JPS646601Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS646601Y2 JPS646601Y2 JP1982015809U JP1580982U JPS646601Y2 JP S646601 Y2 JPS646601 Y2 JP S646601Y2 JP 1982015809 U JP1982015809 U JP 1982015809U JP 1580982 U JP1580982 U JP 1580982U JP S646601 Y2 JPS646601 Y2 JP S646601Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- vhf
- tuner
- uhf
- gain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は電子同調チユーナに係り、VHFチユ
ーナ回路とUHFチユーナ回路がともにトランジ
スタ式の混合回路を用いており、かつ、VHFゲ
インとUHFゲインを同程度にできる電子同調チ
ユーナに関する。
ーナ回路とUHFチユーナ回路がともにトランジ
スタ式の混合回路を用いており、かつ、VHFゲ
インとUHFゲインを同程度にできる電子同調チ
ユーナに関する。
選局操作をチヤンネルつまみの機械的切換えで
はなく、電子的に行なうようにした電子同調チユ
ーナは、現在、大半のテレビ受像機で用いられて
おり、第１図に示した電子同調チユーナ１はその
一例である。同図中、電子同調チユーナ１は、
VHFチユーナ回路１ＶとUHFチユーナ回路１Ｕ
とから大略構成されており、VHFチユーナ回路
１Ｖは、入力回路２、高周波増幅回路３、複同調
回路４、局部発振回路５及びトランジスタ式混合
回路６とからなり、UHFチユーナ回路１Ｕは、
高周波増幅回路７、局部発振回路８及びダイオー
ド式混合回路９とからなる。
はなく、電子的に行なうようにした電子同調チユ
ーナは、現在、大半のテレビ受像機で用いられて
おり、第１図に示した電子同調チユーナ１はその
一例である。同図中、電子同調チユーナ１は、
VHFチユーナ回路１ＶとUHFチユーナ回路１Ｕ
とから大略構成されており、VHFチユーナ回路
１Ｖは、入力回路２、高周波増幅回路３、複同調
回路４、局部発振回路５及びトランジスタ式混合
回路６とからなり、UHFチユーナ回路１Ｕは、
高周波増幅回路７、局部発振回路８及びダイオー
ド式混合回路９とからなる。
なお、トランジスタ式混合回路６は、カスコー
ド接続されたトランジスタTr1とTr2を用いてお
り、これにより低雑音、高ゲインの混合を行ない
うる。
ド接続されたトランジスタTr1とTr2を用いてお
り、これにより低雑音、高ゲインの混合を行ない
うる。
電子同調の原理は、可変容量ダイオードDTに
加える逆方向電圧の大きさにより容量を変え、共
振周波数を選局しようとするチヤンネル周波数に
合わせるわけであるが、通常オールチヤンネルを
VHFローチヤンネル（１〜3ch）、VHFハイチヤ
ンネル（４〜12ch）、UHF（13〜62ch）の３バン
ドに分けて用いていた。
加える逆方向電圧の大きさにより容量を変え、共
振周波数を選局しようとするチヤンネル周波数に
合わせるわけであるが、通常オールチヤンネルを
VHFローチヤンネル（１〜3ch）、VHFハイチヤ
ンネル（４〜12ch）、UHF（13〜62ch）の３バン
ドに分けて用いていた。
例えばVHFローチヤンネル用のコイルL1＋L2
を使用する場合には、LB端子に電圧を印加して
スイツチングダイオードDLを導通状態にしてス
イツチングダイオードDHを逆バイアスし、不導
通状態とし、又VHFハイチヤンネル用のコイル
L1を使用する場合には、HB端子に電圧を印加し
てスイツチングダイオードDHを導通状態とし、
コイルL2を短絡させていた。又、UHF受信時に
はHB端子とLB端子はともに電圧の印加を解除
され、MB端子とTU端子の他にUB端子に電圧が
印加される。
を使用する場合には、LB端子に電圧を印加して
スイツチングダイオードDLを導通状態にしてス
イツチングダイオードDHを逆バイアスし、不導
通状態とし、又VHFハイチヤンネル用のコイル
L1を使用する場合には、HB端子に電圧を印加し
てスイツチングダイオードDHを導通状態とし、
コイルL2を短絡させていた。又、UHF受信時に
はHB端子とLB端子はともに電圧の印加を解除
され、MB端子とTU端子の他にUB端子に電圧が
印加される。
その結果、VHFチユーナ回路１Ｖの高周波増
幅回路３および局部発信回路５は作動停止し、
UHFチユーナ回路１Ｕの出力である中間周波信
号が、スイツチングダイオードDUを通してVHF
チユーナ回路１Ｖの混合用トランジスタTr1のベ
ースに加わえられる。
幅回路３および局部発信回路５は作動停止し、
UHFチユーナ回路１Ｕの出力である中間周波信
号が、スイツチングダイオードDUを通してVHF
チユーナ回路１Ｖの混合用トランジスタTr1のベ
ースに加わえられる。
しかして、上記従来の電子同調チユーナ１は、
UHFチユーナ回路１Ｕがダイオード式の混合回
路９を用いているため、混合回路９でのゲインが
期待できない。一方、VHFチユーナ回路１Ｖの
方は、ビート除去を主眼に混合用トランジスタ
Tr1のベースバイアス電圧を大に設定してある関
係上、得られるVHFゲインは大である。このた
め、この種の従来の電子同調チユーナ１では、
UHF受信時のゲインをVHF受信時のゲインに合
わせるため、UHF受信時にUB端子に印加する電
圧を適宜値に設定して必要なゲインを得るように
していた。
UHFチユーナ回路１Ｕがダイオード式の混合回
路９を用いているため、混合回路９でのゲインが
期待できない。一方、VHFチユーナ回路１Ｖの
方は、ビート除去を主眼に混合用トランジスタ
Tr1のベースバイアス電圧を大に設定してある関
係上、得られるVHFゲインは大である。このた
め、この種の従来の電子同調チユーナ１では、
UHF受信時のゲインをVHF受信時のゲインに合
わせるため、UHF受信時にUB端子に印加する電
圧を適宜値に設定して必要なゲインを得るように
していた。
しかして、近年UHFチユーナ回路１Ｕに用い
る混合回路９として、ダイオード式ではなくトラ
ンジスタ式が使われるようになつてきたが、その
場合トランジスタ式混合回路が増幅作用をもつた
め、上記したUB端子に印加する電圧を適宜値に
設定する方法では、UHFゲインがVHFゲインを
大幅に上回つてしまうという好ましくない結果を
招いてしまう等の問題点があつた。
る混合回路９として、ダイオード式ではなくトラ
ンジスタ式が使われるようになつてきたが、その
場合トランジスタ式混合回路が増幅作用をもつた
め、上記したUB端子に印加する電圧を適宜値に
設定する方法では、UHFゲインがVHFゲインを
大幅に上回つてしまうという好ましくない結果を
招いてしまう等の問題点があつた。
本考案は上記問題点を解除したものであり、
VHFチユーナ回路によるVHF受信時には混合回
路として動作し、UHFチユーナ回路によるUHF
受信時には中間周波増幅回路として動作するトラ
ンジスタ回路を備えた電子同調チユーナにおい
て、前記トランジスタ回路のベースへ印加するバ
イアス電圧として、UHF受信時には前記トラン
ジスタ回路の駆動電圧（Ｂ電圧）を抵抗で分圧し
た第１のバイアス電圧となし、VHF受信時には
バンド切換え用電圧を抵抗で分圧し、かつ前記第
１のバイアス電圧よりも高電圧な第２のバイアス
電圧となす構成とし、これによりUHF受信時の
ゲインとVHF受信時のゲインを同程度に保つこ
とができ、しかもUHF受信時に、UHFチユーナ
回路からVHFチユーナ回路に送られる中間周波
出力の伝送ロスを極力抑えることができるように
した電子同調チユーナを提供することを目的とす
る。
VHFチユーナ回路によるVHF受信時には混合回
路として動作し、UHFチユーナ回路によるUHF
受信時には中間周波増幅回路として動作するトラ
ンジスタ回路を備えた電子同調チユーナにおい
て、前記トランジスタ回路のベースへ印加するバ
イアス電圧として、UHF受信時には前記トラン
ジスタ回路の駆動電圧（Ｂ電圧）を抵抗で分圧し
た第１のバイアス電圧となし、VHF受信時には
バンド切換え用電圧を抵抗で分圧し、かつ前記第
１のバイアス電圧よりも高電圧な第２のバイアス
電圧となす構成とし、これによりUHF受信時の
ゲインとVHF受信時のゲインを同程度に保つこ
とができ、しかもUHF受信時に、UHFチユーナ
回路からVHFチユーナ回路に送られる中間周波
出力の伝送ロスを極力抑えることができるように
した電子同調チユーナを提供することを目的とす
る。
以下、第２図を参照して本考案の一実施例につ
き説明する。第２図は本考案になる電子同調チユ
ーナの一実施例の回路図を示す。同図中、第１図
と対応する構成部分は、末尾の数が同一数字の符
号を付してある。
き説明する。第２図は本考案になる電子同調チユ
ーナの一実施例の回路図を示す。同図中、第１図
と対応する構成部分は、末尾の数が同一数字の符
号を付してある。
第２図中、電子同調回路１１のUHFチユーナ
回路１１Ｕは、混合回路１９としてトランジスタ
式のものを用いている。UHF受信時には、UB端
子に印加された電圧によりスイツチングダイオー
ドDUが導通し、UHFチユーナ回路１１Ｕの中間
周波出力は、VHFチユーナ回路１１Ｖの混合用
トランジスタTr1のベースに印加される。ここ
で、混合用トランジスタTr1のベースには、MB
端子の電圧をブリーダ抵抗R1とR2で分割した値
の電圧が印加されており、従つてそのバイアス状
態は抵抗R1とR2の比及び混合用トランジスタTr1
のエミツタ抵抗REによつて決まる。なお、UB端
子からの電圧でスイツチングダイオードDUを順
バイアスし、UHFチユーナ回路１１Ｕからの中
間周波出力が混合回路１６に伝送される。
回路１１Ｕは、混合回路１９としてトランジスタ
式のものを用いている。UHF受信時には、UB端
子に印加された電圧によりスイツチングダイオー
ドDUが導通し、UHFチユーナ回路１１Ｕの中間
周波出力は、VHFチユーナ回路１１Ｖの混合用
トランジスタTr1のベースに印加される。ここ
で、混合用トランジスタTr1のベースには、MB
端子の電圧をブリーダ抵抗R1とR2で分割した値
の電圧が印加されており、従つてそのバイアス状
態は抵抗R1とR2の比及び混合用トランジスタTr1
のエミツタ抵抗REによつて決まる。なお、UB端
子からの電圧でスイツチングダイオードDUを順
バイアスし、UHFチユーナ回路１１Ｕからの中
間周波出力が混合回路１６に伝送される。
ここで、抵抗R1，R2，REの抵抗値は、VHF受
信時にではなく、UHF受信時に最適バイアス状
態が得られるように設定してある。即ち、最適バ
イアス状態に設定することにより、UHFチユー
ナ回路１１Ｕの中間周波出力は、伝送ロスの極め
て少ない状態でVHFチユーナ回路１１Ｖに伝送
される。
信時にではなく、UHF受信時に最適バイアス状
態が得られるように設定してある。即ち、最適バ
イアス状態に設定することにより、UHFチユー
ナ回路１１Ｕの中間周波出力は、伝送ロスの極め
て少ない状態でVHFチユーナ回路１１Ｖに伝送
される。
一方、VHF受信時には、混合用トランジスタ
Tr1のバイアス状態をUHF受信時と変えること
により最適バイアス状態を得る必要があり、ビー
ト対策上は混合用トランジスタTr1のベース電位
を上げてVHFゲインを高める必要がある。この
ため、本実施例では、複同調回路１４を介して
LB端子或いはHB端子から印加される電圧ライ
ンに、VHFゲイン調整用の抵抗Ｒとダイオード
Ｄを設け、抵抗ＲとダイオードＤの直列接続回路
２０が混合用トランジスタTr1のベースに接続さ
れるようにしてある。
Tr1のバイアス状態をUHF受信時と変えること
により最適バイアス状態を得る必要があり、ビー
ト対策上は混合用トランジスタTr1のベース電位
を上げてVHFゲインを高める必要がある。この
ため、本実施例では、複同調回路１４を介して
LB端子或いはHB端子から印加される電圧ライ
ンに、VHFゲイン調整用の抵抗Ｒとダイオード
Ｄを設け、抵抗ＲとダイオードＤの直列接続回路
２０が混合用トランジスタTr1のベースに接続さ
れるようにしてある。
従つて、混合回路１６をUHF受信時には中間
周波増幅回路として、また、VHF受信時には混
合回路として最適なバイアスができ、VHF受信
時のゲインとしてUHF受信時のゲインと同程度
のゲインを得ることができ、同時に良好なビート
対策がなされる。
周波増幅回路として、また、VHF受信時には混
合回路として最適なバイアスができ、VHF受信
時のゲインとしてUHF受信時のゲインと同程度
のゲインを得ることができ、同時に良好なビート
対策がなされる。
このように、上記構成になる電子同調チユーナ
１１は、UHFチユーナ回路１１Ｕの混合回路１
９として、ダイオード式に比較して高ゲインの得
られるトランジスタ式を用いたため、VHFチユ
ーナ回路１１Ｖの混合用トランジスタTr1のベー
ス電位をUHF受信時の最適バイアス状態に設定
しておき、VHF受信時には、混合用トランジス
タTr1に抵抗Ｒを介して適宜の電圧を印加する構
成とすることにより、ビート対策を施した上で、
なお、かつUHFゲインとVHFゲインを同程度に
設定することができ、しかもUHF受信時に、
UHFチユーナ回路１１ＵからVHFチユーナ回路
１１Ｖへ送られる中間周波出力の伝送ロスを極力
抑えることができるので、負帰還歪みが極めて少
ないチユーナが得られる。
１１は、UHFチユーナ回路１１Ｕの混合回路１
９として、ダイオード式に比較して高ゲインの得
られるトランジスタ式を用いたため、VHFチユ
ーナ回路１１Ｖの混合用トランジスタTr1のベー
ス電位をUHF受信時の最適バイアス状態に設定
しておき、VHF受信時には、混合用トランジス
タTr1に抵抗Ｒを介して適宜の電圧を印加する構
成とすることにより、ビート対策を施した上で、
なお、かつUHFゲインとVHFゲインを同程度に
設定することができ、しかもUHF受信時に、
UHFチユーナ回路１１ＵからVHFチユーナ回路
１１Ｖへ送られる中間周波出力の伝送ロスを極力
抑えることができるので、負帰還歪みが極めて少
ないチユーナが得られる。
さらに、本考案の電子同調チユーナにおいて
は、VHFローチヤンネル受信時に、LB端子に加
える第１のバンド切換え用電圧を変化させ、また
VHFハイチヤンネル受信時に、HB端子に加え
る第２ののバンド切換え用電圧を変化させれば、
VHFローチヤンネルとVHFハイチヤンネルとで
周波数及びレベルが異なる信号に対して、混合用
トランジスタTr1を最適な条件で混合回路として
動作させることができる。すなわち、VHFロー
チヤンネル、VHFハイチヤンネル、UHFチヤン
ネルのいずれのチヤンネルにおいても最適なバイ
アス状態に設定することができる。
は、VHFローチヤンネル受信時に、LB端子に加
える第１のバンド切換え用電圧を変化させ、また
VHFハイチヤンネル受信時に、HB端子に加え
る第２ののバンド切換え用電圧を変化させれば、
VHFローチヤンネルとVHFハイチヤンネルとで
周波数及びレベルが異なる信号に対して、混合用
トランジスタTr1を最適な条件で混合回路として
動作させることができる。すなわち、VHFロー
チヤンネル、VHFハイチヤンネル、UHFチヤン
ネルのいずれのチヤンネルにおいても最適なバイ
アス状態に設定することができる。
なお、上記実施例において、回路２０中のダイ
オードＤは混合回路１６から複同調回路１４への
電流の流れを防止しするものであり、場合によつ
ては省略してもよいものである。
オードＤは混合回路１６から複同調回路１４への
電流の流れを防止しするものであり、場合によつ
ては省略してもよいものである。
以上説明したように、本考案になる電子同調チ
ユーナによれば、トランジスタ式の混合回路をも
つUHFチユーナ回路を用いているため、ダイオ
ード式の混合回路に比べ、トランジスタの増幅作
用による分だけUHFチユーナ回路の出力ゲイン
が大となるので、予めVHFチユーナ回路内の混
合用トランジスタのベース電位をUHF受信時の
最適バイアスに設定しておき、VHF受信時には、
混合用トランジスタのベースに適宜電圧を印加し
てVHF受信時のゲインをUHF受信時のゲインと
同程度まで高める構成しており、これにより
VHF受信時のビート及びUHF中間周波出力の伝
送ロスを良好に抑えることができる等の優れた効
果を奏する。
ユーナによれば、トランジスタ式の混合回路をも
つUHFチユーナ回路を用いているため、ダイオ
ード式の混合回路に比べ、トランジスタの増幅作
用による分だけUHFチユーナ回路の出力ゲイン
が大となるので、予めVHFチユーナ回路内の混
合用トランジスタのベース電位をUHF受信時の
最適バイアスに設定しておき、VHF受信時には、
混合用トランジスタのベースに適宜電圧を印加し
てVHF受信時のゲインをUHF受信時のゲインと
同程度まで高める構成しており、これにより
VHF受信時のビート及びUHF中間周波出力の伝
送ロスを良好に抑えることができる等の優れた効
果を奏する。
第１図は従来の電子同調チユーナの一例の回路
図、第２図は本考案になる電子同調チユーナの一
実施例の回路図である。 １１……電子同調チユーナ、１１Ｖ……VHF
チユーナ回路、１１Ｕ……UHFチユーナ回路、
１６，１９……トランジスタ式の混合回路、R1，
R2，RE，Ｒ……抵抗。
図、第２図は本考案になる電子同調チユーナの一
実施例の回路図である。 １１……電子同調チユーナ、１１Ｖ……VHF
チユーナ回路、１１Ｕ……UHFチユーナ回路、
１６，１９……トランジスタ式の混合回路、R1，
R2，RE，Ｒ……抵抗。
Claims (1)
- VHFチユーナ回路によるVHF受信時には混合
回路として動作し、UHFチユーナ回路による
UHF受信時には中間周波増幅回路として動作す
るトランジスタ回路を備えた電子同調チユーナに
おいて、前記トランジスタ回路のベースへ印加す
るバイアス電圧として、UHF受信時には前記ト
ランジスタ回路の駆動電圧を抵抗で分圧した第１
のバイアス電圧となし、VHF受信時にはバンド
切換え用電圧を抵抗で分圧し、かつ前記第１のバ
イアス電圧よりも高電圧な第２のバイアス電圧と
なす構成とし、VHFゲインをUHFゲインと同程
度まで高めるようにした電子同調チユーナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1580982U JPS58119248U (ja) | 1982-02-06 | 1982-02-06 | 電子同調チユ−ナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1580982U JPS58119248U (ja) | 1982-02-06 | 1982-02-06 | 電子同調チユ−ナ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58119248U JPS58119248U (ja) | 1983-08-13 |
| JPS646601Y2 true JPS646601Y2 (ja) | 1989-02-21 |
Family
ID=30028209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1580982U Granted JPS58119248U (ja) | 1982-02-06 | 1982-02-06 | 電子同調チユ−ナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58119248U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5729408Y2 (ja) * | 1977-09-26 | 1982-06-28 |
-
1982
- 1982-02-06 JP JP1580982U patent/JPS58119248U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58119248U (ja) | 1983-08-13 |
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