JPS6384141A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体装置の製造方法、特に、ウェハーの裏面
研削から金属膜蒸着に至る工程の改善に関する。

従来の技術 第２図の工程フローチャートを参照しながら従来の技術
を説明する。素子の形成、配線、保護膜の成長などの表
面加工を終了したウェハーの表面に、有機物層、たとえ
ば、レジスト層を塗布して、ウェハー表面の微小な凹凸
を埋めて平坦化したのち、裏面研削を行うことがある。

この時に、有機物層はウェハー表面を保護するためのも
のである。なお、この有機物層の表面に、さらにシート
を貼付する場合もある。次に、表面研削手段、たとえば
、グラインダで裏面を研削してウェハーの厚さを望む値
にする。次に、シートを用いた場合にはシートを剥離し
たのち、ウェハー表面から有機物層も除去する。有機物
層がレジストである場合にはアセトンあるいは発煙硝酸
などの渠品を用いる。続いて研削面に成長した薄い酸化
膜を除去する。これはウェハーと、後で蒸着する金属膜
とのオーミックコンタクトを確実にするためである。ウ
ェハーがシリコンの場合にはたとえばフッ化水素酸を１
〜５％含む緩衝液を用いる。次に研削面に金やアルミニ
ウムなどの金属膜を蒸着する。これはプローブ検査時あ
るいは組立後、ウェハーあるいはチップ裏面からの電位
供給を確実にするためである。

発明が解決しようとする問題点 以上述へた従来技術では酸化膜除去の工程において、研
削面の酸化膜のみならず、ウェハー表面のリンガラスな
どの保１１１Ｉやアルミニウム電極が一部エッチングさ
れ、信頼性上の大きな問題となる。

問題点を解決するための手段 このような問題を解決するために、本発明は、ウェハー
表面の有機物層を残した状態で研削面の酸化膜を除去し
、研削面に金属膜を蒸着した後、ウェハー表面の有機物
層を除去する工程をそなえたものである。

作用 本発明によれば、研削面の酸化膜除去の際にウェハー表
面が有機物層で覆われているので保護膜やアルミニウム
電極が酸化膜除去液でエツチングされることがない。

実施例 第１図を参照しながら本発明の詳細な説明する。表面加
工の終了したウェハーに、有機物層として、レジストを
塗布し、１００〜１５０℃で杓１分間ベーキングを行な
う。レジスト層の厚さはベーキング後１〜３μｍでよい
。次（こ必要に応じて、シートを貼付した後、サーフェ
スグラインダーで裏面を研削し、ウェハーを所定の厚さ
にする。研削が終われば、シートを用いた場合にはシー
トを剥離した後、ウェハー表面側にレジスト層を残した
状態で研削面の酸化膜除去、すなわち、研削面の清浄化
処理を行なう。ウェハーがシリコンの場合には、従来同
様、たとえば、フッ化水素酸を１〜５％含む緩衝液を用
いれば５〜１０秒で研削面の酸化膜は完全に除去される
。この際、ウェハー表面はレジストによって保護されて
いるのでウェハー表面の保護膜やアルミニウム電極はま
ったくエツチングされない。続いて研削面に、金、アル
ミニウムなど、所望の金属膜を蒸着する。次にウェハー
をアセトン中で超音波処理を行なって表面に残っている
レジストを除去する。

発明の効果 本発明の半導体装置の製造方法によれば、ウェハーの研
削面の清浄化処理としての酸化膜を除去する際に、ウェ
ハー表面の保護膜やアルミニウム電極がエツチングされ
ることかまった（なく、高信頼性の半導体装置の製造が
可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例の半導体装置の製造方法を示す工
程フローチャート、第２図は従来技術の製造方法を示す
工程フローチャートである。 代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　ほか１名第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基板表面側に所定の要素部を形成したのち、同基板の
   裏面側を研削加工し、同裏面に金属膜を形成するに際し
   、前記基板の表裏全面を有機物層で被覆する工程、前記
   基板の裏面側を、同基板の表面側に前記有機物層を残存
   のまま、研削する工程、前記基板裏面側の研削面を清浄
   処理したのち、同研削面に金属膜を被着形成する工程お
   よび前記基板表面に残存の前記有機物層を除去する工程
   を、この記載順に実施することを特徴とする半導体装置
   の製造方法。