JPS645736B2 - - Google Patents
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- JPS645736B2 JPS645736B2 JP54033160A JP3316079A JPS645736B2 JP S645736 B2 JPS645736 B2 JP S645736B2 JP 54033160 A JP54033160 A JP 54033160A JP 3316079 A JP3316079 A JP 3316079A JP S645736 B2 JPS645736 B2 JP S645736B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
- H01J9/227—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines
- H01J9/2276—Development of latent electrostatic images
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、導電層上に光導電層を設け、この光
導電層上に、表示スクリーンの前方のわずかの距
離の位置で有孔色選択電極を通る電子ビームによ
り走査により電荷パターンを形成し、この電荷パ
ターンを帯電粒子により現像するようにするカラ
ーテレビジヨン表示管の製造方法に関するもので
ある。
導電層上に、表示スクリーンの前方のわずかの距
離の位置で有孔色選択電極を通る電子ビームによ
り走査により電荷パターンを形成し、この電荷パ
ターンを帯電粒子により現像するようにするカラ
ーテレビジヨン表示管の製造方法に関するもので
ある。
上述した方法はオランダ国特許出願第7512513
号明細書に記載されている。この既知の方法にお
いては、まず最初の表示管の窓部分上に導電層を
設け、次に電子吸収層を設けている。この電子吸
収層はまた光導電性とするのが好適である。次
に、この電子吸収層に有効色選択電極を介して電
子ビームを照射し、この電子ビームにより窓部分
とは反対側の色選択電極の面を走査する。電子の
平均の浸透深さは電子吸収層の厚さよりも浅く或
いはこの厚さに等しくしている。この方法におい
ては、電子吸収層上に静電位像が形成され、この
静電位像が有効色選択電極のパターンを再現させ
たものとなる。この静電位像は、表面活性安定剤
の添加により正に帯電された螢光体粒子の懸濁液
により現像される。また、現像後に残存している
電荷があればこの電荷を例えば紫外線に短期間露
光させることにより除去している。上述した方法
を繰返すことにより赤、緑および青で発光する螢
光体粒子のパターンを順次に設けることができ
る。
号明細書に記載されている。この既知の方法にお
いては、まず最初の表示管の窓部分上に導電層を
設け、次に電子吸収層を設けている。この電子吸
収層はまた光導電性とするのが好適である。次
に、この電子吸収層に有効色選択電極を介して電
子ビームを照射し、この電子ビームにより窓部分
とは反対側の色選択電極の面を走査する。電子の
平均の浸透深さは電子吸収層の厚さよりも浅く或
いはこの厚さに等しくしている。この方法におい
ては、電子吸収層上に静電位像が形成され、この
静電位像が有効色選択電極のパターンを再現させ
たものとなる。この静電位像は、表面活性安定剤
の添加により正に帯電された螢光体粒子の懸濁液
により現像される。また、現像後に残存している
電荷があればこの電荷を例えば紫外線に短期間露
光させることにより除去している。上述した方法
を繰返すことにより赤、緑および青で発光する螢
光体粒子のパターンを順次に設けることができ
る。
また、前述したオランダ国特許出願明細書の方
法によれば、孔を有する光吸収層を設け、これら
の孔内に発光螢光体粒子を設けることもできる。
この目的の為に、電子吸収層に３つの電子ビーム
を同時に或いは順次に照射し、次に、得られた電
位像を負に帯電された光吸収顔料により現像し、
この光吸収顔料により電荷領域間の領域を被覆し
ている。
法によれば、孔を有する光吸収層を設け、これら
の孔内に発光螢光体粒子を設けることもできる。
この目的の為に、電子吸収層に３つの電子ビーム
を同時に或いは順次に照射し、次に、得られた電
位像を負に帯電された光吸収顔料により現像し、
この光吸収顔料により電荷領域間の領域を被覆し
ている。
電荷パターンを形成する電子ビームのエネルギ
ーはできるだけ大きくし、妨害磁界の影響を最小
にするようにする必要がある。妨害磁界、例えば
地磁界は電子ビームの偏向誤差を生ぜしめ、これ
により螢光体パターンを所望の螢光体パターンに
対し偏移せしめてしまう。
ーはできるだけ大きくし、妨害磁界の影響を最小
にするようにする必要がある。妨害磁界、例えば
地磁界は電子ビームの偏向誤差を生ぜしめ、これ
により螢光体パターンを所望の螢光体パターンに
対し偏移せしめてしまう。
前記のオランダ国特許出願第7512513号明細書
に記載された方法における平均の電子浸透深さは
電子吸収層の厚さよりも浅く或いはこの厚さに等
しくする必要がある為、電子ビームのエネルギー
は電子吸収層の厚さによつて決まる。このオラン
ダ国特許出願明細書には電子吸収層の厚さは２〜
10μｍとすることができると記載されているが、
電子吸収層の厚さは実際には２〜4μｍに制限さ
れている。4μｍを越える厚さの電子吸収層を設
けると、設けられた電子吸収層の均一性が所望の
場合と幾分相違してしまうという欠点が生じる。
更に、4μｍを越える厚さを有する電子吸収層の
場合には、表示スクリーンへの発光螢光体粒子の
被着力が電子吸収層のいわゆる焼なまし処理中に
著るしく減少する。電子吸収層の厚さを２〜4μ
ｍとする場合には、電子ビームのエネルギーが６
〜11KeVに制限される。このようなエネルギー
を有する電子ビームを用いると、静電位像の形成
中に電子ビームの偏向に及ぼす地磁界の影響が無
視しうる程度に少なくならない。
に記載された方法における平均の電子浸透深さは
電子吸収層の厚さよりも浅く或いはこの厚さに等
しくする必要がある為、電子ビームのエネルギー
は電子吸収層の厚さによつて決まる。このオラン
ダ国特許出願明細書には電子吸収層の厚さは２〜
10μｍとすることができると記載されているが、
電子吸収層の厚さは実際には２〜4μｍに制限さ
れている。4μｍを越える厚さの電子吸収層を設
けると、設けられた電子吸収層の均一性が所望の
場合と幾分相違してしまうという欠点が生じる。
更に、4μｍを越える厚さを有する電子吸収層の
場合には、表示スクリーンへの発光螢光体粒子の
被着力が電子吸収層のいわゆる焼なまし処理中に
著るしく減少する。電子吸収層の厚さを２〜4μ
ｍとする場合には、電子ビームのエネルギーが６
〜11KeVに制限される。このようなエネルギー
を有する電子ビームを用いると、静電位像の形成
中に電子ビームの偏向に及ぼす地磁界の影響が無
視しうる程度に少なくならない。
他の方法は米国特許第2682478号明細書に記載
されている。この方法では、均一の正の表面電荷
を表示窓上に形成し、次に、電子ビームにより表
示窓を走査し、電子ビームの負電荷により正の表
面電荷を中和させることにより正の表面電荷を選
択的に放電させる。正電荷は電子ビームが当たら
ない領域上に残存する。このようにして得た電荷
パターンは負に帯電された螢光体粒子の懸濁液に
より現像される。この方法を繰返すことにより
赤、緑および青で発光する螢光体粒子を順次に設
けることができる。
されている。この方法では、均一の正の表面電荷
を表示窓上に形成し、次に、電子ビームにより表
示窓を走査し、電子ビームの負電荷により正の表
面電荷を中和させることにより正の表面電荷を選
択的に放電させる。正電荷は電子ビームが当たら
ない領域上に残存する。このようにして得た電荷
パターンは負に帯電された螢光体粒子の懸濁液に
より現像される。この方法を繰返すことにより
赤、緑および青で発光する螢光体粒子を順次に設
けることができる。
また、米国特許第3475169号明細書には、均一
に帯電された光導電層上に露光により電荷パター
ンを形成する方法が記載されている。この方法の
場合、使用する光源の実質上の位置を作動中の表
示管における電子ビームの偏向点の位置と合致さ
せる為に補正レンズが必要であるという欠点があ
る。
に帯電された光導電層上に露光により電荷パター
ンを形成する方法が記載されている。この方法の
場合、使用する光源の実質上の位置を作動中の表
示管における電子ビームの偏向点の位置と合致さ
せる為に補正レンズが必要であるという欠点があ
る。
本発明の目的は、電子ビームにより照射を行な
うも、電子ビームの偏向に及ぼす妨害磁界、例え
ば地磁界の影響が無視しうる程度に少なくなるよ
うにしたカラーテレビジヨン表示管の製造方法を
提供せんとするにある。
うも、電子ビームの偏向に及ぼす妨害磁界、例え
ば地磁界の影響が無視しうる程度に少なくなるよ
うにしたカラーテレビジヨン表示管の製造方法を
提供せんとするにある。
本発明は導電層上に光導電層を設け、この光導
電層上に、表示スクリーンの前方のわずかの距離
の位置で有孔色選択電極を通る電子ビームによる
走査により電荷パターンを形成し、この電荷パタ
ーンを帯電粒子により現像するようにするカラー
テレビジヨン表示管の製造方法において、前記の
光導電層にほぼ均一の表面電荷を与え、電子ビー
ムの平均の浸透深さが光導電層の厚さを越えるよ
うにすることを特徴とする。
電層上に、表示スクリーンの前方のわずかの距離
の位置で有孔色選択電極を通る電子ビームによる
走査により電荷パターンを形成し、この電荷パタ
ーンを帯電粒子により現像するようにするカラー
テレビジヨン表示管の製造方法において、前記の
光導電層にほぼ均一の表面電荷を与え、電子ビー
ムの平均の浸透深さが光導電層の厚さを越えるよ
うにすることを特徴とする。
本発明方法においては、光導電層に均一電荷を
与える。この均一電荷は正或いは負のいずれにす
ることもできる。正に均一に帯電させた光導電層
の場合には、平均の電子浸透深さを光導電層の厚
さよりも深くした走査電子ビームを照射した個所
において電荷が除去される。このようにして形成
した電荷像は正に帯電させた螢光体粒子の懸濁液
により現像する。
与える。この均一電荷は正或いは負のいずれにす
ることもできる。正に均一に帯電させた光導電層
の場合には、平均の電子浸透深さを光導電層の厚
さよりも深くした走査電子ビームを照射した個所
において電荷が除去される。このようにして形成
した電荷像は正に帯電させた螢光体粒子の懸濁液
により現像する。
負に均一に帯電させた光導電層の場合には、光
導電層の厚さを越える平均の電子浸透深さを有す
る電子ビームにより光導電層に導電状態の部分を
形成することができるということを確かめた（こ
のことは従来予期されていなかつた）。この場合
電子ビームが照射されない領域に負の電荷が残存
する。このようにして形成した電荷パターンは負
に帯電した螢光体粒子の懸濁液によつて現像す
る。
導電層の厚さを越える平均の電子浸透深さを有す
る電子ビームにより光導電層に導電状態の部分を
形成することができるということを確かめた（こ
のことは従来予期されていなかつた）。この場合
電子ビームが照射されない領域に負の電荷が残存
する。このようにして形成した電荷パターンは負
に帯電した螢光体粒子の懸濁液によつて現像す
る。
平均の電子浸透深さは光導電層の厚さよりも深
くする必要がある為、電子ビームのエネルギーは
充分に大きくする必要がある。電子ビームのエネ
ルギーは、実際には使用する光導電層の厚さに応
じて地磁界のような妨害磁界の影響が無視しうる
程度に少なくなるような大きな値とする。
くする必要がある為、電子ビームのエネルギーは
充分に大きくする必要がある。電子ビームのエネ
ルギーは、実際には使用する光導電層の厚さに応
じて地磁界のような妨害磁界の影響が無視しうる
程度に少なくなるような大きな値とする。
本発明方法によれば、形成した表面電荷を中和
する米国特許第2682478号明細書に記載された方
法の場合よりも短かい期間で電荷パターンを形成
することができるという追加の利点が得られる。
する米国特許第2682478号明細書に記載された方
法の場合よりも短かい期間で電荷パターンを形成
することができるという追加の利点が得られる。
一度だけ行なう必要のある導電層および光導電
層の形成を除いて、本発明方法を繰返すことによ
り、順次に、赤、緑および青で発光する螢光体粒
子パターンを設けることができる。
層の形成を除いて、本発明方法を繰返すことによ
り、順次に、赤、緑および青で発光する螢光体粒
子パターンを設けることができる。
本発明方法は発光領域に対する孔を有する光吸
収層を設けるのにも適用できる。既知のように、
光吸収層は表示像のコントラストを高める。この
目的の為に、均一に帯電させた光導電層を複数の
電子ビームにより同時に或いは順次に照射し、こ
の照射後に電荷が残存する領域を以つていわゆる
マトリツクスパターンを光導電層上に形成する。
次に、この電荷マトリツクスパターンを光吸収顔
料によつて現像する。
収層を設けるのにも適用できる。既知のように、
光吸収層は表示像のコントラストを高める。この
目的の為に、均一に帯電させた光導電層を複数の
電子ビームにより同時に或いは順次に照射し、こ
の照射後に電荷が残存する領域を以つていわゆる
マトリツクスパターンを光導電層上に形成する。
次に、この電荷マトリツクスパターンを光吸収顔
料によつて現像する。
本発明方法によれば、電子ビームによる放電時
間を変えることにより色選択電極の孔のパターン
を光導電層上に拡大して再現させることもでき
る。電子ビームによる窓部分上の走査は通常平行
ラインのパターンに応じて行ない、窓部分の全体
を１秒当り25回の割合で走査する。電子ビームの
走査時間は、光導電層上の放電領域の寸法が色選
択電極の孔よりも大きくなるように調整しうる。
間を変えることにより色選択電極の孔のパターン
を光導電層上に拡大して再現させることもでき
る。電子ビームによる窓部分上の走査は通常平行
ラインのパターンに応じて行ない、窓部分の全体
を１秒当り25回の割合で走査する。電子ビームの
走査時間は、光導電層上の放電領域の寸法が色選
択電極の孔よりも大きくなるように調整しうる。
図面につき本発明を説明する。
図面は本発明方法を実施する装置を示す。この
装置は金属外匣１を有し、この金属外匣の上側面
に孔２をあけ、この孔２上に、製造すべきカラー
テレビジヨン表示管（受像管）の窓部分３を設け
うるようにする。この窓部分３と外匣１との間は
ゴムの封じリング４により気密に封じする。外匣
１には更に、連結部５を設け、この連結部を、装
置の排気を行なう真空ポンプに連結しうるように
する。外匣１内には電子銃６と、一組の偏向コイ
ル７とを装着し、偏向コイル７により電子銃６か
ら生じる電子ビーム８を窓部分３に亘つて偏向さ
せる。装置内で充分に低い圧力を充分に急速に得
るようにする為に、偏向コイル７に合成樹脂をし
み込ませる。電子銃６は、カラーテレビジヨン表
示管にも用いられる３つのビームを発生する既知
の構成のものとする。しかし、これらの電子ビー
ムは各別にスイツチ・オンおよびスイツチ・オフ
できるようにして、設けるべき各螢光体パターン
に対し各別に電子ビームを照射しうるようにす
る。窓部分３に対する電子銃６の位置は、製造さ
れる表示管の、窓部分３に対する位置に完全に等
しくする。これと同じことが一組の偏向コイル７
に対しても言える。電子銃６は、内部導電膜１５
を有するガラス頚部（ネック）１４内に設ける。
電子銃６の最終電極はばね接点１６により内部導
電膜１５に接続する。また、ばね接点１８により
色選択電極１２に接続される標準規格の金属コー
ン１７は内部導電膜１５と色選択電極１２との間
に位置させる。従つて、電子銃の最終電極と色選
択電極１２との間の空間は等電位空間である。
装置は金属外匣１を有し、この金属外匣の上側面
に孔２をあけ、この孔２上に、製造すべきカラー
テレビジヨン表示管（受像管）の窓部分３を設け
うるようにする。この窓部分３と外匣１との間は
ゴムの封じリング４により気密に封じする。外匣
１には更に、連結部５を設け、この連結部を、装
置の排気を行なう真空ポンプに連結しうるように
する。外匣１内には電子銃６と、一組の偏向コイ
ル７とを装着し、偏向コイル７により電子銃６か
ら生じる電子ビーム８を窓部分３に亘つて偏向さ
せる。装置内で充分に低い圧力を充分に急速に得
るようにする為に、偏向コイル７に合成樹脂をし
み込ませる。電子銃６は、カラーテレビジヨン表
示管にも用いられる３つのビームを発生する既知
の構成のものとする。しかし、これらの電子ビー
ムは各別にスイツチ・オンおよびスイツチ・オフ
できるようにして、設けるべき各螢光体パターン
に対し各別に電子ビームを照射しうるようにす
る。窓部分３に対する電子銃６の位置は、製造さ
れる表示管の、窓部分３に対する位置に完全に等
しくする。これと同じことが一組の偏向コイル７
に対しても言える。電子銃６は、内部導電膜１５
を有するガラス頚部（ネック）１４内に設ける。
電子銃６の最終電極はばね接点１６により内部導
電膜１５に接続する。また、ばね接点１８により
色選択電極１２に接続される標準規格の金属コー
ン１７は内部導電膜１５と色選択電極１２との間
に位置させる。従つて、電子銃の最終電極と色選
択電極１２との間の空間は等電位空間である。
本発明による方法は図示の装置により以下のよ
うにして達成する。
うにして達成する。
まず最初に、窓部分３上に透明な導電層１０と
光導電層１１とを設ける。次に、この光導電層１
１に、例えば米国特許第3475169号明細書に記載
されているように、正或いは負としうる均一電荷
をコロナ放電により既知のようにして与える。透
明導電層１０は２×10-2〜６×10-2μｍの厚さと
し、これはマグネシウム或いはクロムニツケルの
ような金属を蒸着して造る。光導電層１１は２〜
4μｍの厚さとし、これは例えばポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾールで造る。光導電層１１の二次電子
放出比は１よりも小さくする必要がある。
光導電層１１とを設ける。次に、この光導電層１
１に、例えば米国特許第3475169号明細書に記載
されているように、正或いは負としうる均一電荷
をコロナ放電により既知のようにして与える。透
明導電層１０は２×10-2〜６×10-2μｍの厚さと
し、これはマグネシウム或いはクロムニツケルの
ような金属を蒸着して造る。光導電層１１は２〜
4μｍの厚さとし、これは例えばポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾールで造る。光導電層１１の二次電子
放出比は１よりも小さくする必要がある。
次に、孔１３を有する色選択電極１２を窓３内
に装着し、次にこの窓３を外匣１上に配置する。
次に、装置を10-5mmHgの圧力まで排気する。
に装着し、次にこの窓３を外匣１上に配置する。
次に、装置を10-5mmHgの圧力まで排気する。
次に、電子銃６により15〜25KeVのエネルギ
ーを有するエネルギービーム（例えば電子ビーム
８）を発生させる。電子のエネルギーは充分に大
きくする必要がある。その理由は、電子の平均浸
透深さが光導電層１１の厚さを越えるようにする
必要がある為である。このような高エネルギーで
は、地磁界のような妨害磁界の影響が無視しうる
程度に小さい。色選択電極は一組の偏向コイル７
を用いて電子ビームにより走査する。偏向コイル
に流す電流は電子ビームのエネルギーに適合した
ものとする必要があること勿論である。また、偏
向コイル７によつて発生させる磁界の形態は作動
中の表示管の偏向コイルによる磁界の形態に等し
くする必要がある。従つて、偏向コイル７は上記
の表示管の偏向コイルと同一形態のものとするの
が好適である。
ーを有するエネルギービーム（例えば電子ビーム
８）を発生させる。電子のエネルギーは充分に大
きくする必要がある。その理由は、電子の平均浸
透深さが光導電層１１の厚さを越えるようにする
必要がある為である。このような高エネルギーで
は、地磁界のような妨害磁界の影響が無視しうる
程度に小さい。色選択電極は一組の偏向コイル７
を用いて電子ビームにより走査する。偏向コイル
に流す電流は電子ビームのエネルギーに適合した
ものとする必要があること勿論である。また、偏
向コイル７によつて発生させる磁界の形態は作動
中の表示管の偏向コイルによる磁界の形態に等し
くする必要がある。従つて、偏向コイル７は上記
の表示管の偏向コイルと同一形態のものとするの
が好適である。
電子ビーム８による走査は例えば平行ラインの
パターンに応じて行なうことができ、窓部分の全
体を１秒当り25回走査する。電荷パターンを形成
するには50μAのビーム電流で５秒の放電時間が
必要である。光導電層上の放電領域の幅は電子ビ
ームによる放電時間を変えることにより制御しう
る。
パターンに応じて行なうことができ、窓部分の全
体を１秒当り25回走査する。電荷パターンを形成
するには50μAのビーム電流で５秒の放電時間が
必要である。光導電層上の放電領域の幅は電子ビ
ームによる放電時間を変えることにより制御しう
る。
また、放電領域の寸法は色選択電極１２と導電
層１０との間の電位差を変えることにより制御で
き、このこと自体はオランダ国特許出願第
7512513号明細書に記載されており既知である。
光導電層１１上の放電領域は、導電層１０と色選
択電極１２とを同一電位にした場合、色選択電極
１２の孔１３のほぼ同じ大きさとなる。
層１０との間の電位差を変えることにより制御で
き、このこと自体はオランダ国特許出願第
7512513号明細書に記載されており既知である。
光導電層１１上の放電領域は、導電層１０と色選
択電極１２とを同一電位にした場合、色選択電極
１２の孔１３のほぼ同じ大きさとなる。
色選択電極１２の孔よりも大きな放電領域は米
国特許第3527652号明細書に記載された方法によ
り得ることができ、この場合、電子銃６と偏向コ
イル７との間に磁界或いは電界を発生させ、この
磁界或いは電界により“回転”電子ビームを得
る。
国特許第3527652号明細書に記載された方法によ
り得ることができ、この場合、電子銃６と偏向コ
イル７との間に磁界或いは電界を発生させ、この
磁界或いは電界により“回転”電子ビームを得
る。
放電パターンを形成した後、外匣１内の圧力を
再び大気圧まで増大させ、窓部分３を除去する。
色選択電極１２を窓部分３から除去した後、光導
電層１１のもとの均一電荷に等しい電荷を有する
螢光体粒子を有する螢光体懸濁液を窓部分に吹き
付ける。帯電された螢光体粒子は、走査電子ビー
ムにより電荷が除去された領域にのみ被着する。
この工程を電荷像の現像と称する。次に、この方
法の第２の色の螢光体に対し、次に、第３の色の
螢光体に対し繰返し、これらの場合電子銃６によ
つて発生せしめうる第２および第３のビームをそ
れぞれ用いる。帯電された螢光体粒子を有する懸
濁液自体は米国特許第3475169号明細書において
既知である。
再び大気圧まで増大させ、窓部分３を除去する。
色選択電極１２を窓部分３から除去した後、光導
電層１１のもとの均一電荷に等しい電荷を有する
螢光体粒子を有する螢光体懸濁液を窓部分に吹き
付ける。帯電された螢光体粒子は、走査電子ビー
ムにより電荷が除去された領域にのみ被着する。
この工程を電荷像の現像と称する。次に、この方
法の第２の色の螢光体に対し、次に、第３の色の
螢光体に対し繰返し、これらの場合電子銃６によ
つて発生せしめうる第２および第３のビームをそ
れぞれ用いる。帯電された螢光体粒子を有する懸
濁液自体は米国特許第3475169号明細書において
既知である。
本発明方法によれば、窓部分３上に光吸収層を
設けることもできる。このような光吸収層は、既
知のように表示画像のコントラストを高める。こ
の目的の為に、電子銃６が発生せしめうる３つの
電子ビームを光導電層１１に順次に或いは同時に
照射する（この場合中間の現像を無くす）。次に、
光導電層１１のもとの均一電荷と逆の電荷により
電荷された光吸収顔料の懸濁液により電荷パター
ンを現像する。光吸収顔料は、３つの電子ビーム
による照射後に電荷が残存する領域にのみ被着す
る。
設けることもできる。このような光吸収層は、既
知のように表示画像のコントラストを高める。こ
の目的の為に、電子銃６が発生せしめうる３つの
電子ビームを光導電層１１に順次に或いは同時に
照射する（この場合中間の現像を無くす）。次に、
光導電層１１のもとの均一電荷と逆の電荷により
電荷された光吸収顔料の懸濁液により電荷パター
ンを現像する。光吸収顔料は、３つの電子ビーム
による照射後に電荷が残存する領域にのみ被着す
る。
図面は本発明方法を実施する装置を示す断面図
である。 １……金属外匣、２……孔、３……カラーテレ
ビジヨン表示管の窓部分、４……封じリング、５
……連結部、６……電子銃、７……偏向コイル、
８……電子ビーム、１０……透明導電層、１１…
…光導電層、１２……色選択電極、１３……孔、
１４……ガラス頚部、１５……内部導電膜、１
６，１８……ばね接点、１７……金属コーン。
である。 １……金属外匣、２……孔、３……カラーテレ
ビジヨン表示管の窓部分、４……封じリング、５
……連結部、６……電子銃、７……偏向コイル、
８……電子ビーム、１０……透明導電層、１１…
…光導電層、１２……色選択電極、１３……孔、
１４……ガラス頚部、１５……内部導電膜、１
６，１８……ばね接点、１７……金属コーン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電層上に光導電層を設け、この光導電層上
に、表示スクリーンの前方のわずかの距離の位置
で有孔色選択電極を通る電子ビームによる走査に
より電荷パターンを形成し、この電荷パターンを
帯電粒子により現像するようにするカラーテレビ
ジヨン表示管の製造方法において、前記の光導電
層にほぼ均一の表面電荷を与え、電子ビームの平
均の浸透深さが光導電層の厚さを越えるようにす
ることを特徴とするカラーテレビジヨン表示管の
製造方法。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載のカラーテレビ
ジヨン表示管の製造方法において、少くとも１つ
の他の種類の粒子を設ける為に、光導電層上の均
一表面電荷の形成と、光導電層上の電荷パターン
の形成と、この電荷パターンの現像とを繰返すこ
とを特徴とするカラーテレビジヨン表示管の製造
方法。 ３ 特許請求の範囲第２項に記載のカラーテレビ
ジヨン表示管の製造方法において、電荷パターン
を赤、緑および青でそれぞれ発光する螢光体粒子
により現像することを特徴とするカラーテレビジ
ヨン表示管の製造方法。 ４ 特許請求の範囲第１項に記載のカラーテレビ
ジヨン表示管の製造方法において、前記の走査を
多数の電子ビームにより同時に或いは順次に行な
つて入り組んだ多数の電荷パターンを形成し、こ
れらの電荷パターンを光吸収顔料の粒子により現
像することを特徴とするカラーテレビジヨン表示
管の製造方法。 ５ 特許請求の範囲第１項に記載のカラーテレビ
ジヨン表示管の製造方法において、電子ビームに
より放電される光導層上の領域の寸法を電子ビー
ムによる放電時間により決めることを特徴とする
カラーテレビジヨン表示管の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7803025A NL7803025A (nl) | 1978-03-21 | 1978-03-21 | Werkwijze voor het vervaardigen van een kleu- rentelevisiebeeldbuis en aldus vervaardigde buis. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54130875A JPS54130875A (en) | 1979-10-11 |
| JPS645736B2 true JPS645736B2 (ja) | 1989-01-31 |
Family
ID=19830530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3316079A Granted JPS54130875A (en) | 1978-03-21 | 1979-03-20 | Method of fabricating color tv display tube |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4245020A (ja) |
| JP (1) | JPS54130875A (ja) |
| CA (1) | CA1131694A (ja) |
| DE (1) | DE2910128A1 (ja) |
| FR (1) | FR2420841A1 (ja) |
| GB (1) | GB2018444B (ja) |
| NL (1) | NL7803025A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57174826A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-27 | Hitachi Ltd | Phosphor face forming method of color picture tube |
| US4921767A (en) * | 1988-12-21 | 1990-05-01 | Rca Licensing Corp. | Method of electrophotographically manufacturing a luminescent screen assembly for a cathode-ray-tube |
| NL9002769A (nl) * | 1990-12-17 | 1992-07-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een beeldvenster voor een beeldweergave-apparaat. |
| US5407765A (en) * | 1993-12-22 | 1995-04-18 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Method of spray-depositing an organic conductor to make a screen assembly for a CRT |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2682478A (en) * | 1950-09-11 | 1954-06-29 | Technicolor Motion Picture | Method of forming television screens |
| FR1146739A (fr) * | 1955-02-01 | 1957-11-14 | Battelle Development Corp | Procédé de développement xérographique à inversion en demi-tons |
| US3475169A (en) * | 1965-08-20 | 1969-10-28 | Zenith Radio Corp | Process of electrostatically screening color cathode-ray tubes |
| US3527652A (en) * | 1967-02-17 | 1970-09-08 | Victor Company Of Japan | Method of producing a phosphor dot screen for a color picture tube by an electron beam printing |
| NL7500288A (nl) * | 1975-01-10 | 1976-07-13 | Philips Nv | Werkwijze voor het elektrofotografisch vervaar- digen van een beeldscherm van een kleurentele- visiebeeldbuis. |
| US4005437A (en) * | 1975-04-18 | 1977-01-25 | Rca Corporation | Method of recording information in which the electron beam sensitive material contains 4,4'-bis(3-diazo-3-4-oxo-1-naphthalene sulfonyloxy)benzil |
| NL7512513A (nl) * | 1975-10-27 | 1977-04-29 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een kleuren- televisiebeeldbuis en aldus vervaardigde buis. |
| JPS6157648A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-24 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | モノアン染料 |
-
1978
- 1978-03-21 NL NL7803025A patent/NL7803025A/xx not_active Application Discontinuation
-
1979
- 1979-02-26 US US06/015,548 patent/US4245020A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-03-12 CA CA323,253A patent/CA1131694A/en not_active Expired
- 1979-03-15 DE DE19792910128 patent/DE2910128A1/de active Granted
- 1979-03-16 GB GB7909416A patent/GB2018444B/en not_active Expired
- 1979-03-20 JP JP3316079A patent/JPS54130875A/ja active Granted
- 1979-03-21 FR FR7907168A patent/FR2420841A1/fr active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2420841B1 (ja) | 1984-10-19 |
| JPS54130875A (en) | 1979-10-11 |
| DE2910128A1 (de) | 1979-09-27 |
| GB2018444A (en) | 1979-10-17 |
| FR2420841A1 (fr) | 1979-10-19 |
| GB2018444B (en) | 1982-06-30 |
| US4245020A (en) | 1981-01-13 |
| DE2910128C2 (ja) | 1987-10-08 |
| CA1131694A (en) | 1982-09-14 |
| NL7803025A (nl) | 1979-09-25 |
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