JPS638568A - 光集積スペクトラムアナライザ - Google Patents
光集積スペクトラムアナライザInfo
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- JPS638568A JPS638568A JP15195586A JP15195586A JPS638568A JP S638568 A JPS638568 A JP S638568A JP 15195586 A JP15195586 A JP 15195586A JP 15195586 A JP15195586 A JP 15195586A JP S638568 A JPS638568 A JP S638568A
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- JP
- Japan
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- light
- photodetector
- convergent
- surface acoustic
- waveguide
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- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明ij表面弾性波と光との相互作用を利用して高
周波電気信号のスペクトルの分析を行う光集積スペクト
ラムアナライザに関するものである。
周波電気信号のスペクトルの分析を行う光集積スペクト
ラムアナライザに関するものである。
第3図はり0Mergerian等により文献4th
Int。
Int。
Conf、 on Integrat、ed 0pti
cs and 0ptical FiberCommu
nication、 Tokyo、 Technica
l Digest、 PP260−261,1983に
おいて報告された光集積スペクトラムアナライザの構成
図である。図において、(1)はLiNb03などの材
料によって構成される圧電性基板、(2)は圧電性基板
(1)の表面にTi+Niなどの金属を蒸着した後、熱
拡散させて作製した2次元の光導波路、(3)は光導波
路(2)の端面に取付けられた光発生器である半導体レ
ーザ、(4)及び(5)はそれぞれ光導波路(2)上に
作製された導波路レンズである第1及び第2ジオデシツ
クレンズ、(G)は第1ジオデシツクレンズ(4)と第
2ジオデシツクレンズ(5)の間に表面弾性波1.I3
f!:Q生させるトランスジューサ、(7)はトランス
ジューサ(6)によって宅生じ、導波光と斜光した表面
弾性波Q3を吸収するダンパ、(8)は光導波路(2)
の半導体レーザ(3)の取付は端面と対向する端面に取
付けられた光検出器、(9)は半導体レーザ(3)から
出射される発散光、α0は第1ジオデシツクレンズ(4
)によって平行にされた平行光であり、第2ジオデシツ
クレンズ(5)によって収束光に変換される。(11)
は表面弾性波(至)の影響を受けなかった非回折光、(
6)は表面弾性波(至)によって回折させられた回折光
であり、発散光(9)、平行光O0,非回折光αD1回
折党(イ)は半導体レーザ(3)から光検出器(3)へ
至る導波光である。
cs and 0ptical FiberCommu
nication、 Tokyo、 Technica
l Digest、 PP260−261,1983に
おいて報告された光集積スペクトラムアナライザの構成
図である。図において、(1)はLiNb03などの材
料によって構成される圧電性基板、(2)は圧電性基板
(1)の表面にTi+Niなどの金属を蒸着した後、熱
拡散させて作製した2次元の光導波路、(3)は光導波
路(2)の端面に取付けられた光発生器である半導体レ
ーザ、(4)及び(5)はそれぞれ光導波路(2)上に
作製された導波路レンズである第1及び第2ジオデシツ
クレンズ、(G)は第1ジオデシツクレンズ(4)と第
2ジオデシツクレンズ(5)の間に表面弾性波1.I3
f!:Q生させるトランスジューサ、(7)はトランス
ジューサ(6)によって宅生じ、導波光と斜光した表面
弾性波Q3を吸収するダンパ、(8)は光導波路(2)
の半導体レーザ(3)の取付は端面と対向する端面に取
付けられた光検出器、(9)は半導体レーザ(3)から
出射される発散光、α0は第1ジオデシツクレンズ(4
)によって平行にされた平行光であり、第2ジオデシツ
クレンズ(5)によって収束光に変換される。(11)
は表面弾性波(至)の影響を受けなかった非回折光、(
6)は表面弾性波(至)によって回折させられた回折光
であり、発散光(9)、平行光O0,非回折光αD1回
折党(イ)は半導体レーザ(3)から光検出器(3)へ
至る導波光である。
次に動作について説明する。半導体レーザ(3)から出
射され、光導波路(2)内に導波された発散光(9)は
、第1ジオデシツクレンズ(4)により平行光(10に
変換され、さらに第2ジオデシツクレンズ(5)により
収束光に変換されて光検出器(3)上に集光する。
射され、光導波路(2)内に導波された発散光(9)は
、第1ジオデシツクレンズ(4)により平行光(10に
変換され、さらに第2ジオデシツクレンズ(5)により
収束光に変換されて光検出器(3)上に集光する。
ここで、トランスジューサ(6)に高周波電気信号が印
加されると、トランスジューサ(6)により上記高周波
電気信号の周波数に対応する周期Aを持つ衷面弾注波曽
が光導e路(2)中に励振される。なお、上記周期Δは
、光導波FI!!(2)中を伝搬する表面弾性波(至)
の速度をv8.上記高周波電気信号の周波数をfとする
と、次式で与えられる。
加されると、トランスジューサ(6)により上記高周波
電気信号の周波数に対応する周期Aを持つ衷面弾注波曽
が光導e路(2)中に励振される。なお、上記周期Δは
、光導波FI!!(2)中を伝搬する表面弾性波(至)
の速度をv8.上記高周波電気信号の周波数をfとする
と、次式で与えられる。
A= −−−m−−(1)
上記トランスジューサ(6)は表面弾性波αつが平行光
qOヲ横切るように設けられているので、表面弾性波(
至)が平行光aOヲ横切る時、表面弾性波α1は周期A
の回折格子として作用し、かつ平行光αOと表面弾性波
餞とはブラッグ条件を満たすように交差させているため
、平行光COの一部は次式で与えられる角度θlで回折
される。
qOヲ横切るように設けられているので、表面弾性波(
至)が平行光aOヲ横切る時、表面弾性波α1は周期A
の回折格子として作用し、かつ平行光αOと表面弾性波
餞とはブラッグ条件を満たすように交差させているため
、平行光COの一部は次式で与えられる角度θlで回折
される。
ここで、λは半導体レーザ(3)の出射光の波長、na
ffは光導波路(2)に導波され次光に対する実効屈折
率である。すなわち、平行光−は非回折光(1シと回折
光四とに分かれ、それぞれ第2ジオデシツクレンズ(5
)によシ収束党に灰換されて光検出器(8)上の点A及
びBに集光する。この集光点A及びBの距離tは、51
&2ジオデシツクレンズ(5)の焦点距離kf2とする
と、次式で与えられる。
ffは光導波路(2)に導波され次光に対する実効屈折
率である。すなわち、平行光−は非回折光(1シと回折
光四とに分かれ、それぞれ第2ジオデシツクレンズ(5
)によシ収束党に灰換されて光検出器(8)上の点A及
びBに集光する。この集光点A及びBの距離tは、51
&2ジオデシツクレンズ(5)の焦点距離kf2とする
と、次式で与えられる。
t=f2・θI −−−−−(3)
ここで、θ1は第2式に示した角度である。よって、第
3式から距離tを知ることにより周波数fを求めること
ができる。最後に、トランスジューサ(6)によって励
振された表面弾性波(至)は平行光C1Oを横切った後
ダンパ(7)に吸収される。
3式から距離tを知ることにより周波数fを求めること
ができる。最後に、トランスジューサ(6)によって励
振された表面弾性波(至)は平行光C1Oを横切った後
ダンパ(7)に吸収される。
ところで、第1ジオデシツクレンズ(4)及ヒ第2ジオ
デシックレンズ(5)は、圧電性基板(1)の表面に半
球状に窪みを加工し、光導波@ (2)の作製と同様に
窪みの表面にT1やNiなどの金属を熱拡散させて光の
導波層を作製したものであり、この光の導波層は光導波
路(2)と同様の屈折率分布をもつ。よって、−yt導
波路(2)から第1及び第2ジオデンツクレンズ(4)
、 (5)に導波光が入射すると、導波光は上記窪み
に沿って進む。この時、導波光は、フェルマーのM理に
より最短光路を進むため、上記窪みにより曲げられ、上
記8みがレンズの作用を持つ。
デシックレンズ(5)は、圧電性基板(1)の表面に半
球状に窪みを加工し、光導波@ (2)の作製と同様に
窪みの表面にT1やNiなどの金属を熱拡散させて光の
導波層を作製したものであり、この光の導波層は光導波
路(2)と同様の屈折率分布をもつ。よって、−yt導
波路(2)から第1及び第2ジオデンツクレンズ(4)
、 (5)に導波光が入射すると、導波光は上記窪み
に沿って進む。この時、導波光は、フェルマーのM理に
より最短光路を進むため、上記窪みにより曲げられ、上
記8みがレンズの作用を持つ。
第4図(a)は平行光q0が第2ジオデシツクレンズ(
5)により曲げられ、収束光に変換される様子を示して
おフ、第4図(b)は第2ジオデシツクレンズ(5)の
中心を通る線AA’で切断した断面図である。第4図(
b)において、α荀は上記窪みに作製した光の導波層で
あり、光導波路(2)とつながっている。なお、第1ジ
オデシツクレンズ(4)も同様の構造である。
5)により曲げられ、収束光に変換される様子を示して
おフ、第4図(b)は第2ジオデシツクレンズ(5)の
中心を通る線AA’で切断した断面図である。第4図(
b)において、α荀は上記窪みに作製した光の導波層で
あり、光導波路(2)とつながっている。なお、第1ジ
オデシツクレンズ(4)も同様の構造である。
また、光検出器(3)は第5図に示すように大きさPの
光電素子が1次元に並んだものである。図において、上
記粛3式に与えられている集光点A。
光電素子が1次元に並んだものである。図において、上
記粛3式に与えられている集光点A。
3間の距離tは、集光点Aに相当するn1番目の光電素
子と集光点Bに相当するn2番目の光電素子との間の距
離に相当する。すなわち、次式となるO L= (n2−nl)P −−−−−(4)ここで
、n2)nlである。第4式からtはPの整数倍で与え
られることになるため、検出される高周波電気信号の周
波数fの分解能ΔfはPで規定され、次式が与えられる
。
子と集光点Bに相当するn2番目の光電素子との間の距
離に相当する。すなわち、次式となるO L= (n2−nl)P −−−−−(4)ここで
、n2)nlである。第4式からtはPの整数倍で与え
られることになるため、検出される高周波電気信号の周
波数fの分解能ΔfはPで規定され、次式が与えられる
。
従来の光集積スペクトラムアナライザは以上のように構
成されているので、2個のジオデシックレンズ(4)
、 (5)が必要である。ところが、ジオデシックレン
ズ(4) 、 (5)は窪みを1ミクロンのオーダで切
削加工した後、表面の粗さが導波光の波長(例えば、0
.85μm)の数分の1程度となるように研磨加工が必
要であシ、高度な加工技術と多くの加工時間を要するた
め、装置が非常て高価なものとなる問題点があった。
成されているので、2個のジオデシックレンズ(4)
、 (5)が必要である。ところが、ジオデシックレン
ズ(4) 、 (5)は窪みを1ミクロンのオーダで切
削加工した後、表面の粗さが導波光の波長(例えば、0
.85μm)の数分の1程度となるように研磨加工が必
要であシ、高度な加工技術と多くの加工時間を要するた
め、装置が非常て高価なものとなる問題点があった。
また、圧電性基板(1)としてYカットLiNbO3,
光導波路(2)として圧電性基板(1)の表面にTi
i熱拡散して作製したものを考え、導波光及び表面弾性
波a3ヲ圧電性基板(1)のX軸及びz軸方向へ伝搬さ
せるものとする。さらに、半導体レーザ(3)として波
長λ= 0.85μmのものを用い、光検出器(3)を
構成する光電素子の大きさをP=15μmとすると、表
面弾性波a口の速度VB = 3488I!I/s、等
数光の実効屈折率neff = 2.177であるので
、高周波電気信号の周波数fに対して1MHzの分解能
Δf′に、得るためには134mmの長さの第2ジオデ
シツクレンズ(5)の焦点距離f2が必要となる。さら
に、第1ジオデシツクレンズ(4)の焦点距離fl =
10mm程度、Wc1及び第2ジオデシツクレンズ(
4) j(5)間の距離として10mm程度必要となる
ので、光集積スペクトラムアナライザ全体は約154m
mもの長さとなっていた0この光集積スペクトラムアナ
ライザを小型化するためには第2ジオデシツクレンズ(
5)の焦点距離f2を短くする以外になく、これによシ
分解能Δfが劣化するなどの問題点があった。
光導波路(2)として圧電性基板(1)の表面にTi
i熱拡散して作製したものを考え、導波光及び表面弾性
波a3ヲ圧電性基板(1)のX軸及びz軸方向へ伝搬さ
せるものとする。さらに、半導体レーザ(3)として波
長λ= 0.85μmのものを用い、光検出器(3)を
構成する光電素子の大きさをP=15μmとすると、表
面弾性波a口の速度VB = 3488I!I/s、等
数光の実効屈折率neff = 2.177であるので
、高周波電気信号の周波数fに対して1MHzの分解能
Δf′に、得るためには134mmの長さの第2ジオデ
シツクレンズ(5)の焦点距離f2が必要となる。さら
に、第1ジオデシツクレンズ(4)の焦点距離fl =
10mm程度、Wc1及び第2ジオデシツクレンズ(
4) j(5)間の距離として10mm程度必要となる
ので、光集積スペクトラムアナライザ全体は約154m
mもの長さとなっていた0この光集積スペクトラムアナ
ライザを小型化するためには第2ジオデシツクレンズ(
5)の焦点距離f2を短くする以外になく、これによシ
分解能Δfが劣化するなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、高分解能、小型、低価格の光集積スペクトラ
ムアナライザを得ることを目的とする。
たもので、高分解能、小型、低価格の光集積スペクトラ
ムアナライザを得ることを目的とする。
この発明に係る光集積スペクトラムアナライザは圧電性
基板表面に光導波路、トランスジューサ。
基板表面に光導波路、トランスジューサ。
単数の導波路レンズを作製し、光発生器から上記導波路
に出射された発散光を上記導波路レンズにて収束光に変
換し、この収束光を上記トランスジューサから出射され
る表面弾性波によシ一部回折させ、この回折光と非回折
光を光検出器にて検出するようにしたものである。
に出射された発散光を上記導波路レンズにて収束光に変
換し、この収束光を上記トランスジューサから出射され
る表面弾性波によシ一部回折させ、この回折光と非回折
光を光検出器にて検出するようにしたものである。
この発明における光集積スペクトラムアナライザは、1
個の導波路レンズによシ光発生器から導波路に出射され
た箔散光を直接に光検出器への収束光に変換し、また変
換した収束光にトランスジューサからの表面弾性波を斜
交することによって生じた回折光と非回折光を光検出器
にて検出することによって高周波電気信号のスペクトル
を検出する。
個の導波路レンズによシ光発生器から導波路に出射され
た箔散光を直接に光検出器への収束光に変換し、また変
換した収束光にトランスジューサからの表面弾性波を斜
交することによって生じた回折光と非回折光を光検出器
にて検出することによって高周波電気信号のスペクトル
を検出する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例の構成図であり、図において、
従来装置と同−符’i+Fi同−又は相当部分を示す。
図はこの発明の一実施例の構成図であり、図において、
従来装置と同−符’i+Fi同−又は相当部分を示す。
αOは光発生器である半導体レーザ(3)から光導波路
(2)へ出射された発散光(9)ヲ収束党に変換する導
波路レンズであるジオデシックレンズであシ、トランス
ジューサ(6)からの表面弾性波(6)と導波光との斜
交点より半導体レーザ(3)側におる。
(2)へ出射された発散光(9)ヲ収束党に変換する導
波路レンズであるジオデシックレンズであシ、トランス
ジューサ(6)からの表面弾性波(6)と導波光との斜
交点より半導体レーザ(3)側におる。
次に動作について説明する。半導体レーザ(3)から出
射され光導−波路(2)に導波された発散光(9)はジ
オデシックレンズ(2)によシ収束党に変換され光検出
器(8)上に集光する。この時、トランスジューサ(6
)に高周波電気信号が印加されると、この高周波電気信
号の周波″#:、fに対応する周期Δを持つ表面弾性波
(至)が光導波路(2)中に励振され、この表面弾性波
α1は上記収束波を横切った後ダンパ(7)に吸収され
る。この表面弾性波(2)が上記収束波を横切る時、こ
の収束光の一部は回折され回折光(イ)となり光検出器
(8)上のB点に集光し、回折されなかった収束光は非
回折光α])とな9光検出器(3)上のA点に集光する
。この光検出器(8)上のA点とB点の距離tから上記
高周波電気信号の周波数fを求める手段は従来技術のM
1式から第3式に示した通りである。ただし、第3式に
おいてf2及びUlはそれぞれ上記収束光と表面弾性波
(至)の交点から上記光検出器(3)を取付けた光導波
器(2)の端面までの距離及び非回折光aυと回折光α
唖のなす角度である。
射され光導−波路(2)に導波された発散光(9)はジ
オデシックレンズ(2)によシ収束党に変換され光検出
器(8)上に集光する。この時、トランスジューサ(6
)に高周波電気信号が印加されると、この高周波電気信
号の周波″#:、fに対応する周期Δを持つ表面弾性波
(至)が光導波路(2)中に励振され、この表面弾性波
α1は上記収束波を横切った後ダンパ(7)に吸収され
る。この表面弾性波(2)が上記収束波を横切る時、こ
の収束光の一部は回折され回折光(イ)となり光検出器
(8)上のB点に集光し、回折されなかった収束光は非
回折光α])とな9光検出器(3)上のA点に集光する
。この光検出器(8)上のA点とB点の距離tから上記
高周波電気信号の周波数fを求める手段は従来技術のM
1式から第3式に示した通りである。ただし、第3式に
おいてf2及びUlはそれぞれ上記収束光と表面弾性波
(至)の交点から上記光検出器(3)を取付けた光導波
器(2)の端面までの距離及び非回折光aυと回折光α
唖のなす角度である。
ところで、表面弾性波α1による導波光の回折効果を高
めるためには、第2.因(a)に示すように表面弾性波
(至)と導波光をブラッグ条件を満たす角度θBで交差
させる必要がある。しかし、この発明において#′i第
2図(b)に示、すように導波光が収束光αつであるた
め、交差角度θにはブラッグ条件を満たす角度θ1より
最大重Δθだけのズレが生じる。このただし、dは上記
収束波Q′7)と表面弾性波@との交差部における収束
光(17+の幅である。ここで、d=2mmとし、f2
を高周波電気信号の周波数fに対して分解能Δf=IM
Hzが得られる長さ134mmとすると、第6式よりΔ
θ−o、43°となる。このように、八〇は非常に小さ
な値であるため上記収束光α7)はほぼ平行光と考えて
よく、上記ブラッグ条件を満たす角度θ3からのズレに
よる回折効率への影響は無視できる。
めるためには、第2.因(a)に示すように表面弾性波
(至)と導波光をブラッグ条件を満たす角度θBで交差
させる必要がある。しかし、この発明において#′i第
2図(b)に示、すように導波光が収束光αつであるた
め、交差角度θにはブラッグ条件を満たす角度θ1より
最大重Δθだけのズレが生じる。このただし、dは上記
収束波Q′7)と表面弾性波@との交差部における収束
光(17+の幅である。ここで、d=2mmとし、f2
を高周波電気信号の周波数fに対して分解能Δf=IM
Hzが得られる長さ134mmとすると、第6式よりΔ
θ−o、43°となる。このように、八〇は非常に小さ
な値であるため上記収束光α7)はほぼ平行光と考えて
よく、上記ブラッグ条件を満たす角度θ3からのズレに
よる回折効率への影響は無視できる。
なお、上記実施例ではジオデシックレンズ(至)を用い
た場合について説明したが、イオン交換により屈折率を
変換させるなどの方法により製作したその他の導波路レ
ンズを用いてもよい。また、上記実施例では高周波電気
信号の周波数分解能Δfとして1MHz f得る場合に
ついて説明したが、任意の分解能を得る場合に適用して
もよい。さらに上記実施例では圧電性基板(1)として
LiNbO3、光等波路(2)としてLiNbO3基板
にTi f熱拡散させたものを用いた場合について説明
したが、任意の圧電性基板(1)とこの基板(1)上に
任意の方法で製作した光導波Wr(2)を用いてもよい
。さらに、上記実施例では半導体レーザ(3)を取付け
た光導波路(2)の入力側端面および光検出器(8)を
取付けた光等波路(2)の出力側端面が互いに対向する
位置関係とした場合について説明したが、非回折光αυ
および回折光(2)の両方あるいは片方の光路を折シ返
して上記出力側端面を上記入力側端面と対向しない位置
に設置してもよい。さらに上記実施例ではユ個のトラン
スジューサ(6)ヲ用いた場合について説明したが、広
帯域化するためそれぞれのトランスジューサ(6)で励
振された表面弾性波(至)が収束光αカと同一箇所で交
差するように配設した異なる周波数特性をもつ複数個の
トランスジューサ(6)ヲ用いてもよい。
た場合について説明したが、イオン交換により屈折率を
変換させるなどの方法により製作したその他の導波路レ
ンズを用いてもよい。また、上記実施例では高周波電気
信号の周波数分解能Δfとして1MHz f得る場合に
ついて説明したが、任意の分解能を得る場合に適用して
もよい。さらに上記実施例では圧電性基板(1)として
LiNbO3、光等波路(2)としてLiNbO3基板
にTi f熱拡散させたものを用いた場合について説明
したが、任意の圧電性基板(1)とこの基板(1)上に
任意の方法で製作した光導波Wr(2)を用いてもよい
。さらに、上記実施例では半導体レーザ(3)を取付け
た光導波路(2)の入力側端面および光検出器(8)を
取付けた光等波路(2)の出力側端面が互いに対向する
位置関係とした場合について説明したが、非回折光αυ
および回折光(2)の両方あるいは片方の光路を折シ返
して上記出力側端面を上記入力側端面と対向しない位置
に設置してもよい。さらに上記実施例ではユ個のトラン
スジューサ(6)ヲ用いた場合について説明したが、広
帯域化するためそれぞれのトランスジューサ(6)で励
振された表面弾性波(至)が収束光αカと同一箇所で交
差するように配設した異なる周波数特性をもつ複数個の
トランスジューサ(6)ヲ用いてもよい。
この場合、複数の帯域におけるそれぞれの帯域の中心周
波数に関してブラッグ条件を満たすように、それぞれの
トランスジューサ(6)からの表面弾性波叫と収束光と
の交差角度を変える。 、また、上記実施例では光発生
器として半導体レーザ(3)ヲ用いた場合について示し
たが、他の光発生器でも同様の効果を奏する。
波数に関してブラッグ条件を満たすように、それぞれの
トランスジューサ(6)からの表面弾性波叫と収束光と
の交差角度を変える。 、また、上記実施例では光発生
器として半導体レーザ(3)ヲ用いた場合について示し
たが、他の光発生器でも同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、1個の導波路レンズ
によp光発生器から光導波路への発散光を収束光に変換
し、この収束光をトランスジューサからの表面弾性波に
よって回折光と非回折光に分け、この回折光と非回折光
を光検出器で検出するように構成したので、装置が安価
にでき、また分解能を劣力することなく小型化できる効
果がある0
によp光発生器から光導波路への発散光を収束光に変換
し、この収束光をトランスジューサからの表面弾性波に
よって回折光と非回折光に分け、この回折光と非回折光
を光検出器で検出するように構成したので、装置が安価
にでき、また分解能を劣力することなく小型化できる効
果がある0
第1図はこの階間の一実施例による光集積スペクトラム
アナライザを示す構成図、第2図はこの発明における表
面弾性波と導波光との交差角度を説明する説明図、M3
図は従来の光集積スペクトラムアナライザを示す構成図
、第4図は従来の光集積スペクトラムアナライザにおけ
る第2のジオデシックレンズを示す構成図、第5図は光
検出器と収束光との関係を示す図である。 図において、(1)は圧電性基板、(2)は光導波路、
(3)は光発生器、(6)はトランスジューサ、(7)
はダンパ、(8ンは光検出器、(9)は発散光、αυけ
非回折光、(2)は回折光、α]は表面弾性波、Q5は
導波路レンズ。 図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
アナライザを示す構成図、第2図はこの発明における表
面弾性波と導波光との交差角度を説明する説明図、M3
図は従来の光集積スペクトラムアナライザを示す構成図
、第4図は従来の光集積スペクトラムアナライザにおけ
る第2のジオデシックレンズを示す構成図、第5図は光
検出器と収束光との関係を示す図である。 図において、(1)は圧電性基板、(2)は光導波路、
(3)は光発生器、(6)はトランスジューサ、(7)
はダンパ、(8ンは光検出器、(9)は発散光、αυけ
非回折光、(2)は回折光、α]は表面弾性波、Q5は
導波路レンズ。 図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- (1)光導波路に導波光を発散する光発生器、この光発
生器から発散され上記光導波路によつて伝導されて来た
導波光を検出する光検出器、上記光発生器から光検出器
に至る導波光に交差してこの導波光の一部を回折させる
表面弾性波を励振するトランスジューサ、上記導波光と
表面弾性波が斜交する点より上記光発生器側にあり、上
記導波光を上記光検出器に収束させる単数の導波路レン
ズを備えた光集積スペクトラムアナライザ。 - (2)複数のトランスジューサを備え、各々のトランス
ジューサから励起される表面弾性波が導波光に対して同
一箇所で交差することを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の光集積スペクトラムアナライザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15195586A JPS638568A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 光集積スペクトラムアナライザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15195586A JPS638568A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 光集積スペクトラムアナライザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS638568A true JPS638568A (ja) | 1988-01-14 |
Family
ID=15529859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15195586A Pending JPS638568A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 光集積スペクトラムアナライザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS638568A (ja) |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP15195586A patent/JPS638568A/ja active Pending
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