JPS642454U - - Google Patents
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- JPS642454U JPS642454U JP9670687U JP9670687U JPS642454U JP S642454 U JPS642454 U JP S642454U JP 9670687 U JP9670687 U JP 9670687U JP 9670687 U JP9670687 U JP 9670687U JP S642454 U JPS642454 U JP S642454U
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- JP
- Japan
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- curvature
- semicircular arc
- channel region
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Description
第１図は本考案にかかる半導体装置の一実施例
の構成図、第２図は従来における半導体装置の一
例の構成図である。 １……基板、３……ソース領域、８……ゲート
電極、１０……ドレイン領域、１１……ドリフト
チヤネル領域、１１１，１１２……曲線部、１１
３，１１４……直線部。
の構成図、第２図は従来における半導体装置の一
例の構成図である。 １……基板、３……ソース領域、８……ゲート
電極、１０……ドレイン領域、１１……ドリフト
チヤネル領域、１１１，１１２……曲線部、１１
３，１１４……直線部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 ドレイン領域を中心にしてこの領域の周辺に、
曲率が等しい２つの半円弧部を直線部でつないだ
通常のレーストラツク形状に、内側から、低不純
物濃度のドリフトチヤネル領域、ゲート領域及び
ソース領域を形成してＭＯＳ ＦＥＴを構成した
半導体装置において、 前記半円弧部と接合しているドレイン領域の曲
率を、前記通常のレーストラツク形状の半円弧部
の曲率よりも小さくし、曲線部のドリフトチヤネ
ル領域の幅を直線部のドリフトチヤネル領域の幅
よりも大きくしたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9670687U JPS642454U (ja) | 1987-06-24 | 1987-06-24 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9670687U JPS642454U (ja) | 1987-06-24 | 1987-06-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS642454U true JPS642454U (ja) | 1989-01-09 |
Family
ID=31321779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9670687U Pending JPS642454U (ja) | 1987-06-24 | 1987-06-24 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS642454U (ja) |
-
1987
- 1987-06-24 JP JP9670687U patent/JPS642454U/ja active Pending
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