｍ−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルエー
テル、ジアミノジフェニルメタンなどのアミン系硬化剤
、ポリアミド糸硬化剤、２−エチル−４−メチルイミダ
ゾール、２−メチルイミダゾールなどのイミダゾール系
硬化剤、ジシアンジアミドなどが挙げられる。
硬化促進剤の例としては、ぺ／ジルジメチルアミンなど
の第三級アミン、ホウ酸エステル、有機金属塩などが挙
げられる０充てん剤の例としては、エポキシ樹脂の希釈
剤、展伸剤、軟化剤などが挙げられる。
の第三級アミン、ホウ酸エステル、有機金属塩などが挙
げられる０充てん剤の例としては、エポキシ樹脂の希釈
剤、展伸剤、軟化剤などが挙げられる。
ポリエーテルイミドにエポキシ波刃旨を宮育させたポリ
イミドフィルムの作製方法は一般的にはまず有機溶媒に
ポリエーテルイミドを溶解させ、その中にエポキシ樹脂
官有組成物を配合し、均一に混合した後、平たんな金属
箔上又はポリマーフィルム上にこの溶液を流して均一の
厚さに皮膜金形成し、加熱、真空下放置等により徐々に
溶媒を除去する方法などにより行う０溶媒としてはポリ
エーテルイミド、エポキシ波刃１共に溶解することが必
要であり、例えばＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、
Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミド系溶媒、またク
ロロホルム、塩化メチレンなどの塩素系溶媒が挙げられ
る。
イミドフィルムの作製方法は一般的にはまず有機溶媒に
ポリエーテルイミドを溶解させ、その中にエポキシ樹脂
官有組成物を配合し、均一に混合した後、平たんな金属
箔上又はポリマーフィルム上にこの溶液を流して均一の
厚さに皮膜金形成し、加熱、真空下放置等により徐々に
溶媒を除去する方法などにより行う０溶媒としてはポリ
エーテルイミド、エポキシ波刃１共に溶解することが必
要であり、例えばＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、
Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミド系溶媒、またク
ロロホルム、塩化メチレンなどの塩素系溶媒が挙げられ
る。
ポリエーテルイミドとエポキシ樹脂の配合比は１：０か
ら０：１まですべてよい（但し、１：０と０：１は含′
！！ない）。また硬化剤、硬化促進剤の量はエポキシ樹
脂８脂童に対して標準的に用いられる量でよい。その他
の充てん剤は必侠鴛全適宜加えればよい。
ら０：１まですべてよい（但し、１：０と０：１は含′
！！ない）。また硬化剤、硬化促進剤の量はエポキシ樹
脂８脂童に対して標準的に用いられる量でよい。その他
の充てん剤は必侠鴛全適宜加えればよい。
回路用基板の金属箔上に上記ポリイミドフィルムを強固
−接合させる方法は、金＃４箔上に直接ポリイミド皮膜
全形成させた場合にはその１１１００〜２５０℃の比較
的低い温夏で熱処理を行えば良く、ポリマーフィルム上
でキャストによタポリイミドフイルム全形成させた場合
には、それ金金稿箔上に重ねて圧力’ｋ （Ｌ ５ ｋ
＆／（７）２以上かけて１００〜２５０℃の比較的低い
温度で熱処理を行えばよい。両者の接合は容易に行うこ
とができ、その接着力は後記実施例にも示されているよ
うに大きなものである。また、ある一定のエポキシ含有
量の時にその時の得られたポリイミドフィルムの熱分解
＠度は、驚くべきことにエポキシ樹脂のそれより高くポ
リエーテルイミドとエポキシ樹脂の中間の値を示す。
−接合させる方法は、金＃４箔上に直接ポリイミド皮膜
全形成させた場合にはその１１１００〜２５０℃の比較
的低い温夏で熱処理を行えば良く、ポリマーフィルム上
でキャストによタポリイミドフイルム全形成させた場合
には、それ金金稿箔上に重ねて圧力’ｋ （Ｌ ５ ｋ
＆／（７）２以上かけて１００〜２５０℃の比較的低い
温度で熱処理を行えばよい。両者の接合は容易に行うこ
とができ、その接着力は後記実施例にも示されているよ
うに大きなものである。また、ある一定のエポキシ含有
量の時にその時の得られたポリイミドフィルムの熱分解
＠度は、驚くべきことにエポキシ樹脂のそれより高くポ
リエーテルイミドとエポキシ樹脂の中間の値を示す。
第１図は、本発明に係るフレキシブル印刷回路用基板の
１例の側面図であｐ１銅、アルミニウム等から成る厚さ
約１５〜７０μｍのｍ重性の金属箔１の片面に、厚さ約
５〜２５０Ａｍのポリイミドフィルム２が熱接着されて
いる。また、金属箔が銅箔の場合には銅の表面を酸化処
理あるいはブライマー（例えは５Ｍ社ＥＣ２２９０）処
理してもよい。
１例の側面図であｐ１銅、アルミニウム等から成る厚さ
約１５〜７０μｍのｍ重性の金属箔１の片面に、厚さ約
５〜２５０Ａｍのポリイミドフィルム２が熱接着されて
いる。また、金属箔が銅箔の場合には銅の表面を酸化処
理あるいはブライマー（例えは５Ｍ社ＥＣ２２９０）処
理してもよい。
更に、本発明においては、第２図に側面図として示すご
とく、金属箔１０表面に、メッキ等の手段によりニッケ
ル、スズ−ニッケル、スズ−ニッケルー硫黄、スズ−ニ
ッケルー銅−硫黄等から成る厚さ約α０１〜１０μｍの
抵抗体層５を設け、この抵抗体層Ｓｋ介してポリイミド
フィルム２ｙ：を熱接着させた構造とすることもできる
。このような本発明に係る回路用基板は、例えば金属箔
全エツチングしてパターン形成することによジ、所望の
印刷回路ｔｌ−得ることができる０ 〔実施例〕 以下、本発明を実施例により史に具体的に説明するが、
本発明はこれらに限定されない。
とく、金属箔１０表面に、メッキ等の手段によりニッケ
ル、スズ−ニッケル、スズ−ニッケルー硫黄、スズ−ニ
ッケルー銅−硫黄等から成る厚さ約α０１〜１０μｍの
抵抗体層５を設け、この抵抗体層Ｓｋ介してポリイミド
フィルム２ｙ：を熱接着させた構造とすることもできる
。このような本発明に係る回路用基板は、例えば金属箔
全エツチングしてパターン形成することによジ、所望の
印刷回路ｔｌ−得ることができる０ 〔実施例〕 以下、本発明を実施例により史に具体的に説明するが、
本発明はこれらに限定されない。
実施例１
下記の構造式■：
・・・〔ｌｌ）
で表わされる繰返し単位を有するポリエーテルイミド（
１９ｆとエポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製、エピ
コート８２Ｂ）α３ｔとクロロホルム（以下ｃＨｃｔｓ
と記載する）ａｉｆとの混合物を室温で３時間かくはん
し、ポリエーテルイミド−エポキシ混合溶液を得た。こ
れを厚さ３５Ａｍ の銅箔（日本電解社製）上にフィル
ムアプリケータにより流延し塗布した。その後室温で５
０分間放置し、更に、６０℃で３０分間放置して厚さ３
０μｍのポリイミドフィルムラ得た。
１９ｆとエポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製、エピ
コート８２Ｂ）α３ｔとクロロホルム（以下ｃＨｃｔｓ
と記載する）ａｉｆとの混合物を室温で３時間かくはん
し、ポリエーテルイミド−エポキシ混合溶液を得た。こ
れを厚さ３５Ａｍ の銅箔（日本電解社製）上にフィル
ムアプリケータにより流延し塗布した。その後室温で５
０分間放置し、更に、６０℃で３０分間放置して厚さ３
０μｍのポリイミドフィルムラ得た。
次いで、温度２００℃、圧力α６’に９／、、Ｉで２時
間熱処理を施して両者を熱接着させ、第１図と同構造の
回路用基板を得た。なお、その時の基板材のポリイミド
の熱分解温度は３７０℃であつた。
間熱処理を施して両者を熱接着させ、第１図と同構造の
回路用基板を得た。なお、その時の基板材のポリイミド
の熱分解温度は３７０℃であつた。
実施例２
実施例１と同様にして得たポリエーテルイミド−エポキ
シ混合溶液を平滑なポリエチレンテレフタレート上にフ
ィルムアプリケータにより流延し塗布し、その後室温で
３０分間放置し、更に６０℃で３０分間放置して厚さ３
０μｍのポリイミドフィルムを得た。これを厚さ３５μ
ｍの銅箔上に重ね合わせ、温度２００℃、圧力α６ゆ／
−の条件で２時間熱処理することにより、回路用基板を
得た。
シ混合溶液を平滑なポリエチレンテレフタレート上にフ
ィルムアプリケータにより流延し塗布し、その後室温で
３０分間放置し、更に６０℃で３０分間放置して厚さ３
０μｍのポリイミドフィルムを得た。これを厚さ３５μ
ｍの銅箔上に重ね合わせ、温度２００℃、圧力α６ゆ／
−の条件で２時間熱処理することにより、回路用基板を
得た。
実施例３
式［１）で表わされる繰返し単位′ｆ！：有するポリエ
ーテルイミド（Ｌ９ｆとＣＨＣｌ５ （Ｄ ａ １ ｆ
＋７）混合物を室温で３時間かくはんし、ポリエーテ
ルイミドのＣＨＣｌ５溶液を作製した。これにエポキシ
樹脂（エビフート８２８）を０．９Ｆ、硬化剤としてメ
チレンジアニリンを１２７９加え、室温で５分間かくは
んしポリエーテルイミド−エポキシ混合溶液を得次。こ
れ全厚さ３５μｍの銅箔上にフィルムアプリケーターに
より流延し、塗布した。その後室温で３０分間放置し、
更に６０℃で３０分間放置して厚さ３０μｍのポリイミ
ドフィルムを得た。次いで、温度１００℃、圧力１空／
創２で２時間熱処理を施して、両者上熱接着させ回路用
基板を得た。
ーテルイミド（Ｌ９ｆとＣＨＣｌ５ （Ｄ ａ １ ｆ
＋７）混合物を室温で３時間かくはんし、ポリエーテ
ルイミドのＣＨＣｌ５溶液を作製した。これにエポキシ
樹脂（エビフート８２８）を０．９Ｆ、硬化剤としてメ
チレンジアニリンを１２７９加え、室温で５分間かくは
んしポリエーテルイミド−エポキシ混合溶液を得次。こ
れ全厚さ３５μｍの銅箔上にフィルムアプリケーターに
より流延し、塗布した。その後室温で３０分間放置し、
更に６０℃で３０分間放置して厚さ３０μｍのポリイミ
ドフィルムを得た。次いで、温度１００℃、圧力１空／
創２で２時間熱処理を施して、両者上熱接着させ回路用
基板を得た。
実施例４
式［１）で表わされる繰返し単位’に！するポリエーテ
ルイミド０．９２とＣＨＣｌ５のａｌりの混合物全室温
で３時間かくはんし、ポリエーテルイミドのＣＨＣｔｓ
溶液を作製し次。これにエポキシ樹脂（エピコー）８２
８）ｉα９Ｆ、硬化剤として無水メチルナジック醒α７
２ｆ及び硬化促進剤としてべｙジルジメチルアミン０．
０１８？’ｌ：加え、室温で５分間かくはんしポリエー
テルイミド−エポキシ混合溶液を得た。これを厚さ３５
μｍの銅箔上にフィルムアプリケーターにより流延し、
塗布した。塗布後室温で３０分間放置し、史１／（６０
℃で５０分放置して、厚さ５０Ａｍのポリイミドフィル
ムを得た。次いで温度１５０℃、圧力１ ｋｇ ／ ｃ
ｙ？で５時間熱処理を施して両者全熱接着させ、回路用
基板を得た。
ルイミド０．９２とＣＨＣｌ５のａｌりの混合物全室温
で３時間かくはんし、ポリエーテルイミドのＣＨＣｔｓ
溶液を作製し次。これにエポキシ樹脂（エピコー）８２
８）ｉα９Ｆ、硬化剤として無水メチルナジック醒α７
２ｆ及び硬化促進剤としてべｙジルジメチルアミン０．
０１８？’ｌ：加え、室温で５分間かくはんしポリエー
テルイミド−エポキシ混合溶液を得た。これを厚さ３５
μｍの銅箔上にフィルムアプリケーターにより流延し、
塗布した。塗布後室温で３０分間放置し、史１／（６０
℃で５０分放置して、厚さ５０Ａｍのポリイミドフィル
ムを得た。次いで温度１５０℃、圧力１ ｋｇ ／ ｃ
ｙ？で５時間熱処理を施して両者全熱接着させ、回路用
基板を得た。
比較例１
式（Ｉｆ）で表わされる繰返し単位上■するポリエーテ
ルイミドα９ｔとＣＨＣ２，の＆１ｆの混合物を室温で
３時間かくはんし、これを厚さ５５μｍの銅箔上にフィ
ルムアプリケータにより流延し、実施例１と同様な方法
で回路用基板を得た０ 比較例２ 市販の厚さ６０μｍのポリイミドフィルム（カプトン、
デュポン社製）と実施例で用いた銅箔と全アクリル系接
着剤（スコッチ≠４６７．５Ｍ社裂）ヲ用いて室温で圧
力０．６Ｖａ／（７）２の条件で２４時間加圧すること
により接着させ、回路用基板を得た。
ルイミドα９ｔとＣＨＣ２，の＆１ｆの混合物を室温で
３時間かくはんし、これを厚さ５５μｍの銅箔上にフィ
ルムアプリケータにより流延し、実施例１と同様な方法
で回路用基板を得た０ 比較例２ 市販の厚さ６０μｍのポリイミドフィルム（カプトン、
デュポン社製）と実施例で用いた銅箔と全アクリル系接
着剤（スコッチ≠４６７．５Ｍ社裂）ヲ用いて室温で圧
力０．６Ｖａ／（７）２の条件で２４時間加圧すること
により接着させ、回路用基板を得た。
これらの実施例及び比較例で得られた回路用基板におけ
るポリイミドフィルムと銅箔との接着力七ＡＳＴＭ−Ｄ
−ｔ ８７５に準じて測定した結果上第１表に示す。
るポリイミドフィルムと銅箔との接着力七ＡＳＴＭ−Ｄ
−ｔ ８７５に準じて測定した結果上第１表に示す。
第１表
この結果から明らかなように、本実流側の技術は従来技
術の接着剤？用いた回路用基板又はポリイミド単体を金
属箔に熱融着させた回路用基板に比べて十分な接着力？
有する。
術の接着剤？用いた回路用基板又はポリイミド単体を金
属箔に熱融着させた回路用基板に比べて十分な接着力？
有する。
以上説明したように１本発明によって得られる回路用基
板は、ポリイミド絶縁膜と金属箔とが比較的低温で強固
に接合されるために、基板作製時の生産性、経済性に優
れるという利点を有している。この回路用基板の応用の
具体例としては、耐熱性と経済性の両方が費求σれる各
捌プリント配線基板、ハイブリッドＩＣ基板、ＬＳＩ実
装用基板等への応用が挙げられる。
板は、ポリイミド絶縁膜と金属箔とが比較的低温で強固
に接合されるために、基板作製時の生産性、経済性に優
れるという利点を有している。この回路用基板の応用の
具体例としては、耐熱性と経済性の両方が費求σれる各
捌プリント配線基板、ハイブリッドＩＣ基板、ＬＳＩ実
装用基板等への応用が挙げられる。
第１図及び第２図はいずれも本発明に係る回路用基板の
実例全示す側面図である。 １・・・金属箔、２・・・ポリイミドフィルム、３・・
・抵抗体層
実例全示す側面図である。 １・・・金属箔、２・・・ポリイミドフィルム、３・・
・抵抗体層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、金属箔表面に、抵抗体層を介し又は介することなく
、下記一般式 I ： ・・・〔 I 〕 〔式中Ｒは、（ａ）６〜２０個の炭素原子を有する芳香
族炭化水素基又はそのハロゲン化誘導体、（ｂ）アルキ
レン基、炭素原子数２〜８個のアルキレン基で連鎖停止
されたポリオルガノシロキサン基、又は３〜２０個の炭
素原子を有するシクロアルキレン基、及び（ｃ）下記式
：▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、式中Ｘは−Ｏ−、−Ｃ−、−Ｓ−、−Ｓ−及
び−ＣｎＨ＿２＿ｎ−よりなる群から選択した１種の基
、ｍは零又は１の整数、ｎは１〜５の整数である）で示
される基、よりなる群から選択した２価の基を示す〕で
表わされる繰返し単位を有するポリエーテルイミド及び
エポキシ樹脂を含有する組成物から得られるポリイミド
フィルムが接合されていることを特徴とする回路用基板
。 ２、該組成物が、硬化剤、硬化促進剤及び充てん剤より
なる群から選択した添加剤を少なくとも１種含有してい
る特許請求の範囲第１項記載の回路用基板。 ３、下記一般式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 〔式中Ｒは、（ａ）６〜２０個の炭素原子を有する芳香
族炭化水素基又はそのハロゲン化誘導体、（ｂ）アルキ
レン基、炭素原子数２〜８個のアルキレン基で連鎖停止
されたポリオルガノシロキサン基、又は３〜２０個の炭
素原子を有するシクロアルキレン基、及び（ｃ）下記式
：▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、式中Ｘは▲数式、化学式、表等があります▼
及 び−ＣｎＨ＿２ｎ−よりなる群から選択した１種の基、
ｍは零又は１の整数、ｎは１〜５の整数である）で示さ
れる基、よりなる群から選択した２価の基を示す〕で表
わされる繰返し単位を有するポリエーテルイミド及びエ
ポキシ樹脂を含有する組成物の有機溶媒溶液を金属箔上
に塗布し、乾燥してポリイミドフィルム膜を形成させ、
熱接着により金属箔とポリイミドフィルムとを結合させ
ることを特徴とする回路用基板の製造方法。 ４、下記一般式Ｉ： ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 〔式中Ｒは、（ａ）６〜２０個の炭素原子を有する芳香
族炭化水素基又はそのハロゲン化誘導体、（ｂ）アルキ
レン基、炭素原子数２〜８個のアルキレン基で連鎖停止
されたポリオルガノシロキサン基、又は３〜２０個の炭
素原子を有するシクロアルキレン基、及び（ｃ）下記式
：▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、式中Ｘは▲数式、化学式、表等があります▼
及 び−ＣｎＨ＿２ｎ−よりなる群から選択した１種の基、
ｍは零又は１の整数、ｎは１〜５の整数である）で示さ
れる基、よりなる群から選択した２価の基を示す〕で表
わされる繰返し単位を有するポリエーテルイミド及びエ
ポキシ樹脂を含有する組成物の有機溶媒溶液からキャス
トして成形したポリイミドフィルムを、金属箔上に熱融
着により結合させることを特徴とする回路用基板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22586986A JPS6381890A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 回路用基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22586986A JPS6381890A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 回路用基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6381890A true JPS6381890A (ja) | 1988-04-12 |
Family
ID=16836123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22586986A Pending JPS6381890A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 回路用基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6381890A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5353725A (en) * | 1991-11-07 | 1994-10-11 | Kabushikikaisha Barudan | Front and rear embroidery frame mounting members |
| JP2007087663A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | フラットケーブル |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP22586986A patent/JPS6381890A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5353725A (en) * | 1991-11-07 | 1994-10-11 | Kabushikikaisha Barudan | Front and rear embroidery frame mounting members |
| JP2007087663A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | フラットケーブル |
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