JPS6388414A - 光駆動移相器 - Google Patents
光駆動移相器Info
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- JPS6388414A JPS6388414A JP62234698A JP23469887A JPS6388414A JP S6388414 A JPS6388414 A JP S6388414A JP 62234698 A JP62234698 A JP 62234698A JP 23469887 A JP23469887 A JP 23469887A JP S6388414 A JPS6388414 A JP S6388414A
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- JP
- Japan
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- light
- state
- level
- light source
- intensity
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0126—Opto-optical modulation, i.e. control of one light beam by another light beam, not otherwise provided for in this subclass
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/3515—All-optical modulation, gating, switching, e.g. control of a light beam by another light beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の背景〉
この発明は一般には信号送信用の搬送波を変調すること
に関しており、そしてより詳細には、光信号送信におい
て利用される光ビームを位相/周波数シフトすることに
関する。
に関しており、そしてより詳細には、光信号送信におい
て利用される光ビームを位相/周波数シフトすることに
関する。
光学周波数範囲における電磁放GFI線は情報伝達のた
めの搬送波信号として、まずます利用されるようになっ
ている。電磁搬送波信号は代表的には(辰幅変調され、
あるいは周波数変調されることがでさて、搬送波によっ
て情報を伝達する。搬送波が光ビームである場合、種々
の電気光学装置を利用して搬送波信号を変調している。
めの搬送波信号として、まずます利用されるようになっ
ている。電磁搬送波信号は代表的には(辰幅変調され、
あるいは周波数変調されることがでさて、搬送波によっ
て情報を伝達する。搬送波が光ビームである場合、種々
の電気光学装置を利用して搬送波信号を変調している。
周波数変調には、搬送波信号における周波数変化おるい
は位相シフトが含まれることは理解されるでおろう。
は位相シフトが含まれることは理解されるでおろう。
光ビームを輝度変調する、Vなわち振幅変調する1つの
従来の装置は、ポッケルス(PockeIs)セルであ
る。印加された電界における屈折特性の変化を受ける結
晶が与えられる。この結晶を付勢するために、比較的高
電圧の駆動装置が必要とされる。なお、搬送波の強度は
ポッケルス効果を表わす結晶の温度感度によって制限さ
れ、そして搬送波信号は変調器を横断する間に減衰され
ることもあり得る。ざらに、結晶応答時間は制限され、
よって伝送され得る情報内容および立上がり時間パルス
特性を制限する。
従来の装置は、ポッケルス(PockeIs)セルであ
る。印加された電界における屈折特性の変化を受ける結
晶が与えられる。この結晶を付勢するために、比較的高
電圧の駆動装置が必要とされる。なお、搬送波の強度は
ポッケルス効果を表わす結晶の温度感度によって制限さ
れ、そして搬送波信号は変調器を横断する間に減衰され
ることもあり得る。ざらに、結晶応答時間は制限され、
よって伝送され得る情報内容および立上がり時間パルス
特性を制限する。
なお別の光ビーム変調装置はファラデー効果を利用する
。この効果において、光ビームの偏光は、印加された磁
界の方向に向ってそれが物質を通過する場合、回転する
ことができる。磁界については、動作周波数およびパル
ス立上がり時間は誘電性の影響によって制限される。こ
こでも再び、搬送波光ビームは電力および情報搬送特性
が制限される。
。この効果において、光ビームの偏光は、印加された磁
界の方向に向ってそれが物質を通過する場合、回転する
ことができる。磁界については、動作周波数およびパル
ス立上がり時間は誘電性の影響によって制限される。こ
こでも再び、搬送波光ビームは電力および情報搬送特性
が制限される。
従来技術についてのこれらのおよび他の諸問題は本装置
によって処理され、そして信号搬送波伝送のための改良
された光ビーム搬送波移相器が提供される。従って、本
発明の1つの目的は広範囲の信号変調特性を得ることで
おる。
によって処理され、そして信号搬送波伝送のための改良
された光ビーム搬送波移相器が提供される。従って、本
発明の1つの目的は広範囲の信号変調特性を得ることで
おる。
本発明のもう1つの目的は変調パルスに対する立上がり
時間を減少することである。
時間を減少することである。
なお別の目的は搬送波信号に対する出力能力を増大させ
ることでおる。
ることでおる。
ざらにもう1つの目的は変調菰買において比較的低電圧
の駆動装置を使用できるようにすることである。
の駆動装置を使用できるようにすることである。
この発明のその他の目的、利点および新規な特徴は以下
の説明から明らかになろう。
の説明から明らかになろう。
〈発明の概要〉
前述のおよび他の目的を達成するために、そして本明細
書に具体化され、広く説明された本発明の目的に従えば
、この発明の装置は光駆動移相器からなる。この光駆動
移相器には変調室が設けられているが、それは少なくと
も3つの電子エネルギー状態、すなわち基底状態、準安
定状@および、第1の光波長に対応する準安定状態から
の遷移エネルギーを有する遷移状態を備えるガスを有し
ている。第1の光手段は第1のビーム通路に沿った第1
の波長での変調光によって変調室を照明するが、この第
1のビーム通路は第1の光ビームの強度によって決定す
ることのできる屈折率を有するガスの容量を限定する。
書に具体化され、広く説明された本発明の目的に従えば
、この発明の装置は光駆動移相器からなる。この光駆動
移相器には変調室が設けられているが、それは少なくと
も3つの電子エネルギー状態、すなわち基底状態、準安
定状@および、第1の光波長に対応する準安定状態から
の遷移エネルギーを有する遷移状態を備えるガスを有し
ている。第1の光手段は第1のビーム通路に沿った第1
の波長での変調光によって変調室を照明するが、この第
1のビーム通路は第1の光ビームの強度によって決定す
ることのできる屈折率を有するガスの容量を限定する。
次に、第2の光ビームは、第1のビーム通路の少なくと
も一部分を横断する第2のビーム通路に沿った伝送光ビ
ームによって変調室を照明する。第1の光ビームの強度
を変える手段が設けられており、これは伝送光ビームを
位相シフトするガス屈折率を変えるのに有効でおる。
も一部分を横断する第2のビーム通路に沿った伝送光ビ
ームによって変調室を照明する。第1の光ビームの強度
を変える手段が設けられており、これは伝送光ビームを
位相シフトするガス屈折率を変えるのに有効でおる。
本発明を別の面で特徴づけるとすれば、選択された波長
の光によって遷移状態に励起できる媒質を備えるガス容
♀を有する先駆vJ移相器が提供される。変調手段は、
ガス6硲を介する可変強度での選択された波長で、第1
の光の通路を形成する。伝送手段はガス6昂を介する選
択可能な周波数で、かつ少なくとも第1の光通路と部分
的に一致する第2の光の通路を形成する。
の光によって遷移状態に励起できる媒質を備えるガス容
♀を有する先駆vJ移相器が提供される。変調手段は、
ガス6硲を介する可変強度での選択された波長で、第1
の光の通路を形成する。伝送手段はガス6昂を介する選
択可能な周波数で、かつ少なくとも第1の光通路と部分
的に一致する第2の光の通路を形成する。
本発明をざらに別の面で特徴づけるとすれば、光駆動移
相器は、選択された波長の光の強度に関数的に関連する
可変屈折率によって光路を画定するための選択された波
長の光を有する第ル−ザ手段を具備した光駆動移相器が
提供される。第2レーザ手段は、前記光路の少なくとも
一部分を横断するよう整列されていて、可変屈折率によ
って位相シフトを行なう。
相器は、選択された波長の光の強度に関数的に関連する
可変屈折率によって光路を画定するための選択された波
長の光を有する第ル−ザ手段を具備した光駆動移相器が
提供される。第2レーザ手段は、前記光路の少なくとも
一部分を横断するよう整列されていて、可変屈折率によ
って位相シフトを行なう。
本発明についてなお別の面で特徴づけるとすれば、励起
レーザ強度に関数的に関連する相対的分布を備える少な
くとも3つの電子エネルギー状態を有する媒質を備えた
光駆動移相器を有している。変調手段は可変強度を有す
る励起レーザを発生して、媒質内に第1の光路を画定す
る。信@搬送手段は第2の光路沿いに第2レーザを発生
するが、この第2光路は第1の光路と少なくとも部分的
に一致しており、相対的な状態ポピユレーションが第1
光路に沿った励起し−ザの強度によって変化する場合、
媒質屈折率を変えることによって、位相シフトをもたら
す。
レーザ強度に関数的に関連する相対的分布を備える少な
くとも3つの電子エネルギー状態を有する媒質を備えた
光駆動移相器を有している。変調手段は可変強度を有す
る励起レーザを発生して、媒質内に第1の光路を画定す
る。信@搬送手段は第2の光路沿いに第2レーザを発生
するが、この第2光路は第1の光路と少なくとも部分的
に一致しており、相対的な状態ポピユレーションが第1
光路に沿った励起し−ザの強度によって変化する場合、
媒質屈折率を変えることによって、位相シフトをもたら
す。
〈発明の詳細な説明〉
この明細日に組入れられ、その一部となっている添付の
図面は本発明の実施態、様を示しており、そして記述と
共に、発明の詳細な説明する働きをする。
図面は本発明の実施態、様を示しており、そして記述と
共に、発明の詳細な説明する働きをする。
本発明の良好な実施態様においては、光ビーム搬送波信
号のための移相器が与えられるが、この場合、位相シフ
トは、共(辰し−11光を使用することによってガス媒
質の屈折率の変動に基づいており、ガス原子の電子エネ
ルギー状態ポピユレーションを変更する。ガス媒質の屈
折率は、ガスにとって利用できるエネルギー状態の準位
の電子のポピユレーションに関数的に関連する。これら
のポピユレーションは、励起光ビームの強度によって決
定される。この励起光ビーム周波数は選択されて、電子
を準安定状態から遷移状態へと移動させるが、この遷移
状態は基底状態に減衰する。このようにして、ポピユレ
ーションの準位、従って屈折率は、変調光ビームの強度
を変えることによって変調され得る。
号のための移相器が与えられるが、この場合、位相シフ
トは、共(辰し−11光を使用することによってガス媒
質の屈折率の変動に基づいており、ガス原子の電子エネ
ルギー状態ポピユレーションを変更する。ガス媒質の屈
折率は、ガスにとって利用できるエネルギー状態の準位
の電子のポピユレーションに関数的に関連する。これら
のポピユレーションは、励起光ビームの強度によって決
定される。この励起光ビーム周波数は選択されて、電子
を準安定状態から遷移状態へと移動させるが、この遷移
状態は基底状態に減衰する。このようにして、ポピユレ
ーションの準位、従って屈折率は、変調光ビームの強度
を変えることによって変調され得る。
励起されたガス媒質上に入射する第2の光ビームの波長
は屈折率に逆比例的に関連する。従って以下に述べるよ
うに、励起されたガスを含む所定の通路沿いの波長数は
、波長が変るにつれて変化し、そして第2の光ビームが
横断するガスの通路を介して位相シフトを誘導すること
になる。さらに、屈折率が時間によって変化する場合、
第2の光ビームにおける周波数シフトが誘導されて、第
2のご一ムを周波数変調する。
は屈折率に逆比例的に関連する。従って以下に述べるよ
うに、励起されたガスを含む所定の通路沿いの波長数は
、波長が変るにつれて変化し、そして第2の光ビームが
横断するガスの通路を介して位相シフトを誘導すること
になる。さらに、屈折率が時間によって変化する場合、
第2の光ビームにおける周波数シフトが誘導されて、第
2のご一ムを周波数変調する。
位相シフト
媒質を通過する光ビームは、その媒質の屈折率を変える
ことによって、位相および周波数がシフトされ)qる。
ことによって、位相および周波数がシフトされ)qる。
L=媒質における光路の長さ
λ=光ビームの真空波長
n=媒質の屈折率
Nλ=ガス電池電池液長の数
λ′=媒質における波長=λ/n
とすると、
となる。
1つの波長に沿った位相変化Aφは2πラジアンで必り
、すなわちAφ=2πANλIとなる。
、すなわちAφ=2πANλIとなる。
fs質に沿うと、
=2π(シ0.ビシin’
一2πAν
ここで
ω=角速度
ν=周波数
である。
従って、
そして
先ず第1図では、4つの電子状態を有する元素の簡単な
エネルギー準位図が示されている。
エネルギー準位図が示されている。
適切なガス媒質は少なくとも準安定状態(準位1)、遷
移状態(準位2)、および基底状態(準位3)を有する
。俊述するように、1つ以上の代わりのエネルギー準位
(例えば準位4)も、比較的安定したポピユレーション
を有していれば利用することができる。電子は準位1と
準位2の間は励起および減衰によって、準位2から準位
3までは減衰によって移動することができる。同様に、
準位3の基底状態から準位1の準安定状態へと、電子は
無線周波数おるいはdc励起によって移動することがで
きる。可変状態ポピユレーションを得るためには少なく
とも3状態系が必要とされることを理解すべきである。
移状態(準位2)、および基底状態(準位3)を有する
。俊述するように、1つ以上の代わりのエネルギー準位
(例えば準位4)も、比較的安定したポピユレーション
を有していれば利用することができる。電子は準位1と
準位2の間は励起および減衰によって、準位2から準位
3までは減衰によって移動することができる。同様に、
準位3の基底状態から準位1の準安定状態へと、電子は
無線周波数おるいはdc励起によって移動することがで
きる。可変状態ポピユレーションを得るためには少なく
とも3状態系が必要とされることを理解すべきである。
なぜならば、2状態系における状態ポピユレーションで
は、吸収状態がほぼ定常状態条件を得る際に等化する傾
向があるからである。
は、吸収状態がほぼ定常状態条件を得る際に等化する傾
向があるからである。
第1図に示されるように、準位1から準位2への状態変
化は、準位1と準位2の間のエネルギー差に対応するエ
ネルギーで光子を発生するλ1,2における波長で光を
供給することによって、発生させることができる。
化は、準位1と準位2の間のエネルギー差に対応するエ
ネルギーで光子を発生するλ1,2における波長で光を
供給することによって、発生させることができる。
最初に、全原子が準安定状態(準位1)にあると考えれ
ば、屈折率は次のように表わされる。
ば、屈折率は次のように表わされる。
ここで
fin=準安定状態1をより高い状態準位に接続する遷
移の発振器強度 λ1o=遷移の波長 λ =屈折率が測定される光の波長 ξ1−状態1にけおる原子のフラクションN =ガスお
るいは蒸気における原子の密度ε。=自由空間の誘電率 e =電子の電荷 m=電子質母 C=真空における光の速度。
移の発振器強度 λ1o=遷移の波長 λ =屈折率が測定される光の波長 ξ1−状態1にけおる原子のフラクションN =ガスお
るいは蒸気における原子の密度ε。=自由空間の誘電率 e =電子の電荷 m=電子質母 C=真空における光の速度。
この通常の公式化は、波長λの電磁放射線に対する共振
波長λ、の原子双極子発振器の応答から導出される。式
(3)における加算は、準安定状態(準位1)と、準位
2および準位4のようなより高い準位との間のすべての
可能な遷移にわたっている。遷移エネルギー波長は、λ
1.と称されるが、この場合、第1の指標は下方状態を
示し、そして第2の指標は上方準位を示す。
波長λ、の原子双極子発振器の応答から導出される。式
(3)における加算は、準安定状態(準位1)と、準位
2および準位4のようなより高い準位との間のすべての
可能な遷移にわたっている。遷移エネルギー波長は、λ
1.と称されるが、この場合、第1の指標は下方状態を
示し、そして第2の指標は上方準位を示す。
波長λ1,2のレーザ光が、準安定状態(準位1)から
より高い準位遷移への遷移エネルギーと共振して与えら
れる場合、より高い遷移が分布(populate>す
るようになる。この実施例においては、励起レーザ光は
波長λ1,2を有し、準位2を分布させる。さらに、準
位2が短い寿命、すなわち数ナノ秒で、そして基底状態
(準位3)への強い減衰路を有する場合、準安定状態(
準位1)が消失され基底状態(準位3)が分布される反
転が発生する。
より高い準位遷移への遷移エネルギーと共振して与えら
れる場合、より高い遷移が分布(populate>す
るようになる。この実施例においては、励起レーザ光は
波長λ1,2を有し、準位2を分布させる。さらに、準
位2が短い寿命、すなわち数ナノ秒で、そして基底状態
(準位3)への強い減衰路を有する場合、準安定状態(
準位1)が消失され基底状態(準位3)が分布される反
転が発生する。
レーザからのこの共振波長光λ1,2を与えることの最
終結果は、準安定状態の消失およびガス状媒質の発生と
なるが、この媒質中では励起レーザ光に露光されたすべ
ての原子は、基底状態に戻っている。この消失プロセス
の割合はレーザ光の強度と、準位2と3の間での遷移率
との関数となっている。すべての原子が励起レーザ光の
通路に沿って基底状態にある場合、屈折率は下記のよう
に現わすこができる。
終結果は、準安定状態の消失およびガス状媒質の発生と
なるが、この媒質中では励起レーザ光に露光されたすべ
ての原子は、基底状態に戻っている。この消失プロセス
の割合はレーザ光の強度と、準位2と3の間での遷移率
との関数となっている。すべての原子が励起レーザ光の
通路に沿って基底状態にある場合、屈折率は下記のよう
に現わすこができる。
ここで
ξ3−状態3における原子のフラクションf3.□−準
位3からより高い準位への遷移の発振器強度。
位3からより高い準位への遷移の発振器強度。
λ3.m=準位3からより高い準位への遷移の波長
n2は通常1に非常に近いので、式(4)は次のように
単純化することができる。
単純化することができる。
レーザ光オフとレーザ光オンの間の屈折率の仝体的変化
は下記で与えられる。
は下記で与えられる。
注目すべきことに、準安定準位1以外にも多缶は変化し
ないので、屈折率の変化に対する準安定レベルの寄与は
相殺される。従って、問題は単純な3準位系に簡約され
る。
ないので、屈折率の変化に対する準安定レベルの寄与は
相殺される。従って、問題は単純な3準位系に簡約され
る。
屈折率の入射光強度への依存性を示すために、式(7)
はさらに変形することができる。すなわち、ξ1+ξ3
=1(準位1と3だけが有意に分布できる) ξ3=1−ξ1であるので、 式(7)に代入すると次のようになる。
はさらに変形することができる。すなわち、ξ1+ξ3
=1(準位1と3だけが有意に分布できる) ξ3=1−ξ1であるので、 式(7)に代入すると次のようになる。
ξ1およびξ3は時間依存性であるので、位相シフト/
単位時間を得るために微分することが準安定状態(準位
1)の相対的ポピユレーションの変化の割合を決定する
ために、下記の関数を思い出す必要がおる。
単位時間を得るために微分することが準安定状態(準位
1)の相対的ポピユレーションの変化の割合を決定する
ために、下記の関数を思い出す必要がおる。
ξ1+ξ2+ξ3=1
ここで、ξ1.ξ2.ξ3は3準位問題にとっての分布
因子である。
因子である。
各項を微分し、かつ結合し直重ことによって、下記が与
えられる。
えられる。
また、
ここで、
ξ1ωB12=m導吸収を介する状態1から状態2への
ポンピング原子の割合 ξ1=状態1における原子のフラクションω =与えら
れたレーザ光の電力密度 B12”=W導吸収に対するアインシュタインのB係数 A21ξ2=準位2の基底状態1へ戻る減衰率A21=
2→1遷移に対する減衰率 ξ2=状態2における原子のフラクションA23ξ2−
準位2の準位3への減衰率A23−2→3遷移の減衰率 放出の割合 B21=FA導放出に対するアインシュタインのB係数 Ql 、 g2−縮退因子 そして 式(11)および式Q2)を式(10)に代入し、そし
て書き直ずと、次のようになる。
ポンピング原子の割合 ξ1=状態1における原子のフラクションω =与えら
れたレーザ光の電力密度 B12”=W導吸収に対するアインシュタインのB係数 A21ξ2=準位2の基底状態1へ戻る減衰率A21=
2→1遷移に対する減衰率 ξ2=状態2における原子のフラクションA23ξ2−
準位2の準位3への減衰率A23−2→3遷移の減衰率 放出の割合 B21=FA導放出に対するアインシュタインのB係数 Ql 、 g2−縮退因子 そして 式(11)および式Q2)を式(10)に代入し、そし
て書き直ずと、次のようになる。
典型的には、A21<A23そしてωB21<A23、
そこで式(13)は次のように単純化される。
そこで式(13)は次のように単純化される。
そこで、波長λ1,2の励起レーザ光はレーザ光の吸収
率に等しい割合で準安定状態(準位1)を消失させる。
率に等しい割合で準安定状態(準位1)を消失させる。
従って、
A21゜
となる。
ここで
■=時間平均されたレーザ光の強度
g(ν)=均等に広がった線の幅
となる。ここで
λ=与えられたレーザ光の中心波長
h=ニブランク数
式(14)に代入すると、
従って、準位1のポピユレーションの変化率は与えられ
たレーザ光の強度に関して直線的に減少する。レーザビ
ームは、吸収状態が消失している吸収媒質を介してホー
ルを「バーン(burn) Jするので、光路の長さは
因子にはならないことが理解されであろう。従って、励
起レーザ光に対する媒質の吸収の長さは比較的長く、そ
して長い長さのガス・セルを利用することができる。
たレーザ光の強度に関して直線的に減少する。レーザビ
ームは、吸収状態が消失している吸収媒質を介してホー
ルを「バーン(burn) Jするので、光路の長さは
因子にはならないことが理解されであろう。従って、励
起レーザ光に対する媒質の吸収の長さは比較的長く、そ
して長い長さのガス・セルを利用することができる。
時間による位相の変化に対する最終の式は、式(I5)
を墨本位相変化公式、式(1)に代入することによって
、次に与えられる。
を墨本位相変化公式、式(1)に代入することによって
、次に与えられる。
〈良好な実施態様の詳細な説明〉
次に、第2図では位相シフト変調器がブロック図で示さ
れている。同調できる色素レーザで必ることが望ましい
第1光源12は、変調光ビームとして設けられている。
れている。同調できる色素レーザで必ることが望ましい
第1光源12は、変調光ビームとして設けられている。
色素レーザ12は、ガス容量32におけるガスに対する
準安定遷移状態エネルギー差との共鳴のために選択され
る。
準安定遷移状態エネルギー差との共鳴のために選択され
る。
ポッケルス・セル14は変調器駆動装置16によって駆
動され、色素レーザ12の出力の強度を変える。
動され、色素レーザ12の出力の強度を変える。
次いで、可変強度出力レーザビーム22は、反射鏡24
および反射鏡26からの反射によってガス・セル32、
従ってガス容量32を介して、指向されることができる
。適切なガス・セル32とは、例えばアルゴンのにうな
山ガスから選択された適切な、励起できるガス状媒質を
使用して、各端部に窓を有する約10CIIIの長さが
あればよい。このガス状媒質は、それが励起されて準安
定状態を分布する場合、および出力レーザビーム22が
オフになる場合に、第1の屈折率を定める。
および反射鏡26からの反射によってガス・セル32、
従ってガス容量32を介して、指向されることができる
。適切なガス・セル32とは、例えばアルゴンのにうな
山ガスから選択された適切な、励起できるガス状媒質を
使用して、各端部に窓を有する約10CIIIの長さが
あればよい。このガス状媒質は、それが励起されて準安
定状態を分布する場合、および出力レーザビーム22が
オフになる場合に、第1の屈折率を定める。
出力レーザビーム22がオンでおる場合、波長λ1,2
を有するビーム22は、ガス・セル32を介する第1の
光路34が画定する。第1光路34に沿ってガス原子の
エネルギー状態が分イ5され、そして上述のように、第
1光路34沿いに第2の屈折率を定める。ガス・セル3
2内のガス原子の拡散によって、レーザビーム22がオ
フである場合、準安定状態が分布されて、ガスを再供給
する。
を有するビーム22は、ガス・セル32を介する第1の
光路34が画定する。第1光路34に沿ってガス原子の
エネルギー状態が分イ5され、そして上述のように、第
1光路34沿いに第2の屈折率を定める。ガス・セル3
2内のガス原子の拡散によって、レーザビーム22がオ
フである場合、準安定状態が分布されて、ガスを再供給
する。
次に、第2の光ビーム38は反射鏡26の開口部28を
介し、さらにガス・セル32を介して伝送され得る。こ
の第2の光ビーム38は信号搬送ビームであって、変調
レーザビーム22とは異なる波長を有し、そして長距離
にわたる伝送のために比較的高い電力を有することがで
きる。第1光路34は第2光路42からやや軸方向に発
散しており、従って第2光路42は、ガス状媒質32を
横断する場合に、第1光路34の内にある方が望ましい
。
介し、さらにガス・セル32を介して伝送され得る。こ
の第2の光ビーム38は信号搬送ビームであって、変調
レーザビーム22とは異なる波長を有し、そして長距離
にわたる伝送のために比較的高い電力を有することがで
きる。第1光路34は第2光路42からやや軸方向に発
散しており、従って第2光路42は、ガス状媒質32を
横断する場合に、第1光路34の内にある方が望ましい
。
変調光ビーム22の強さは、第1光路34沿いにガス・
セル32の屈折率を変える。この変化は高周波応答であ
り、それによって短い立上がり時間を有するパルス化位
相シフトを)qることが可能となる。ざらに、ポッケル
ス・セルあるいはファラデー効実装置のような通常の変
調器は1ラジアン以下の限定位相変調となっている。こ
こで述べる装置は10〜100ラジアンの位相変調可能
性を有すると期待されている。送信機光ビームすなわら
搬送波信号光ビーム38は、次いで変調レーザ光ど一ム
22の強度変調によって、位相シフ1〜され、従って周
波数変調される。
セル32の屈折率を変える。この変化は高周波応答であ
り、それによって短い立上がり時間を有するパルス化位
相シフトを)qることが可能となる。ざらに、ポッケル
ス・セルあるいはファラデー効実装置のような通常の変
調器は1ラジアン以下の限定位相変調となっている。こ
こで述べる装置は10〜100ラジアンの位相変調可能
性を有すると期待されている。送信機光ビームすなわら
搬送波信号光ビーム38は、次いで変調レーザ光ど一ム
22の強度変調によって、位相シフ1〜され、従って周
波数変調される。
次いで、ガス・セル32内の電力吸収は、変調光ビーム
22からのみとなっており、それは比較的低電力であっ
てよい。ざらに、ガス原子の状態遷移は、1μ秒の時間
フレームでの変調を可能にする所望の変調に対して短く
なっている時間内に発生する。高電力、高周波数の光信
号装置が与えられている。
22からのみとなっており、それは比較的低電力であっ
てよい。ざらに、ガス原子の状態遷移は、1μ秒の時間
フレームでの変調を可能にする所望の変調に対して短く
なっている時間内に発生する。高電力、高周波数の光信
号装置が与えられている。
第1図は代表的な3Q位電子状態図、第2図は本発明の
一実施例態様による光駆動移相器の略図である。 12・・・色素レーザ、14・・・ポッケルス・セル、
16・・・変調器駆動装置、22・・・変調レーザビー
ム、24.26・・・反rA鏡、32・・・ガス・セル
、34.42・・・光路、38・・・信号搬送ビーム。
一実施例態様による光駆動移相器の略図である。 12・・・色素レーザ、14・・・ポッケルス・セル、
16・・・変調器駆動装置、22・・・変調レーザビー
ム、24.26・・・反rA鏡、32・・・ガス・セル
、34.42・・・光路、38・・・信号搬送ビーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基底状態と、準安定状態と、第1の光の波長に対応
する前記準安定状態からの遷移エネルギーを有する遷移
状態とを含む少なくとも3個の電子エネルギー状態を備
えたガスを有する変調室と;第1のビーム通路に沿つて
前記第1の波長における変調光で前記変調室を照明する
第1の光源と;前記第1のビーム通路の少なくとも一部
分を横断する第2のビーム通路に沿って伝送光ビームで
前記変調室を照明する第2の光源と;光学回路とからな
り、前記第1のビーム通路は前記第1の光源の強度によ
って決定されうる屈折率をもつ前記ガスの容量を規定し
、前記光学回路は前記ガス屈折率を変えるのに有効な第
1の光源の強度を変えて前記伝送光を位相シフトするこ
とを特徴とする光駆動移相器。 2、前記第1の光源の強度を変える前記光学回路はポッ
ケルス・セルを含む特許請求の範囲第1項記載の光駆動
移相器。 3、前記第1の光源は色素レーザーである特許請求の範
囲第1項記載の光駆動移相器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US909746 | 1986-09-19 | ||
| US06/909,746 US4958921A (en) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | Light-driven phase shifter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6388414A true JPS6388414A (ja) | 1988-04-19 |
Family
ID=25427759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62234698A Pending JPS6388414A (ja) | 1986-09-19 | 1987-09-18 | 光駆動移相器 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4958921A (ja) |
| JP (1) | JPS6388414A (ja) |
| CA (1) | CA1285640C (ja) |
| DE (1) | DE3731571A1 (ja) |
| FR (1) | FR2604317B1 (ja) |
| GB (1) | GB2195464B (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3906068C2 (de) * | 1989-02-27 | 1995-03-16 | Max Planck Gesellschaft | Einrichtung zur Modulation einer optischen Welle mit einer Mikrowelle |
| WO2011053816A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Deep Photonics Corporation | Method and system using phase modulation to reduce spectral broadening |
| US8665442B2 (en) | 2011-08-18 | 2014-03-04 | Li-Cor, Inc. | Cavity enhanced laser based isotopic gas analyzer |
| US9116047B2 (en) | 2013-10-11 | 2015-08-25 | Li-Cor, Inc. | Systems and methods for controlling the optical path length between a laser and an optical cavity |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3790252A (en) * | 1972-02-23 | 1974-02-05 | Univ Case Western Reserve | Light controlled light beam deflector |
| US3816754A (en) * | 1973-03-21 | 1974-06-11 | Ibm | Tunable infrared/ultraviolet laser |
| US3864020A (en) * | 1973-12-28 | 1975-02-04 | Ibm | Light controlled light modulator |
| US3914618A (en) * | 1974-01-28 | 1975-10-21 | Stephen E Harris | Two-photon pumped frequency converter and method |
| US4209690A (en) * | 1975-11-18 | 1980-06-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Induced absorption elements |
| US3999839A (en) * | 1976-01-08 | 1976-12-28 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optical pulse compressors employing modulations affecting the two-photon dispersion of an atomic gaseous medium |
| US4036554A (en) * | 1976-09-29 | 1977-07-19 | International Business Machines Corporation | Laser modulator for producing dark-pulses |
| US4508431A (en) * | 1982-01-11 | 1985-04-02 | Massachusetts Institute Of Technology | Photorefractive laser beamsteering device |
| US4540244A (en) * | 1982-05-28 | 1985-09-10 | International Business Machines Corporation | Opto-optical light deflector/modulator |
| US4626075A (en) * | 1983-01-03 | 1986-12-02 | At&T Bell Laboratories | Light beam applied to a layered semiconductor structure is controlled by another light beam |
| US4597638A (en) * | 1983-02-28 | 1986-07-01 | At&T Bell Laboratories | Nonlinear optical apparatus |
| US4544898A (en) * | 1983-05-09 | 1985-10-01 | Grumman Aerospace Corporation | Signal device employing photorefractive area modulation |
| US4630898A (en) * | 1983-10-14 | 1986-12-23 | Jewell Jack L | Etalon optical logic gate apparatus and method |
| US4632518A (en) * | 1984-07-31 | 1986-12-30 | Hughes Aircraft Company | Phase insensitive optical logic gate device |
| US4693545A (en) * | 1984-09-04 | 1987-09-15 | Westinghouse Electric Corp. | Apparatus for the controlled transmission of light |
| US4585301A (en) * | 1985-04-23 | 1986-04-29 | Utah State Universtiy Foundation | Optically actuated optical switch apparatus and methods |
-
1986
- 1986-09-19 US US06/909,746 patent/US4958921A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-09-08 GB GB8721064A patent/GB2195464B/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-10 CA CA000546625A patent/CA1285640C/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-17 FR FR878712879A patent/FR2604317B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-18 JP JP62234698A patent/JPS6388414A/ja active Pending
- 1987-09-19 DE DE19873731571 patent/DE3731571A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2195464B (en) | 1990-11-07 |
| CA1285640C (en) | 1991-07-02 |
| FR2604317B1 (fr) | 1990-08-10 |
| GB2195464A (en) | 1988-04-07 |
| DE3731571A1 (de) | 1988-04-07 |
| FR2604317A1 (fr) | 1988-03-25 |
| GB8721064D0 (en) | 1987-10-14 |
| US4958921A (en) | 1990-09-25 |
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