JPS642409Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS642409Y2 JPS642409Y2 JP1982134766U JP13476682U JPS642409Y2 JP S642409 Y2 JPS642409 Y2 JP S642409Y2 JP 1982134766 U JP1982134766 U JP 1982134766U JP 13476682 U JP13476682 U JP 13476682U JP S642409 Y2 JPS642409 Y2 JP S642409Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- voltage
- resistor
- attenuator
- trimming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Attenuators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、薄膜抵抗あるいは厚膜抵抗による
減衰器に関し、特に大きな減衰比と高精度を必要
とする減衰器のパターンニングに関するものであ
る。
減衰器に関し、特に大きな減衰比と高精度を必要
とする減衰器のパターンニングに関するものであ
る。
〈考案の背景〉
例えば電圧測定器のように、入力電圧を高確度
に広範囲の電圧を測定する場合には、小型なもの
で高精度の減衰器が要求される。このため抵抗体
としてはタンタルなどの材料による薄膜抵抗や酸
化ルテニユームなどの材料による厚膜抵抗を用い
トリミングすることにより精度の高い減衰比を得
ている。
に広範囲の電圧を測定する場合には、小型なもの
で高精度の減衰器が要求される。このため抵抗体
としてはタンタルなどの材料による薄膜抵抗や酸
化ルテニユームなどの材料による厚膜抵抗を用い
トリミングすることにより精度の高い減衰比を得
ている。
従来は、第１図のような回路構成で、抵抗R1
と抵抗R2で電圧V1を分圧して電圧Vμを得る減衰
器を構成していた。この場合、電圧V1を抵抗R1
＋R2に印加し、抵抗R2の両端子間の電圧を測定
しVμ／V1＝R2／（R1＋R2）から抵抗R2若しく
は抵抗R1をトリミングすることによつて希望す
る減衰比Vμ／V1を得ていた。
と抵抗R2で電圧V1を分圧して電圧Vμを得る減衰
器を構成していた。この場合、電圧V1を抵抗R1
＋R2に印加し、抵抗R2の両端子間の電圧を測定
しVμ／V1＝R2／（R1＋R2）から抵抗R2若しく
は抵抗R1をトリミングすることによつて希望す
る減衰比Vμ／V1を得ていた。
〈従来の欠点〉
従来の回路構成では、減衰比が比較的小さい範
囲には高精度の減衰比が得られていたが、減衰比
が100：１ 1000：１と大きくなつてくるとV1に
高精度の高電圧を必要とし、あるいは小電圧を測
定する高感度で高確度の電圧Vμの測定器を必要
とする。従つて調整方法が煩雑となり、また高精
度の減衰比が得られなくなる欠点があつた。
囲には高精度の減衰比が得られていたが、減衰比
が100：１ 1000：１と大きくなつてくるとV1に
高精度の高電圧を必要とし、あるいは小電圧を測
定する高感度で高確度の電圧Vμの測定器を必要
とする。従つて調整方法が煩雑となり、また高精
度の減衰比が得られなくなる欠点があつた。
〈考案の目的〉
この考案は上記の問題点を解決したもので、減
衰比が比較的大きな場合でもその減衰比を高精度
に得ることを目的とする。
衰比が比較的大きな場合でもその減衰比を高精度
に得ることを目的とする。
〈考案の概要〉
この考案は減衰比が比較的大きな場合、その構
成および調整を２以上に分割して大きな減衰比を
得るようにする。例えば100：１の減衰比を得る
場合にこれを10：１と10：１に分割し、それぞれ
を高精度にトリミングして調整して、要求する高
精度の100：１の減衰器を得るものである。この
とき、膜抵抗の中間に金あるいは銅等の材料によ
るトリミング用のパツドを必要とするが、電流印
加用のパツドと電圧測定用のパツドを共用する
と、そのために誤差を生じる。この誤差を除去す
るためにこの考案は、電圧測定用のパツドを主抵
抗から分岐して設け、高精度の減衰器を得るもの
である。
成および調整を２以上に分割して大きな減衰比を
得るようにする。例えば100：１の減衰比を得る
場合にこれを10：１と10：１に分割し、それぞれ
を高精度にトリミングして調整して、要求する高
精度の100：１の減衰器を得るものである。この
とき、膜抵抗の中間に金あるいは銅等の材料によ
るトリミング用のパツドを必要とするが、電流印
加用のパツドと電圧測定用のパツドを共用する
と、そのために誤差を生じる。この誤差を除去す
るためにこの考案は、電圧測定用のパツドを主抵
抗から分岐して設け、高精度の減衰器を得るもの
である。
〈考案の実施例〉
第２図に減衰比100：１のこの考案による減衰
器の一実施例を示す。減衰器は膜抵抗RAB、RBD、
およびRDE、ボンデング用パツドＡ、Ｄおよび
Ｅ、トリミング用パツドＢ，ＣおよびE′により構
成され、トリミング用パツドＣは電圧測定用のパ
ツドであり、金や銅の導電性のよい膜によりトリ
ミング用パツドＢの近辺の抵抗RBDに接続されて
いる。トリミング用パツドＢは電圧印加用のパツ
ドである。上記の構成により、始めパツドCE間
の抵抗（R2＋R3）とパツドDE間の抵抗R3の比を
10：１になるように抵抗RBDあるいはRDEをトリ
ミングして高精度に調整する。このとき電圧Ｖは
パツドBE間に印加して電圧測定器はパツドCE間
とパツドDE間の電圧を測定して調整する。減衰
比VDE／VCE＝R3／（R2＋R3）＝１／10の調整が
終ずと、次にVCE／VAE＝（R2＋R3）／（R1＋R2
＋R3）＝１／10になるように抵抗RABのトリミグ
を行ない調整する。このとき電圧V1はパツドAE
間に印加し電圧ＶはパツドAE間およびCE間で測
定する。この結果、減衰比VDE／VAE＝１／100の
高精度の減衰器を得るのである。
器の一実施例を示す。減衰器は膜抵抗RAB、RBD、
およびRDE、ボンデング用パツドＡ、Ｄおよび
Ｅ、トリミング用パツドＢ，ＣおよびE′により構
成され、トリミング用パツドＣは電圧測定用のパ
ツドであり、金や銅の導電性のよい膜によりトリ
ミング用パツドＢの近辺の抵抗RBDに接続されて
いる。トリミング用パツドＢは電圧印加用のパツ
ドである。上記の構成により、始めパツドCE間
の抵抗（R2＋R3）とパツドDE間の抵抗R3の比を
10：１になるように抵抗RBDあるいはRDEをトリ
ミングして高精度に調整する。このとき電圧Ｖは
パツドBE間に印加して電圧測定器はパツドCE間
とパツドDE間の電圧を測定して調整する。減衰
比VDE／VCE＝R3／（R2＋R3）＝１／10の調整が
終ずと、次にVCE／VAE＝（R2＋R3）／（R1＋R2
＋R3）＝１／10になるように抵抗RABのトリミグ
を行ない調整する。このとき電圧V1はパツドAE
間に印加し電圧ＶはパツドAE間およびCE間で測
定する。この結果、減衰比VDE／VAE＝１／100の
高精度の減衰器を得るのである。
ここでトリミング用パツドをＢの他に主抵抗か
ら分岐したパツドＣを設ける理由について説明す
る。第３図および第４図はパツドＣを設けなかつ
た場合の説明図である。第３図はパツドBE間に
電圧を印加した場合、第４図はパツドAE間に電
圧を印加した場合の説明図であり、ここで１は電
圧印加用プローブであり、２は電圧測定用プロー
ブである。第３図の場合、電流はプローブ１から
抵抗RBDに流れるが、プローブ１と抵抗RBD間の
徴少抵抗r1は、プローブ１の位置によつて電流分
布が異なつているため種々の異つた値をとる。第
４図の場合は電流はパツドＡ−抵抗RAB−パツド
Ｂ−抵抗RBDと流れるのでパツドＢの電流分布は
一定となり、パツドＢの徴少抵抗r2は一定とな
る。また電圧測定用プローブ２の位置によりパツ
ドＢの徴少抵抗r1もしくはr2の中間の電圧を測定
することとなり、電圧測定用プローブ２の位置に
よる測定誤差も生じてくる。このように電圧印加
用パツドと電圧測定用パツドを共用すると原理的
に誤差が発生することとなり高精度の減衰器を得
ることができないのである。そこでこの誤差を除
去するため、主抵抗から分岐した電圧測定用のパ
ツドＣを設ける。第５図は主抵抗から分岐した電
圧測定用パツドＣを設けた場合の説明図である。
電圧測定器の入力インピーダンスは、ほゞ無限大
とすることができるので、パツドＣと抵抗RBD間
の分岐路の徴少抵抗r0は無視することができ、抵
抗RBDと分岐路との交点の電圧をパツドＣで高確
度に読み取ることができる。そこでパツドＢの徴
少抵抗r2はそのまま抵抗R1に含ませることができ
るので誤差の要因を除去でき、正確な減衰比のト
リミングができるのである。
ら分岐したパツドＣを設ける理由について説明す
る。第３図および第４図はパツドＣを設けなかつ
た場合の説明図である。第３図はパツドBE間に
電圧を印加した場合、第４図はパツドAE間に電
圧を印加した場合の説明図であり、ここで１は電
圧印加用プローブであり、２は電圧測定用プロー
ブである。第３図の場合、電流はプローブ１から
抵抗RBDに流れるが、プローブ１と抵抗RBD間の
徴少抵抗r1は、プローブ１の位置によつて電流分
布が異なつているため種々の異つた値をとる。第
４図の場合は電流はパツドＡ−抵抗RAB−パツド
Ｂ−抵抗RBDと流れるのでパツドＢの電流分布は
一定となり、パツドＢの徴少抵抗r2は一定とな
る。また電圧測定用プローブ２の位置によりパツ
ドＢの徴少抵抗r1もしくはr2の中間の電圧を測定
することとなり、電圧測定用プローブ２の位置に
よる測定誤差も生じてくる。このように電圧印加
用パツドと電圧測定用パツドを共用すると原理的
に誤差が発生することとなり高精度の減衰器を得
ることができないのである。そこでこの誤差を除
去するため、主抵抗から分岐した電圧測定用のパ
ツドＣを設ける。第５図は主抵抗から分岐した電
圧測定用パツドＣを設けた場合の説明図である。
電圧測定器の入力インピーダンスは、ほゞ無限大
とすることができるので、パツドＣと抵抗RBD間
の分岐路の徴少抵抗r0は無視することができ、抵
抗RBDと分岐路との交点の電圧をパツドＣで高確
度に読み取ることができる。そこでパツドＢの徴
少抵抗r2はそのまま抵抗R1に含ませることができ
るので誤差の要因を除去でき、正確な減衰比のト
リミングができるのである。
パツドＤも電圧測定用プローブ２の位置の差異
による電圧測定誤差が生じないように主抵抗から
分岐して設ける。その理由は第４図の説明と同じ
である。
による電圧測定誤差が生じないように主抵抗から
分岐して設ける。その理由は第４図の説明と同じ
である。
同じようにパツドＥにおいても、第２図に示す
ように電圧測定用パツドE′を設けるのが望まし
い。
ように電圧測定用パツドE′を設けるのが望まし
い。
以上説明したように100：１の減衰器は第２図
の構成でもつて従来の調整器で２分割の調整方法
により高精度に得ることができる。
の構成でもつて従来の調整器で２分割の調整方法
により高精度に得ることができる。
1000：１の高精度減衰器は、同じようにして、
３分割の調整方法により得ることができる。この
ように大きな減衰比と高精度を要求する減衰器は
主抵抗から分岐した補助トリミング用パツドを設
けることにより容易に得ることができるのであ
る。
３分割の調整方法により得ることができる。この
ように大きな減衰比と高精度を要求する減衰器は
主抵抗から分岐した補助トリミング用パツドを設
けることにより容易に得ることができるのであ
る。
〈考案の効果〉
膜抵抗の減衰器において、その減衰比の調整を
２以上に分割してトリミングすることとし、トリ
ミング用パツドと主抵抗から分岐した補助トリミ
ング用パツドを設けることによつて、従来の調整
装置、トリミング方法を用いて原理的に誤差を除
去した高精度で減衰比の大きな減衰器を得る。
２以上に分割してトリミングすることとし、トリ
ミング用パツドと主抵抗から分岐した補助トリミ
ング用パツドを設けることによつて、従来の調整
装置、トリミング方法を用いて原理的に誤差を除
去した高精度で減衰比の大きな減衰器を得る。
第１図は従来の減衰器のパターンニングの説明
図、第２図Ａはこの考案による減衰器の一実施
例、第２図Ｂは第２図Ａの等価回路、第３図、第
４図、第５図はこの考案の説明図である。 Ａ，Ｄ，Ｅ……ボンデイング用パツト、Ｂ，Ｃ
……トリミング用パツト、１……電圧印加用プロ
ーブ、２……電圧測定用プローブ。
図、第２図Ａはこの考案による減衰器の一実施
例、第２図Ｂは第２図Ａの等価回路、第３図、第
４図、第５図はこの考案の説明図である。 Ａ，Ｄ，Ｅ……ボンデイング用パツト、Ｂ，Ｃ
……トリミング用パツト、１……電圧印加用プロ
ーブ、２……電圧測定用プローブ。
Claims (1)
- 膜抵抗による減衰器において、減衰電圧を出力
させる為のボンデング用パツドと電圧を印加する
ためのボンデング用パツドとの間に、電圧を印加
する為のトリミング用パツドと、このトリミング
用パツドに近接して主抵抗から分岐した電圧を測
定する為のトリミング用パツドとを１組以上設け
たことを特徴とする減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13476682U JPS59104615U (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13476682U JPS59104615U (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 減衰器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59104615U JPS59104615U (ja) | 1984-07-14 |
| JPS642409Y2 true JPS642409Y2 (ja) | 1989-01-20 |
Family
ID=30303561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13476682U Granted JPS59104615U (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59104615U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009260639A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4839962A (ja) * | 1971-09-25 | 1973-06-12 | ||
| JPS5145756A (en) * | 1974-10-18 | 1976-04-19 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Atsumakuteikonoteikochishuseiho |
-
1982
- 1982-09-03 JP JP13476682U patent/JPS59104615U/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009260639A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59104615U (ja) | 1984-07-14 |
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