JPS647439B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS647439B2 JPS647439B2 JP56158582A JP15858281A JPS647439B2 JP S647439 B2 JPS647439 B2 JP S647439B2 JP 56158582 A JP56158582 A JP 56158582A JP 15858281 A JP15858281 A JP 15858281A JP S647439 B2 JPS647439 B2 JP S647439B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnet
- bubble memory
- magnetic field
- chip
- memory chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/085—Generating magnetic fields therefor, e.g. uniform magnetic field for magnetic domain stabilisation
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はバブル・メモリ装置にバイアス磁場を
作成する磁石構造に関係する。特に、本発明は単
一材料から作られ、バブル・メモリ・チツプと熱
接触し（両者を密に接触し、熱が両者の間を自由
に移動する）、全構造はバブル・メモリ装置の回
転磁界駆動コイル内に配置される単一バイアス磁
場磁石を含む。
作成する磁石構造に関係する。特に、本発明は単
一材料から作られ、バブル・メモリ・チツプと熱
接触し（両者を密に接触し、熱が両者の間を自由
に移動する）、全構造はバブル・メモリ装置の回
転磁界駆動コイル内に配置される単一バイアス磁
場磁石を含む。
従来技術の磁気バブル・メモリ装置は、各々が
高透磁率水準板と関連する１対の磁石を遮へい構
造内に必要とし、又バブル・メモリ・チツプと回
転磁場駆動コイルを磁石構造内に配置する。駆動
コイル構造はチツプを取囲む配線の高周波抵抗損
失による主要熱源である。チツプにより必要とさ
れる温度補償（通常永久磁石の同等な温度係数で
与えられる）は水準板のすきま配置により妨害さ
れ、チツプと磁石間の温度勾配を生じさせる。
高透磁率水準板と関連する１対の磁石を遮へい構
造内に必要とし、又バブル・メモリ・チツプと回
転磁場駆動コイルを磁石構造内に配置する。駆動
コイル構造はチツプを取囲む配線の高周波抵抗損
失による主要熱源である。チツプにより必要とさ
れる温度補償（通常永久磁石の同等な温度係数で
与えられる）は水準板のすきま配置により妨害さ
れ、チツプと磁石間の温度勾配を生じさせる。
それ故、本発明の目的は高透磁率水準板を除去
し、バブル・メモリ装置のよりコンパクトなバイ
アス磁場磁石を作成することである。
し、バブル・メモリ装置のよりコンパクトなバイ
アス磁場磁石を作成することである。
本発明は単一材料から作られたバブル・メモ
リ・バイアス磁場磁石であつて、比較的一様なバ
ブル・メモリ・バイアス磁場を与える外形となつ
ているバイアス磁場磁石を含む。本発明に必要と
される単一磁石はバブル・メモリ・チツプと熱接
触していることが望ましい。本発明によれば、低
透磁率磁石は、駆動コイル周波数が低透磁率材料
中でヒステリシス損失と磁場歪を生じないため駆
動コイル構造体内にあつてバブル・メモリ・チツ
プと接触していることができる。空気よりわずか
に大きい透磁率を有するバリウム・フエライトや
ストロンチウム・フエライト材料のような低透磁
率材料を磁石構造体に用いることが望ましい。バ
ブル・メモリ・チツプと同様の熱特性の材料の磁
石を有し、２要素を熱接触させることにより、本
発明によるバブル・メモリ装置の特性安定性は改
良される。
リ・バイアス磁場磁石であつて、比較的一様なバ
ブル・メモリ・バイアス磁場を与える外形となつ
ているバイアス磁場磁石を含む。本発明に必要と
される単一磁石はバブル・メモリ・チツプと熱接
触していることが望ましい。本発明によれば、低
透磁率磁石は、駆動コイル周波数が低透磁率材料
中でヒステリシス損失と磁場歪を生じないため駆
動コイル構造体内にあつてバブル・メモリ・チツ
プと接触していることができる。空気よりわずか
に大きい透磁率を有するバリウム・フエライトや
ストロンチウム・フエライト材料のような低透磁
率材料を磁石構造体に用いることが望ましい。バ
ブル・メモリ・チツプと同様の熱特性の材料の磁
石を有し、２要素を熱接触させることにより、本
発明によるバブル・メモリ装置の特性安定性は改
良される。
単一の図面を参照すると、バブル・メモリ装置
１０は、外部浮遊磁場からバブル・メモリ装置を
遮へいし、又バブル・メモリ装置からの磁場の放
出を防止する磁場遮へい材料から成る外部パツケ
ージ１２を有する。バブル・メモリ・チツプ上の
磁気バブルを移動させる回転磁場を発生する公知
の駆動コイル構造体はその外形をコイル構造体１
４で概略的に図示してある。
１０は、外部浮遊磁場からバブル・メモリ装置を
遮へいし、又バブル・メモリ装置からの磁場の放
出を防止する磁場遮へい材料から成る外部パツケ
ージ１２を有する。バブル・メモリ・チツプ上の
磁気バブルを移動させる回転磁場を発生する公知
の駆動コイル構造体はその外形をコイル構造体１
４で概略的に図示してある。
本発明によるバブル・メモリ・バイアス磁場磁
石１６はバブル・メモリ・チツプ１８と熱接触し
ている。チツプ１８と磁石１６は互いに固定され
る又は接着される必要はない。実装配置自体によ
つて磁石１６とチツプ１８との間の熱接触を十分
保持するように設計できる。従つて適当なプラス
チツク型１７によつてチツプ１８と磁石１６をコ
イル構造体１４内に支持してもよい。
石１６はバブル・メモリ・チツプ１８と熱接触し
ている。チツプ１８と磁石１６は互いに固定され
る又は接着される必要はない。実装配置自体によ
つて磁石１６とチツプ１８との間の熱接触を十分
保持するように設計できる。従つて適当なプラス
チツク型１７によつてチツプ１８と磁石１６をコ
イル構造体１４内に支持してもよい。
本発明によるバイアス磁石１６は低透磁率材料
でなければならない。たとえば、磁石１６の材料
は空気よりそう大きくはない透磁率を有するバリ
ウム・フエライト又はストロンチウム・フエライ
トのようなセラミツク材である。又、磁石はバリ
ウム・フエライトのような磁性材料を成分中にサ
スペンドしたゴム又はプラスチツク材料からも作
れる。中央部の磁石１６の磁場を弱める減磁効果
を防止するため、磁石１６は磁石の中央部の磁場
を強化し、減磁効果を補償するような外形にされ
る。
でなければならない。たとえば、磁石１６の材料
は空気よりそう大きくはない透磁率を有するバリ
ウム・フエライト又はストロンチウム・フエライ
トのようなセラミツク材である。又、磁石はバリ
ウム・フエライトのような磁性材料を成分中にサ
スペンドしたゴム又はプラスチツク材料からも作
れる。中央部の磁石１６の磁場を弱める減磁効果
を防止するため、磁石１６は磁石の中央部の磁場
を強化し、減磁効果を補償するような外形にされ
る。
外形面は磁石の中央部に大きな厚み、すなわち
磁石の有効長を有することになる。この外形は磁
石の中央部に強化磁場を生じるため、バブル・チ
ツプ１８が見る全磁場は比較的一様となる。加え
て、磁場１６の縁はバブル・チツプ１８の縁をい
く分越えて延びて、チツプの縁でより一様な磁場
を作成する。
磁石の有効長を有することになる。この外形は磁
石の中央部に強化磁場を生じるため、バブル・チ
ツプ１８が見る全磁場は比較的一様となる。加え
て、磁場１６の縁はバブル・チツプ１８の縁をい
く分越えて延びて、チツプの縁でより一様な磁場
を作成する。
チツプ１８と熱接触している磁石１６の表面は
磁石面に対して相補的な面に形成されており、従
つて２片は全体が連続的な熱接触を行なう。この
表面は通常比較的平らで、磁石１６の外形面はチ
ツプ１８と接触する面と反対の面にある。チツプ
１８と磁石１６との間の熱接触を保持することに
より、バブル・メモリ素子の安定特性が強化され
る。例えば、チツプと磁石との間に（同一の温度
係数を仮定すると）磁場強度の相対変化は小さ
く、又従来技術で生じたように加熱及び冷却時に
膨張又は収縮により生じる磁石１６とチツプ１８
との間の距離を変化させる相対移動はない。加え
て、磁石とチツプを熱接触状態にパツケージする
ことにより、使用中及び動作中のパツケージ構造
の移動や不整合が動作中チツプ１８に生じる磁場
に影響しないようにする。チツプ１８と接触する
磁石１６の配置は磁場強度を永久的に設定し、安
定性に影響する温度勾配と距離変動を除去する。
磁石面に対して相補的な面に形成されており、従
つて２片は全体が連続的な熱接触を行なう。この
表面は通常比較的平らで、磁石１６の外形面はチ
ツプ１８と接触する面と反対の面にある。チツプ
１８と磁石１６との間の熱接触を保持することに
より、バブル・メモリ素子の安定特性が強化され
る。例えば、チツプと磁石との間に（同一の温度
係数を仮定すると）磁場強度の相対変化は小さ
く、又従来技術で生じたように加熱及び冷却時に
膨張又は収縮により生じる磁石１６とチツプ１８
との間の距離を変化させる相対移動はない。加え
て、磁石とチツプを熱接触状態にパツケージする
ことにより、使用中及び動作中のパツケージ構造
の移動や不整合が動作中チツプ１８に生じる磁場
に影響しないようにする。チツプ１８と接触する
磁石１６の配置は磁場強度を永久的に設定し、安
定性に影響する温度勾配と距離変動を除去する。
本願と同一譲受人により所持される共願の米国
特許4530072号の全開示をその全体が本明細書に
含まれるように引用する。この共願はバブル・メ
モリ装置と関連するバイアス磁石構造の輪郭と整
形に関し、さらに情報を与える。
特許4530072号の全開示をその全体が本明細書に
含まれるように引用する。この共願はバブル・メ
モリ装置と関連するバイアス磁石構造の輪郭と整
形に関し、さらに情報を与える。
本発明の特別な利点は、一様な磁場を作成する
ため整形した磁石を用い、これにより従来技術で
一様な磁場を設定するのに用いる水準板を除去
し、磁石は駆動コイル構造体の内側に配置可能で
あり、バブル・メモリ・チツプと熱接触可能であ
る。従来技術の高透磁率水準板は高透磁率材料の
ヒステリシス損失の結果として生じる高い熱負荷
のため駆動コイル構造体内には配置不能であつ
た。
ため整形した磁石を用い、これにより従来技術で
一様な磁場を設定するのに用いる水準板を除去
し、磁石は駆動コイル構造体の内側に配置可能で
あり、バブル・メモリ・チツプと熱接触可能であ
る。従来技術の高透磁率水準板は高透磁率材料の
ヒステリシス損失の結果として生じる高い熱負荷
のため駆動コイル構造体内には配置不能であつ
た。
図面は本発明によるバイアス磁場磁石を用いた
バブル・メモリ装置の断面概略図である。 １０……バブル・メモリ装置、１２……外部パ
ツケージ、１４……コイル構造体、１６……磁
石、１８……バブル・メモリ・チツプ。
バブル・メモリ装置の断面概略図である。 １０……バブル・メモリ装置、１２……外部パ
ツケージ、１４……コイル構造体、１６……磁
石、１８……バブル・メモリ・チツプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁場遮へい構造体と、 前記磁場遮へい構造体内に回転磁場を発生させ
る装置と、 バブル・メモリ・チツプと、 前記バブル・メモリ・チツプのバイアス磁場を
発生する磁石と、を有し、 前記磁石は、前記バブル・メモリ・チツプと熱
接触しかつ回転磁場を発生させる前記装置内に配
置された低透磁率の単一永久磁石から構成され、
さらに 前記磁石は、前記バブル・メモリ・チツプと熱
接触している比較的平らな面に対向して配置され
た外面を有し、前記外面はバブル・メモリ・チツ
プの中央部に於て厚い磁石構造を作成するように
され、もつて局部的に強化された磁場を作成し、
その結果、全バブル・メモリ・素子に渡つて基本
的に磁場が均一であるようにされたことを特徴と
するバブル・メモリ構造。 ２ 前記磁石がバリウム・フエライトを含む特許
請求の範囲第１項記載のバブル・メモリ構造。 ３ 前記磁石がストロンチウム・フエライトを含
む特許請求の範囲第１項記載のバブル・メモリ構
造。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/204,728 US4692898A (en) | 1980-11-06 | 1980-11-06 | Bubble memory bias field structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5798182A JPS5798182A (en) | 1982-06-18 |
| JPS647439B2 true JPS647439B2 (ja) | 1989-02-08 |
Family
ID=22759190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56158582A Granted JPS5798182A (en) | 1980-11-06 | 1981-10-05 | Bubble memory structure |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4692898A (ja) |
| EP (1) | EP0052414B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5798182A (ja) |
| AU (1) | AU539978B2 (ja) |
| CA (1) | CA1163713A (ja) |
| DE (1) | DE3167218D1 (ja) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3864671A (en) * | 1972-04-10 | 1975-02-04 | Hughes Aircraft Co | Package structure for movable magnetic domain devices |
| JPS50108842A (ja) * | 1974-01-31 | 1975-08-27 | ||
| CA1074915A (en) * | 1975-06-16 | 1980-04-01 | Thomas T. Chen | Bias structure to efficiently package a magnetic bubble domain device |
| DE2811088A1 (de) * | 1977-03-17 | 1978-09-28 | Plessey Handel Investment Ag | Magnetblasen-bauelement |
| JPS53135243A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-25 | Keiichi Hama | Differential power amplifier |
| JPS5472638A (en) * | 1977-11-21 | 1979-06-11 | Fujitsu Ltd | Magnetic circuit device for magnetic bubble |
| JPS6022434B2 (ja) * | 1978-05-31 | 1985-06-01 | 富士通株式会社 | 磁気バブル装置 |
| US4530072A (en) * | 1979-12-10 | 1985-07-16 | Control Data Corporation | Bubble memory bias field structure |
-
1980
- 1980-11-06 US US06/204,728 patent/US4692898A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-09-17 DE DE8181304284T patent/DE3167218D1/de not_active Expired
- 1981-09-17 EP EP81304284A patent/EP0052414B1/en not_active Expired
- 1981-09-30 CA CA000386981A patent/CA1163713A/en not_active Expired
- 1981-10-05 JP JP56158582A patent/JPS5798182A/ja active Granted
- 1981-10-12 AU AU76251/81A patent/AU539978B2/en not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU539978B2 (en) | 1984-10-25 |
| US4692898A (en) | 1987-09-08 |
| EP0052414B1 (en) | 1984-11-14 |
| EP0052414A1 (en) | 1982-05-26 |
| JPS5798182A (en) | 1982-06-18 |
| DE3167218D1 (en) | 1984-12-20 |
| CA1163713A (en) | 1984-03-13 |
| AU7625181A (en) | 1982-05-13 |
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