JPS6397259U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係る磁気抵抗素子の保持構造
の実施例を示す斜視図、第２図は同上実施例の縦
断面図、第３図は同上実施例の磁気抵抗素子スト
ライプとバイアス用マグネツトとの関係を示す分
解斜視図、第４図は同上ストライプとマグネツト
との相対角度の関係を示す正面図、第５図は同上
相対角度の変化に伴う磁気抵抗素子の出力の変化
を示す特性線図、第６図は本考案に用いることが
できるバイアス用マグネツトの各種変形例を示す
斜視図、第７図は本考案に用いることができるバ
イアス用マグネツトのさらに別の例を示す斜視図
、第８図は本考案の応用例を示す斜視図、第９図
は従来の磁気抵抗素子の保持構造の例を示す縦断
面図、第１０図は同上従来例中のバイアス用マグ
ネツトの斜視図、第１１図は上記従来例中の磁気
抵抗素子ストライプと磁界との関係を示す正面図
である。 １１…磁気抵抗素子、１２…バイアス用マグネ
ツト、１３…ホルダー。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ 磁気抵抗素子にバイアス磁界を与えるための
   マグネツトを上記磁気抵抗素子と共にホルダーで
   保持してなる磁気抵抗素子の保持構造において、
   上記マグネツトを上記磁気抵抗素子に対して回動
   変位可能に上記ホルダーに保持し、上記マグネツ
   トを上記磁気抵抗素子に対して回動変位させるこ
   とにより上記磁気抵抗素子のバイアス磁界を調整
   可能としたことを特徴とする磁気抵抗素子の保持
   構造。 ２ マグネツトは、磁気抵抗素子との対向面方向
   に磁極が着磁形成されてなる磁気抵抗素子の保持
   構造。