JPS639930A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPS639930A JPS639930A JP61154390A JP15439086A JPS639930A JP S639930 A JPS639930 A JP S639930A JP 61154390 A JP61154390 A JP 61154390A JP 15439086 A JP15439086 A JP 15439086A JP S639930 A JPS639930 A JP S639930A
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- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims description 54
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 21
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70841—Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシンクロトロン放射線源を用いたＸ線露光装置
に関する。
に関する。
近年、サブミクロン幅パターンの高速転写技術として、
高強度Ｘ線源であるシンクロトロン放射線源を用いたＸ
、ａ露光技術が一段と脚光を浴びて、各所で精力的に研
究、開発が行われ始めた。シンクロトロン放射線源を用
いたＸ線露光技術は、例えば１９７６年に発行された刊
行物ジャーナル・オン・アプライド・フィジイクス（Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ）
４７巻１２号、 ５４５０〜５４５９頁に、あるいは１
９７９年に発行された刊行物アイトリプルイー・トラン
ザクションズ・オン・エレクトロン・デバイシイズ（Ｉ
ＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＥＬ
ＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ）ＨＤ−２５巻４号、
６９３〜６９８頁に初期の項の成果が示されている。第
２図（ａ） 、 （ｂ）に、従来より行われているシン
クロトロン放射線源を用いたＸ線露光装置の基本的概念
図を示す、第２図（ａ）において、電子蓄積リング１に
おけるシンクロトロン放射光源２から、シンクロトロン
放射光（以後放射光と略す）３が放射される。第２図（
ｂ）において、ビームライン４と称される真空に保たれ
た光学系を通過した放射光３は放射光取出し窓５を通し
て、Ｘ線マスク６及びＸ線しジストＲを塗布した被加工
物ＷとからなるＸ線露光系に導かれ、Ｘ線マスク６上に
照射された放射光３によって、Ｘ線マスク６上のパター
ンが、Ｘ線レジスト上に転写される。
高強度Ｘ線源であるシンクロトロン放射線源を用いたＸ
、ａ露光技術が一段と脚光を浴びて、各所で精力的に研
究、開発が行われ始めた。シンクロトロン放射線源を用
いたＸ線露光技術は、例えば１９７６年に発行された刊
行物ジャーナル・オン・アプライド・フィジイクス（Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ）
４７巻１２号、 ５４５０〜５４５９頁に、あるいは１
９７９年に発行された刊行物アイトリプルイー・トラン
ザクションズ・オン・エレクトロン・デバイシイズ（Ｉ
ＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＥＬ
ＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ）ＨＤ−２５巻４号、
６９３〜６９８頁に初期の項の成果が示されている。第
２図（ａ） 、 （ｂ）に、従来より行われているシン
クロトロン放射線源を用いたＸ線露光装置の基本的概念
図を示す、第２図（ａ）において、電子蓄積リング１に
おけるシンクロトロン放射光源２から、シンクロトロン
放射光（以後放射光と略す）３が放射される。第２図（
ｂ）において、ビームライン４と称される真空に保たれ
た光学系を通過した放射光３は放射光取出し窓５を通し
て、Ｘ線マスク６及びＸ線しジストＲを塗布した被加工
物ＷとからなるＸ線露光系に導かれ、Ｘ線マスク６上に
照射された放射光３によって、Ｘ線マスク６上のパター
ンが、Ｘ線レジスト上に転写される。
ところで、シンクロトロン放射光源を用いたＸ線露光技
術は、実用を１指した研究開発が途についたばかりであ
り、解決されなければならない問題点は山積している。
術は、実用を１指した研究開発が途についたばかりであ
り、解決されなければならない問題点は山積している。
特に電子蓄積リング１．ビームライン４等から構成され
るＸ線露光システムの構造に係わる課題が多数残されて
いる。特にビームラインの構造において、真空破壊の防
御対策あるいはシンクロトロンの熱吸収のため、放射光
透過窓を用いる必要がある。すなわちビームラインの最
下端に設置されている放射光取出し窓は、通常、構成上
大気圧を受けていることが多く、また、一方では放射光
を十分に透過させるという必要があるため、放射光取出
し窓としては厚さ数十〜１００−のＢｅ箔が用いられる
ことが多い、このため、Ｂｅ窓は大気圧に対する耐性と
、放射光による熱に対する耐性とを同時に有する必要が
ある。これは熱の発生によっても、熱応力によって圧力
（大気圧）に対する耐性が劣化するためである。放射光
は強度が強い反面、Ｂｅ窓での熱の発生も多く、Ｂｓ窓
の大気圧に対する耐性を劣化させる。これに対する対策
として、ビームラインの途中に放射光透過窓を設けるの
が有効である。この放射光透過窓によって放射光の熱を
吸収することができる。
るＸ線露光システムの構造に係わる課題が多数残されて
いる。特にビームラインの構造において、真空破壊の防
御対策あるいはシンクロトロンの熱吸収のため、放射光
透過窓を用いる必要がある。すなわちビームラインの最
下端に設置されている放射光取出し窓は、通常、構成上
大気圧を受けていることが多く、また、一方では放射光
を十分に透過させるという必要があるため、放射光取出
し窓としては厚さ数十〜１００−のＢｅ箔が用いられる
ことが多い、このため、Ｂｅ窓は大気圧に対する耐性と
、放射光による熱に対する耐性とを同時に有する必要が
ある。これは熱の発生によっても、熱応力によって圧力
（大気圧）に対する耐性が劣化するためである。放射光
は強度が強い反面、Ｂｅ窓での熱の発生も多く、Ｂｓ窓
の大気圧に対する耐性を劣化させる。これに対する対策
として、ビームラインの途中に放射光透過窓を設けるの
が有効である。この放射光透過窓によって放射光の熱を
吸収することができる。
しかしながら、放射光透過窓を設けると放射光強度を弱
めてしまうので、十分に薄くする必要がある。そのため
、放射光透過窓は圧力に対して十分な耐性を有していな
いことが多い、ビームラインは真空系で構成されており
、真空排気操作時の排気操作によって放射光透過窓を破
損させてしまうという事故が生じることも多い、このよ
うな事故は、放射光を用いたＸ線露光装置を長期的に安
定に使用するという観点からは、致命的なダメージを与
える。このような理由から放射光を利用したＸ線露光装
置を実用化するためには、放射光透過窓を破壊しないで
運用できる対策を講じることが必要不可欠である。
めてしまうので、十分に薄くする必要がある。そのため
、放射光透過窓は圧力に対して十分な耐性を有していな
いことが多い、ビームラインは真空系で構成されており
、真空排気操作時の排気操作によって放射光透過窓を破
損させてしまうという事故が生じることも多い、このよ
うな事故は、放射光を用いたＸ線露光装置を長期的に安
定に使用するという観点からは、致命的なダメージを与
える。このような理由から放射光を利用したＸ線露光装
置を実用化するためには、放射光透過窓を破壊しないで
運用できる対策を講じることが必要不可欠である。
本発明の目的は上記従来の問題点を除去し、放射光透過
窓の破壊及び劣化を防ぎ長期信頼性を有するＸ線露光装
置を提供することにある。
窓の破壊及び劣化を防ぎ長期信頼性を有するＸ線露光装
置を提供することにある。
本発明は上流のシンクロトロン放射光源から放射される
シンクロトロン放射光を、ビームラインを経由してビー
ムラインの先端に設置された放射光取出し窓から取出し
、最下流のＸ線マスク及びＸ線レジストが塗布された被
加工物に照射するＸ線露光装置において、前記ビームラ
インの一部に放射光透過窓を有し、該放射光透過窓の上
流側及び下流側に各々真空排気する排気部を設けたこと
を特徴とするＸ線露光装置である。
シンクロトロン放射光を、ビームラインを経由してビー
ムラインの先端に設置された放射光取出し窓から取出し
、最下流のＸ線マスク及びＸ線レジストが塗布された被
加工物に照射するＸ線露光装置において、前記ビームラ
インの一部に放射光透過窓を有し、該放射光透過窓の上
流側及び下流側に各々真空排気する排気部を設けたこと
を特徴とするＸ線露光装置である。
以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図に本発明の一実施例を示す。第１図において、放
射光３は第２図（ａ）に示すシンクロトロン放射光源２
より放射され、これがビームライン４に導入される。ビ
ームライン４に導入された放射光３は、まず振動ミラー
７を通り、ゲートバルブ８が開のとき、より下流の放射
光透過窓９を通り、放射光取出し窓５を通って大気中に
取出される。
射光３は第２図（ａ）に示すシンクロトロン放射光源２
より放射され、これがビームライン４に導入される。ビ
ームライン４に導入された放射光３は、まず振動ミラー
７を通り、ゲートバルブ８が開のとき、より下流の放射
光透過窓９を通り、放射光取出し窓５を通って大気中に
取出される。
大気中に取出された放射光３が、Ｘ線マスク６を通して
Ｘ線しジストＲを塗布した被加工物Ｗに照射される。放
射光取出し窓５は大気圧に耐える構造を有しているが、
放射光３による熱を吸収するために、その前方に放射光
透過窓９が設けられている。放射光透過窓９は、熱吸収
が主目的であるため大気圧の耐性は不要である。そのた
めかなり薄くして放射光の必要波長の強度の劣化は防ぐ
ことができる。放射光透過窓９の材料としては、Ｂｅ箔
、 Ｓｉ膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜等がある。ところで、
放射光透過窓９は圧力に対する耐性がないため、取扱い
には厳重に注意をする必要がある。特に、真空排気時の
放射光透過窓への加圧が事故につながることが多い、そ
こで本発明では、放射光透過窓９をはさんでその前後に
バイパス構造の真空排気部１０を設けたものである。真
空排気の際には、放射光透過窓９の両側、すなわちすぐ
上流及び下流を同時に排気することによって、放射光透
過窓９に加わる圧力を極めて軽減することができる。こ
のようなバイパス構造を有する真空排気部１０による真
空排気は、装置の立上げのときにおいて特に有効である
。すなわち、装置の立上げ前には、放射光透過窓９の上
流側、下流側はともに大気圧であり、放射光透過窓９に
加わる圧力は零の状態である。真空排気部１０を通じて
の真空排気によって放射光透過窓９の上流側及び下流側
の両側から真空引きを行うため、放射光透過窓９に対し
て圧力が加わることはない。
Ｘ線しジストＲを塗布した被加工物Ｗに照射される。放
射光取出し窓５は大気圧に耐える構造を有しているが、
放射光３による熱を吸収するために、その前方に放射光
透過窓９が設けられている。放射光透過窓９は、熱吸収
が主目的であるため大気圧の耐性は不要である。そのた
めかなり薄くして放射光の必要波長の強度の劣化は防ぐ
ことができる。放射光透過窓９の材料としては、Ｂｅ箔
、 Ｓｉ膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜等がある。ところで、
放射光透過窓９は圧力に対する耐性がないため、取扱い
には厳重に注意をする必要がある。特に、真空排気時の
放射光透過窓への加圧が事故につながることが多い、そ
こで本発明では、放射光透過窓９をはさんでその前後に
バイパス構造の真空排気部１０を設けたものである。真
空排気の際には、放射光透過窓９の両側、すなわちすぐ
上流及び下流を同時に排気することによって、放射光透
過窓９に加わる圧力を極めて軽減することができる。こ
のようなバイパス構造を有する真空排気部１０による真
空排気は、装置の立上げのときにおいて特に有効である
。すなわち、装置の立上げ前には、放射光透過窓９の上
流側、下流側はともに大気圧であり、放射光透過窓９に
加わる圧力は零の状態である。真空排気部１０を通じて
の真空排気によって放射光透過窓９の上流側及び下流側
の両側から真空引きを行うため、放射光透過窓９に対し
て圧力が加わることはない。
放射光透過窓９とバイパス構造を有する真空排気部１０
とから構成される機構部の設置場所については、第１図
の放射光取出し窓５のすぐ上流に限定する必要はない０
例えば、第１図の振動ミラー７の上流に置くことも有効
である。この場合には、放射光照射によるミラーからの
放出ガスが振動ミラーより上流に流入することを防ぐこ
とができるメリットも兼ねることができ、る。
とから構成される機構部の設置場所については、第１図
の放射光取出し窓５のすぐ上流に限定する必要はない０
例えば、第１図の振動ミラー７の上流に置くことも有効
である。この場合には、放射光照射によるミラーからの
放出ガスが振動ミラーより上流に流入することを防ぐこ
とができるメリットも兼ねることができ、る。
以上説明したように本発明によれば、シンクロトロン放
射光を通過させて露光部に導くビームラインの信頼性を
向上し、シンクロトロン放射光を用いたＸ線露光装置の
実用化に大きく寄与できる効果を有する。
射光を通過させて露光部に導くビームラインの信頼性を
向上し、シンクロトロン放射光を用いたＸ線露光装置の
実用化に大きく寄与できる効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す放射光透過窓及びバイ
パス構造を有する真空排気部の構造図、第２図（ａ）は
シンクロトロン放射線源の要部斜視図、（ｂ）は従来の
ビームライン露光系の断面図である。
パス構造を有する真空排気部の構造図、第２図（ａ）は
シンクロトロン放射線源の要部斜視図、（ｂ）は従来の
ビームライン露光系の断面図である。
Claims (1)
- （１）上流のシンクロトロン放射光源から放射されるシ
ンクロトロン放射光を、ビームラインを経由してビーム
ラインの先端に設置された放射光取出し窓から取出し、
最下流のＸ線マスク及びＸ線レジストが塗布された被加
工物に照射するＸ線露光装置において、前記ビームライ
ンの一部に放射光透過窓を有し、該放射光透過窓の上流
側及び下流側に各々真空排気する排気部を設けたことを
特徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154390A JPS639930A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154390A JPS639930A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Ｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS639930A true JPS639930A (ja) | 1988-01-16 |
| JPH058854B2 JPH058854B2 (ja) | 1993-02-03 |
Family
ID=15583089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61154390A Granted JPS639930A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS639930A (ja) |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP61154390A patent/JPS639930A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH058854B2 (ja) | 1993-02-03 |
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