JPS646535B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS646535B2
JPS646535B2 JP58040041A JP4004183A JPS646535B2 JP S646535 B2 JPS646535 B2 JP S646535B2 JP 58040041 A JP58040041 A JP 58040041A JP 4004183 A JP4004183 A JP 4004183A JP S646535 B2 JPS646535 B2 JP S646535B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
silicon
conductive paste
layer
solar cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP58040041A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59167057A (ja
Inventor
Noboru Kosho
Tomoyuki Kawashima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
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Filing date
Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Priority to JP58040041A priority Critical patent/JPS59167057A/ja
Publication of JPS59167057A publication Critical patent/JPS59167057A/ja
Publication of JPS646535B2 publication Critical patent/JPS646535B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は導電ペーストを用いた低価格のシリコ
ン半導体電極に関する。 半導体としてのシリコンに接触する電極として
は、従来真空蒸着、スパツタリングなどにより被
着された金属層が用いられた。しかし、これらは
真空ふん囲気を必要とするため高額の設備費およ
び維持費を要する。近年、とりわけ低価格化が要
望されている太陽電池の分野において、シリコン
半導体電極を真空蒸着等の手段を用いず、大量生
産、低価格化に適した導電ペーストを用いて形成
する研究が進められている。しかしながら、厚膜
集積回路などに用いられる導電材料として銀を含
を導電ペーストを塗布、硬化した場合、シリコン
と導電体との間にバリアが生じて接触抵抗が高
く、その結果電極としての必要条件である良好な
オーム接触が得られない。 本発明はこれに対し導電ペーストを用いてシリ
コンに対して良好なオーム接触を呈するシリコン
半導体電極を提供することを目的とする。 この目的は、シリコン半導体電極が炭素と金属
を含む導電ペーストを塗布、硬化させてなること
によつて達成される。このようにして形成された
電極のシート抵抗は10Ω／口以下であることが望
ましい。 本発明は導電ペーストの成分としてシリコンと
低接触抵抗を示す炭素と、シリコンとの接触抵抗
は炭素より高いが固有抵抗の低い金属とを用いて
双方の特長を生かしたもので、金属としては銀、
銅、金、アルミニウム、ニツケルからなる群から
選ばれる少なくとも１種の金属が用いられる。 以下図を引用して本発明の実施例について説明
する。第１図において、ガラス基板１に例えば
ITOからなる透明電極２が被着され、さらに例え
ばモノシランのグロー放電分解によりアモルフア
スシリコンのｐ層３、ｉ層４、ｎ層５が形成され
ている。ｎ型アモルフアスシリコン層５に接する
電極６は本発明により炭素と金属を含む導電ペー
ストを塗布し、硬化したものである。実験として
第１表に示す異なる配合の３種類の導電ペースト
を試作し、第１図に示したアモルフアスシリコン
半導体のｎ層５の表面にスクリーン印刷し、100
℃で10分間の予備乾燥の後150℃の空気中で２時
間硬化させ、厚さ10μmの電極６を形成した。
【表】 このようにして試作した太陽電池の電極２，６
の一端に出力端子を設け、出力特性をソーラシユ
ミレータを用いてAMI（100mW／cm2）の光照射
下で測定したところ、導電ペーストＢを用いた太
陽電池では第３図の曲線２１に示すような特性を
示し、形状因子（FF）でおよそ0.34、変換効率
が2.5％であつた。曲線２２は銀を主成分とする
導電ペースト（藤倉化成社製銀ペースト、商品名
XA―208）、曲線２３はカーボンを主成分とする
抵抗ペースト（アサヒ化学研究所製、商品名TU
―100―１）を用いて電極６を形成した太陽電池
の特性を示す。導電ペーストＡ、Ｃを用いた場合
には曲線２１で示した太陽電池より形状因子およ
び変換効率は低下するが、曲線２２，２３で示し
た太陽電池よりすぐれた特性が得られた。電極６
のシート抵抗はＡ，Ｂ，Ｃいずれの導電ペースト
を用いて10Ω／口以下であつた。このようなシー
ト抵抗を得るには炭素と銀の配合比率が90：10か
ら５：95の範囲内にあることが必要である。 金属としては銀の代りに銅、金、アルミニウ
ム、ニツケルを用いても同様な結果が得られる。 なお本発明が適用しうるシリコン半導体は、ア
モルフアスシリコン半導体に限らず、多結晶シリ
コン半導体、単結晶シリコン半導体を含むもので
ある。また、導電ペーストの塗布方法は、スクリ
ーン印刷方法に限らず凸版印刷等の各種の方法を
いずれも適用することができる。 本発明は、炭素と金属とを混合した導電ペース
トを用いることにより接触抵抗ならびにシート抵
抗の小さいシリコン半導体電極を得るもので、特
に太陽電池電極に導電ペーストを用いる場合の直
列抵抗増大が防止され、安価で変換効率の高い太
陽電池の製造に極めて有効に適用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に基づく電極を用いた太陽電池
一実施例の断面図、第２図は第１図に示す構造を
も太陽電池の一実施例の市販の導電ペーストおよ
び抵抗ペーストにより電極を形成した太陽電池の
出力特性を示す電圧―電流線図である。 ３：アモルフアスシリコンｐ層、４：アモルフ
アスシリコンｉ層、５：アモルフアスシリコンｎ
層、６：電極。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 炭素と金属を含む導電ペーストを塗布、硬化
    させてなることを特徴とするシリコン半導体電
    極。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の電極において、
    シート抵抗が10Ω／口以下であることを特徴とす
    るシリコン半導体電極。
JP58040041A 1983-03-12 1983-03-12 シリコン半導体電極 Granted JPS59167057A (ja)

Priority Applications (1)

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JP58040041A JPS59167057A (ja) 1983-03-12 1983-03-12 シリコン半導体電極

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JP58040041A JPS59167057A (ja) 1983-03-12 1983-03-12 シリコン半導体電極

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Publication Number Publication Date
JPS59167057A JPS59167057A (ja) 1984-09-20
JPS646535B2 true JPS646535B2 (ja) 1989-02-03

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JP58040041A Granted JPS59167057A (ja) 1983-03-12 1983-03-12 シリコン半導体電極

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0294667A (ja) * 1988-09-30 1990-04-05 Kyocera Corp 光電変換装置
JP3156973B2 (ja) * 1991-10-18 2001-04-16 キヤノン株式会社 太陽電池
JP2005317898A (ja) * 2004-03-31 2005-11-10 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子

Also Published As

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JPS59167057A (ja) 1984-09-20

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