JPS6384183A - エキシマ−レ−ザガスの再生装置 - Google Patents
エキシマ−レ−ザガスの再生装置Info
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- JPS6384183A JPS6384183A JP23048986A JP23048986A JPS6384183A JP S6384183 A JPS6384183 A JP S6384183A JP 23048986 A JP23048986 A JP 23048986A JP 23048986 A JP23048986 A JP 23048986A JP S6384183 A JPS6384183 A JP S6384183A
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- excimer laser
- laser gas
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
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- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、例えばXeClエキシマ−レーザ装置のエキ
シマ−レーザガスを、レーザ出力が低下しないように再
生するためのエキシマ−レーザガスの再生装置に関する
ものである。
シマ−レーザガスを、レーザ出力が低下しないように再
生するためのエキシマ−レーザガスの再生装置に関する
ものである。
〈従来の技術〉
エキシマ−は、励起状態では安定であって基底状態にお
いては不安定な分子であり、このエキシマ−を用いたエ
キシマ−レーザ装置は、成る波長幅にわたって連続光を
レーザ発振し、特に、キセノン、アルゴンまたはクリプ
トン等の希ガス分子を用いた希ガスハライドエキシマ−
レーザ装置は、紫外波長域における高出力レーザとして
光化学分野或いは半導体等の産業部門において近年大き
な注目を集めており、とりわけ、希ガスとしてのキセノ
ン(Xe)とハロゲンガスとしての塩素(cl)とを組
合わせたXeClエキシマ−レーザ装置は、高効率の発
振が可能でレーザ媒質の取り扱いが比較的容易であるこ
とから、最も信頼性の高いエキシマ−レーザ装置として
有力視されている。
いては不安定な分子であり、このエキシマ−を用いたエ
キシマ−レーザ装置は、成る波長幅にわたって連続光を
レーザ発振し、特に、キセノン、アルゴンまたはクリプ
トン等の希ガス分子を用いた希ガスハライドエキシマ−
レーザ装置は、紫外波長域における高出力レーザとして
光化学分野或いは半導体等の産業部門において近年大き
な注目を集めており、とりわけ、希ガスとしてのキセノ
ン(Xe)とハロゲンガスとしての塩素(cl)とを組
合わせたXeClエキシマ−レーザ装置は、高効率の発
振が可能でレーザ媒質の取り扱いが比較的容易であるこ
とから、最も信頼性の高いエキシマ−レーザ装置として
有力視されている。
ところが、このエキシマ−レーザ装置に用いられるエキ
シマ−レーザガスは、希ガスに若干のハロゲンガスが含
有されているため、このハロゲンガスがレーザ装置にお
けるレーザ発振管部の内装部材と反応して不純物ガスを
発生し、この不純物ガス量が増大すると、それに伴って
レーザ出力が低下していき、やがて発振不能となる。例
えば前述のXeClエキシマ−レーザ装置の場合には、
塩酸ガス(HCl)から発生する塩素ガス(CZZ)が
レーザ発振に悪影響を及ぼす。
シマ−レーザガスは、希ガスに若干のハロゲンガスが含
有されているため、このハロゲンガスがレーザ装置にお
けるレーザ発振管部の内装部材と反応して不純物ガスを
発生し、この不純物ガス量が増大すると、それに伴って
レーザ出力が低下していき、やがて発振不能となる。例
えば前述のXeClエキシマ−レーザ装置の場合には、
塩酸ガス(HCl)から発生する塩素ガス(CZZ)が
レーザ発振に悪影響を及ぼす。
従って、エキシマ−レーザ装置を長期間にわたり連続的
に使用する場合にもレーザ出力が低下しないようにする
ためには、エキシマ−レーザガスの再生を行なう必要が
あり、第4図に示すようなエキシマ−レーザガス再生装
置が用いられている。
に使用する場合にもレーザ出力が低下しないようにする
ためには、エキシマ−レーザガスの再生を行なう必要が
あり、第4図に示すようなエキシマ−レーザガス再生装
置が用いられている。
即ち、このエキシマ−レーザガス再生装置は、レーザ発
振部1にこのレーザ発振部1を介してエキシマ−レーザ
ガスの循環路を形成するガス還流路2を設けるとともに
、このガス還流路2に、ガス流動方向に沿ってダストフ
ィルタ3.循環ポンプ4および低温トラップ部5を順次
配設した構成になっている。そして、循環ポンプ4の駆
動によりレーザ発振部1からガス還流路2に導入したエ
キシマ−レーザガスがダストフィルタ3を通過すること
により、放電のスパッタリング等によって生じる微粒子
が除去され、さらに低温トラップ部5を通過することに
よって不純物ガスが除去され、その後にレーザガスは再
びレーザ発振部1に戻される。
振部1にこのレーザ発振部1を介してエキシマ−レーザ
ガスの循環路を形成するガス還流路2を設けるとともに
、このガス還流路2に、ガス流動方向に沿ってダストフ
ィルタ3.循環ポンプ4および低温トラップ部5を順次
配設した構成になっている。そして、循環ポンプ4の駆
動によりレーザ発振部1からガス還流路2に導入したエ
キシマ−レーザガスがダストフィルタ3を通過すること
により、放電のスパッタリング等によって生じる微粒子
が除去され、さらに低温トラップ部5を通過することに
よって不純物ガスが除去され、その後にレーザガスは再
びレーザ発振部1に戻される。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ところで、前述の低温トラップ部5は、キセノン等の希
ガスや塩酸ガス等のハロゲンガスと云った本来のレーザ
ガスに対してはこれをトラップせず、且つ塩素ガス等の
不純物ガスのみをトラップするように適当なトラップ温
度に保たれている。
ガスや塩酸ガス等のハロゲンガスと云った本来のレーザ
ガスに対してはこれをトラップせず、且つ塩素ガス等の
不純物ガスのみをトラップするように適当なトラップ温
度に保たれている。
ところが、例えばXeC1エキシマ−レーザ装置の場合
、放電励起時に塩酸ガスが化学反応により塩素ガスに変
化しており、この塩素ガスが不純物ガスとして低温トラ
ップ部5にトラップされてしまう。このために、レーザ
活性ガスである塩酸ガスが長期間にわたって徐々に減少
していき、それに伴ってレーザ出力も低下していく。従
って、定期的に塩酸ガスを補充してレーザ出力の回復を
図る必要があるが、この塩酸ガスの補充量は、装置や使
用方法に応じて異なるために一概に決定することができ
ない。そのため、塩酸ガスの補充に際しては非常に煩雑
な操作を必要とする。
、放電励起時に塩酸ガスが化学反応により塩素ガスに変
化しており、この塩素ガスが不純物ガスとして低温トラ
ップ部5にトラップされてしまう。このために、レーザ
活性ガスである塩酸ガスが長期間にわたって徐々に減少
していき、それに伴ってレーザ出力も低下していく。従
って、定期的に塩酸ガスを補充してレーザ出力の回復を
図る必要があるが、この塩酸ガスの補充量は、装置や使
用方法に応じて異なるために一概に決定することができ
ない。そのため、塩酸ガスの補充に際しては非常に煩雑
な操作を必要とする。
〈発明の目的〉
本発明は、このような従来の問題点に鑑みなされたもの
で、塩酸ガス等の補充を何ら必要とせず、長期間にわた
ってレーザ出力を高出力に維持することのできるエキシ
マ−レーザガス再生装置の提供を目的とするものである
。
で、塩酸ガス等の補充を何ら必要とせず、長期間にわた
ってレーザ出力を高出力に維持することのできるエキシ
マ−レーザガス再生装置の提供を目的とするものである
。
く問題点を解決するための手段〉
本発明のエキシマ−レーザガス再生装置は、前記目的を
達成するために、循環ポンプによりレーザ発振部から導
入したエキシマ−レーザガスを、ダストフィルタを通す
ことによって微粒子を除去し、さらに低温トラップ部に
よって不純物ガスを除去した後に再び前記レーザ発振部
に戻すレーザガス還流系を備えたエキシマ−レーザガス
の再生装置において、前記レーザガス還流系に、紫外光
照射部を前記ダストフィルタと低温トラップ部との間に
介在して設け、この紫外光照射部を、楕円筒反射鏡と、
これの内部の各焦点位置にそれぞれ配置したレーザガス
の通過するガス通過パイプおよび紫外光発生ランプとに
より構成したことを特徴としている。
達成するために、循環ポンプによりレーザ発振部から導
入したエキシマ−レーザガスを、ダストフィルタを通す
ことによって微粒子を除去し、さらに低温トラップ部に
よって不純物ガスを除去した後に再び前記レーザ発振部
に戻すレーザガス還流系を備えたエキシマ−レーザガス
の再生装置において、前記レーザガス還流系に、紫外光
照射部を前記ダストフィルタと低温トラップ部との間に
介在して設け、この紫外光照射部を、楕円筒反射鏡と、
これの内部の各焦点位置にそれぞれ配置したレーザガス
の通過するガス通過パイプおよび紫外光発生ランプとに
より構成したことを特徴としている。
〈作用〉
循環ポンプの駆動によりレーザ発振部からレーザガス還
流系に導入されたエキシマ−レーザガスは、ダストフィ
ルタを通過することにより微粒子が除去され、次に紫外
光照射部において紫外光を照射されることにより、不純
物ガスである塩素ガスが化学反応を起こしてレーザ活性
ガスである塩酸ガスに還元され、その後に低温トラップ
部で不純物ガスが除去され、再びレーザ発振部に戻され
る。このエキシマ−レーザガスの循環過程において、紫
外光の照射によって不純物ガスである塩素ガスがレーザ
活性ガスである塩酸ガスに還元されるため、この後段工
程においてトラップされる不純物ガスが減少し、結果と
してレーザ活性ガスが殆んど減少しないためにエキシマ
−レーザガスの寿命がのび、長期間にわたって高いレー
ザ出力を維持することができる。
流系に導入されたエキシマ−レーザガスは、ダストフィ
ルタを通過することにより微粒子が除去され、次に紫外
光照射部において紫外光を照射されることにより、不純
物ガスである塩素ガスが化学反応を起こしてレーザ活性
ガスである塩酸ガスに還元され、その後に低温トラップ
部で不純物ガスが除去され、再びレーザ発振部に戻され
る。このエキシマ−レーザガスの循環過程において、紫
外光の照射によって不純物ガスである塩素ガスがレーザ
活性ガスである塩酸ガスに還元されるため、この後段工
程においてトラップされる不純物ガスが減少し、結果と
してレーザ活性ガスが殆んど減少しないためにエキシマ
−レーザガスの寿命がのび、長期間にわたって高いレー
ザ出力を維持することができる。
〈実施例〉
以下、本発明の好適な実施例を図面に基いて詳細に説明
する。
する。
一実施例を示した第1図において、第4図と同−若しく
は同等のものには同一の符号を付してあり、ガス還流路
2における循環ポンプ4と低温トラップ部5との間に紫
外光照射部6を介設した構成において第4図のものと相
違する。
は同等のものには同一の符号を付してあり、ガス還流路
2における循環ポンプ4と低温トラップ部5との間に紫
外光照射部6を介設した構成において第4図のものと相
違する。
そして、前記紫外光照射部6は第2図に示すような構成
になっている。即ち、楕円筒反射鏡6aの内部に、エキ
シマ−レーザガスを通すガス通過バイブロbと紫外光発
生ランプ6cとが、楕円筒反射鏡6aの各焦点位置にそ
れぞれ合致させて配置され、ガス通過バイブロbは、紫
外光を透過させる材質の素材、例えば石英等により形成
されている。電源6dから電力供給されて紫外光発生ラ
ンプ6cから放射される紫外光が、楕円筒反射鏡6aで
反射されて他の焦点位置に配置されたガス通過バイブロ
bに集光されるようになっている。
になっている。即ち、楕円筒反射鏡6aの内部に、エキ
シマ−レーザガスを通すガス通過バイブロbと紫外光発
生ランプ6cとが、楕円筒反射鏡6aの各焦点位置にそ
れぞれ合致させて配置され、ガス通過バイブロbは、紫
外光を透過させる材質の素材、例えば石英等により形成
されている。電源6dから電力供給されて紫外光発生ラ
ンプ6cから放射される紫外光が、楕円筒反射鏡6aで
反射されて他の焦点位置に配置されたガス通過バイブロ
bに集光されるようになっている。
次に、前記実施例の作用を第3図を参照しながら説明す
ると、循環ポンプ4の駆動によりレーザ発振部1からガ
ス還流路2に導入されたエキシマ−レーザガスが、ダス
トフィルタ3を通過することにより、放電のスパッタリ
ング等によって生じた微粒子が除去される。
ると、循環ポンプ4の駆動によりレーザ発振部1からガ
ス還流路2に導入されたエキシマ−レーザガスが、ダス
トフィルタ3を通過することにより、放電のスパッタリ
ング等によって生じた微粒子が除去される。
次に、紫外光照射部6において、紫外光発生ランプ6C
から放射された紫外光が、前述のように楕円筒反射鏡6
aで反射してこれの焦点位置に配置されているガス通過
バイブロbに集光し、このガス通過バイブロ内を流動す
るエキシマ−レーザガス中の塩素ガスが、紫外光の照射
により励起されて後述のような光化学反応を起こし、塩
酸ガスに還元される。この光化学反応について詳述する
と、塩素ガスは、紫外光が照射されることによって塩素
原子に分離される。これを化学式で表わすC12z
CIt + CItとなる。この塩素原子は、
レーザ発振部1において塩酸ガスが塩素ガスと水素ガス
とに分解した時に発生する水素ガスと反応を起こし、塩
酸ガスと水素原子が発生する。これを化学式で表わすと
、H2+(1!−一→HCl1+H となる。この水素原子が塩素ガスと反応を起こし、塩酸
ガスと塩素原子が発生する。これを化学式で表わすと、 H+ CIt 2− HCIt + C1となる。この
ようにしてエキシマ−レーザガス中の塩素ガスが塩酸ガ
スに還元される。
から放射された紫外光が、前述のように楕円筒反射鏡6
aで反射してこれの焦点位置に配置されているガス通過
バイブロbに集光し、このガス通過バイブロ内を流動す
るエキシマ−レーザガス中の塩素ガスが、紫外光の照射
により励起されて後述のような光化学反応を起こし、塩
酸ガスに還元される。この光化学反応について詳述する
と、塩素ガスは、紫外光が照射されることによって塩素
原子に分離される。これを化学式で表わすC12z
CIt + CItとなる。この塩素原子は、
レーザ発振部1において塩酸ガスが塩素ガスと水素ガス
とに分解した時に発生する水素ガスと反応を起こし、塩
酸ガスと水素原子が発生する。これを化学式で表わすと
、H2+(1!−一→HCl1+H となる。この水素原子が塩素ガスと反応を起こし、塩酸
ガスと塩素原子が発生する。これを化学式で表わすと、 H+ CIt 2− HCIt + C1となる。この
ようにしてエキシマ−レーザガス中の塩素ガスが塩酸ガ
スに還元される。
今、XeClエキシマ−レーザガスを例に説明すると、
第3図において、矢印はガス通過バイブロbに照射され
る紫外光を示し、エキシマ−レーザガスは図における左
側から右側に流動する。紫外線を照射する前のエキシマ
−レーザガスは、キセノン(Xe)、塩酸ガス(HCI
)、ヘリウムガス(He)および塩素ガスCC1z)を
含有しており、この不純物ガスを含んだエキシマ−レー
ザガス中の塩素ガスは、紫外光の照射によって前述の化
学式のような反応を起こして塩酸ガスに還元されるから
、紫外光照射後のエキシマ−レーザガスは、キセノンガ
ス(Xe)、塩酸ガス(Hcl)およびヘリウムガス(
He)を含んだものとなる。
第3図において、矢印はガス通過バイブロbに照射され
る紫外光を示し、エキシマ−レーザガスは図における左
側から右側に流動する。紫外線を照射する前のエキシマ
−レーザガスは、キセノン(Xe)、塩酸ガス(HCI
)、ヘリウムガス(He)および塩素ガスCC1z)を
含有しており、この不純物ガスを含んだエキシマ−レー
ザガス中の塩素ガスは、紫外光の照射によって前述の化
学式のような反応を起こして塩酸ガスに還元されるから
、紫外光照射後のエキシマ−レーザガスは、キセノンガ
ス(Xe)、塩酸ガス(Hcl)およびヘリウムガス(
He)を含んだものとなる。
従って、後段の低温トラップ部5においてトラップされ
る塩素ガスが大幅に減少するため、トリップによるレー
ザガス媒質自体の減少は、従来再生装置に比較して格段
に少量となり、レーザガスの寿命が大幅にのびることに
より、レーザ出力を長期間にわたって高出力に維持する
ことができる。
る塩素ガスが大幅に減少するため、トリップによるレー
ザガス媒質自体の減少は、従来再生装置に比較して格段
に少量となり、レーザガスの寿命が大幅にのびることに
より、レーザ出力を長期間にわたって高出力に維持する
ことができる。
尚、低温トラップ部5により除去される不純物ガスとし
ては、塩素ガス以外にも存在し、例えばCC7!4等に
起因する塩酸ガスの減少については阻止できないが、不
純物ガスの大半は塩素ガスであり、しかも、塩素ガスは
、その光吸収ピークがXeClエキシマ−レーザの発振
波長である308龍に一致するために最も悪影響を及ぼ
す不純物ガスであるから、前述のように塩素ガスを塩酸
ガスに還元することによって、レーザガス媒質自体の減
少をほぼ防止できることになる。
ては、塩素ガス以外にも存在し、例えばCC7!4等に
起因する塩酸ガスの減少については阻止できないが、不
純物ガスの大半は塩素ガスであり、しかも、塩素ガスは
、その光吸収ピークがXeClエキシマ−レーザの発振
波長である308龍に一致するために最も悪影響を及ぼ
す不純物ガスであるから、前述のように塩素ガスを塩酸
ガスに還元することによって、レーザガス媒質自体の減
少をほぼ防止できることになる。
〈発明の効果〉
以上詳述したように本発明のエキシマ−レーザガスの再
生装置によると、レーザガス還流系におけるダストフィ
ルタと低温トラップ部との間に紫外光照射部を介設した
構成としたので、不純物ガスを除去する低温トラップの
前段工程において不純物ガスをレーザ活性ガスに還元す
ることができ、低温トラップにより除去される不純物ガ
スが減少してレーザガス媒質自体の減少も殆んどなく、
レーザガスの寿命がのびることによってレーザ出力を長
期間にわたって高出力に維持することができる。しかも
、従来装置のようにレーザ活性ガスを補充する煩惟な作
業を解消できる大きな利点がある。
生装置によると、レーザガス還流系におけるダストフィ
ルタと低温トラップ部との間に紫外光照射部を介設した
構成としたので、不純物ガスを除去する低温トラップの
前段工程において不純物ガスをレーザ活性ガスに還元す
ることができ、低温トラップにより除去される不純物ガ
スが減少してレーザガス媒質自体の減少も殆んどなく、
レーザガスの寿命がのびることによってレーザ出力を長
期間にわたって高出力に維持することができる。しかも
、従来装置のようにレーザ活性ガスを補充する煩惟な作
業を解消できる大きな利点がある。
第1図は本発明のエキシマ−レーザガスの再生装置の一
実施例の概略構成図、 第2図は第1図の紫外光照射部の一部破断斜視図、 第3図は第2図の作用説明図、 第4図は従来装置の概略構成図である。 1・−・レーザ発振部 2・−レーザガス還流路 3−ダストフィルタ 4−循環ポンプ 5−・−低温トラップ部 6−・紫外光照射部 6a−楕円筒反射鏡 6b−ガス通過バイブ ロc−紫外光発生ランプ 特許出願人 株式会社島津製作所代 理 人
弁理士 西1)新 築1図 覧 第2図 d 第3図
実施例の概略構成図、 第2図は第1図の紫外光照射部の一部破断斜視図、 第3図は第2図の作用説明図、 第4図は従来装置の概略構成図である。 1・−・レーザ発振部 2・−レーザガス還流路 3−ダストフィルタ 4−循環ポンプ 5−・−低温トラップ部 6−・紫外光照射部 6a−楕円筒反射鏡 6b−ガス通過バイブ ロc−紫外光発生ランプ 特許出願人 株式会社島津製作所代 理 人
弁理士 西1)新 築1図 覧 第2図 d 第3図
Claims (1)
- (1)循環ポンプによりレーザ発振部から導入したエキ
シマーレーザガスを、ダストフィルタを通すことによっ
て微粒子を除去し、さらに低温トラップ部によって不純
物ガスを除去した後に再び前記レーザ発振部に戻すレー
ザガス還流系を備えたエキシマーレーザガスの再生装置
において、前記レーザガス還流系に、紫外光照射部を前
記ダストフィルタと低温トラップ部との間に介在して設
け、この紫外光照射部を、楕円筒反射鏡と、これの内部
の各焦点位置にそれぞれ配置したレーザガスの通過する
ガス通過パイプおよび紫外光発生ランプとにより構成し
たことを特徴とするエキシマーレーザガスの再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23048986A JPS6384183A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | エキシマ−レ−ザガスの再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23048986A JPS6384183A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | エキシマ−レ−ザガスの再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6384183A true JPS6384183A (ja) | 1988-04-14 |
Family
ID=16908578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23048986A Pending JPS6384183A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | エキシマ−レ−ザガスの再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6384183A (ja) |
-
1986
- 1986-09-29 JP JP23048986A patent/JPS6384183A/ja active Pending
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