JPS6382431A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 血Ｘ上Ω刊里分野 本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。

従米挾術 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてきた。

従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散さ
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設けるｍ層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられて来た電子琴ｇ感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝きれた場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が予力じた。

このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を扮廖状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。ざらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比Ｂ電率が寓いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するために
は膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシリ
コン膜を長時間堆積させなくてはならない。

ところでアモルファスカーボン膜自イ本は、プラズマ有
機重合膜として古くより知られており、例えばジエン（
Ｍ、５ｈｅｎ）及びベル（Ａ、Ｔ。

Ｂｅ１ｌ）により、１９７３年発行ののジャーナル・オ
ブφアプライド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ　　ｏｆ　　Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐ。

ｌｙｍｅｒ　　５ｃｉｅｎｃｅ）第１７巻の第８８５頁
乃至第８９２頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作製され得る事が、また、同著者により、１９７９年
のアメリカンクミカルソサエティー　（Ａｍｅｒ　１ｃ
ａｎ　　Ｃｈｅｍｉｃａ　ｌ５ｏｃｉｅｔｙ）発行によ
るプラズマボリマライゼーション（Ｐｌａｓｍａ　　Ｐ
ｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でもその成膜性が論
じられている。

しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如＜１０’！Ωｃｍ程
度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくと
もそのような民であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識か
ら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶！！層
に限られており、所謂アンダーコート居もしくはオーバ
ーコート層としてしか用いられていな力じた。

例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する窩分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５
９−３８７５３号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される１０１３〜１０Ｉ５ΩＣｍの高抵抗のプラズマ
重合膜を１０人〜１００人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５９−
１３６７４２号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として１〜５μｍ程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている。

特開昭６０−６３５４１号公報には、アルミ基板とその
上に設げたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接若Ｈとして２００人〜２μｍのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電荷
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている。

これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、ａ−Ｓｉ
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。

また、例えば、特開昭５０−２０７２８号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放ＴＬ重合によるポリマー膜を０．１〜１
μｍ設けた感光体が開示されている。特開昭５９−２１
４８５９号公報には、アモルファスシリコン感光体の表
面に保８Ｉｉとしてスチレンやアセチレン等の有機炭化
水素モノマーをプラズマ重合させて５μｍ程度の膜を形
成させる技術が開示されている。特開昭６０−６１７６
１号公報には、表面保護層として、Ｓｏｏ八〜２μｍの
ダイヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透
光性の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされてでい
る。特開昭６０−２４９１１５号公報には、０．０５〜
５μｍ程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層
として用いる技術が開示され、膜厚が５μｍを越えると
感光体活性に悪影響が及ぶとされている。

これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、ａ−Ｓｆの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。

また、特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって０．００１〜３μｍのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、ａ−Ｓｉの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。

一方、アモルファスシリコン膜については、スピア（Ｗ
、Ｅ、５ｐｅａｒ）及びレコンパ（Ｐ。

Ｇ、ＬｅＣｏｍｂｅｒ）により１９７６年発行のフィロ
ソフィカル・マガジン（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ　
　Ｍａｇａｚｉｎｅ）第３３巻の第９３５頁乃至第９４
９頁において、極性制御が可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭５６−
６２２５４号公報、特開昭５７−１１９３５６号公報、
特開昭５７−１７７１４７号公報、特開昭５７−１１９
３５７号公報、特開昭５７−１７７１４９号公報、特開
昭５７−１１９３５７号公報、特開昭５７−１７７１４
６号公報、特開昭５７−１７７１４８号公報、特開昭５
７−１７４４４８号公報、特開昭５７−１７４４４９号
公報、特開昭５７−１７４４５０号公報、等に、炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示されて
いるが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭素
原子により調整する事を目的としたものであり、また、
アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。

が”°　しようとする、照点 以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用きれていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、歿留電位の
発生に関して事実上間圧にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂薄膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。

本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が適量の
酸素原子とアルカリ金属原子とをを含有せしめる事によ
り、水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜との積層
においては電荷輸送性を有し、容易に好適な電子写真特
性を示し始める事を見出した。その理論的解釈には本発
明者においても不明確な点が多く詳細に亙り言及はでき
ないが、酸素原子とアルカリ金属原子とを含有せしめた
水素化アモルファスカーボン膜中に捕捉されている比較
的不安定なエネルギー状態の電子、例えばπ電子、不対
電子、残存フリーラジカル等が形成するバンド構造が、
水素化或は弗素化アモルファスシリコンが形成するバン
ド構造と電導帯もしくは荷電子帯において近似したエネ
ルギー準位を有するため、水素化或は弗素化アモルファ
スシリコン膜中で発生したキャリアが容易に酸素原子と
アルカリ金属原子とを含有せしめた水素化アモルファス
カーボン膜中へ注入され、ざらに、このキャリアは前述
の比較的不安定なエネルギー状態の電子の作用により酸
素原子とアルカリ金属原子とを含有せしめた水素化アモ
ルファスカーボン膜中を好適に走行し得るためと推定さ
れる。

本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に酸素原子とアルカリ金属原
子とを含有してなる水素化アモルファスカーボン膜を電
荷輸送層として使用し、かつ、水素化或は弗素化アモル
ファスシリコンの薄膜を電荷発生層として使用した感光
体を提供する事を目的とする。

、７、を　゛するための 即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成される少なくとも酸素原子とアルカリ金属
原子とを含有してなる水素化アモルファスカーボン膜で
あり、かつ、該電荷発生層が水素化或は弗素化アモルフ
ァスシリコン膜であることを特徴とする感光体に関する
（以下、本発明による電荷輸送層をａ−ＣＰ；！、及び
電荷発生層をａ−Ｓｔ膜と称する）。

本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能ざえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。

即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成される少なくとも酸素原子とアルカリ金属原子とを含
有してなる水素化アモルファスカーボン膜を設け、かつ
、電荷発生層として同じくグロー放電により生成される
水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜を設けた事を
特徴とする機能分離型感光体に関する。該電荷輸送層は
、可視光もしくは半導体レーザー光付近の波長の光に対
しては明確なる光導電性は有きないが、好適な輸送性を
有し、ざらに、帯電能、耐久性、耐候性、耐環境汚染性
等の電子写真感光体性能に優れ、しかも透光性にも優れ
るため、機能分離型感光体としての積層構造を形成する
場合においても極めて高い自由度が得られるものである
。また、該電荷発生層は、可視光もしくは半導体レーザ
ー光付近の波長の光に対して優れた光導電性を有し、し
かも従来のアモルファスシリコン感光体に比べて極めて
薄い膜厚で、その機能を活かす事ができるものである。

本発明においては、ａ　−Ｃ膜を形成するために有機化
合物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。

該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。

使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オク
タデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサン、
トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン、
ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコサ
ン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタトリア
コンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブタン
、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオヘ
キサン、２．３−ジメチルブタン、２−メチルヘキサン
、３−エチルペンタン、２，２−ジメチルペンタン、２
，４−ジメチルペンタン、３．３−ジメチルペンタン、
トリブタン、２−メチルへブタン、３−メチルへブタン
、２．２−ジメチルヘキサン、２，２．５−ジメチルヘ
キサン、２，２．３−トリメチルペンタン、２．２．４
−トリメチルペンタン、２，３゜３−トリメチルペンタ
ン、２，３．４−トリメチルペンタン、イソナノン、等
のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水素と
しては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチレン
、１−ブテン、２−ブテン、１−ペンテン、２−ペンテ
ン、２−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ブテン
、２−メチル−２−ブテン、１−ヘキセン、テトラメチ
ルエチレン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン
、１−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、メチ
ルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジエン、
シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、オシ
メン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、等の
トリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイン、１
゜３−ペンタジイン、２．４−へキサジイン、メチルア
セチレン、１−ブチン、２−ブチン、１−ペンチン、１
−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１−ノニン
、１−デシン、等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シフミドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクタン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルピノレン、フエランドレン、シルベストレン、
ツエン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フ
エンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサボ
レン、シンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネン
セスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレ
ン、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカル
ブレン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が
用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメ
ン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン
、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチ
ルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビ
フェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェ
ニルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフ
タリン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、
等が用いられる。

さらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。

本発明におけるａ−ＣＮ中に含まれる水素原子の量はグ
ロー放電を用いるというその製造面から必然的に定まる
が、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね３０乃至
６０原子％含有される。ここで、炭素原子並びに水素原
子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えばＣＮＨ
分析を用いる事により知る事ができる。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を窩くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。

本発明における電荷輸送層としてのａ　　ＣＨ’Ａの膜
厚は、通常の電子写真プロセスで用いるためには、５乃
至５０μｍ１特に７乃至２０μｍが適当であり、５μｍ
より薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を
得る事ができない。また、５０μｍより厚いと、生産性
の面で好ましくない。

このａ−Ｃ膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に５μｍ以上として
もキャリアはトラップされる事無く輸送され明減衰に寄
与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ　−Ｃ膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最もｇｆ豪しいが、その
他にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等に
より生成きれるイオン状態を経て形成きれてもよいし、
真空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される
中性粒子から形成されてもよいし、さらには、これらの
組み合わせにより形成されてもよい。

本発明においては炭化水素の他に、ａ　−Ｃ膜中に少な
くとも酸素原子を添加するために酸素化合物が使用され
る。該酸素化合物における相状態は常温常圧において必
ずしも気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶
融、蒸発、昇華等を経て気化しうるちのであれば、液相
でも固相でも使用可能である。酸素化合物としては、例
えば、酸素、オゾン、水蒸気、−酸化炭素、二酸化炭素
、亜酸化炭素、等の無機化合物、水酸基（−ＯＨ）、ア
ルデヒド基（−ＣＯＨ）　、アシル基（ＲＣＯ−、−Ｃ
ＲＯ）　、ケトン基（＞Ｇｏ）、エーテル結合（−〇−
）、エステル結合（−ＣＯＯ−）、酸素を含む複素環、
等の官能基或は結合を有する有機化合物、等が用いられ
る。水酸基を有する有機化合物としては、例えば、メタ
ノール、エタノール、プロパツール、ブタノール、フリ
ルアルコール、フルオロエタノール、フルオロブタノー
ル、フェノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコ
ール、フルフリルアルコール、等が用いられる。アルデ
ヒド基を有する有機化合物としては、例えば、ホルムア
ルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオアルデヒド、ブ
チルアルデヒド、グリオキサール、アクロレイン、ベン
ズアルデヒド、フルフラール、等が用いられる。アシル
基を有する有機化合物としては、例えば、ギ酸、酢酸、
プロピオン酸、酪酸、吉草酸、パルミチン酸、ステアリ
ン酸、オレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、安
息香酸、トルイル酸、サリチル酸、ケイヒ酸、ナフトエ
酸、フタル酸、フラン酸、等が用いられる。ケトン基を
有する有機化合物としては、例えば、アセトン、エチル
メチルケトン、メチルプロピルケトン、ブチルメチルケ
トン、ビナコロン、ジエチルケトン、メチルビニルケト
ン、メシチルオキシド、メチルへブテノン、シクロブタ
ノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセトフ
ェノン、プロピオフェノン、ブチロフェノン、バレロフ
エノン、ジベンジルケトン、アセトナフトン、アセトチ
ェノン、アセトフロン、等が用いられる。エーテル結合
を有する有機化合物としては、例えば、メチルエーテル
、エチルエーテル、プロピルエーテル、ブチルエーテル
、アミルエーテル、エチルメチルエーテル、メチルプロ
ピルエーテル、メチルブチルエーテル、メチルアミルエ
ーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチルエーテ
ル、エチルアミルエーテル、ビニルエーテル、アリルエ
ーテル、メチルビニルエーテル、メチルアリルエーテル
、エチルビニルエーテル、エチルアリルエーテル、アニ
ソール、フエネトール、フェニルエーテル、ベンジルエ
ーテル、フェニルベンジルエーテル、ナフヂルエーテル
、酸化エチレン、酸化プロピレン、酸化トリメチレン、
テトラヒドロフラン、テトラヒドロビラン、ジオキサン
、等が用いられる。エステル結合を有する有機化合物と
しては、例えば、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピ
ル、ギ酸ブチル、ギ酸アミル、酢酸メチル、酢酸エチル
、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピオン
酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル
、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸アミル、酪酸メチ
ル、酪酸エチル、酪酸プロピル、酪酸ブチル、酪酸アミ
ル、吉草酸メチル、吉草酸エチル、吉草酸プロピル、吉
草酸ブチル、吉草酸アミル、安息香酸メチル、安忍香酸
エチル、ケイ皮酸メチル、ケイ皮酸エチル、ケイ皮酸プ
ロピル、サリチル酸メチル、サリチル酸エチル、サリチ
ル酸プロピル、サリチル酸ブチル、サリチル酸アミル、
アントラニル酸メチル、アントラニル酸エチル、アント
ラニル酸ブチル、アントラニル酸アミル、フタル酸メチ
ル、フタル酸エチル、フタル酸ブチル、等が用いられる
。酸素を含む複素環化合物としては、フラン、オキサゾ
ール、フラザン、ビラン、オキサジン、モルホリン、ベ
ンゾフラン、バンゾオキサゾール、クロメン、クロマン
、ジベンゾフラン、キサンチン、フェノキサジン、オギ
ンラン、ジオキソラン、オキサチオラン、オキサジアジ
ン、ベンゾイソオキサゾール、等が用いられる。

本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子の量は、全構成原子に対して７．０原子％以下である
。ここで酸素原子の膜中含有量は、元素分析の常法、例
えばオージェ分析により知る事ができる。酸素原子の量
が７．０原子％より高い場合には、少量の添加では好適
な輸送性を保証していたｒｍ毒原子が、逆に腺の低抵抗
化を招（作用を示し、帯電能の低下を来たす。また、酸
素源ガスの一部のもの、例えば、酸素ガス、オゾンガス
、−酸化炭素ガス等においては、エツチング効果が強く
現れ、その流量を増やす事により酸素原子の膜中への添
加量を増加させようとすると、成ＷＡ速度が低下し、あ
る程度の膜厚が必要とされる電荷輸送層の成膜において
は不都合となる。従って、本発明における酸素原子添加
量の範囲は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述
の酸素化合物の導入量を増減することにより制御するこ
とが可能である。酸素化合物の導入量を増大させれば、
本発明によるａ−Ｃ膜中への酸素原子の添加量を高くす
ることが可能であり、逆に酸素化合物の導入量を減少さ
せれば、本発明によるａ　−ＣＩ１５！中への酸素原子
の添加量を低くすることが可能である。

本発明においては炭化水素の他に、ａ　−Ｃ膜中に少な
くともアルカリ金属原子を添加するためにアルカリ金属
化合物が使用される。ここでアルカリ金属原子とは、リ
チウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子、ルビジウ
ム原子、及びセシウム原子を云う。該アルカリ金属化合
物ガスにおける相状態は常温常圧において必ずしも気相
で有る必要はなく、また、むしろ気相状態の化合物は少
ないため、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を
経て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用可
能である。アルカリ金属化合物としては、例えば、金属
アルコラード、金属アクリル酸、金属メタクリル酸、或
は、金属フタロシアニン等を用いる事ができる。

本発明において化学的修飾物質として含有されるアルカ
リ金属原子の量は、全構成原子に対して０．１乃至１０
原子％、好適には０．３乃至５原子％である。ここでア
ルカリ金属原子の膜中含有量は、元素分析の常法、例え
ばオージェ分析により知る事ができる。アルカリ金属原
子の量が０゜１原子％より低い場合には、必ずしも好適
な電荷輸送性が保証きれず、感度低下もしくは残留電位
の発生等を生じ易くなり、また、経時的感度安定性も保
証きれなくなる。アルカリ金属原子の量が１ｏ原子％よ
り高い場合には、適量の添加では好適な電荷輸送性と残
留電位発生防止を保証していたアルカリ金属原子が、逆
に、帯ｆｆｉ能の低下を招く。また、必ずしも成膜性が
保証されなくなり、膜の剥離、油状化もしくは粉体化を
招き易くなる。

従って、本発明におけるアルカリ金属原子の添加量範囲
は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有されるアルカ
リ金属原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室
への前述のアルカリ金属化合物の導入量を増減すること
により制御することが可能である。アルカリ金属化合物
の導入量を増大させれば、本発明によるａ−Ｃ膜中への
アルカリ金属原子の添加量を高くすることが可能であり
、逆にアルカリ金属化合物の導入量を減少させれば、本
発明によるａ−Ｃ膜中へのアルカリ金属原子の添加量を
低くすることが可能である。

本発明においては、ａ−Ｓｉ膜を形成するためにシラン
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。

本発明におけるａ−３ｉ膜中に含まれる水素原子或は弗
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね１０乃至３５原
子％含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばＯＮＨ分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。

本発明における電荷発生層としてのａ−３ｉ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで泪いるためには、０．１乃
至５μｍが適当であり、０．１μｍより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、５μｍより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このａ−Ｓｉｌ’ＪＬｔ電荷発生能に
富み、ざらに、本発明の最も特徴とするところのａ−Ｃ
ＩＪｉとの積層構成において効率よ＜ａ−ＣＦｉｃ中に
発生キャリアを注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事
が可能である。

本発明における原料気体からａ　　５ｉｖｃを形成する
過程は、ａ−Ｃ膜を形成する場合と同様にして行なわれ
る。

本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層のＶＪ層溝成は、必要に応じて３ａ宜遷
択することが可能である。

第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
Ｒｅ１ｉ送暦（２）と電荷発生層（３）を順次積層して
なる構成を示したものである。第２図は、別の一形態と
して、導電性基板（１）上に電荷発生層（３）と電荷輸
送層（２）を順次積層してなる構成を示したものである
。第３図は、別の一形態として、導電性基板（１）上に
、電荷輸送層（２）と電荷発生Ｎ（３）と電荷輸送層（
２）を順次８１屡してなる構成を示したものである。

感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第１図では
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送層（２）中
を導電性基板（１）に向は走行し、第２図では電荷発生
層（３）で発生した電子が電荷輸送層（２）中を感光体
表面に向は走行し、第３図では電荷光生Ｐｉ（３）で発
生した正孔が導電性基板側の電荷輸送層（２）中を導電
性基板（１）に向は走行すると共に、同時に電荷発生Ｆ
Ｊ（３）で発生した電子が表面側の電荷輸送層（２）中
を感光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証きれた
静電潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負￥
ｌ電した後、画像露光して使用する場合においては、電
子と正孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解
すればよい。第２図及び第３図では、画像露光用の照射
光が電荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による
電荷輸送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成
を行なうことが可能である。

第４図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と表面体ＫＷ！
　（４）を順次ｖＩ居してなる構成を示したものである
。即ち第１図の形態に表面保護層を設けた形態に相当す
るが、第１図の形態では、最表面が＃４湿性に乏しいａ
−５ｉ戻で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安
定性を確保するために表面保護層を設けることが好まし
い。第２図及び第３面の構成の場合、最表面が耐久性に
優れたａ　−（ｆｆｆｆであるため表面体Ｊ５を設けな
くてもよいが、例えば現ｖｉ肩の付着による感光体表面
の汚れを防止するような、複写機内の各種エレメントに
対する整合性を調整する目的から、表面保護層を設ける
こともさらなる一形態と成りうる。

第５図は、さらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第２
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第２図の
形態では、導電性基板との接合面がａ−Ｓｉ膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第１図及び第３図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に濠れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもさらなる
一形態と成りうる。

第６図は、さらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷輸送５（２）と電荷発生層（３）
と表面保護層（４）を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第１図の形態に中間層上表面保護層を設
けた形態に相当する。

中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第２図及び第３図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。

本発明において中間層と表面体Ａ（Ｉｆｌｒｐは、材料
的にも、製法的にも、特に限定を受けるものではなく所
定の目的が達せられるものであれば、適宜選択すること
が可能である。本発明によるａ−ＣＭλを用いてもよい
。但し、用いる材料が、例えば従来例で述べた如と絶縁
性材料である場合には、歿留電位発生の防止のため膜厚
ばＳμｍ以下に留める必要がある。

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電征を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により窮導し、基板上での再結合反
応により固相として堆８ｙきせる、所謂プラズマ重合反
応から生成される事が好ましい。

第７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
（７０１）〜（７０６）は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第１乃至第６タ
ンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７）
〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜（
７１８）に接続されている。図中（７１９）〜（７２１
）は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第１乃至第３容器で、各々の容器は気化のた
め第１乃至第３温調器（７２２）〜（７２４）により与
熱可能であり、ざらに各々の容器ば第７乃至第９調節弁
（７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流量制御器（７
２８）〜（７３０）に接続されている。これらのガスは
混合器（７３１）で混合された後、主管（７３２）を介
して反応室（７３３）に送り込まれる。途中の配管は、
常温において液相または固相状態にあった原料化合物が
気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置さ
れた配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされてい
る。反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極（
７３６）が対向して設置され、各々のＴｉ極は電極加熱
器（７３７）により与熱可能ときれている。電力印加電
極（７３６）には、１ｆＪ周波電力用整合器（７３８）
を介して高周波電源（７３９）、低周波電力用整合器（
７４０）を介して低周波電源（７４１）、ローパスフィ
ルタ（７４２）を介して直流電源（７４３）が接続され
ており、接続遷択スイッチ（７４４）により周波数の異
なる電力が印加可能とされている。反応室（７３３）内
の圧力は圧力制御弁（７４５）により調整可能であり、
反応室（７３３）内の減圧は、排気系選択弁（７４６）
を介して、拡散ポンプ（７４７）　、油回転ポンプ（７
４８）　、或は、冷却除外装置（７４９）　、メカニカ
ルブースターポンプ（７５０）　、油回転ポンプ（７４
８）により行なわれる。排ガスについては、ざらに適当
な除外装置（７５３）により安全無害化した後、大気中
に排気される。これら排気系配管についても、常温にお
いて液相または固相状態にあった原料化合物が気化した
ガスが、途中で凝結しないように、適宜配置きれた配管
加熱器（７３４）により、与熱可能とされている。反応
室（７３３）も同様の理由から反応室加熱器（７５１）
により与熱可能ときれ、内部に配された電極上に導電性
基板（７５２）が設置される。第７図において導電性基
板（７５２）は接地電極（７３５）に固定して配されて
いるが、電力中加電１ｆｌｃ７３６＞に固定して配され
てもよく、さらに双方に配されてもよい。

第８図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室（８３３）内部の形態以外は、第７図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、７００番台のものを８００＃台に置
き換えて解すればよい。第８図において、反応室（８３
３）内部には、第７図における接地電極（７３５）を兼
ねた円筒形の導電性基板（８５２）が設置され、内側に
は電極加熱器（８３７）が配きれている。導電性基板（
８５２”）周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極
（８３６）が配され、外側には電極加熱器（８３７）が
配されている。導電性基板（８５２）は、外部より駆動
モータ（８５４）を用いて自転可能となっている。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−４乃至１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸若したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配され
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如と感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第１乃至第６タンク及び第１乃至
第３容器から、原料ガスを適宜第１乃至第９流量制御器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力ＷＪ
節節回より反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量
が安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周
波電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する
。両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固
相の膜が形成される。ａ−Ｓｉ膜或はａ　　Ｃｖ。

は、原料ガスを代える事により任意に形成可能である。

放電を一旦停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放
電を可開すれば異なる組成の膜を積層する事ができる。

また、放電を持続させながら原料ガス流量だけを徐々に
代え、異なる組成の股を勾配を持たせながら積層する事
も可能である。

反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並びに積層構
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第１乃至第９：Ａ＠弁を閉じ、反応室
内を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られ
る場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明に
よる感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において
、電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場合
には、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空
を破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本
発明による感光体を得る。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

ス旅Δ１ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、′Ｉｒｉ荷輸送層、電荷発生層をこの順に
設けた本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装ｆｉ　（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高
真空にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，
７０８、及び７ｏ９）を解放し、第１タンク（７０１）
より水素ガス、第２タンク（７０２）よりブタジインガ
ス、及び第３タンク（７０３）より酸素ガスを各々出力
圧１．０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、第２、及び第３流量
制御器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させた
。

同時に、第２容器（７２０）よりカリウムメタクリレー
ト（Ｋ−ＭＡ）ガスを第２温調器（７２３）温度２６０
℃のもとで第８流量制御器（７２９）内へ流入させた。

各々の流量制御ＩＩ器の百盛を調整して、水素ガスの流
量を１２０ｓｅｃｍ、ブタジインガスの流量を５０ｓｅ
ｃｍ、酸素ガスの流量を６ｓｅｃｍ、及びカリウムメタ
クリレートガスの流量を５ｓｅｃｍとなるように設定し
て、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）よ
り反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定し
た後に、反応室（７３３）内の圧力が２．２Ｔｏｒｒと
なるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、導
電性基板（７５２）としては、Ｎ５０×横５０Ｘ厚３ｍ
ｍのアルミニウム基板を用いて、予め２３０℃に加熱し
ておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続
選択スイッチ（７４４）により接続しておいた低周波電
源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）に１７
０Ｗａｔｔの電力を周波数８００ＫＨｚの下で印加して
約１時間３０分プラズマ重合反応を行ない、導電性基板
（７５２）上に厚さ１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層と
して形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節
弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ１ｌｉにつき有機元素
分析行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４１原子％であった。また
、オージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち
、カリウム原子の量は全構成原子に対して０．９原子％
であった。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対
して１．８原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２Ｆ１節弁（７０８）、及び第６調節弁（７１２）を
解放し、第４タンク（７０１）から水素ガス、第２タン
ク（７０２）から四弗化シランガス、及び第６タンク（
７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ａｍ２の下
で第１、第２、及び第６流量制御！（７１３，７１４、
及び７１８）内へ流入きせた。各流量制御器のｌ盛を調
整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、四弗化シラン
ガスの流量を２５ｓｅｃｍ、及びシランガスの流量を７
５ｓｅｃｍに設定し、反応室（７３３）内に流入させた
。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧
力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）
を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基
板（７５２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及
び圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９）より周
波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加ｆｆｉ！（７３６
）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生さ
せた。この放電を５分間行ない、厚さ０．３μｍの電荷
発生層を得た。

得られたａ−５ｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）及びオージェ分析を行なっ
たところ、含有される水素原子は全構成原子に対して１
８原子％、並びに、含有される弗素原子は全構成原子に
対して２原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一７１０Ｖ（＋８６０Ｖ）で有り、即ち、全
感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当りの
帯電能は４７Ｖ／μｍ（５６Ｖ／μｍ）と極めて高く、
このことから充分な帯電性能を有する事が理解された。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１８秒（約２５
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯１ｆｆｉ位の２０％の表面電位
にまで明減衰させたところ必要とされた光量は２．．９
ルツクス・秒（３，６ルツクス・秒）であり、このこと
から充分な光感度性能を有する事が理解きれた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

ス施然旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第４図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０”６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、及び第３ＷＪ節弁（７０７、及び
７０９）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス
、及び第３タンク（７０３）より酸素ガスを各々出力圧
１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第３流量制譚器（
７１３、及び７１５）内へ流入きせた。同時に、第１容
器（７１９）よりスチレンガスを第１温調器（７２２）
温度４０℃のもとで第７流量制御器（７２８）内へ、並
びに、第２容器（７２０）よりリチウムターシャリ−ブ
チラードガスを第２温調器（７２３）温度１７０℃のも
とで第８流量制御器（７２９）内へ流入させた。各々の
流量′ＭｔＭＩ器の百盛を調整して、水素ガスの流量を
７０　ｓ　ｅ　ｃ　ｍ　ｓスチレンガスの流量を４０ｓ
ｅｃｍｓ酸素ガスの流量を１０１０５ｅ、、及びリチウ
ムターシャソーブチラードガスの流量を８ｓｅｃｍとな
るように設定して、途中混合器（７３１）を介して、主
管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々
の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が２
゜２Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整
した。一方、導電性基板（７５２）としては、！５０Ｘ
横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め９
０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、予め接Ｒ選択スイッチ（７４４）により接続してお
いた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７
３６）に１５０Ｗａｔｔの電力を周波数１２０ＫＨｚの
下で印加して約４５分間プラズマ重合反応を行ない、導
電性基板（７５２）上に厚さ１５μｍのａ　−Ｃ膜を電
荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停
止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気
した。

以上のようにして得られたａ−ＣＭ’Ａにつぎ有機元素
分析行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総旦に対して４７原子％であった。また
、オージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち
、リチウム原子の量は全構成原子に対して１．７原子％
であった。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対
して２．１原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０
１）から水素ガス、及び第６タンク（７０６）からシラ
ンガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第６
流星制御器（７１３、及び７１８）内へ流入させた。各
流量制御ＪＪＪ器の目盛を調整して水素ガスの流量を２
００ｓｅｃｍ。

及びシランガスの流量を１０１００５ｅに設定し、反応
室（７３３）内に流入させた。各々の流量が安定した後
に、反応室（７３３）内の圧力が０゜８Ｔｏｒｒとなる
ように圧力調節弁（７４５）をＦＪＪｖシた。一方、ａ
−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）は、２５
０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚ
の下で電力印加電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの電力を
印加し、グロー放電を発生させた。この放電を５分間行
ない、厚さ０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）及びオージェ分析を行なフ
たところ、含有される水素原子は全構成原子に対して２
０原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一４７０Ｖ　（＋６６０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３１Ｖ／μｍ（４３Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約９秒（約１７秒
）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事
が理Ｍされた。また、最高帯電電位に初期帯電した後、
白色光を用いて最高帯Ｔｉ電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は１．３ルツク
ス・秒（１゜８ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

去塵倒旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装！（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，
７０８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）
より水素ガス、第２タンク（７０２）よりエチレンガス
、及び第３タンク（７０３）より酸素ガスを各々出力圧
１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第３流量制
御器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させた。

同時に、第２容器（７２０）よりカリウムメタクリレー
ト（Ｋ−ＭＡ）ガスを第２温調器（７２３）温度２７０
℃のもとで第８流量制御器（７２９）内へ流入させた。

各々の流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を
７０ｓｅｃｍｓエチレンガスの流量を７０ｓｅｃｍ、酸
素ガスの流量を４３ＣＣｍ％及びカリウムメタクリレー
トガスの流量を８ｓｅｃｍとなるように設定して、途中
ｄ金品（７３１）を介して、主管（７３２）より反応室
（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定した後に、
反応室（７３３）内の圧力が２．２Ｔ。

ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、導電性基板（７５２）としては、樅５ＯＸ構５０Ｘ
厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２３０℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた高
周波電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）
に２２０Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６ＭＨｚの下
で印加して約３時間プラズマ重合反応を行ない、導電性
基板（７５２）上に厚さ１５μｍのａ　−Ｃ膜を電荷輸
送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し
、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した
。

以上のようにして得られたａ　−（ＪＩにつき有機元素
分析性なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４３原子％であった。また
、オージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち
、カリ６ム原子の量は全構成原子に対して０．６原子％
であった。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対
して１．１原子％であった。

′Ｈ１荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７Ｑ７）、
第２調節弁（７０８）、及び第５４１節弁（７１２）を
解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タン
ク（７０２）から四弗化シランガス、及び第６タンク（
７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下
で第１、第２、及び第６流量制御器（７１３，７１４、
及び７１８）内へ流入させた。各流量制御器の巨盛ξ調
整して水素ガスの流量を２００ｓｃａｍ、四弗化シラン
ガスの流量を７５ｓｃｃｍ、及びシランガスの流量を２
５ｓｅｃｍに設定し、反応室（７３３）内に流入きせた
。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧
力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）
をＦｌ整した。一方、ａ　−Ｃ膜が形成されている導電
性基板（７５２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス流
量及び圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９）よ
り周波数１３．５６ＭＨ２の下で電力印加電極（７３６
）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生さ
せた。この放電を５分間行ない、厚さ０．３μｍの電荷
発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉｌｌ！ｉＳにつき、金属中○ＮＨ分析
（板場製作所製ＥＭＧＡ−１３００）及びオージェ分析
を行なったところ、含有きれる水素原子は全構成原子に
対して１３原子％、並びに、含有される弗素原子は全構
成原子に対して７原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一６１０Ｖ（＋７２０Ｖ）で有り、即ち、全
感光体膜厚が１５゜３μｍであることからＩＬｌｍ当り
の帯電能は４０Ｖ／μｍ（４７Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１１秒（約１５
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、Ｑ高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は１．８ルツク
ス・秒（２，４ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理Ｒ１ｉきれ
る。また、この感光体に対して常用のカールソンプロセ
スの中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得ら
れた。

Ｘ塵然丘 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−’Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，
７０８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）
より水素ガス、第２タンク（７０２）よりブタジェンガ
ス、及び第３タンク（７０３）より酸素ガスを各々出力
圧１．０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、第２、及び第３流量
制御器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させた
。

同時に、第２容器（７２０）よりリチウムターシャリ−
ブチラードガスを第２温調器（７２３）温度１７０℃の
もとて第８流量制運器（７２９）内へ流入させた。各々
の流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を７０
ｓｅｃｍ、ブタジェンガスの流量を７０ｓｃｃｍＳ酸素
ガスの流量を４ｓｃＣｍｓ及びリチウムターシャリ−ブ
チラードガスの流量を８ｓｅｃｍとなるように設定して
、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）より
反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定した
後に、反応室（７３３）内の圧力が２．２Ｔｏｒｒとな
るように圧力ｍＷＪ弁（７４５）を調整した。一方、導
電性基板（７５２）としては、樅５０Ｘ横５０Ｘ厚３ｍ
ｍのアルミニウム基板を用いて、予め１５０℃に加熱し
ておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続
選択スイッチ（７４４）により接続しておいた低周波電
源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）に１５
０Ｗａｔｔの電力を周波数６００ＫＨｚの下で印加して
約４５分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基板（７
５２）上に厚ざ１５μｍのａ　−Ｃ膜を電荷輸送層とし
て形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁
を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につぎ有機元素分
析性なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して５３原子％であった。また、
オージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、
リチウム原子の量は全構成原子に対して１．７原子％で
あった。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対し
て０．８原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
及び第２調筋弁（７０８）を解放し、第１タンク（７０
１）から水素ガス、第２タンク（７０２）から四弗化シ
ランガスを、出力圧ＩＫｇ／ａｍ２の下で第１、及び第
２流量制御器（７１３、及び７１８）内へ流入させた。

各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を２００
ｓｅｃｍ１及び四弗化シランガスの流量を１０１００５
ｅに設定し、反応室（７３３）内に流入させた。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力ＦＪＪＷＪ弁（７４
５）を調整した。一方、ａ　−Ｃ膜が形成されている導
電性基板（７５２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス
流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９）
より周波数１３．５６ＭＨ２の下で電力印加電極（７３
６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生
させた。この放電を５分間行ない、厚さ０．３μｍの電
荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｔ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）及びオージェ分析を行なっ
たところ、含有される水素原子は全構成原子に対して１
ｏ原子％、並びに、含有される弗素原子は全構成原子に
対して１０原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一６７０Ｖ　（＋７８０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は４４■／μｍ（５１Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時伺は約１０秒（約１４
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は２．０ルツク
ス・秒（２，５ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

衷塵■旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７ｏ７．７０
８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）より
水素ガス、第２タンク（７０２）よりアセチレンガス、
及び第３タンク（７０３）より二酸化炭素ガスを各々出
力圧１゜０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、第２、及び第３流
量制御器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させ
た。同時に、第２容器（７２０）よりリチウムターシャ
リ−ブチラードガスを第２温調器（７２３）温度２７０
℃のもとて第８流量制（用益（７２９）内へ流入させた
。各々の流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量
を２００　ｓ　ｃ　Ｃｍ、アセチレンガスの流量を５０
ｓｅｃｍ、二酸化炭素ガスの流量を１０１０５ｅ、及び
リチウムターシャリ−ブチラードガスの流量を１８ｓｅ
ｃｍとなるように設定して、途中混合器（７３１）を介
して、主’ｆｆ（７３２）より反応室（７３３）内へ流
入した。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）
内の圧力が２．５Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７
４５）を調整した。一方、導電性基板（７５２）として
は、樅５０×横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用
いて、予め２２０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力
が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（７４，４）
により接続しておいた高周波電源（７３９）を投入し、
電力中加電１１（７３６）に２２０Ｗａｔｔの電力を周
波数１３．５６ＭＨｚの下で印加して約２時間１５分プ
ラズマ重合反応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚
ざ１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成
膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室
（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
性なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子と
水素原子の総量に対して３３原子％であった。また、オ
ージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、リ
チウム原子の量は全構成原子に対して３．４原子％であ
った。また、酸素原子の含有量は、全構成原子に対して
０．９原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、及び第６調節弁（７１２）を解
放し、第１タンク（７０１）からヘリウムガス、第２タ
ンク（７０２）から四弗化シランガス、及び第６タンク
（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ａｍ２の
下で第１、第２、及び第６流量制御器（７１３，７１４
、及び７１８）内へ流入させた。各流量制御器の目盛を
調整してヘリウムガスの流量を１５０ｓｃｃｍｑ四弗化
シランガスの流量を５０ｓｃｃｍ、及びシランガスの流
量を５０８ＣＣｍに設定し、反応室（７３３）内に流入
させた。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）
内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７
４５）を調整した。

一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）
は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５
６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に３５Ｗａｔｔ
の電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を
５分間行ない、厚さ０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につぎ、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）及びオージェ分析を行なっ
たところ、含有される水素原子は全構成原子に対して１
５原子％、並びに、含有きれる弗素原子は全構成原子に
対して５原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、Ｅｔ
ａ帯電電位は一６１０Ｖ　（＋７２０Ｖ）で有り、即ち
、全感光体膜厚が１５゜３μｍであることからＩＬｔｍ
当りの帯電能は４０■／μｍ（４７Ｖ／μｍ）と極めて
高く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解さ
れた。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１２秒（約１５
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰きせたとこる必要とされた光量は１．フルック
ス・秒（２，１ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理Ｍされる。

また、こ°の感光体に対して宮用のカールソンプロセス
の中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られ
た。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明感光体の構成を示す図面、第
７図乃至第８図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第１図 第３図 第５図 第Ｚ　図 第４図 第６図 手続補正書 昭和６２年１０月２１日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
   おいて、該電荷輸送層は少なくとも酸素原子とアルカリ
   金属原子とを含有してなる水素化アモルファスカーボン
   膜であり、かつ、該電荷発生層は水素化或は弗素化アモ
   ルファスシリコン膜であることを特徴とする感光体。