JPS6389229U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6389229U JPS6389229U JP18472186U JP18472186U JPS6389229U JP S6389229 U JPS6389229 U JP S6389229U JP 18472186 U JP18472186 U JP 18472186U JP 18472186 U JP18472186 U JP 18472186U JP S6389229 U JPS6389229 U JP S6389229U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- liquid gas
- ejection nozzle
- vacuum thin
- vacuum
- Prior art date
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- Pending
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
第１図はこの考案にかかる真空薄膜装置の概要
図であり、第２図は従来の真空薄膜装置の概要図
である。 １……真空室、２……ヒータ、３……基板、４
……蒸着物源、５……サイフオン式液体ガスボン
ベ、６……ノズル、７……流量調節バルブ、８…
…リリーフ弁、９……サーモスタツト、１０……
導入管。
図であり、第２図は従来の真空薄膜装置の概要図
である。 １……真空室、２……ヒータ、３……基板、４
……蒸着物源、５……サイフオン式液体ガスボン
ベ、６……ノズル、７……流量調節バルブ、８…
…リリーフ弁、９……サーモスタツト、１０……
導入管。
Claims (1)
- 加熱した基板に蒸着物を蒸発させ蒸着させる真
空薄膜装置において、サイフオン式液体ガスボン
ベと流量調節弁と噴出ノズルより構成される液体
ガス供給装置の前記噴出ノズルを真空室内部に設
置すると共にリリーフ弁を設置したことを特徴と
する真空薄膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18472186U JPS6389229U (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18472186U JPS6389229U (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6389229U true JPS6389229U (ja) | 1988-06-10 |
Family
ID=31132664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18472186U Pending JPS6389229U (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6389229U (ja) |
-
1986
- 1986-11-29 JP JP18472186U patent/JPS6389229U/ja active Pending
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